专利名称：通过控制激光光束对极紫外光源的空间不稳定性的校正的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种辐射系统、 一种包括这种辐射系统的光刻设备和一种 对准相对于光刻设备的光学系统对准放电辐射源的放电轴线。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上
的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情 况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在 所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如， 硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗 蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标 部分的网络。公知的光刻设备包括步进机，在所述步进机中，通过将全 部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器， 在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置 将图案转移到衬底上。
用于极紫外辐射的辐射源可能是放电等离子体辐射源，在这种辐射源 内在阳极和阴极之间的物质(例如气体或蒸汽)中产生等离子体，并且通 过由(脉冲)电流流过所述等离子体带来的欧姆加热产生高温放电等离子 体。此外，由于电流流过所述等离子体产生的磁场导致的等离子体的压缩 可以用来在放电轴线上形成高温、高密度等离子体(箍縮效应)。储存的 电能量直接转变为等离子体温度，并因而转变为短波辐射。箍縮可以让等 离子体在放电轴线上具有相当高的温度和密度，提供极大的将储存电能转 化为热等离子体能量并因此转化为极紫外辐射的效率。在极紫外放电源中，箍縮可以通过电极上的激光束触发。但是，即使 激光束一直照在固定的位置，箍縮的精确的起源可能变化。结果，最终的 箍缩和其轴线可能改变。这可能导致辐射束相对于接收所述光束的光刻设 备的光学系统的不精确对准。
发明内容
本发明提供极紫外放电辐射源，其中箍縮(也就是放电轴线)与接收 来自所述源的辐射的光刻设备或其他设备的光学系统对准。根据本发明的 实施例， 一种辐射系统包括辐射源，其具有阴极和阳极，所述阴极和阳极 构造成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间中的物质中产生放电以形 成等离子体，以便产生电磁辐射，所述辐射系统还包括触发装置，所述触 发装置构造成用能量束照射邻近放电空间的预定材料表面上的区域而引 发放电，其中所述触发装置构造成响应至少一个输入信号控制所述区域的 位置。
根据本发明另一实施例，光刻设备包括照射系统，其构造成调节辐 射束；支撑结构，其构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置构造成 在辐射束的横截面上将图案赋予到辐射束上以形成图案化的辐射束；衬底 台，其构造成保持衬底；和投影系统，其构造成将图案化的辐射束投射到 衬底的目标部分上，其中所述光刻设备包括上述辐射系统以提供辐射束。
根据还一实施例， 一种相对于辐射系统的光学系统对准放电辐射源的 放电轴线的方法包括，在所述阳极和所述阴极之间的放电空间中的物质内 产生放电以形成等离子体，使得产生电磁辐射；通过用能量束照射邻近放 电空间的预定材料表面上的区域而触发放电；和响应至少一个输入信号控 制所述区域的位置。
下面参照附加的示意性附图，仅以实例的方式对本发明的实施例进行 描述，在附图中相同的附图标记表示相应的部分，在附图中 图1示出根据本发明实施例的光刻设备； 图2A到2E示出通过激光束触发的箍縮的辐射源；
6图3示出实施例，其中触发装置包括构造成产生能量束的能量束源；图4示出实施例，其中辐射源包括轮形状的阴极和阳极；图5示出实施例的一部分，其中所述光刻设备包括污染物阻挡装置和污染物阻挡装置下游的传感器；
图6A示出实施例的一部分，其中所述光刻设备包括收集装置和构造在由收集装置形成的中间焦点中的传感器；
图6B示出另一实施例的一部分，其中光刻设备包括收集装置和构造在由收集装置形成的中间焦点中的传感器；
图7示出根据另一实施例的具有构造在衬底台或衬底台附近的传感器的光刻设备的衬底台的顶视图8示出实施例的一部分，其中光刻设备包括污染物阻挡装置和构造成测量污染物阻挡装置的温度的传感器；
图9示出具有光斑传感器的衬底台和光刻设备的投影系统的一部分，其中示出了用于测量焦阑(telecentricity)的三个不同的测量水平位置(measurement level);禾口
图10示出在图9中示出的三个水平位置处的测量结果。
具体实施例方式
图1示意地示出了根据本发明一个实施例的一种光刻设备。所述光刻设备包括照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)。支撑结构(例如掩模台)MT配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。衬底台(例如晶片台)WT配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连。投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构支撑，例如承载图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语"掩模版"或"掩模"都可以认为与更上位的术语"图案形成装置"同义。
这里所使用的术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语"投影系统"广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语"投影透镜"可以认为是与更上位的术语"投影系统"同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或
