液晶显示器、其制造方法及其修复方法

专利名称：液晶显示器、其制造方法及其修复方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器(LCD)、 一种制造该LCD的方法及一种修复 该LCD的方法。更具体地讲，本发明涉及一种能够获得宽视角并能提高修复 的成功率的LCD、 一种制造该LCD的方法及一种修复该LCD的方法。
背景技术：
来显示图像。LCD包括栅极线和数据线，彼此交叉；像素，在由所述交叉 的结构限定的每个区域内被薄膜晶体管(TFT)中的每个独立地驱动。每个像素 充有通过TFT提供到像素电极的数据信号与提供到滤色器基底的共电极的共 电压之间的电压差，液晶分子被充进的电压驱动，控制透光率，从而实现根 据数据信号的灰度级(gray scale)。
当在LCD的测试工艺中检测到像素的失效时，将数据线和TFT分离， 随后通过激光焊接将在前一级(previous-stage)存储电容器方法中用作电容器 的电极的前一级的栅极线与像素电极电连接。随后，通过前一级的栅极线将 栅极截止电压施加到像素电极，通过使对应的像素变暗使其暗显示(darkly display)来修复(repair)有缺陷像素。
然而，包括偏振器和液晶层中的至少一个的LCD不会实现上述的修复工 艺，其中，盘状(discotic)液晶层插入到所述偏振器中用于改进视角，所述液 晶层具有高的介电常数并注入在TFT基底与滤色器基底之间。
虽然通过上述方法来修复有缺陷像素，但是包括偏振器的LCD具有这样 的问题，即，穿过偏振器的光由于盘状液晶层的延迟而过度地变化，因此产 生光泄漏，其中，盘状液晶层插入到所述偏振器中。因此，存在这样的问题，
即，用户会识别到被修复的有缺陷像素。
此外，在包括具有高介电常数的液晶层的LCD中，应当施加比4册极截止 电压高大约5V或更大的电压，以将有缺陷像素显示为黑色。

发明内容
本发明提供了一种能够获得宽视角并能提高修复的成功率的LCD、 一种 制造该LCD的方法及一种^f'务复该LCD的方法。
在本发明示例性实施例中，所述LCD包括栅极线，形成在基底上；第 一数据线，与所述栅极线交叉，并且栅极绝缘层置于所述第一数据线和所述 栅极线之间；薄膜晶体管(TFT),与所述栅极线和所述第一数据线连接；像素 电极，与所述TFT连接；第一导电图案，与所述l象素电极的第一端部分地叠 置；第二导电图案，与所述像素电极的第二端部分地叠置；存储电容器，其 中，所述第 一导电图案和所述第二导电图案中的至少一个分别与邻近于所述 像素电极的第一端的第一数据线和邻近于所述像素电极的第二端的第二数据 线部分地叠置。
所述第 一导电图案和所述第二导电图案可由与所述栅极线的金属相同的 金属形成，并且可形成在所述液晶显示器的与所述栅极线的层相同的层内。
所述像素电极可从邻近于所述像素电极的第 一端的第 一数据线接收像素 信号。
所述第一导电图案可与连接到所述栅极线的第一存储电极连接，所述第 二导电图案可包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分 与所述像素电极的第二端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电极的第二 端的第二数据线叠置。可选择地，所述第一导电图案可包括线部分和突出部 分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第一端叠置，所 述突出部分与邻近于所述像素电极的第一端的第一数据线叠置，所述第二导 电图案可与连接到所述4册极线的第 一存储电极连接。
可通过叠置与所述栅极线连接的第一存储电极以及第二存储电极并将所 述栅极绝缘层置于所述第 一存储电极和所述第二存储电极之间来形成所述存 储电容器。
在修复工艺中，通过对所述像素电极的与所述第一导电图案和所述第二 导电图案中的至少一个叠置的部分照射激光束，所述第一导电图案和所述第
二导电图案中的所述至少 一个电连接到所述像素电极。所述第 一导电图案和 所述第二导电图案中的所述至少一个具有大于所述激光束的直径的线宽。
所述LCD还可包括位于所述基底的后表面上方的用于宽视角的偏振器。 所述LCD还可包括高介电常数的液晶层，所述液晶层被形成在所述像素电极 和面向所述像素电极的共电极之间的电场驱动。
在本发明另外的示例性实施例中， 一种制造LCD的方法包括在基底上 形成栅极金属图案，所述栅极金属图案包括栅电极、栅极线、与所述栅极线 连接的第一存储电极、第一导电图案、第二导电图案；在其上形成有所述栅 极金属图案的基底上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成包括有源 层和欧姆接触层的半导体图案；在其上形成有所述半导体图案的基底上方形 成源/漏金属图案，所述源/漏金属图案包括源电极、漏电极、第一数据线和第 二数据线；在其上形成有所述源/漏金属图案的基底上方形成保护层，所述保 护层具有暴露所述漏电极的接触孔；在所述保护层上形成与所述漏电极连接 的像素电极，所述像素电极具有与所述第一导电图案部分地叠置的第一端和 与所述第二导电图案部分地叠置的第二端，其中，所述第一导电图案和所述
第二导电图案中的 一个分别与邻近于所述像素电^l的第 一端的第 一数据线和 邻近于所述像素电极的第二端的第二数据线部分地叠置。
