专利名称：局部曝光装置的制作方法
技术领域：
本发明是对形成了感光膜的被处理基板进行局部曝光处理的局部曝光装置。
背景技术：
例如在FPD(平板显示器)的制造过程中，通过所谓的光刻工序来形成电路图案。在该光刻工序中，如在专利文献I中也记载的那样，在玻璃基板等被处理基板上形成规定的膜之后，涂敷光致抗蚀剂(以下称为抗蚀剂) ，通过使抗蚀剂中的溶剂蒸发的预干燥处理(减压干燥和预烘焙处理)形成抗蚀剂膜(感光膜)。并且与电路图案对应地使上述抗蚀剂膜被曝光，对该抗蚀剂膜进行显影处理、形成图案。另外，关于这种光刻工序，如图15的(a)所示那样使抗蚀剂图案R具有不同的膜厚(厚膜部Rl和薄膜部R2)，利用该膜厚进行多次蚀刻处理，由此能够减少光掩模数和工序数。此外，能够通过利用具有光透过率不同部分的一个半色调掩模进行半(半色调)曝光处理来得到这种抗蚀剂图案R。使用图15的(a) (e)具体说明使用应用了该半曝光的抗蚀剂图案R的情况下的电路图案形成工序。例如在图15的(a)中，在玻璃基板G上依次层叠栅电极200、绝缘层201、由a_Si层(无掺杂无定形Si层)202a和n+a-Si层202b (磷掺杂无定形Si层)构成的Si层202以及用于形成电极的金属层203。另外，在金属层203上，一样地形成抗蚀剂膜之后，通过减压干燥以及预烘焙处理使抗蚀剂中的溶剂蒸发，之后，通过上述半曝光处理以及显影处理来形成抗蚀剂图案R。如图15的(b)所示，在形成该抗蚀剂图案R(厚膜部R I和薄膜部R2)之后，将该抗蚀剂图案R作为掩模，进行金属层203的蚀刻(第一次蚀刻)。接着,对抗蚀剂图案R整体在等离子体中实施灰化(ashing)处理。由此,如图15的(c)所示，得到膜厚减少一半左右的抗蚀剂图案R3。并且，如图15的⑷所示，将该抗蚀剂图案R3用作掩模，对所露出的金属层203、Si层202进行蚀刻(第二次蚀刻)，最后如图15的(e)所示，通过去除抗蚀剂图案R3来得到电路图案。然而，如上所述，关于使用形成了厚膜R I和薄膜R2的抗蚀剂图案R的半曝光处理，在形成抗蚀剂图案R时，在其膜厚在基板面内不均匀的情况下，存在所形成的图案的线宽、图案之间的间距产生偏差这种问题。S卩，使用图16的(a) (e)具体地说明，图16的(a)示出抗蚀剂图案R中的、薄膜部R2的厚度t2形成为大于图15的(a)示出的厚度tl的情况。在该情况下，与图14示出的工序同样地，对金属膜203进行蚀刻(图16的(b))、对抗蚀剂图案R整体实施灰化处理(图16的(c))。在此，如图16的(C)所示，得到膜厚减少到一半左右的抗蚀剂图案R3，但是被去除的抗蚀剂膜的厚度与图15的(c)的情况相同，因此图示的一对抗蚀剂图案R3间的间距p2比图15的(c)示出的间距pi更窄。因而，根据该状态，经过对金属膜203和Si层202进行蚀刻((图16的⑷以及抗蚀剂图案R3的去除(图16的(e))得到的电路图案的间距p2比图15的(e)示出的间距Pl更窄(电路图案的线宽变宽)。为了应对上述问题，以往，采用以下方法按照在曝光处理时使光透过的每个掩模图案，通过膜厚测量来确定抗蚀剂图案R中的膜厚形成为大于期望值的规定部位，使该部位的曝光灵敏度提闻。
S卩，在曝光处理前对抗蚀剂膜进行加热而使溶剂蒸发的预烘焙处理中，使基板面内的加热量具有差异，使上述规定部位中的曝光灵敏度发生变化，由此对显影处理后的残留膜厚进行调整(面内均匀化)。具体地说，将使用于预烘焙处理的加热器分割为多个区域，对分割得到的加热器独立地进行驱动控制，由此按照每个区域进行温度调整。并且，通过支承基板的接近销的高度变化(加热器与基板之间的距离变化)进行加热温度的调整。专利文献I :日本特开2007-158253号公报
发明内容
发明要解决的问题然而，在如上所述通过基于预烘焙的加热处理来进行残留膜厚的调整的情况下，被分割的加热器面积由于硬件的限制而需要确保某种程度大小，因此存在无法对较细的区域进行加热调整这种问题。另外，至于由接近销的高度进行的加热调整，需要变更销高度的作业工时，因此存 在生产效率降低这种问题。