专利名称：液晶显示器及其修复断线的方法
技术领域：
本发明涉及一种显示器及其修复方法，特别是一种液晶显示器及其修 复断线的方法。
背景技术：
液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)具有体积小、功耗低、无辐 射等特点，现已占据了平面显示领域的主导地位。液晶显示器的主体结构包 括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有 提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。
液晶显示器的制备过程主要包括制备阵列基板和彩膜基板的阵列工艺、 将阵列基板和彩膜基板对盒并滴注液晶的成盒工艺以及后续的模组工艺， 在上述制备工艺中，液晶显示器的像素点不良和信号线断线不良是制备工 艺中不可避免出现的两类主要缺陷，而且这两类缺陷大部分集中在阵列工 艺末端以后，当检测出上述不良时，就需要进行相应地维修。
当上述不良在成盒工艺之前发现时，像素点不良的维修一般是利用激 光焊接(Laser Welding)方法将存储电容的上下电极熔接，或是将栅电 极与漏电极熔接，以达到修补瑕疯像素点的效果，信号线断线不良的维修 一般采用化学气相沉积修复(CVD Repair)方法进行搭桥修复。
但实际上，在成盒工艺之后仍会出现像素点不良和信号线断线不良。 对于成盒工艺之后的像素点不良，现有技术提出了一种在成盒工艺后采用 激光焊接进行維修的技术方案，利用激光光束所产生的高温将存储电容的 上下电极熔4妄或将栅电极与漏电极相熔接，以使瑕疯像素点被修复成恒暗 点，是一种盒外维修像素点不良的典型方法。而对于成盒工艺之后的信号
4线断线不良，现有技术未给出切实可行的解决方案，在目前的生产中，检 测出信号线断线不良的产品以废弃品处理， 一方面提高了生产成本，另一 方面造成了较大浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种液晶显示器及其修复断线的方法，通过将信号 线断线不良修复为像素点不良，避免了产品的浪费。
为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器修复断线的方法，包括 步骤1、确定信号线断开点位置以及所述断开点所在像素点的位置； 步骤2、采用激光焊接方法将所述断开点两端的信号线与所述像素点的 像素电极熔接，采用激光切割方法使所述像素点的TFT失效。 所述信号线为栅线或公共电极线。
所述采用激光焊接方法将所述断开点两端的信号线与所述像素点的像素 电极熔接具体包括采用激光焊接方法，从阵列基板一側将所述断开点一端 的信号线与像素电极熔接形成熔接点，将所述断开点另一端的信号线与像素
电极熔接形成熔接点，使所述断开点两端的信号线通过两个熔接点和像素电 极建立连4姿。
在上述技术方案基础上，所迷采用激光切割方法使所述像素点的TFT失 效可以是采用激光切割方法，从阵列基板一側将所述像素点的栅电极断开， 截断栅电极与栅线的连接；也可以是采用激光切割方法，从阵列基板一侧 将所述像素点的源电极断开，截断源电极与数据线的连接；还可以是采用 激光切割方法，从阵列基板一侧将所述像素点的漏电极断开，截断漏电极与 像素电极的连接。
为实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示器，包括对盒的阵列基 板和彩膜基板，所述阵列基板包括数个由栅线和数据线限定的像素区域， 每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，至少 一个像素区域为将栅线断线不良或公共电极线断线不良修复为像素点不良的修复区域。
所述修复区域包括作为导电层连接栅线断开点或连接公共电极线断
开点的像素电极，以及失效的薄膜晶体管。
所述像素电极上形成有至少二个熔接点，至少一个熔接点位于所述断
开点的 一侧，将所述断开点该侧的栅线或公共电极线与所述^f象素电极熔
接，至少一个熔接点位于所述断开点的另一侧，将所述断开点该侧的栅线
或乂>共电极线与所述像素电极熔接，使所述断开点两侧的4册线或公共电极 线通过所述熔接点和像素电极连接起来。
所述失效的薄膜晶体管至少包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电
上开设有截断所述源电极与数据线之间连接的源电极断开点或所述漏电 极上开设有截断所述漏电极与像素电极之间连接的漏电极断开点。