在所述制造LCD的方法中，所述第一导电图案和所述第二导电图案中的 一个与所述第一存储电极连接。
所述制造LCD的方法还可包括在形成所述源/漏金属图案的过程中， 形成第二存储电极，所述第二存储电极通过与所述第一存储电极叠置并将所 述栅极绝缘层置于所述第二存储电极与所述第一存储电极之间来形成存储电 容器，其中，所述第二存储电极与所述像素电极连接。
在本发明另外的示例性实施例中， 一种修复LCD的方法包括制备所述 LCD,所述LCD包括TFT、像素电极、第一导电图案、第二导电图案、栅极 线和第一数据线，其中，所述TFT形成在基底上，所述像素电极与所述TFT 连接并形成在像素区中，所述第 一导电图案与所述像素电极的第 一端部分地 叠置，所述第二导电图案与所述像素电极的第二端部分地叠置，所述栅极线 与所述TFT连接，所述第一数据线与所述栅极线交叉，所述第一数据线和第 二数据线中的至少一个分别与所述第一导电图案和所述第二导电图案部分地 叠置；测试所述LCD中是否存在有缺陷的像素；在所述测试工艺中检测到的
有缺陷的像素的像素电极与所述第一导电图案和所述第二导电图案中的至少 一个叠置的部分中，使所述有缺陷的像素的像素电极与所述第 一导电图案和 所述第二导电图案中的所述至少一个的部分短路；将所述有缺陷的像素的像
素电极与所述TFT分离。
在所述LCD的修复步骤中，所述第一导电图案可包括线部分和突出部 分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第一端叠置，所 述突出部分与邻近于所述像素电极的第一端的第一数据线叠置，所述第二导 电图案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述 像素电极的第二端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电极的第二端的第 二数据线叠置。
可选择地，在制备所述LCD的步骤中，可将所述第一导电图案与连接到 所述栅极线的第 一存储电容器连接，所述第二导电图案可包括线部分和突出 部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第二端叠置， 所述突出部分与邻近于所述像素电极的第二端的第二数据线叠置。
在再一可选择的实施例中，在制备所述LCD的步骤中，所述第一导电图 案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素 电极的第一端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电极的第一端的第一数 据线叠置，将第二导电图案与连接到所述栅极线的第 一存储电容器连接。
通过照射到在所述叠置的部分中的所述第一导电图案和所述第二导电图 案中的所述至少一个与所述像素电极的部分上的激光束，所述叠置的部分中 的所述像素电极与所述第一导电图案和所述第二导电图案中的所述至少一个 的部分的短路将所述第一导电图案和所述第二导电图案中的所述至少一个与 所述像素电极电连接。


通过参照附图描述本发明示例性实施例，本发明的以上和其它特征及优 点将变得更加清楚，在附图中
图1是示出根据本发明第 一示例性实施例的示例性LCD的示例性薄膜晶 体管(TFT)基底的平面图2是图1中示出的示例性TFT基底的沿着线I-I'截取的剖视图3是示出修复图1中示出的示例性LCD的示例性方法的平面图4A和图4B是根据本发明第一示例性实施例的示例性LCD的示例性 TFT基底修复之前与修复之后比较的图解视图5是示出根据本发明第二示例性实施例的示例性LCD的示例性TFT 基底的平面图6是示出修复图5中示出的示例性LCD的示例性方法的平面图7A和图7B是根据本发明第二示例性实施例的示例性LCD的示例性
TFT基底修复之前与修复之后比较的图解视图8是示出根据本发明第三示例性实施例的示例性LCD的示例性TFT
基底的平面图9是示出修复图8中示出的示例性LCD的示例性方法的平面图； 图IOA和图IOB是根据本发明第三示例性实施例的示例性LCD的示例 性TFT基底修复之前与修复之后比较的图解视图ll是具有图1和图2中示出的TFT基底的示例性LCD的剖视图。
具体实施例方式
在下文，现在将参照附图来更加充分地描述本发明，本发明的示例性实 施例示出在附图中。然而，可以以许多不同形式来实施本发明，本发明不应 该被解释为局限于在这里阐明的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公 开将是彻底的和完全的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。相 同的标号始终表示相同的元件。
将理解的是，当元件被称作"在"另一元件上时，它可以直接在该另一 元件上，或者在它们之间可存在中间元件。相反，当元件被称作"直接在" 另一元件上时，不存在中间元件。如所采用的，术语"和/或"包括一个或多 个相关所列项中的任一组合和全部组合。