本发明是鉴于上述以往技术的问题点而完成的，提供一种局部曝光装置，能够容易地对于在基板面内设定为较细的每个区域的曝光量进行调整、使显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性提高、能够抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本发明所涉及一种局部曝光装置，用于对在基板上形成的感光膜的规定区域实施曝光处理，其特征在于，具备基板输送单元，其形成基板输送路径，沿着上述基板输送路径平流输送上述基板；光源，其在上述基板输送路径的上方具有沿与基板输送方向相交叉的方向线状地排列的多个发光元件，能够通过上述发光元件的发光来对在上述发光兀件的下方沿着基板输送方向相对于上述发光兀件移动的上述基板上的感光膜进行光照射；发光驱动部，其能够选择性地将构成上述光源的多个发光元件中的一个或者多个发光元件作为发光控制单位来进行发光驱动；照度检测单元，其被设置成在上述基板没有在上述光源的下方输送的状态下能够沿着上述光源对上述基板照射光的光照射位置在基板宽度方向上进退，来检测由上述光源照射的光的照度；以及控制部，其存储由上述 照度检测单元检测出的照度与上述发光元件的驱动电流值之间的关系作为相关表，并且控制由上述发光驱动部对上述发光元件进行的驱动，其中，上述控制部针对在上述基板上形成的感光膜的规定区域，根据该规定区域的膜厚求出要照射的需要照度，并且针对能够照射上述规定区域的上述光源的发光元件，基于上述相关表根据上述需要照度来决定驱动电流值，上述控制部根据上述驱动电流值控制上述发光驱动部来使上述发光元件发光。此外，优选上述照度检测单元在与上述基板相同高度的位置处在基板宽度方向上进退移动。另外，优选上述光源被设置成能够相对于上述基板改变高度位置，在上述光源被固定于规定高度的状态下，上述照度检测单元检测由该光源照射的光的照度。另外，优选还具备基板检测单元，该基板检测单元在上述基板输送路径上被配置在上述光源的上游侧，检测由上述基板输送单元 输送的上述基板，其中，上述控制部根据上述基板检测单元的基板检测信号和基板输送速度来获取基板输送位置，当在上述基板上形成的感光膜的规定区域相对地移动到上述光源的下方时，上述控制部控制上述发光驱动部使得仅由上述线状地排列的多个发光元件中的能够照射到上述规定区域的发光元件发光。通过设为这种结构，能够容易地对要使膜厚更薄(或者更厚)的任意的部位进行局部曝光处理，能够通过预先设定的曝光量(照度)来减少到期望的膜厚。因而，例如即使在半曝光处理中使抗蚀剂膜具有不同的膜厚(厚膜部和薄膜部)的情况下(即是薄膜部那样薄的膜厚)，也能够使显影处理后的抗蚀剂膜厚均匀，而抑制布线图案的线宽和间距的偏差。另外，关于曝光量(照度)的设定，预先使用照度检测单元，对成为发光控制单位的全部发光元件进行测量，将其驱动电流值与照度之间的关系保存为相关表，由此能够高精度地调整曝光量。另外，优选在上述光源的下方设置光漫射板，从上述光源发出的光经由上述光漫射板照射到上述基板。通过这样设置光漫射板，从光源照射的光由于光漫射板而适当地扩散，因此能够将相邻的发光元件的光连接为线状而向下方照射。另外，上述控制部将上述光源沿着基板宽度方向分为多个发光控制组，并且按照每个上述发光控制组将规定范围内的多个驱动电流值和该驱动电流值产生的照度存储到上述相关表。这样，通过将光源分为多个发光控制组，能够抑制发光元件间的发光照度的偏差。另外，优选上述控制部将通过对在上述基板上形成的感光膜的规定区域进行照射以及显影处理而增减的膜厚的变化值与对上述规定区域进行照射的发光元件的驱动电流值之间的关系存储到上述相关表，基于上述相关表根据上述膜厚的变化值来决定驱动电流值，上述控制部根据上述驱动电流值控制上述发光驱动部来使上述发光元件发光。在这样使用膜厚变化值与驱动电流值之间的相关数据的情况下，作为参数能够省去照度(即可不利用照度与驱动电流值之间的相关数据)，能够省去更新照度与驱动电流值之间的相关数据的作业。
_] 发明的效果根据本发明，能够得到如下局部曝光装置能够容易地对在基板面内设定为较细的每个区域的曝光量进行调整、使显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性提高，能够抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。
