光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法

专利名称：光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法
技术领域：
本发明涉及一种使用掩膜在被转印体上的光致抗蚀剂上形成转印 图案的图案转印方法、及使用该图案转印方法的光掩膜以及其制造方 法。
背景技术：
现在，液晶显示装置(Liquid Crystal Display:以下，称为LCD) 的领域中，薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display:以下，称为TFT—LCD)与CRT (阴极射线管)相比较，因 为易于薄型化及功耗低的优点，现在，商品化正急速取得进展。TFT—LCD具有在隔着液晶相的状态之下将TFT基板和彩色滤光 器重合的概略结构，其中TFT基板的结构是对矩阵状排列的各个象素 排列TFT，彩色滤光器是对应于各个象素排列红、绿、及蓝的象素图案。 在TFT—LCD中，制造工序数很多，仅仅是TFT基板就要使用5 6片 的光掩膜来制造。这种状况下，提出了一种通过使用具有遮光部分、透光部分和半透 光部分的多灰度的光掩膜(以下，称为灰度掩膜)，来削减TFT基板 的制造中使用的掩膜的片数的方法(特开2005 — 37933号公报)。这里， 所谓半透光部分，指的是在使用掩膜将图案往被转印体转印时，使透过 的暴光光的透过量减低给定量，来控制被转印体上的光致抗蚀剂膜的显 影后的残膜量的那部分。灰度掩膜具有露出透明基板的透光部分；在透明基板上形成有对 暴光光进行遮光的遮光膜的遮光部分；以及，在透明基板上形成遮光膜 或者半透光膜，且在将透明基板的光透过率设为100%时，使透过光量 比其更低来透过给定量的光的半透光部分。这种灰度掩膜中，作为半透 光部分，有的是在遮光膜或半透光膜上，在暴光条件下形成分辨限度以
下的细微图案，或者，有的是形成具有给定的光透过率的半透光膜。另一方面，在半导体装置的制造中所使用的光掩膜，存在的问题是， 在其遮光图案上产生静电，在电性上独立的各个图案间产生电位差，发 生因放电带来的静电破坏。为此，公知将各独立图案间用伪图案进行电连接(特开2003—248294号公报)上述LCD制造用等所使用的光掩膜，通常是在作为绝缘体的透明 玻璃基板上，形成由铬等的金属构成的遮光膜、半透光膜，对这些遮光 膜、半透光膜分别实施给定的图案形成来制造。因为该掩膜制造过程中 的洗净、掩膜使用过程中的洗净、或者搬送过程中的处置(handling)、 摩擦，有时掩膜会带电。因该带电产生的静电电位，有时会为数十KV 或者其以上，该静电在掩膜的彼此电独立的图案间放电时，产生静电破 坏，导致图案被破坏。如果遭到破坏的图案被转印到被转印体(LCD 面板等)的话，就会成为不良制品。可是，为了在被转印体上，形成膜厚阶段性不同的抗蚀剂图案，如 上所述公知灰度掩膜，在图案上的特定部位中选择性减少曝光光的透过 率，而成为可控制暴光光的透过的光掩膜。作为这样的灰度掩膜，公知 在透过暴光光的一部分的半透光部分中使用半透光膜的掩模。图6 (a)，是表示作为半透光部分，使用具有暴光光所对应的给 定的光透过率的半透光膜的灰度掩膜的截面图。也就是说，图6 (a) 所表示的灰度掩膜，在透明基板24上，具有在使用该灰度掩膜时对 暴光光进行遮光(透过率大致为0%)的遮光部分21;露出透明基板 24的表面的使暴光光透过的透光部分22;以及，在将透光部分的暴光 光透过率设为100%时，使透过率减低到20 60%程度的半透光部分 23。图6 (a)所表示的遮光部分21，用在透明基板24上所形成的遮光 膜25构成，另外半透光部分23，用透明基板24上所形成的光半透过 性的半透光膜26构成。另外，图6 (a)的遮光部分21、透光部分22 及半透光部分23的图案形状，表示的是一个例子。