将理解的是，虽然术语第一、第二、第三等在这里可用于描述各种元件、 组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该 受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分区 别于另外的元件、组件、区域、层或部分。因此，在不脱离本发明的教导的 情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、 组件、区域、层或部分。
在这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并不意在成为本发明 的限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地表明，否则单数形式意在 也包括复数形式。还将理解的是，当术语"包括"和/或"包含"用在本说明 书中时，它们指存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件， 但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元 件、组件和/或它们的组。
此外，在这里可使用相对术语例如"下面"或"底部"以及"上面"或 "顶部"，以描述附图中所示的一个元件相对于另外的元件的关系。将理解的 是，相对术语意在包含装置的除附图中示出的方位之外的不同方位。例如， 如果一个附图中的装置被反转，则被描述为在其它元件"下"面的元件将被 定位为在其它元件"上"面。因此，根据附图中的具体方位，示例性术语"下 面"可包括"下面"和"上面"两种方位。相似地，如果一个附图中的装置 被反转，则被描述为在其它元件"下方，，或"之下"的元件将被定位为在其 它元件"上方"。因此，示例性术语"下方"或"在...之下"可包括上方和下
方两种方位。装置可被另外地定向(旋转90度或在其它方位上)，并相应地解 释在这里使用的空间相对描述符。
在下文中，现在将参照图l至图11来详细描述本发明的示例性实施例。
图1是示出根据本发明第 一示例性实施例的示例性LCD的示例性薄膜晶 体管(TFT)基底的平面图。图2是图1中示出的TFT基底的沿着线I-I喊取的 剖视图，图ll是具有图1和图2中示出的TFT基底的LCD的剖视图。
图1和图2中示出的TFT基底包括栅极线102和数据线104,形成在 下基底101上，从而彼此交叉，栅极绝缘层112置于栅极线102、数据线104 与下基底101之间；TFT,邻近于栅极线102和数据线104的交叉部分；像 素电极122，形成在像素区中；存储电容器Cst，用于防止充在像素电极122 中的像素电压变化；第一导电图案140和第二导电图案150,与像素电极122 和数据线104叠置。
栅极线102向TFT的栅电极106提供扫描信号，栅电极106可从栅极线 102突出。数据线104与栅极线102交叉，并向TFT的源电极108提供像素 信号，源电极108可从数据线104突出。在示例性实施例中，像素区可由栅 极线102和数据线104限定。
响应于提供到栅极线102的扫描信号而提供给数据线104的TFT将像素 信号充在并存储在^象素电极122中。为此，TFT包括栅电极106,与栅极
线102连接；源电极108，与数据线104连接；漏电极110,面向源电极108 并与像素电极122连接；有源层114，与栅电极106叠置，栅极绝缘层112 置于有源层114与栅电极106之间，从而在源电极108与漏电极110之间形 成沟道；欧姆接触层116，形成在除沟道之外的有源层114上，从而与源电极 108和漏电极IIO产生欧姆接触。
在这里，在制造工艺中将包括有源层114和欧姆接触层116的半导体图 案形成为与数据线104和第二存储电极126叠置。漏电极110包括颈部分 110A,面向源电极108;头部分110B,与像素电极122连接并从颈部分110A 延伸。像素电极108可具有部分地环绕颈部分IIOA的"U"形形状。
如图11所示，像素电极122与通过穿过保护层118的第一接触孔120暴 露的漏电极110连接。具体地讲，第一接触孔120暴露漏电极110的头部分 1IOB。像素电极122充有从TFT提供的像素信号，并与形成在滤色器基底201 上的共电极203 —起产生电压差。电压差使具有介电各向异性并置于TFT基 底与滤色器基底201之间的液晶层205的液晶旋转，液晶层205的液晶调节 从光源(未示出)入射穿过像素电极122以向滤色器基底201传播的光的量。同 时，采用具有高的相对介电常数并且即使在较低电压下也具有快的响应速度 的液晶。液晶的相对介电常数可以是大约14。此外，偏振器207采用其中插 入有盘状液晶层的偏振器，以获得宽的视角，其中，偏振器207位于下基底 IOI的后表面上方，并使从光源发射的光偏振。
存储电容器Cst稳定地维持充在像素电极122中的像素信号，直到充入 下一像素信号。通过将第一存储电极124与第二存储电极126叠置并将栅极 绝缘层112置于它们之间来形成存储电容器Cst,其中，第一存储电极124与 前一级的栅极线102连接，第二存储电极126与〗象素电极122连接。第一存 储电极124在下基底101上由与栅极线102的金属相同的金属形成，并可沿 着与栅电极106的突出方向相反的方向从栅极线102突出。第二存储电极126 在TFT基底的与数据线104的层相同的层内由与数据线104的金属相同的金 属形成，并通过穿过保护层118的第二接触孔128与像素电极122连接。