8更多的掩模台)的类型。在这种"多台"机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其它台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
光刻设备也可以是这种类型，其中衬底的至少一部分被具有相对较高的折射率的液体覆盖，例如水，以充满投影系统和衬底之间的空隙。浸没液体也可以应用到光刻设备的其他空隙，例如在掩模和投影系统之间的空隙。浸没技术用于提高投影系统的数值孔径在本领域是熟知的。这里用到的术语"浸没"并不意味着结构(例如衬底)必须浸入到液体中，仅意味着曝光过程中液体位于投影系统和衬底之间。
参照图l，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述
光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的
定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD—起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为o"-外部和。-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀度和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2 (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图l中未明确示出)用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和
短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、 M2和衬底对准标记P1、 P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种.-
1. 在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将图案形成装置掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止(g卩，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2. 在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对图案形成装置掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度
(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3. 在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。本发明的实施例中，辐射系统包括具有构造成在放电空间中的物质内形成放电的阳极和阴极的辐射源。在放电空间形成等离子体以产生电磁辐射，尤其是极紫外辐射。辐射系统还包括触发装置，触发装置构造成通过用能量束(例如激光束)照射邻近放电空间的表面上的区域而引发放电。
图2A到2E被用来说明应用激光38的箍縮触发的一般原理。图中示出通过辐射源的横截面，包括电隔离的阳极20和阴极10。该装配基本上是密封的，并且从放电材料供给装置(未示出)供给低压的气体或蒸汽，例如氙气或锂。阳极20和阴极IO连接到放电电源(未示出)。放电场力线45也被示出。应用合适的激光束38 (例如波长254-1060nm，功率1-100纳秒内10-100瓦，直径O.l-lnm)可以触发箍缩形成。
如图2A所示，辐射源处于箍縮将要形成的状态，利用放电电源(未示出)和放电材料供给装置(未示出)。
例如，阳极20接地，阴极10连接到llkV、 IOO赫兹的交流电压，并且以5-50sccm(标准立方厘米每分钟)速率供给氙气。在放电供给装置(未示出)的周期内的预定时刻，激光束38照射在例如阳极20的表面上的预定区域21处，如图2B。激光束38加热区域37，并且一些材料35将会从阳极20的表面蒸发(烧蚀ablation),如图2c所示。喷射的材料35进入放电区域，并且触发箍縮效应(如图2D所示)，导致包含热等离子体的收縮物(箍縮物)50，如图2E。该等离子体由于其小的横截面而具有高的电阻，并且有效地将放电的电能转化为等离子体热能，最后转化为沿放电轴线22的发射的辐射60。过一段时间后，箍缩物将会消失，而辐射源将会返回到扩散放电状态，如图2A所示。
由于电极腐蚀、电极变形和/或放电材料的供给速率的变化，导致放电的空间位置的不确定。结果，放电轴线22将会轻微地变化，这会引起光刻设备中曝光的不准确。为了校正放电轴线22的这些变化，根据实施例，触发装置构造成响应至少一个输入信号控制所述区域21的位置。本发明是基于对由区域21的特定位置确定的等离子体的放电轴线22的方向的理解，其中激光束38被引导到区域21上。图3示出实施例，其中触发装置包括构造成产生能量束38的能量束
源30。触发装置还包括镜子32，其构造成将能量束38反射到区域21。致动器34构造成响应至少一个输入信号控制镜子32的位置。输入信号可以通过传感器(图3未示出)提供，传感器构造在光刻设备中，正如下面将要详细介绍的。此外，触发装置可以包括处理器36，处理器36构造成接收输入信号并将输入信号转变成控制信号给致动器34，如图3。
致动器34可以倾斜或在一个或多个方向上向上、向下移动镜子32，使得激光束38照射阳极20的区域21的位置可以改变。应该认识到，代替阳极20的区域，可以照射阴极10上的区域或其他在放电空间内或附近的合适的表面。
如图4示出实施例，其中辐射源包括阴极41和阳极42，阳极42和阴极41形成轮状。使用时，辐射源还包括两个包含例如锡等金属液体的液体容器43、 44。阴极41和阳极42设置为能够转动，并且定位和定制尺寸以便在各自的容器43、 44中浸湿。通过转动阴极和阳极，阴极41和阳极42的表面将会一直覆盖有液体膜。阳极42和阳极41被连接到放电电源(未示出)。
辐射系统还包括激光束源30，其构造成引导激光束照射到镜子32上，镜子将激光束38再引导照射在阴极41的表面上。镜子32的位置由致动器34确定。致动器34可以接收来自处理器36的控制信号，如图3.