可是，作为构成上述遮光部分21的遮光膜25的材质，例如使用 Cr或者以Cr作为主成分的化合物。如上所述形成有图案的光掩膜，由 于洗净、还是有使用时的处置等，在电孤立的各个图案上容易积存电荷。 另外，在灰度掩膜的情况下，有非常利于液晶面板制造成本的优点，但 在期望廉价的制造成本时，而使用多面获取(从1枚基板制造多枚掩膜 的方法)的大型掩膜制造的需求越来越高。这种灰度掩膜中，因为电孤 立的、比较大面积的图案被形成在多个基板上，因此容易产生图案间的 电位差。而且，因为电位差有变大的倾向，因此图案膜的静电破坏严重。另外，在TFT制造用的灰度掩膜的情况下，随着通道部分图案等、图 案的细微化，也有容易产生静电破坏的情况。例如如图6 (b)中的箭头D所示，因为由邻接的遮光部分21间的 电位差造成的放电，遮光膜25的一部分被静电破坏了。在这种灰度掩膜使用时的处置中无法预料而产生的图案的静电破 坏，会导致使用该掩膜所形成的被转印体的成品率降低，液晶显示装置 等的最终制品的运转不良的重大问题。因此，抑制在灰度掩膜使用时的处置中可能产生的、图案的静电破 坏的发生，是极其重要的课题。发明内容本发明正是鉴于上述情况而作出的，其第l目的是，提供一种灰度 掩膜等的光掩膜，能抑制在掩膜使用时的处置中可能产生的、图案的静 电破坏的发生。本发明的第2目的是，提供一种使用如上所述的光掩膜，能在被转 印体上，形成没有图案缺陷的、高精度的转印图案的图案转印方法。为了解决上述课题，本发明具有以下的结构。 (构成l) 一种光掩膜，在透明基板上具有用于在被转印体上形成 所希望的转印图案的掩膜图案，其中，具有导电性图案，其将电孤立的 掩膜图案间相互连接，具有给定线宽，并且由对暴光光的透过率为给定 值以下的透光膜或者半透光膜构成。(构成2) —种光掩膜，是多灰度光掩膜，其在透明基板上，具有 由遮光部分、透光部分、和将掩膜使用时所使用的暴光光的透过量减低 给定量的半透光部分构成的掩膜图案，使用掩膜对被转印体照射暴光光 时，根据部位的不同有选择地减低对被转印体的暴光光的照射量，用于
在被转印体上的光致抗蚀剂上，形成包含残膜值不同的部分的所希望的 转印图案，其中，上述遮光部分，至少由遮光膜形成，上述半透光部分， 由至少透过暴光光的一部分的半透光膜形成，具有将电孤立的掩膜图案 间相互连接的、给定线宽的导电性图案。(构成3)根据构成2所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案，由与形成该半透光部分的半透光膜同样的材料构成。(构成4)根据构成1至3中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案是透光性、或者半透光性，且其具有的线宽，使其 不会在对上述光掩膜照射暴光光，将掩膜图案转印到被转印体上，对被 转印体上的抗蚀剂进行显影，并形成抗蚀剂图案时，出现在该抗蚀剂图 案中。(构成5)根据构成1至4中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案的部分，由暴光光的透过率为20%以上60%以下 的半透光膜形成。(构成6)根据构成1至5中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 将连接掩膜图案间的上述导电性图案，设置多个。 (构成7) —种光掩膜的制造方法，使用在透明基板上依次形成半 透光膜和遮光膜而成的掩膜版，通过光刻法对上述半透光膜和遮光膜分 别进行所希望的图案形成，具有形成由遮光部分、透光部分、和将掩膜 使用时所使用的暴光光的透过量减低给定量的半透光部分构成的掩膜 图案的工序，其中，在上述半透光模的图案形成时，形成将电孤立的半 透光模图案相互连接的、给定线宽的导电性图案。(构成8) —种图案转印方法，其特征在于，使用构成1至6中的 任一项所述的光掩膜或者用构成7所述的制造方法得到光掩膜，对被转 印体照射暴光光，并在被转印体上形成所希望的转印图案。基于本发明的光掩膜，是一种在透明基板上具有用于在被转印体上 形成所希望的转印图案的掩膜图案的光掩膜，至少将一部分的掩膜图案 间，用具有给定线宽的导电性图案连接而成。上述光掩膜，是一种多灰度(gmytone)掩模，例如，在透明基板