第一导电图案140和第二导电图案150以浮置(floating)结构形成，并形 成在TFT基底的与栅极线102的层相同的层内。第一导电图案140与像素电 极122的右部分和邻近于像素电极122的右部分的当前级的数据线104叠置。 第二导电图案150与像素电极122的左部分和邻近于像素电极122的左部分
的前一级或下一级的数据线104叠置。第一导电图案140和第二导电图案150 中的每个包括线部分142，与像素电极122叠置；突出部分144,从线部分 142突出从而与相应的数据线104叠置。
通过与用于形成栅极线102的工艺相同的掩模工艺在下基底101上由与 栅极线102的金属相同的金属形成线部分142。线部分142与像素电极122 的右部分和左部分中的每个部分叠置，并且栅极绝缘层112和保护层118置 于线部分142与像素电极122的右部分和左部分中的每个部分之间，从而在 第一导电图案140和第二导电图案150中的每个与像素电极122之间形成第 一寄生电容器Ca。在修复工艺中，将激光束照射到与在测试工艺中检测到的 有缺陷像素的像素电极122和线部分142叠置的部分上。为此，线部分142 形成为具有比激光束的直径大的线宽，并在修复工艺中与有缺陷像素的像素 电极122连接。
通过与数据线104的工艺相同的掩模工艺在TFT基底的与线部分142的 层相同的层内由与线部分142的金属相同的金属形成突出部分144。第一导 电图案140的突出部分144与邻近于像素电极122的右部分的当前级的数据 线104叠置，且栅极绝缘层112置于它们之间，从而形成第二寄生电容器Cb。 第二导电图案150的突出部分144与邻近于像素电极122的左部分的前一级 或下一级的数据线104叠置，且栅极绝缘层112置于它们之间，从而形成第 二寄生电容器Cb。
同时，通过如下的示例性制造方法来形成图1和图2所示的示例性LCD。 在这里，现在将参照图2来详细描述制造示例性LCD的示例性方法。
首先，在下基底101上形成栅极金属图案，所述栅极金属图案包括栅极 线102、栅电极106、第一存储电极124、第一导电图案140和第二导电图案 150。在下基底101上通过沉积法例如溅射法等形成4册极金属层之后，通过光 刻工艺和蚀刻工艺将栅极金属层图案化，从而形成栅极金属图案。
在其上形成有栅极金属图案的下基底101上方沉积栅极绝缘层112、半 导体图案和源/漏金属图案，其中，所述半导体图案包括有源层114和欧姆接 触层116，所述源/漏金属图案包括数据线104、第二存储电极126、源电极 108和漏电极110。在其上形成有栅极金属图案的下基底101的整个表面上利 用沉积法例如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等通过沉积无机绝缘材料 例如SiOx、 SiNx等来形成栅极绝缘层112。在形成非晶硅(a-Si)层、n+a-Si层
和源/漏金属层之后，通过利用狭缝(slit)掩模的光刻工艺和蚀刻工艺将a-Si层、 n+ a-Si层和源/漏金属层图案化来形成半导体图案和源/漏金属图案。以这种 方式，同时形成半导体图案和源/漏金属图案。可选"^地，形成半导体图案， 然后可在其上形成有半导体图案的基底上方形成源/漏金属图案。换句话说， 通过利用掩模的光刻工艺和蚀刻工艺形成半导体图案，然后通过利用掩模的 光刻工艺和蚀刻工艺形成源/漏金属图案。
在其上形成有源/漏金属图案的栅极绝缘层112上形成保护层118,然后 形成第一接触孔120和第二接触孔128。通过在其上形成有源/漏金属图案的 栅极绝缘层112上沉积无机绝缘材料(例如SiOx、 SiNx等)或有机绝缘材料(例 如丙烯酰(acryl)树脂等)来形成保护层118。通过光刻工艺和蚀刻工艺将保护 层118图案化来形成第一接触孔120和第二接触孔128。
在其上形成有保护层118、第一接触孔120和第二接触孔128的下基底 101的上方沉积像素电极122。在通过沉积法例如贼射法等在保护层118上形 成透明导电层例如氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌 (ITZO)等之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺将透明导电层图案化来形成像素电 极122。测试通过上述制造方法制备的LCD中包括的像素，识别有缺陷像素。
如图3所示，当在测试工艺中检测到有缺陷的像素时，将激光束照射到 例如部分"A"上，从而焊接有缺陷像素的像素电极122和线部分142，其中， 所述部分"A"位于有缺陷像素的像素电极122与第一导电图案140和第二 导电图案150中的每个的线部分142的叠置部分。因此，如图4B所示，图 4A中示出的由有缺陷像素的像素电极122和线部分142形成的第一寄生电容 器Ca变成短路。随后，通过在切割线B处的切割工艺将TFT的漏电极llO 的颈部分IIOA和头部分IIOB分离，从而分离TFT和像素电极122。因此， 如图4B所示，通过存储电容器Cst浮置(float)给像素电极122的栅极截止电 压Voff通过前一级或下一级的数据线104和当前级的数据线104^皮释放，其 中，前一级或下一级的数据线104和当前级的数据线104通过第二寄生电容 器Cb与第一导电图案140和第二导电图案150中的每个的突出部分144连接。 结果，施加到液晶的栅极截止电压Voff不断降低，因此对应的像素变成暗点 (dark spot),从而显示黑色。