本发明提供了一种液晶显示器及其修复断线的方法，不同于现有技术的 化学气相沉积搭桥技术，是一种利用像素电极作为导电层、激光焊接和激光 切割相结合的修复断线的方案，将栅线断线不良或公共电极线断线不良修复 为像素点不良，即将亮线缺陷修复为亮点或暗点缺陷，以此提升了有缺陷的 液晶显示器的等级。本发明液晶显示器修复断线的方法既可以应用在成盒工 艺之前，又可以有效地应用在成盒工艺之后，有效避免了产品废弃， 一方面 节约了生产成本，另一方面最大限度地避免了浪费。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图i为本发明液晶显示器修复断线的方法的流程图; 图2为本发明第一实施例中栅线断开不良的示意图; 图3为图2中A-A向剖移l图； 图4为本发明第一实施例中熔接断开点的示意图；图5为图4中B-B向剖移i图6~图8为本发明第一实施例中使TFT失效的示意图； 图9为本发明第二实施例中公共电极线断开不良的示意图; 图10为本发明第二实施例中熔接断开点的示意图。 附图标记:^兌明
l一栅线； 2 —数据线；
4一断开点； 5 —熔接点；
IO—基板； 11--栅电极；
12 —源电极； 12a —源电极断开点；
13a—漏电才及断开点。
3—像素电极； 6—公共电极线； 11a—栅电极断开点； 13—漏电极；
具体实施例方式
图1为本发明液晶显示器修复断线的方法的流程图，具体包括 步骤1、确定信号线断开点位置以及所述断开点所在像素点的位置； 步骤2、采用激光焊接方法将所述断开点两端的信号线与所述^f象素点的 像素电极熔接，采用激光切割方法使所述像素点的TFT失效。
图2~图8为本发明液晶显示器修复断线的方法第一实施例的示意图， 其中液晶显示器的阵列基板是一种薄膜晶体管液晶显示器(Thin Him Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)阵列基板，且为存储 电容位于栅线上(Cst On Gate)的典型像素结构。本实施例TFT-LCD阵列基 板包括栅线l、数据线2、像素电极3和薄膜晶体管(TFT),相互交叉的栅线 l和数据线2限定了像素区域，并在交叉处形成TFT，像素电极3形成在像素 区域内，并与栅线l形成存储电容。TFT至少包括形成在基板10上的栅电极 11以及位于栅电极11上方的源电极12和漏电极13，栅电极11与栅线1连 接，源电极12与数据线2连接，漏电极13通过钝化层过孔与像素电极3连 接。当成盒工艺之后的检测工艺发现栅线断线不良时，进行栅线的断开点位
7置以及该断开点所在的像素点位置的定位。图2为本发明第一实施例中栅线 断开不良的示意图，图3为图2中A-A向剖视图。断开点4发生在阵列基板 的栅线1上，使栅线1出现亮线，由于此时阵列基板和彩膜基板已完成对盒， 因此无法采用现有技术的化学气相沉积搭桥修复方法进行维修。图4为本发 明第一实施例中熔接断开点的示意图，图5为图4中B-B向剖4见图。在确定 了栅线的断开点位置以及该断开点所在的像素点位置后，本实施例首先在断 开点4 一端的a位置和断开点4另一端的b位置，从阵列基板一侧采用激光 焊接方法将a位置的栅线1与像素电极3熔接形成熔接点5，将b位置的栅 线1与像素电极3熔接形成熔接点5,使断开点4两侧的栅线1通过两个熔 接点5和像素电极3重新连接起来，之后从阵列基板一侧采用激光切割方法 使该像素点的TFT失效。激光焊接方法是利用激光产生的高温，将栅线熔化 的同时使栅线与像素电极之间的栅绝缘层14和钝化层15形成过孔，炫化的 栅线通过该过孔与熔化的像素电极连接，如图5所示。图6~图8为本发明 第 一 实施例中使TFT失效的示意图，在实际使用中，采用激光切割方法使TFT 失效可以采用将栅电极11断开形成栅电极断开点lla方式(如图6所示)， 截断柵电极与栅线的连接，也可以采用将源电极12断开形成源电极断开点 12a方式(如图7所示)，截断源电极与数据线的连接，还可以采用将漏电极 13断开形成漏电极断开点13a方式(如图8所示)，截断漏电极与像素电极 的连接，均可以起到使该像素点的TFT不能工作的目的。本实施例断开栅电 极、源电极或漏电极是由于本实施例利用像素电极作为导电载体实现了栅线 断开点的重新连接，该像素电极不能再参与显示，因此通过断开相应电极方 式使该像素点在常白模式下呈现为亮点，在常黑模式下呈现为暗点。
本实施例液晶显示器修复断线的方法不同于现有技术的化学气相沉积搭 桥技术，提出了一种利用像素电极作为导电层、激光焊接和激光切割相结合 的修复栅线断线方案，将栅线断线不良修复为像素点不良，即将亮线缺陷修 复为亮点或暗点缺陷，以此提升了有缺陷的液晶显示器的等级， 一方面节约了生产成本，另一方面最大限度地避免了浪费。