上具有由遮光部分、透光部分、和将在掩膜使用时所使用的暴光光的透 过量减低给定量的半透光部分构成的掩膜图案，使用掩膜对被转印体照 射暴光光时，根据部位的不同有选择地减低对被转印体的暴光光的照射 量，用于在被转印体上的光致抗蚀剂上，形成包含残膜值不同的部分的 所希望的转印图案。该光掩膜中，基板面内的各掩膜图案中，电荷容易积存的例如遮光 部分，经导电性图案形成电性等电位。因此，图案间的电位差不易产生， 能有效抑制掩膜使用时的处置中可能产生的图案的静电破坏的发生。另外，在使用在透明基板上的整个面上形成有半透光膜和遮光膜的 光掩膜版，对各个膜进行图案形成，并形成光掩膜的掩膜制造工序中， 在该半透光膜的图案形成时，通过形成本发明的导电性图案，除了能抑 制上述的掩膜使用时的处置中可能产生的图案的静电破坏，还能有效抑 制掩膜制作阶段可能产生的图案的静电破坏。另外，在上述导电性图案，由具有对暴光光的透过性的透光膜、或 者具有对暴光光的半透过性的半透光膜所形成的情况下，例如即使某种 程度上加大线宽，导电性图案也不易转印到被转印体。因此，能实现更 低的低电阻化，能可靠抑制静电破坏。再有，能降低导电性图案的被切 断的危险性。另外，例如在灰度掩膜的情况下，通过用具有导电性的半透光膜形 成半透光部分，能够利用对半透光膜进行图案形成的工序，将由上述半 透光膜所形成的导电性图案用同一工序制作。另外，通过使用如上所述的本发明的光掩膜进行对被转印体的图案 转印，能在被转印体上形成没有图案缺陷的、高精度的转印图案。


图1是用于说明使用本发明中的灰度掩膜的图案转印方法的截面图。图2是作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的平面图。 图3是表示将本发明应用到灰度掩膜的实施方式的截面图，(A)、 (B) 、 (C)分别表示实施方式l、实施方式2、实施方式3。
图4是表示基于本发明的实施方式1的灰度掩膜的制造工序的截面图。图5是表示将本发明应用于二元掩膜的、实施方式4的截面图。 图6是用于说明以往的灰度掩膜中的课题的掩膜的截面图。
具体实施方式
以下，根据

用于实施本发明的最佳的方式。 图1是用于说明作为本发明的一个实施方式的使用灰度掩膜的图 案转印方法的截面图。图l所示的灰度掩膜20，用于在被转印体30上， 形成膜厚阶段性不同的抗蚀剂图案33。另外，图1中的记号32A、 32B， 表示在被转印体33中基板31上所叠层的膜。图1所示的灰度掩膜20，在透明基板24上具有掩膜图案，由以下 部分构成在使用该灰度掩膜20时对暴光光进行遮光(透过率大致为 0%)的遮光部分21;露出透明基板24的表面的使暴光光透过的透光 部分22;以及，在将透光部分的暴光光透过率设为100%时，使透过率 减低到10 80%程度的半透光部分23。因为如果暴光光透过率为20 60%，能使被转印体上的抗蚀剂图案形成的条件更为自由，因此更为优 选。图l所示的半透光部分23，由透明基板24上所形成的光半透过性 的半透光膜26构成，遮光部分21，依次形成上述半透光膜26和遮光 膜25而构成。使用如上所述的灰度掩膜20时，遮光部分21中暴光光实质上不会 透过，半透光部分23中暴光光减少。因此，被转印体30上涂敷的抗蚀 剂膜(正型光致抗蚀剂膜)，在转印后，经过显影时在遮光部分21所 对应的部分膜厚变厚，在半透光部分23所对应的部分膜厚变薄，在透 光部分22所对应的部分没有膜(实质不产生残膜)，也就是说，能形 成膜厚阶段性不同(即有阶段差)的抗蚀剂图案33。然后，在图1所示的抗蚀剂图案33的没有膜的部分，对被转印体 30中的例如膜32A及32B实施第1蚀刻法，将抗蚀剂图案33的膜厚较 薄的部分通过灰化等除去，该部分中，对被转印体30中的例如膜32B 实施第2蚀刻法。这样，通过使用1枚的灰度掩膜20在被转印体30上