图5是示出根据本发明第二示例性实施例的示例性TFT基底的平面图。
与图1和图2中示出的示例性TFT基底相比，图5中示出的TFT基底通
过与前一级或下一级的数据线叠置的第二导电图案150使有缺陷像素变暗。 除了第一导电图案140与第一存储电极124连接之外，图5中示出的TFT基 底包括与图1和图2的TFT基底的构造基本相同的构造。因此，将省略对相 同或相似元件的详细描述。
存储电容器Cst稳定地维持充在像素电极122中的像素电压信号，直到 充入下一像素信号。通过将第一存储电极124与第二存储电极126叠置并将 栅极绝缘层112置于第一存储电极124与第二存储电极126之间来形成存储 电容器Cst,其中，第一存储电极124与前一级的栅极线102连接，第二存储 电极126与像素电极122连接。
第二存储电极126由与数据线104的金属相同的金属形成，并且形成在 TFT基底的与数据线104的层相同的层内，并通过穿过保护层118的第二接 触孔128与像素电极122连接。
第一存储电极124与从第一存储电极124垂直地延伸的第一导电图案 140连接。第一导电图案140与像素电极122的右部分叠置，并在下基底IOI 上由与栅极线102和第一存储电极124的金属相同的金属形成。与第一导电 图案140连接的第一存储电极124的区域由于第一导电图案140而与图1和 图2中示出的第一存储电极124的区域相比变得相对较宽。因此，图5和图 7A中示出的存储电容器Cst的与第一存储电极124的面积成比例的电容与图 1和图2中示出的存储电容器Cst的电容相比较大。在这种情况下，如果图5 和图7A中示出的存储电容器Cst的电容的值与图1和图2中示出的存储电容 器Cst的电容的值相同，则可减小存储电容器Cst中包括的第一存储电极124 和第二存储电极126的叠置面积，从而通过减小第一存储电极124和第二存 储电极126的叠置面积来提高开口率。
同时，由于在对应于第一导电图案140的区域内发生向错(disclination), 所以会发生左视角的光泄漏，其中，所述第一导电图案140通过与栅极线102 连接的第一存储电极124来接收栅极截止电压Voff。为了防止光泄漏，应当 增大与第一导电图案140叠置的黑矩阵(未示出)的宽度，所述黑矩阵例如设置 在相对的滤色器基底内。此时，由于黑矩阵的面积增大的程度远远小于第一 存储电极124和第二存储电极126的叠置面积减小的程度，所以防止了由于 黑矩阵导致的开口率的减小。
此外，面向第一导电图案140并且以浮置结构形成的第二导电图案150
包括线部分142和突出部分144。线部分142与#>素电才及122的左部分叠置， 突出部分144从线部分142突出，从而与邻近于像素电极122的左部分的前 一级或下一级的数据线104叠置。
在下基底101上由与栅极线102的金属相同的金属形成线部分142,并 且线部分142形成在TFT基底的与4册极线102的层相同的层内。线部分142 与像素电极122的左部分叠置，且栅极绝缘层112和保护层118置于线部分 142与像素电极122的左部分之间，从而形成第一寄生电容器Ca。在修复工 艺中，将激光束照射到一个部分或多个部分A上，所述一个部分或多个A部 分位于在测试工艺中检测到的有缺陷像素的像素电极122和线部分142的叠 置部分。为此，线部分142形成为具有比激光束的直径大的线宽，并在修复 工艺中与有缺陷像素的像素电极122连接。
由与线部分142的金属相同的金属形成突出部分144,并且突出部分144 形成在TFT基底的与线部分142的层相同的层内。突出部分144与邻近于像 素电极122的左部分的前一级或下一级的数据线104叠置，且栅极绝缘层112 置于它们之间，从而形成第二寄生电容器Cb。
如图6所示，当在测试工艺中检测到有缺陷的像素时，将激光束照射到 一个部分或多个部分"A"上，从而焊接第二导电图案150的线部分142和 有缺陷像素的像素电极122，其中，所述一个部分或多个部分"A"位于有缺 陷像素的像素电极122与第二导电图案150的线部分142的叠置部分。因此， 如图7B所示，图7A中示出的包括第二导电图案150的线部分142和像素电 极122的第一寄生电容器Ca变成短路。随后，通过切割工艺(例如沿着切割 线B)将TFT的漏电极110的颈部分110A和头部分110B分离，从而分离TFT 和像素电极122。因此，通过存储电容器Cst浮置给像素电极122的栅极截止 电压Voff通过前一级或下一级的数据线104被释放，其中，前一级或下一级 的数据线104通过第二寄生电容器Cb与第二导电图案150的突出部分144 连接。结果，施加到液晶的栅极截止电压Voff逐渐降低，因此对应的像素变 暗，从而显示黑色。
图8是示出根据本发明第三示例性实施例的示例性TFT基底的平面图。
与图5中示出的示例性TFT基底相比，在图8中示出的示例性TFT基底 中，有缺陷像素通过与当前级的数据线叠置的第一导电图案140变成暗点。 除了第二导电图案150与第一存储电极124连接之外，图8中示出的TFT基
底包括与图5中示出的TFT基底的构造基本相同的构造。因此，将省略对相 同或相似元件的详细描述。
