专利名称：晶圆片光刻检测传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体光刻中用于检测晶圆片光刻的传感器。
背景技术：
半导体工艺中，光刻是一个至关重要的环节。光刻过宽、过窄和晶边清洗区域产生步对称偏移，都会造成晶边良率降低。
实用新型内容本实用新型目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种晶圆片光刻检测传感器。本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案本实用新型晶圆片光刻检测传感器，包括控制模块、驱动模块、激光发射器、反射激光接收器和数据传输模块，控制模块的输出端串接驱动模块后接激光发射器的输入端， 反射激光接收器的输出端串接数据传输模块后接控制模块的输入端。所述控制模块由信号对比模块串接微处理器构成，信号对比模块的输入端接数据传输模块的输出端，微处理器的输出端接驱动模块的输入端。所述控制模块还包括报警模块，所述报警模块的输入端接微处理器的输出端。本实用新型简化了作业流程，结构简单，节约了成本。
图1 :本实用新型结构图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型晶圆片光刻检测传感器，包括控制模块、驱动模块、激光发射器、反射激光接收器和数据传输模块，控制模块的输出端串接驱动模块后接激光发射器的输入端，反射激光接收器的输出端串接数据传输模块后接控制模块的输入端。所述控制模块由信号对比模块串接微处理器构成，信号对比模块的输入端接数据传输模块的输出端，微处理器的输出端接驱动模块的输入端。所述控制模块还包括报警模块，所述报警模块的输入端接微处理器的输出端。
权利要求1.一种晶圆片光刻检测传感器，其特征在于包括控制模块、驱动模块、激光发射器、反射激光接收器和数据传输模块，控制模块的输出端串接驱动模块后接激光发射器的输入端，反射激光接收器的输出端串接数据传输模块后接控制模块的输入端。
2.根据权利要求1所述的晶圆片光刻检测传感器，其特征在于所述控制模块由信号对比模块串接微处理器构成，信号对比模块的输入端接数据传输模块的输出端，微处理器的输出端接驱动模块的输入端。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆片光刻检测传感器，其特征在于所述控制模块还包括报警模块，所述报警模块的输入端接微处理器的输出端。
专利摘要本实用新型公布了一种晶圆片光刻检测传感器，包括控制模块、驱动模块、激光发射器、反射激光接收器和数据传输模块，控制模块的输出端串接驱动模块后接激光发射器的输入端，反射激光接收器的输出端串接数据传输模块后接控制模块的输入端。本实用新型简化了作业流程，结构简单，节约了成本。
文档编号G03F7/20GK201945800SQ20102062282
公开日2011年8月24日 申请日期2010年11月25日 优先权日2010年11月25日
发明者张春华, 张馨月 申请人:无锡春辉科技有限公司