形成膜厚阶段性不同的抗蚀剂图案33，相当于实施了以往的光掩膜2 枚份的工序，削减了掩膜的枚数。图2是作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的平面图。10a、 10b、 10c，分别是用于制造独立的显示装置的掩膜图案，这里，示意表示在 一枚的透明基板24上具有3面的、3面获取的光掩膜。在10a 10c的各个掩膜图案中，例如包含多个TFT制造用的图案， 其分别具有遮光部分、透光部分、半透光部分。例如，在透明基板24 上形成在使用该灰度掩膜时对暴光光进行遮光(透过率大致为0%)的 遮光部分，以及在将透光部分的暴光光透过率设为100%时，将透过率 减低到10 80%、更优选减低到20 60%程度的半透光部分。而且， 各掩膜图案间，这里，例如用2根的细线状的导电性图案lla和12a、 Ub和12b连接。该灰度掩膜中，基板面内的各掩膜图案中例如容易积存电荷的遮光 部分，经上述导电性图案成为电性等电位。因此，由于各掩膜图案间的 电位差不易产生，因此，能有效地抑制例如掩膜使用时的处置中可能产 生的图案的静电破坏的发生。例如，由于液晶基板的大型化，各个液晶面板制造用的掩膜图案也 随之大型化。这种大型、且电孤立的图案，容易积存非常大量的电荷， 它们在位于比较接近的位置时，容易发生因放电带来的静电破坏。使用掩膜图案，来最终获得电子器件。有时电子器件的图案中存在 容易产生静电破坏的位置，有时要在这种位置上，设置以静电破坏的防 止为目的的图案。以下，将这种图案称为ESD图案。作为ESD图案， 例如，有的是将各个电孤立的图案配置在比较接近的位置上。通过这种 配置，壁柜不是防止静电放电的发生，反而是促使其发生，其结果，防 止了大量电荷的积蓄，能防止电子器件的静电破坏。但是，因为这种 ESD图案，具有在光掩膜中也容易放电的性质，因此有时因ESD图案 造成引起光掩膜的静电破坏。因此，特别优选对将ESD图案进行转印 的掩膜图案，应用本发明的导电性图案。另外，各个电孤立的图案具有角部，这样，在它们位于该各个图案 的彼此最接近的位置上时，容易产生静电破坏。因此，将这些图案彼此，
用本发明的导电性图案来连接是有利的。上述导电性图案lla和12a、 llb和12b，能由例如导电性高的材料 的细线图案而形成。这里，导电性图案，优选其图案线宽，为不会被转 印到被转印体上的宽度，也就是说，不会作为被转印体上的抗蚀剂图案， 而在显影后实质出现。本发明的导电性图案，在由遮光膜构成的情况下， 优选是在暴光条件下为分辨限度以下(例如lpm以下)的线宽。在本 发明的导电性图案，相对于暴光光为半透光性、乃至透光性的情况下， 不易被转印到被转印体，不必设为在暴光条件下分辨限度以下(例如 lpm以下程度)的线宽。优选为1, 5nm的程度。再有，如果是透光 性膜，可知线宽可以更大。如上，根据本发明，即使是细线图案也能将 其宽度变大，能形成更低的电阻，能可靠地抑制静电破坏。再有，由半 透光膜形成本发明的导电性图案，如后所述，有制造上的优点。可是，虽然将各掩膜图案间连接的上述导电性图案，可以是例如l 处(l根)，但如图2所示，通过将导电性图案设为多个，有下述的优 点。也就是说，在将细线状的导电性图案，与掩膜图案同样，通过使用 光刻法的图案形成来制造时，即使在任何一处断线的情况下，只要多个 之中其它某处的导电性图案有效，就能获得本发明的效果。图3的(A) 、 (B) 、 (C)，都是表示将本发明应用于灰度掩膜 的情况下的实施方式的截面图。图3 (A)所示的实施方式1，由半透光膜形成连接各掩膜图案间 的上述导电性图案。