图I是表示本发明所涉及的一个实施方式的整体概要结构的立体图。图2是表示本发明所涉及的一个实施方式的整体概要结构的立体图，是表示被处理基板被搬入的状态的图。图3是图2的A-A箭头方向截面图。图4是示意性地表示光刻工序中的局部曝光装置的配置的图。图5是表不构成光源的发光兀件的排列的俯 视图。图6是表示求出本发明所涉及的局部曝光装置所具有的发光控制程序的设定参数的工序的流程图。图7是用于说明本发明所涉及的局部曝光装置中发光元件的发光控制的图，是使用坐标来表示被处理基板上的局部曝光位置的被处理基板的俯视图。图8是表示本发明所涉及的局部曝光装置所具有的发光控制程序的设定参数的例子的表。图9是表示本发明所涉及的局部曝光装置所具有的发光控制程序中所利用的发光元件的驱动电流值与照度之间的相关数据的例子的表。图10是表示本发明所涉及的局部曝光装置的一系列动作的流程图。图11是用于说明本发明所涉及的局部曝光装置中的局部曝光的动作的俯视图。图12是用于说明本发明所涉及的局部曝光装置中的局部曝光的动作的图表。图13是用于说明本发明所涉及的局部曝光装置的应用例的俯视图。图14是表示本发明所涉及的局部曝光装置所具有的发光控制程序中能够利用的发光元件的驱动电流值与膜厚之间的相关表格的应用例的表。图15的(a) 图15的(e)是用于说明使用了半曝光处理的布线图案的形成工序的截面图。图16的(a) 图16的(e)是用于说明使用了半曝光处理的布线图案的形成工序的图，是表示抗蚀剂膜厚大于图15的情况下的截面图。附图标记说明I :局部曝光装置；2 :基板输送路径；3 :光照射单元；4 :光源；9 :发光驱动部；20 输送辊(基板输送单元)；39 :基板检测传感器(基板检测单元)；40 :控制部；G :玻璃基板(被处理基板)；L =UV-LED元件(发光元件)；GR :发光控制组；T1 :制程表；T2 :相关表；Τ3 相关表。
具体实施例方式以下，根据
本发明的局部曝光装置所涉及的一个实施方式。图I是表示本发明所涉及的局部曝光装置I的整体概要结构的立体图。另外，图2是从与图I不同的角度观察局部曝光装置I而得到的立体图，是表示作为被处理基板的玻璃基板G被搬入的状态的图。另外，图3是图2的A-A箭头方向截面图。另外，图4是意性地表光刻工序中的局部曝光装置I的配置的图。例如图4的(a) (C)分别所示，图I至图3示出的局部曝光装置I被配置于组件内，该组件一边在X方向上将被处理基板以水平的状态来水平输送(以下记载为平流输送)，一边进行一系列光刻工序。S卩，在光刻工序中配置有抗蚀剂涂敷装置51 (CT)和减压干燥装置52 (DP)，该抗蚀剂涂敷装置51 (CT)对被处理基板涂敷作为感光膜的抗蚀液，该减压干燥装置52 (DP)在减压后的腔室内使基板上的抗蚀剂膜(感光膜)干燥。并且，依次配置有以下部分预烘焙装置53 (PRB)，其进行加热处理以用于使抗蚀剂膜固定于基板G上；冷却装置54 (COL)，其将该抗蚀剂膜冷却至规定温度；曝光装置55 (EXP)，其以规定的电路图案对抗蚀剂膜进行曝光；以及显影装置56 (DEV)，其对曝光后的抗蚀剂膜进行显影处理。在此，本发明所涉及的局部曝光装置I(AE)例如被配置于图4的(a) (C)示出的任一位置。即，被配置于预烘焙装置53 (PRB)的后级并且显影装置56 (DEV)的前级的规
定位置。 关于这样配置的局部曝光装置I (AE)，例如在使用正型抗蚀剂的情况下，在连续地处理多个基板G时，在全部基板G的规定区域中与其它区域相比布线图案宽度变宽而图案间间距变窄的情况下，对上述规定区域实施(用于减小膜厚的)局部曝光。此外，关于以下实施方式，以正型抗蚀剂的情况为例进行说明，但是至于本发明所涉及的局部曝光装置，在负型抗蚀剂的情况下也能够应用，在该情况下，对期望抗蚀剂残留膜更厚地残留的规定区域实施局部曝光。接着，详细说明局部曝光装置I的结构。如图I 图3所示，局部曝光装置I具备基板输送路径2，该基板输送路径2使用可旋转地架设在底座100上的多个辊20向X方向输送基板G。基板输送路径2具有多个在Y方向上延伸的圆柱状的辊20，这些多个辊20被配置成在X方向上隔开规定的间隔而分别能够在底座100上旋转。另外，多个辊20被设置成能够通过传动带(未图示)进行连动，一个辊20与马达等辊驱动装置(未图示)进行连接。此外，关于图1，为了易于说明该局部曝光装置I的结构，将图中近前侧的辊20进行局部剖视来表示。另外，如图所示，在基板输送路径2的上方配置有光照射单元3，该光照射单元3用于对基板G进行局部曝光(UV光照射)。该光照射单元3具备在基板宽度方向(Y方向)上延伸的线状的光源4，在该光源4的下方输送基板G。