存储电容器Cst稳定地维持充在像素电极122中的像素电压信号，直到 充入下一像素信号。通过将第一存储电极124与第二存储电极126叠置并将 栅极绝缘层112置于第一存储电极124与第二存储电极126之间来形成存储 电容器Cst,其中，第一存储电极124与前一级的栅极线102连接，第二存储 电极126与像素电极122连接。
第二存储电极126由与数据线104的金属相同的金属形成，并且形成在 TFT基底的与数据线104的层相同的层内，并通过穿过保护层118的第二接 触孔128与像素电极122连接。
第一存储电极124与从第一存储电极124垂直地延伸的第二导电图案 150连接。第二导电图案150与像素电极122的左部分叠置，并在下基底101 上由与栅极线102和第一存储电极124的金属相同的金属形成。与第二导电 图案150连接的第一存储电极124的区域由于第二导电图案150而与图1和 图2中示出的第一存储电极124的区域相比变得相对较宽。因此，图8和图 10A中示出的存储电容器Cst的与第一存储电极124的面积成比例的电容与 图1和图2中示出的存储电容器Cst的电容相比相对增大。在这种情况下， 如果图8和图10A中示出的存储电容器Cst的电容与图1和图2中示出的存 储电容器Cst的电容相同，则可减小存储电容器Cst中包括的第一存储电极 124和第二存储电极126的叠置面积，从而通过减小第一存储电极124和第 二存储电极126的叠置面积来提高开口率。
同时，由于在对应于第二导电图案150的区域内发生向错，所以会发生 右视角的光泄漏，其中，所述第二导电图案150通过与栅极线102连接的第 一存储电极124来接收栅极截止电压Voff。为了防止光泄漏，应当增大与第 二导电图案150叠置的黑矩阵(未示出)的宽度，所述黑矩阵例如在相对的滤色 器基底内。此时，黑矩阵的面积增大的程度远远小于第一存储电极124和第 二存储电极126的叠置面积减小的程度，从而防止了由于黑矩阵导致的开口 率的减小。
此外，面向第二导电图案150并且以浮置结构形成的第一导电图案140 包括线部分142和突出部分144。线部分142与像素电极122的右部分叠置， 突出部分144从线部分142突出，从而与邻近于像素电极122的右部分的当
前级的数据线104叠置。
在下基底101上由与栅极线102的金属相同的金属形成线部分142，并 且线部分142形成在TFT基底的与栅极线102的层相同的层内。线部分142 与像素电极122的右部分叠置，且栅极绝缘层112置于线部分142与像素电 极122的右部分之间，从而形成第一寄生电容器Ca。在修复工艺中，将激光 束照射到一个部分或多个部分A上，所述一个部分或多个部分A位于在测试 工艺中检测到的有缺陷像素的像素电极122和线部分142的叠置部分。为此， 线部分142形成为具有比激光束的直径大的线宽，并在^^复工艺中与有缺陷 像素的像素电极122连接。
由与线部分142的金属相同的金属形成突出部分144,并且突出部分144 形成在TFT基底的与线部分142的层相同的层内。突出部分144与邻近于像 素电极122的右部分的当前级的数据线104叠置，且栅极绝缘层112置于它 们之间，从而形成第二寄生电容器Cb。
如图9所示，当在测试工艺中检测到有缺陷的像素时，将激光束照射到 一个部分或多个部分"A"上，从而焊接第一导电图案140的线部分142和 有缺陷像素的像素电极122，其中，所述一个部分或多个部分"A"位于有缺 陷像素的像素电极122与第一导电图案140的线部分142的叠置部分。因此， 如图IOB所示，周10A中示出的包括第一导电图案140的线部分142和像素 电极122的第一寄生电容器Ca变成短路。随后，通过切割工艺(例如沿着切 割线B)将TFT的漏电才及110的颈部分110A和头部分110B分离，从而分离 TFT和像素电极122。因此，通过存储电容器Cst浮置给像素电极122的栅极 截止电压Voff通过当前级的数据线104被释放，其中，当前级的数据线104 通过第二寄生电容器Cb与第一导电图案140的突出部分144连接。结果，施 加到液晶的栅极截止电压Voff逐渐降低，因此对应的像素变暗，从而显示黑 色。
同时，在包括第一导电图案140和第二导电图案150的图1中示出的TFT 基底中，在修复工艺之后，浮置的栅极截止电压Voff通过第二寄生电容器Cb 沿着来自当前级的数据线104和前一级或下一级的数据线104的数据信号摆 动。在这种情况下，当通过当前级的数据线104和前一级或下一级的数据线 104提供不同极性的数据信号时，不同极性的数据信号抵消，从而减小了栅 极截止电压Voff通过数据线104的释放效应(discharging effect)。
并且，在包括第二导电图案150的图5中示出的TFT基底中，在修复工 艺之后，浮置的栅极截止电压Voff通过第二寄生电容器Cb沿着来自前一级 或下一级的数据线104的数据信号摆动，其中，所述第二导电图案150与前 一级或下一级的数据线104叠置。在这种情况下，当通过当前级的数据线104 和前一级或下一级的数据线104提供不同极性的数据信号时，浮置给像素电
另一方面，在包括第一导电图案140的图8中示出的TFT基底中，在修 复工艺之后，浮置的栅极截止电压Voff通过第二寄生电容器Cb沿着来自当 前级的数据线104的数据信号摆动，其中，所述第一导电图案140与当前级 的数据线104叠置。结果，与图1和图5中示出的TFT基底相比，图8中示 出的TFT基底具有较低值的影响栅极截止电压Voff的数据信号，其中，所述 栅极截止电压Voff通过第二寄生电容器Cb被浮置给像素电极122。