图9~图10为本发明液晶显示器修复断线的方法第二实施例的示意图， 其中液晶显示器的阵列基板是一种TFT-LCD阵列基板，且为存储电容位于公 共电极线上(Cst On Common)的典型像素结构。本实施例TFT-LCD阵列基板 包括栅线l、公共电极线6、数据线2、像素电极3和薄膜晶体管(TFT),相 互交叉的栅线1和数据线2限定了数个像素区域，并在交叉处形成TFT，像 素电极3形成在像素区域内，并与公共电极线6形成存储电容。TFT至少包 括形成在基板上的栅电极11以及位于栅电极11上方的源电极12和漏电极 13,栅电极11与栅线1连接，源电极12与数据线2连接，漏电极13通过钝 化层过孔与像素电极3连接。当成盒工艺之后的检测工艺发现公共电极线断 线不良时，进行公共电极线的断开点位置以及该断开点所在的像素点位置的 定位。图9为本发明第二实施例中公共电极线断开不良的示意图，断开点4 发生在阵列基板的公共电极线6上，使公共电极线6出现亮线，由于此时阵 列基板和彩膜基板已完成对盒，因此无法采用现有技术的化学气相沉积搭桥 修复方法进行维修。图IO为本发明第二实施例中熔接断开点的示意图，在确 定了公共电极线的断开点位置以及该断开点所在的像素点位置后，本实施例 首先从阵列基板一侧采用激光焊接方法将断开点4 一端的公共电极线6与像 素电极3熔接形成炫接点5，将断开点4另一端的公共电极线6与像素电极3 熔接形成熔接点5，使断开点4两侧的公共电极线6通过两个熔接点5和像 素电极3重新连接起来，之后从阵列基板一侧采用激光切割方法使该像素点 的TFT失效。激光焊接方法是利用激光产生的高温，将公共电极线熔化的同 时使公共电极线与像素电极之间的栅绝缘层和钝化层形成过孔，熔化的公共 电极线通过该过孔与熔化的像素电极连接，本实施例熔接后的结构形式与图 5所示结构基本相同。在实际使用中，采用激光切割方法使TFT失效可以采 用将栅电极11断开形成栅电极断开点方式，截断栅电极与栅线的连接，也可 以采用将源电极断开形成源电极断开点方式，截断源电极与数据线的连接，还可以采用将漏电极断开形成漏电极断开点方式，截断漏电极与像素电极的 连接，均可以起到使该像素点的TFT不能工作的目的，本实施例形成相应电 极断开点方式与图6、图7和图8所示结构形式基本相同。本实施例断开栅
共电极线断开点的重新连接，该像素电极不能再参与显示，因此通过断开相 应电极方式使该像素在常白模式下呈现为亮点，在常黑模式下呈现为暗点。
本实施例液晶显示器修复断线的方法不同于现有技术的化学气相沉积搭 桥技术，提出了一种利用像素电极作为导电层、激光焊接和激光切割相结合 的修复公共电极线断线方案，将公共电极线断线不良修复为像素点不良，即 将亮线或弱亮线缺陷修复为亮点或暗点缺陷，以此提升了有缺陷的液晶显示 器的等级， 一方面节约了生产成本，另一方面可以最大限度地避免了浪费。
需要指出的是，本发明上述技术方案也可以在成盒工艺之前的阵列工艺 中使用，特别是在阵列工艺末端，可以利用本发明方法完成栅线断线不良或 公共电极线断线不良的维修，此处不再赘述。
在上述技术方案基础上，本发明还提供了一种液晶显示器，包括对盒在 一起且将液晶夹设其中的阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括栅线、数据线、 像素电极和薄膜晶体管(TFT)，相互绝缘交叉的栅线和数据线限定了数个像 素区域，并在每个交叉处形成薄膜晶体管，像素电极设置在像素区域内，薄 膜晶体管至少包括栅电极、源电极和漏电极，其中栅电极与栅线连接，源电 极与数据线连接，漏电极通过钝化层过孔与像素电极连接。在本发明液晶显 示器的数个像素区域中，至少一个像素区域为修复区域，修复区域具体为将 栅线断线不良修复为像素点不良或将公共电极线断线不良修复为像素点不良 的区域。具体地，修复区域包括作为导电层的像素电极和失效的薄膜晶体管， 作为导电层的像素电极用于连接栅线断开点或连接公共电极线断开点，像素 电极上形成有至少二个熔接点，至少一个熔接点位于断开点的一侧，将断开 点该側的栅线或公共电极线与像素电极炫接，至少一个熔接点位于断开点的另一侧，将断开点该侧的栅线或公共电极线与像素电极炫接，使断开点两侧 的栅线或公共电极线通过至少二个熔接点和像素电极重新连接起来。失效的 薄膜晶体管至少包括栅电极、源电极和漏电极，其中可以在栅电极上开设栅 电极断开点，栅电极断开点用于截断栅电极与栅线之间的连接，也可以在源 电极上开设源电极断开点，源电极断开点用于截断源电极与数据线之间的连 接，还可以在漏电极上开设漏电极断开点，漏电极断开点用于截断漏电极与 像素电极之间的连接。本发明液晶显示器的具体结构已在前述本发明液晶显 示器修复断线的方法的二个实施例中详细说明，不再赘述。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进 行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技 术人员应当理解其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换， 而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的 精神和范围。