其中的灰度掩膜，在透明基板24上形成有掩膜图 案，该掩模图案由以下部分构成在使用该灰度掩膜时对暴光光进行遮 光(透过率大致为0%)的遮光部分21;露出透明基板24的表面的使 暴光光透过的透光部分22;和，在将透光部分的暴光光透过率设为100 %时，使透过率减低到10 80%的半透光部分23。半透光部分23，由 在透明基板24上形成的光半透过性的具有导电性的半透光膜26构成， 遮光部分21，依次形成上述半透光膜26和遮光膜25而构成。而且， 图3 (A)中所示的导电性图案ll (与图2所示的细线状的导电性图案 lla、 llb相对应)，由构成半透光部分23的半透光膜26构成。在本 实施方式中，通过将上述导电性图案11，用具有与半透光部分23相同
导电性的半透光膜26来形成，从而可以利用制作半透光部分的工序， 将由上述半透光膜所形成的导电性图案11 一并制作。设该细线状的导 电性图案的线宽，是该图案不会被转印到被转印体的程度。图4是表示基于本发明的上述实施方式1的灰度掩膜的制造工序的 截面图。本实施方式中使用的掩膜版(mask blank)中，在透明基板24上依 次形成例如包含具有导电性的钼硅化物的半透光膜26、和例如以铬为 主成分的遮光膜25，并在其上涂敷抗蚀剂来形成抗蚀剂膜27 (参照图 4 (a))。作为遮光膜25的材质，除了以上述Cr为主成分的材料之外，还可 以列举出Si、 W、 Al等。在本实施方式中，遮光部分的透过率，由对 上述遮光膜25和半透光膜26的膜材质和膜厚的选定来设定。另外，半透光膜26，相对于透明基板24的暴光光的透过量，具有 10 80%、优选20 60%程度的透过量。作为上述半透光膜26，在本 实施方式的情况中，列举了具有导电性的Mo化合物、Cr、 W、 Al等。 这之中，作为Mo化合物，除了MoSix之外，还包含MoSi的氮化物、 氧化物、氮氧化物、碳化物等。决定这些化合物的组合时，通过调整金 属含有量，得到可防止静电破坏的具有导电性的化合物。另外，所形成 的掩膜上的半透光部分的透过率，由对上述半透光膜26的膜材质和膜 厚的选定来设定。本实施方式中，分别采用通过溅射成膜得到的包含钼硅化物的半透 光膜(暴光光透过率50%)，以及以铬为主成分的遮光膜。使用该图4 (a)所示的掩膜版，制作由遮光部分21、透光部分22 和半透光部分23构成的掩膜图案、及将各掩膜图案间连接的细线状的 导电性图案11。首先，对上述掩膜版的抗蚀剂膜27，描画给定的器件图案(在遮 光部分及半透光部分以及导电性图案11所对应的区域形成抗蚀剂图案 的那种图案)。描画通常多使用电子射线或光(短波长光)，但在本实 施方式中使用激光。因此，作为上述抗蚀剂使用正型光致抗蚀剂。然后， 通过在描画后进行显影，形成遮光部分及半透光部分以及导电性图案的
区域所对应的抗蚀剂图案27 (参照图4 (b))。接着，将上述抗蚀剂图案27作为蚀刻掩膜，蚀刻遮光膜25来形成 遮光膜图案，接着将该遮光膜图案作为蚀刻掩膜蚀刻下层的半透光膜 26，使透光部分的区域的透明基板24露出形成透光部分。作为蚀刻手 段，虽然干蚀刻法或者湿蚀刻法都可以，但在本实施方式中利用湿蚀刻 法。将残存的抗蚀剂图案去掉(参照图4 (c))。接着，对基板整个面形成与上述相同的抗蚀剂膜，进行第2次的描 画。在第2次的描画中，以在遮光部分及透光部分上形成抗蚀剂图案的 方式来描画给定的图案。描画后，通过进行显影，在遮光部分及透光部 分所对应的区域上形成抗蚀剂图案28 (参照图4 (d))。接着，将上述抗蚀剂图案28作为蚀刻掩膜，蚀刻露出的半透光部 分及导电性图案区域上的遮光膜25，来形成半透光部分23及导电性图 案11 (参照图4 (e))。作为该情况下的蚀刻手段，在本实施方式中 利用了湿蚀刻法。接着，去掉残存的抗蚀剂图案，完成在透明基板24 上，具有由半透光膜26和遮光膜25的依次叠层膜形成的遮光部分21、 露出透明基板24的透光部分22、由半透光膜26形成的半透光部分23、 和同样由半透光膜26形成的导电性图案11的灰度掩膜(参照图4(f))。