如上所述，依照根据本发明示例性实施例的LCD、制造该LCD的方法 和修复该LCD的方法，通过存储电容器浮置给像素电极的栅极截止电压Voff 通过数据线被释放，所述数据线通过第二寄生电容器连接到第一导电图案和 第二导电图案中的至少一个导电图案的突出部分。依照根据本发明示例性实 施例的LCD、制造该LCD的方法和修复该LCD的方法，可在具有用于宽视 角的偏振器和高介电常数的液晶层的结构中实施修复。
此外，依照根据本发明的LCD、制造该LCD的方法和修复该LCD的方 法，第一导电图案和第二导电图案中的一个与存储电极连接，从而增大了存 储电容器的电容。在这种情况下，当根据本发明示例性实施例的存储电容器 的电容与传统的存储电容器的电容相同时，可减小存储电容器的面积，因此 可通过存储电容器的面积的减小程度来提高开口率。
虽然已经描述了本发明的示例性实施例，但是理解的是，本发明不应局 限于这些示例性实施例，而是在如权利要求所述的本发明的精神和范围内， 本领域普通技术人员可做出各种改变和修改。
权利要求
1、一种液晶显示器，包括栅极线，形成在基底上；第一数据线，与所述栅极线交叉，并且栅极绝缘层置于所述第一数据线和所述栅极线之间；薄膜晶体管，与所述栅极线和所述第一数据线连接；像素电极，与所述薄膜晶体管连接；第一导电图案，与所述像素电极的第一端部分地叠置；第二导电图案，与所述像素电极的第二端部分地叠置；存储电容器，其中，所述第一导电图案和所述第二导电图案中的至少一个分别与邻近于所述像素电极的第一端的第一数据线和邻近于所述像素电极的第二端的第二数据线部分地叠置。
2、 如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一导电图案和所述第 二导电图案由与所述栅极线的金属相同的金属形成，并且形成在所述液晶显 示器的与所述栅4 L线的层相同的层内。
3、 如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述像素电极从邻近于所述 像素电极的第 一端的第 一数据线接收像素信号。
4、 如权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述第一导电图案与连接到所述栅极线的第 一存储电极连接，所述第二导电图案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第二端叠置，所述突 出部分与邻近于所述像素电极的第二端的第二数据线叠置。
5、 如权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述第一导电图案包括线部 分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第一 端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电极的第一端的第一数据线叠置，所述第二导电图案与连接到所述栅极线的第 一存储电极连接。
6、 如权利要求3所述的液晶显示器，其中，通过叠置与所述栅极线连接 的第 一存储电极以及与所述像素电极连接的第二存储电极并将所述栅极绝缘 层置于所述第一存储电极和所述第二存储电极之间来形成所述存储电容器。
7、 如权利要求3所述的液晶显示器，其中，在修复工艺中，通过对所述 像素电极的与所述第一导电图案和所述第二导电图案中的至少一个叠置的部 分照射激光束，所述第一导电图案和所述第二导电图案中的所述至少一个电 连接到所述像素电极。
8、 如权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述第一导电图案和所述第 二导电图案中的所述至少一个具有大于所述激光束的直径的线宽。
9、 如权利要求1所述的液晶显示器，还包括位于所述基底的后表面上方 的用于宽视角的偏振器。
10、 如权利要求1所述的液晶显示器，还包括高介电常数的液晶层，所 述液晶层被形成在所述像素电极和面向所述像素电极的共电极之间的电场驱 动。
11、 一种制造液晶显示器的方法，所述方法包括 在基底上形成栅极金属图案，所述栅极金属图案包括栅电极、栅极线、第一导电图案、第二导电图案以及与所述栅极线连接的第一存储电^L; 在其上形成有所述栅极金属图案的基底上方形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成包括有源层和欧姆接触层的半导体图案； 在其上形成有所述半导体图案的基底上方形成源/漏金属图案，所述源/漏金属图案包括源电极、漏电极、第一数据线和第二数据线；在其上形成有所述源/漏金属图案的基底上方形成保护层，所述保护层具有暴露所述漏电极的接触孔；在所述保护层上形成与所述漏电极连接的像素电极，所述像素电极具有与所述第一导电图案部分地叠置的第一端和与所述第二导电图案部分地叠置的第二端，其中，所述第 一导电图案和所述第二导电图案中的一个分别与邻近于所 述像素电极的第 一端的第 一数据线和邻近于所述像素电极的第二端的第二数 据线部分地叠置。
12、 如权利要求11所述的方法，其中，所述第一导电图案和所述第二导 电图案中的一个与所述第 一存储电极连接。