如果在阴极41和阳极42之间产生电场，并且如果将气体施加到阴极41和阳极42之间的放电空间，将会产生放电。优选地，在放电空间中没有气体，仅有来自阴极轮的烧蚀的材料。存在的气体(例如由于碎片缓和系统)作为缓冲气体起作用会降低放电效率。
放电能够通过激光束38触发。如上面介绍的，在放电空间内形成短暂的箍縮50，如图4。箍縮50的确切的方向、形式以及位置在其他的因素之中，依赖于在阴极41上的激光束的位置。阴极41上的激光束38的位置的改变会导致箍縮50的取向和位置的(小)改变，也就是放电轴线方向的改变。在图4中，阴极41和阳极42之间的间距dl的尺寸被放大。在实际应用中，两个轮41和42之间的间距大约为2-5mm，而轮41和42的直径为大约5cm。
12通过照射阴极41 (或阳极42)的表面，表面被局部地加热，并且一些
材料将会从表面蒸发。这种烧蚀引发箍縮50。由于从容器43、 44恒定地供给液体金属到阴极41和阳极42上，这些电极的表面将会被修复。
根据实施例，光刻设备包括污染物阻挡装置60，其构造成接收来自辐射源SO的辐射，见图5。光刻设备还包括第一传感器62，其构造在污染物阻挡装置60的下游。第一传感器62可以是功率传感器62并且定位在辐射束中。第一传感器62测量每脉冲的能量的量或功率，并且这个值被处理器36用来以第一传感器62将测量最大的能量值这样的方式改变箍縮的位置。通过优化由传感器62接收到的每脉冲的能量的量，优化污染物阻挡装置60的传输值。
图6A示出另一实施例，其中光刻设备包括收集装置CO，构造成收集来自辐射源SO的辐射并使其改变方向。在这个实施例中，收集装置CO构造成形成福射束的中间焦点IF，如图6A。中间焦点IF定位在收集装置CO和照射器IL之间。在IF处构造孔64，其可以是照射器IL中的开口或光阑。光刻设备还包括构造在照射器IL的入口68附近的传感器65和镜子66。该传感器优选为摄像机65。镜子66安装在照射器IL的正前面并且将中间焦点的像形成在摄像机65上。摄像机65测量中间焦点IF的位置和形状。所测量的IF相对于孔64的位置被用来校正位于辐射源SO的激光束。这种测量配置也能够在线使用，在曝光过程中使用。在另一实施例中，在中间焦点IF处孔64的正后面，设置功率表测量位于中间焦点IF处的功率(也就是能量的
在还一实施例中，如图6B所示，在收集装置CO和中间焦点IF之间设置可插入的平面镜67。当放置在所述束中，镜子67将所述束偏离到功率传感器65'。功率传感器65'以预定的时间间隔测量所述束的功率，或每脉冲的能量的量，并且将发送指示测量功率/能量的信号到处理器36。根据实施例，处理器36构造成以功率传感器65，将接收每脉冲能量的最大量这样的方式改变箍缩的位置。
值得注意的是，代替由收集装置CO形成中间焦点IF，任何其他在光刻设备的投影系统中的光学配置都能够形成中间焦点。
图7示出了具有构造在衬底台WT内或附近的传感器70的衬底台WT的示意性顶视图。图7还显示了位于衬底台WT上的辐射束狭缝的实例。投影
13狭缝是香蕉形状，并具有宽度Sw。当狭缝通过传感器70，传感器70将接收
辐射。传感器70连接到处理器36，并构造成在通过照射狭缝74过程中集合 所接收的光并且发送测量信号给处理器36。正如所应该认识到的，衬底台 WT能相对于照射狭缝移动，以测量整个狭缝的狭缝集成均匀度。在这种 情形中，对于沿方向X的多个点的狭缝集成照射将会被测量并计算。总的 结果曲线将通过处理器36或任何其他用于这种用途的计算机进行处理。然 后，处理器36将产生用于致动器34的控制信号，以校正触发装置的、对应
在狭缝集成均匀度曲线中的任何偏离的辐射点。
例如，可以给处理器36输入狭缝均匀度的所测得的倾斜，以校正激光位置。
图8示出本发明的另一实施例，其中所述设备包括污染物阻挡装置60 和构造成测量污染物阻挡装置60的温度的温度传感器80，以便形成给上面 所述的触发装置的输入信号。温度传感器80可以直接固定到污染物阻挡装 置的外部壳体。位于污染物阻挡装置60上的其他可能安装位置是在污染物 阻挡装置60的框架上或污染物阻挡装置60的内部杯状物上。值得说明的 是，可以设置多于一个的温度传感器以在多个点测量，以便改善测量的精 确性。
处理器36可以构造成将能够用来将污染物阻挡装置60的温度转变为 激光束的具体位置的数学模型用到辐射源。数学模型可以例如在测试阶段 进行设计并有所偏置。通过在相对于污染物阻挡装置60的不同源位置处、 以不同工作周期暴露污染物阻挡装置60，模型能够用来预测污染物阻挡 装置60的温度作为输入功率和工作周期以及源位置的函数。利用一个温 度传感器，仅可以测量在辐射方向上的箍缩位置的偏离。如果应用两个传 感器， 一个沿x轴线， 一个沿y轴线，则在x和y位移之间可能形成差值。
图9示出另一实施例，其中具有针孔状孔的、直径为10-100um级别的 光斑传感器90设置在衬底台WT上。光斑传感器90能够用来测量在衬底水 平位置处的焦阑值。焦阑可以以两种不同的方式测量。 一种方法是利用光 斑传感器卯测量在衬底水平位置处不同的Z位置上的正方形图像的位置。 图10示出三个不同z值，zl、 z2和z3的测量示例，其中zKz2〈z3。移动 衬底台WT使得光斑传感器90在三个不同的z高度上扫描所述像。例如，单 个正方形可以用来形成像。在Z1、 Z2和Z3测量的强度的可能结果如图10