基于本实施方式的上述灰度掩膜，因为各掩膜图案的上述遮光部 分，经通过半透光膜26形成的细线状的导电性图案11成为电性等电位， 因此在掩膜使用时的处置中不易产生各掩膜图案间的电位差，能有效抑 制以往的掩膜使用时的处置中可能产生的图案的静电破坏。因此，通过 使用如上所述的本实施方式的灰度掩膜，如图1所示进行对被转印体 30的图案转印，能形成在被转印体上没有图案缺陷的、高精度的转印 图案(抗蚀剂图案33)。另外，根据本实施方式，在掩膜制作中使用的掩膜版中，由于在透 明基板24上具有上述导电性的半透光膜26，从而能有效抑制掩膜制作 工序中可能产生的图案的静电破坏的发生。另外，遮光部分21、透光部分22、半透光部分23、及导电性图案11的图案形状不过是一典型例，本发明当然不是要限定于此。另外，图3 (B)所示的实施方式2中，将连接各掩膜图案间的上 述导电性图案由透明导电膜29形成。也就是说，其中的灰度掩膜，在 透明基板24上形成有由遮光部分21、透光部分22、和半透光部分23 构成的掩膜图案，图3 (B)中所示的导电性图案ll (与图2所示的细 线状的导电性图案lla、 Ub相对应)，通过对上述透明基板24与半透 光膜26之间所形成的透明导电膜29进行图案形成来形成。上述透明导电膜29，具有可以产生本发明的效果的导电性，只要 暴光光透过率高即可，不特别限制材质。从上述观点触发，上述透明导电膜29，优选用包含从例如锑(Sb)、 锡(Sn)、铟(In)中选出的至少1个元素的化合物来形成。这种化合 物，通过具有适于本发明的导电性、另外选定合适的膜厚，能得到80 %以上的较高的暴光光透过率，再有对掩膜制作时的蚀刻、洗净等具有 良好的耐性。具体来说，优选列举氧化锑锡等。基于本实施方式的上述灰度掩膜，因为各掩膜图案，经通过上述透 明导电膜29形成的细线状的导电性图案11形成电性等电位，因此在掩 膜使用时的处置中，各掩膜图案间的电位差不易产生，能有效抑制以往 的掩膜使用时的处置中可能产生的图案的静电破坏的发生。另外，图3 (C)所示的实施方式3，将连接各掩膜图案间的上述导 电性图案用Cr等的遮光膜形成。也就是说，该灰度掩膜中，在透明基 板24上，形成有由遮光部分21、透光部分22、和半透光部分23构成 的掩膜图案，半透光部分23，由在透明基板24上形成的半透光膜26 构成，遮光部分21，依次形成遮光膜25和上述半透光膜26而构成。 而且，图3 (C)中所示的导电性图案ll (与图2所示的细线状的导电 性图案lla、 llb相对应)，由构成上述遮光部分21的遮光膜25构成。基于本实施方式的上述灰度掩膜，因为各掩膜图案，经通过上述遮 光膜25所形成的细线状的导电性图案11形成电性等电位，因此在掩膜 使用时的处置中各掩膜图案间的电位差不易产生，能有效抑制以往的掩 膜使用时的处置中可能产生的图案的静电破坏的发生。另外，本实施方式中，通过将上述导电性图案11用与遮光部分21 相同的Cr等具有导电性的遮光膜25构成，从而可以利用例如一开始在 透明基板24上形成遮光膜25的掩膜版来制作遮光部分的工序，来制作 200810168133.4说明书第12/12页由上述遮光膜形成的导电性图案11。再有这时，半透光膜23的材料优选具有导电性。虽然由导电性图 案11，彼此孤立的各图案被连接形成等电位，但更优选所叠层的图案 全体(上下方向)形成等电位。另外，图3 (C)中，虽然在遮光膜上叠层半透光膜形成遮光部分，但叠层也可以反过来。另外，图5是表示将本发明应用于二元掩膜(binarymask)的情况 的实施方式的截面图。图5所示的实施方式4中的二元掩膜，在透明基 板24上，形成有由遮光部分21和透光部分22构成的掩膜图案，遮光 部分21，由以例如Cr等为主成分的遮光膜25构成。