权利要求
1、一种液晶显示器修复断线的方法，其特征在于，包括步骤1、确定信号线断开点位置以及所述断开点所在像素点的位置；步骤2、采用激光焊接方法将所述断开点两端的信号线与所述像素点的像素电极熔接，采用激光切割方法使所述像素点的TFT失效。
2、 根据权利要求1所述的液晶显示器修复断线的方法，其特征在于，所 述信号线为^f册线或^^共电极线。
3、 才艮据权利要求l所述的液晶显示器修复断线的方法，其特征在于，所 述采用激光焊接方法将所述断开点两端的信号线与所述像素点的像素电极熔 接具体包括采用激光焊接方法，从阵列基板一側将所述断开点一端的信号 线与像素电极熔接形成熔接点，将所述断开点另一端的信号线与像素电极熔 接形成熔接点， -使所述断开点两端的信号线通过两个熔接点和像素电极建立 连接。
4、 根据权利要求1~3中任一权利要求所述的液晶显示器修复断线的方 法，其特征在于，所述采用激光切割方法使所述像素点的TFT失效具体包括 采用激光切割方法，从阵列基板一侧将所述像素点的栅电极断开，截断栅电 极与栅线的连接。
5、 才艮据权利要求1~3中任一权利要求所述的液晶显示器修复断线的方 法，其特征在于，所述采用激光切割方法使所述像素点的TFT失效具体包括 采用激光切割方法，从阵列基板一侧将所述像素点的源电极断开，截断源电 极与数据线的连接。
6、 根据权利要求1~3中任一权利要求所述的液晶显示器修复断线的方 法，其特征在于，所述采用激光切割方法使所述像素点的TFT失效具体包括: 采用激光切割方法，从阵列基板一侧将所述像素点的漏电极断开，截断漏电 极与像素电极的连接。
7、 一种液晶显示器，包括对盒的阵列基板和彩膜基板；所述阵列基板包括数个由柵线和数据线限定的像素区域，每个像素区域包括薄膜晶体管和像 素电极，其特征在于，至少一个像素区域为将栅线断线不良或公共电极线断 线不良修复为像素点不良的修复区域。
8、 根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述修复区域包括 作为导电层连接栅线断开点或连接公共电极线断开点的像素电极，以及失效 的薄膜晶体管。
9、 根才居权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，所述像素电极上形 成有至少二个熔接点，至少一个熔接点位于所述断开点的一侧，将所述断开 点该侧的栅线或公共电极线与所述像素电极熔接，至少一个溶接点位于所述 断开点的另一侧，将所述断开点该侧的栅线或公共电极线与所述像素电极熔 接，使所述断开点两侧的栅线或公共电极线通过所述熔接点和像素电极连接 起来。
10、 根据权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，所述失效的薄膜 晶体管至少包括栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极上开设有截断所述栅 电极与栅线之间连接的栅电极断开点、所述源电极上开设有截断所述源电极 与数据线之间连接的源电极断开点或所述漏电极上开设有截断所述漏电极与 像素电极之间连接的漏电极断开点。
全文摘要
本发明涉及一种液晶显示器及其修复断线的方法。液晶显示器修复断线的方法包括确定信号线断开点位置以及所述断开点所在像素点的位置；采用激光焊接方法将所述断开点两端的信号线与所述像素点的像素电极熔接，采用激光切割方法使所述像素点的TFT失效。本发明通过像素电极作为导电层且采用激光焊接和激光切割相结合的方案，将栅线断线不良或公共电极线断线不良修复为像素点不良，即将亮线缺陷修复为亮点或暗点缺陷，以此提升了有缺陷的液晶显示器的等级，既可以应用在成盒工艺之前，又可以有效地应用在成盒工艺之后，有效避免了产品废弃，一方面节约了生产成本，另一方面可以最大限度地避免了浪费。
文档编号G02F1/13GK101581840SQ20081011188
公开日2009年11月18日 申请日期2008年5月16日 优先权日2008年5月16日
发明者彭志龙 申请人:北京京东方光电科技有限公司