14所示。正如从图10看到的，如果Z^Z3处的强度曲线比Z-Z2处的强度曲线 宽，Z^Z2处的强度曲线依次比Z-Z1处的强度曲线宽。这是具体会聚束在 衬底台WT附近的结果。此外，如果z增加，强度曲线的中心向右移动，如 图10。所述移动可以用作对焦阑的测量。可选择地，可以用标记仿效模拟 的测量方法。从标记的位移，可以得到焦阑的值。标记的位置可以改变并 且变得不太尖锐，但是这不会影响结果。
应该注意到，上面描述的实施例可以进行结合，并且不同的传感器62、 65、 70、 80和90可以连接到一个或多个构造成控制镜子的致动器的处理器。 代替用镜子32改变区域21的位置，还有可能应用棱镜，或任何其他合适的 光学元件。
应用上述系统和装置，有可能执行相对于光刻设备的光学系统对准放 电辐射源的放电轴线的方法。首先，在阳极和阴极之间的放电空间中的物 质内形成放电，以形成等离子体，以便产生电磁辐射。然后，通过用能量 束照射邻近放电空间的表面上的区域21而触发放电。接着，响应光刻设备 中的辐射的性质和/或光刻设备的污染物阻挡装置60的温度控制区域21的 位置。对被照射的区域21的位置的控制使得能够形成放电轴线与不同的光 刻模块的更好的对准，例如污染物阻挡装置、照射系统、衬底台和/或投影 系统PS。
虽然本专利详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里 描述的光刻设备可以有其它的应用，例如制造集成光电系统、磁畴存储器 的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本 领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任 意术语"晶片"或"管芯"分别认为是与更上位的术语"衬底"或"目标 部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨 道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影 的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述 公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一 次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语"衬底"也可以表 示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的 实施例，但应该理解的是，本发明的实施例可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成 装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓 扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、 压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形 成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括
紫外(UV)辐射(例如具有约365、 355、 248、 193、 157或126 nm的波长) 和深紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)以及粒子束，例如 离子束或电子束。
这里使用的术语"透镜"可以认为是一个或多种类型的光学元件的组 合体，包括折射型、反射型、磁学型、电磁型和静电型光学部件。
上面已经描述了本发明的特定的实施例，但应该理解本发明可以应用 到除上面所述以外的情形。例如，本发明可以采用包含至少一个可机读的 指令序列的计算机程序的形式描述一种如上面公开的方法，或具有存储其 中的所述的计算机程序的数据存储媒介(例如半导体存储器、磁盘或光 盘)。
上面描述的内容是示例性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本 领域的技术人员在不脱离以下给出的权利要求的范围的情况下，可以对上 述本发明进行更改。
1权利要求
1. 一种辐射系统，所述辐射系统包括辐射源；阴极；阳极，其中所述阴极和所述阳极构造成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间中的物质内产生放电以形成等离子体，以便产生电磁辐射；和触发装置，所述触发装置构造成通过用能量束照射邻近所述放电空间的预定材料表面上的区域引发放电，其中所述触发装置构造成响应输入信号控制区域的位置。
2. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述触发装置包括.-能量束源，所述能量束源构造用于产生能量束；镜子，所述镜子构造用于将能量束反射到所述区域，和 致动器，所述致动器构造用于响应所述输入信号定位镜子。
3. 如权利要求2所述的辐射系统，其中所述能量束是激光。
4. 如权利要求1所述的辐射系统，还包括包含液体的容器，其中所述阳极和所述阴极是轮，所述轮构造成能够 转动以便至少部分在所述容器中浸湿。
5. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述触发装置被设置成照射所 述阳极的一部分。
6. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述触发装置被设置成照射所 述阴极的一部分。
7. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述输入信号指示污染物阻挡 装置的传输。
8. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述输入信号指示光刻设备中 在衬底水平位置处的焦阑值。
9. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述输入信号指示光刻设备中 辐射束的狭缝集成均匀度水平。
10. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述输入信号指示光刻设备 中污染物阻挡装置的温度。
11. 如权利要求1所述的辐射系统，其中所述输入信号指示光刻设备 中中间焦点相对于设置在光刻设备中的孔的位置。
12. —种光刻装置，所述光刻装置包括 照射系统，所述照射系统构造用于调节辐射束；支撑结构，所述支撑结构支撑图案形成装置，所述图案形成装置构造 成将图案在辐射束的横截面上赋予给所述辐射束以使辐射束图案化； 衬底台，所述衬底台构造成保持衬底；投影系统，所述投影系统构造成将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和辐射系统，所述辐射系统构造用于提供辐射束，所述辐射系统包括 辐射源；阳极，其中所述阴极和阳极构造成在所述阳极和阴极之间的放电 空间中的物质内产生放电以形成等离子体，以便产生电磁辐射；和触发装置，所述触发装置构造成通过用能量束照射邻近所述放电 空间的预定材料的表面上的区域引发放电，其中所述触发装置被构造成响 应输入信号控制所述区域的位置。
13. 如权利要求12所述的光刻设备，还包括污染物阻挡装置，所述污染物阻挡装置构造成接收来自辐射源的辐射；传感器，所述传感器构造在所述污染物阻挡装置的下游并且构造用于 测量辐射束的能量值，以便形成用于所述触发装置的输入信号。
14. 如权利要求12所述的光刻设备，其中所述照射系统构造成在中 间焦点聚焦所述辐射束，所述设备还包括传感器，所述传感器构造成测量所述中间焦点相对于构造在所述光刻 设备中的孔的位置，以便形成用于所述触发装置的输入信号。
15. 如权利要求12所述的光刻设备，所述光刻设备还包括传感器，所述传感器构造成在衬底台处测量狭缝集成均匀度，以便形 成用于所述触发装置的输入信号。
16. 如权利要求12所述的光刻设备，所述光刻设备还包括污染物阻挡装置，所述污染物阻挡装置构造成接收来自辐射源的辐射；和温度传感器，.所述温度传感器构造用来测量所述污染物阻挡装置的一 部分的温度，以便形成用于触发装置的输入信号。
17. 如权利要求16所述的光刻设备，所述光刻设备还包括第二温度传感器，所述第二温度传感器构造成测量所述污染物阻挡装 置的第二部分的第二温度，以便形成用于所述触发装置的输入信号。
18. 如权利要求12所述的光刻设备，所述光刻设备还包括光强度传感器，所述光强度传感器构造在所述衬底台上或其附近，所 述强度传感器和所述衬底台构造成在所述传感器和所述投影系统之间的 多个间距处测量辐射强度水平，以便为所述触发装置形成指示所述投影系 统的焦阑值的输入信号。
19. 一种相对于辐射系统的光学系统对准放电辐射源的放电轴线的方法，所述方法包括步骤-在阳极和阴极之间的放电空间中的物质内产生放电以形成等离子体，以便产生电磁辐射；通过用能量束照射邻近所述放电空间的预定材料的表面上的区域触 发放电；响应至少一个输入信号控制所述区域的位置。
全文摘要
本发明提供一种方法，以相对于光刻设备的光学系统对准放电辐射源的放电轴线，所述方法包括在阳极和阴极之间的放电空间中的物质内产生放电以形成等离子体，以便产生电磁辐射。通过用能量束照射邻近所述放电空间的预定材料表面上的区域触发放电。响应于光刻设备中辐射的特性和/或光刻设备的收集装置的温度控制所述区域的位置。对照射区域位置的控制改善了放电轴线与不同的光刻模块的对准，例如污染物阻挡装置、照射系统、衬底台和/或投影系统。
文档编号G03F7/20GK101490624SQ200780027089
公开日2009年7月22日 申请日期2007年7月4日 优先权日2006年7月19日
发明者奥拉乌·瓦尔德马·弗拉基米尔·弗瑞杰恩斯 申请人:Asml荷兰有限公司