而且，图5中所 示的导电性图案11，通过对在上述透明基板24与遮光膜25之间所形 成的透明导电膜29进行图案形成来形成。这里，作为导电性图案，是 指例如电阻值不满3兆Q。上述透明导电膜29，与上述的实施方式2的情况(参照图3 (B)) 同样，具有获得本发明的效果的那种导电性，只要是暴光光透过率高即 可，不特别限制材质。作为具体的材质，与实施方式2列举的相同。透 明导电膜29，可以是导电性的半透光性的膜，只要暴光光透过率比遮 光膜高即可。这种二元掩膜，能通过与一般的多灰度掩膜(灰度掩膜) 相同的工序制作。在如上所述的本实施方式的二元掩膜中，也因为各掩膜图案的遮光 部分21,经通过上述透明导电膜29形成的细线状的导电性图案11成 为电性等电位，因此在掩膜使用时的处置中各掩膜图案间的电位差不易 产生，能有效抑制在以往的掩膜使用时的处置中可能产生的图案的静电 破坏的发生。1权利要求
1. 一种光掩膜，在透明基板上具有用于在被转印体上形成所希望的转印图案的掩膜图案，其中，具有导电性图案，其将电孤立的掩膜图案间相互连接，具有给定线宽，并且由对暴光光的透过率为给定值以下的透光膜或者半透光膜构成。
2. —种光掩膜，是多灰度光掩膜，其在透明基板上，具有由遮光 部分、透光部分、和将掩膜使用时所使用的暴光光的透过量减低给定量 的半透光部分构成的掩膜图案，使用掩膜对被转印体照射暴光光时，根 据部位的不同有选择地减低对被转印体的暴光光的照射量，用于在被转 印体上的光致抗蚀剂上，形成包含残膜值不同的部分的所希望的转印图 案，其中，上述遮光部分，至少由遮光膜形成，上述半透光部分，由至少透过暴光光的一部分的半透光膜形成， 具有将电孤立的掩膜图案间相互连接的、给定线宽的导电性图案。
3. 根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案，由与形成该半透光部分的半透光膜同样的材料构成。
4. 根据权利要求1至3中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案是透光性、或者半透光性，且其具有的线宽，使其不会在对上述光掩膜照射暴光光，将掩膜图案转印到被转印体上，对被 转印体上的抗蚀剂进行显影，并形成抗蚀剂图案时，出现在该抗蚀剂图 案中。
5. 根据权利要求1至3中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案的部分，由暴光光的透过率为20%以上60%以下的半透光膜形成。
6. 根据权利要求1至3中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 将连接掩膜图案间的上述导电性图案，设置多个。
7. —种光掩膜的制造方法，使用在透明基板上依次形成半透光膜 和遮光膜而成的掩膜版，通过光刻法对上述半透光膜和遮光膜分别进行 所希望的图案形成，具有形成由遮光部分、透光部分、和将掩膜使用时 所使用的暴光光的透过量减低给定量的半透光部分构成的掩膜图案的 工序，其中，在上述半透光模的图案形成时，形成将电孤立的半透光模图案相互 连接的、给定线宽的导电性图案。
8. —种图案转印方法，其特征在于，使用权利要求1至3中的任一项所述的光掩膜或者用权利要求7所 述的制造方法得到光掩膜，对被转印体照射暴光光，并在被转印体上形 成所希望的转印图案。
全文摘要
本发明提供一种光掩膜(例如灰度掩膜)，其在透明基板(24)上具有用于在被转印体上形成所希望的转印图案的掩膜图案，具有将掩膜图案(10a、10b、10c)间连接的、不会被转印到转印体的细线状的导电性图案(11a、11b、12a、12b)。该细线状的导电性图案，由半透光膜或者透光膜所形成。
文档编号G03F1/80GK101398612SQ20081016813
公开日2009年4月1日 申请日期2008年9月28日 优先权日2007年9月29日
发明者佐野道明 申请人:Hoya株式会社