13、 如权利要求12所述的方法，其中，所述第一导电图案与所述第一存 储电极连接，所述第二导电图案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所 述线部分与所述像素电极的第二端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电 极的第二端的第二数据线叠置。
14、 如权利要求12所述的方法，其中，所述第一导电图案包括线部分和 突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第一端部 分地叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电极的第一端的第一数据线叠置，所述第二导电图案与所述第一存储电极连接。
15、 如权利要求11所述的方法，还包括在形成所述源/漏金属图案的 过程中，形成第二存储电极，所述第二存储电极通过与所述第一存储电极叠 置并将所述栅极绝缘层置于所述第二存储电极与所述第一存储电极之间来形 成存储电容器，其中，所述第二存储电极与所述像素电极连接。
16、 如权利要求11所述的方法，还包括修复工艺，通过对所述第一导电 图案和所述第二导电图案中的至少一个的与所述像素电极叠置的部分照射激 光束，所述修复工艺将所述第一导电图案和所述第二导电图案中的所述至少 一个与所述像素电极电连接。
17、 一种修复液晶显示器的方法，所述方法包括制备所述液晶显示器，所述液晶显示器包括薄膜晶体管，形成在基底 上；像素电极，与所述薄膜晶体管连接并形成在述像素区中；第一导电图案， 与所述像素电极的第一端部分地叠置；第二导电图案，与所述像素电极的第 二端部分地叠置；栅极线，与所述薄膜晶体管连接；第一数据线，与所述栅 极线交叉，所述第一数据线和第二数据线中的至少一个分别与所述第 一导电 图案和所述第二导电图案部分地叠置；测试所述液晶显示器中是否存在有缺陷的像素；在所述测试工艺中检测到的有缺陷的像素的像素电极与所述第一导电图 案和所述第二导电图案中的至少一个叠置的部分中，使所述有缺陷的像素的 像素电极与所述第一导电图案和所述第二导电图案中的所述至少一个的部分 短路；将所述有缺陷的像素的像素电极与所述薄膜晶体管分离。
18、 如权利要求17所述的方法，其中，在制备所述液晶显示器的步骤中， 所述第一导电图案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第一端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电 极的第 一端的第 一数据线叠置，所述第二导电图案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所 述线部分与所述像素电极的第二端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电 极的第二端的第二数据线叠置。
19、 如权利要求17所述的方法，其中，制备所述液晶显示器的步骤还包 括形成存储电容器，所述存储电容器与所述第一导电图案和所述第二导电图 案中的一个连接。
20、 如权利要求19所述的方法，其中，在制备所述液晶显示器的步骤中， 将所述第 一导电图案与连接到所述栅极线的第 一存储电容器连接， 所述第二导电图案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第二端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电 极的第二端的第二数据线叠置。
21、 如权利要求19所述的方法，其中，在制备所述液晶显示器的步骤中， 所述第一导电图案包括线部分和突出部分，以形成浮置状态，其中，所述线部分与所述像素电极的第一端叠置，所述突出部分与邻近于所述像素电 极的第 一端的第 一数据线叠置，将第二导电图案与连接到所述栅极线的第 一存储电容器连接。
22、 如权利要求17所述的方法，其中，通过照射到在所述叠置的部分中 的所述第一导电图案和所述第二导电图案中的所述至少一个与所述像素电极 的部分上的激光束，所述叠置的部分中的所述像素电极与所述第一导电图案 和所述第二导电图案中的所述至少一个的部分的短路使得所述第一导电图案 和所述第二导电图案中的所述至少 一个与所述像素电极电连接。
全文摘要
本发明提供了一种能够获得宽视角并能提高修复的成功率的液晶显示器(LCD)、一种制造该LCD的方法及一种修复该LCD的方法。该LCD包括栅极线；第一数据线，与栅极线交叉；薄膜晶体管(TFT)，与栅极线和第一数据线连接；像素电极，与TFT连接；第一导电图案，与像素电极的第一端部分地叠置；第二导电图案，与像素电极的第二端部分地叠置；存储电容器，其中，第一导电图案和第二导电图案中的至少一个分别与邻近于像素电极的第一端的第一数据线和邻近于像素电极的第二端的第二数据线部分地叠置。
文档编号G02F1/13GK101114093SQ200710136150
公开日2008年1月30日 申请日期2007年7月19日 优先权日2006年7月28日
发明者姜信宅, 朴亨俊, 李奉俊, 李洪雨, 李钟焕, 李钟赫, 许命九, 金圣万, 金有珍, 金汎俊, 金钟五 申请人:三星电子株式会社