所述线状的光源4构成为，将发出规定波长(例如，接近g线(436nm)、h线(405nm)、i线(364nm)中的任一个的波长)的UV光的多个UV-LED元件L排列在电路基板7上。例如，图5的(a)是从下方观察电路基板7的俯视图。如图5的(a)所示，在电路基板7上将多个UV-LED元件L排列为三列。在此，如图5的(a)所示，将多个(在图中九个)UV-LED元件L设为一个发光控制单位(设为发光控制组GRl GRn)。这样通过将多个LED元件L设为发光控制单位，能够抑制发光元件间的发光照度的偏差。此外，在使用更少的UV-LED元件L来构成光源4的情况下，如图5的(b)所示，期望配置成锯齿状使得元件L在基板输送方向(X方向)和基板宽度方向(Y方向)上重叠。 另外，如图3所示，在光源4的下方设置有由光漫射板形成的光照射窗6。S卩，在光源4与作为被照射体的基板G之间配置有光照射窗6。通过这样设置由光漫射板形成的光照射窗6，从光源4照射的光通过光照射窗6而适当地扩散，因此相邻的UV-LED元件L的光以线状的方式连接着向下方照射。另外，具有以下结构在图3示出的UV-LED元件L的前后设置有在基板宽度方向(Y方向)上延伸的光反射壁8，由UV-LED元件L发出的光从光照射窗6向下方高效率地照射。另外，关于构成光源4的各发光控制组GR，分别通过发光驱动部9 (图I)，对其发光驱动独立地进行控制。并且，能够对提供给各发光控制组GR(的UV-LED元件L)的顺电流值分别进行控制。即，关于各发光控制组GR的UV-LED元件L，能够通过发光驱动部9使与其提供电流相应的发光的照射照度变化。 此外，通过由计算机构成的控制部40对上述发光驱动部9的驱动进行控制。另外，光照射单兀3相对于在基板输送路径2上输送的基板G能够使其光照射位置的高度可变。即，如图3所示，关于光照射单元3，设置于其支承架15的长度方向(Y方向)两端上的水平板部15a被一对升降轴11从下方支承，升降轴11通过设置于底座100上的例如由气缸构成的升降驱动部12(升降单元)而能够上下移动。此外，如图2、图3所示，在光照射单元3移动至最下方的位置处，上述支承架15的水平板部15a的下表面与设置于底座100的支承部件16相抵接。另外，在底座100中，在升降驱动部12的左右两侧，分别立设有筒状的导向部件13。另一方面，在上述支承架15的水平板部15a中，在其下表面在上述升降轴11的左右两侧分别设置有与上述导向部件13卡合的导向轴14。由此，形成以下结构随着光照射单元3的升降，导向轴14在导向部件13中在上下方向上滑动，从而高精度地维持光照射单元3的光照射窗6的水平度。另外，在光照射单元3的下方设置有照度传感器单元30，该照度传感器单元30用于对从光源4照射的通过了光照射窗6的光的照度(照射束)进行检测。该照度传感器单元30具备作为信号的检测部而面向上方的照度传感器31，该照度传感器31被设置在能够沿基板宽度方向(Y方向)移动的移动板32上。另外，在光源4正下方的底座100上架设有一对导轨33a、33b，该一对导轨33a、33b沿着光源4在基板宽度方向上延伸。在上述移动板32的下表面侧设置有直线电机34，该直线电机34能够沿着上述一对导轨33a、33b移动，通过配置在弯曲自如的蛇腹状的线缆罩35内的电源线缆(未图示)对该直线电机34中提供电源。另外，在线缆罩35内配置有用于通过控制部40控制直线电机34动作的控制线缆(未图示)。S卩，移动板32上的照度传感器31沿着导轨33a、33b能够在基板宽度方向上移动，此时，照度传感器31中的检测部始终与基板面的高度一致。换言之，照度传感器31能够沿着上述光源4对基板G照射光的光照射位置而在基板宽度方向上进退。另外，在局部曝光装置I中输送基板G时，由控制部40控制照度传感器31，使得照度传感器31不与基板G干涉而退避到导轨33a、33b的一端侧。使用具有这种结构的照度传感器30是为了，测量各发光控制组GR的发光照度来得到提供给该发光控制组GR(的LED元件L)的电流值与发光照度之间的关系。另外，关于该局部曝光装置I，如图3所示，在光照射单元3的上游侧设置有用于检测在基板输送路径2中输送的基板G的规定位置(例如前端)的基板检测传感器39，将其检测信号输出到控制部40。基板G以规定速度(例如50mm/sec)在基板输送路径2上被输送，因此控制部40能够根据上述检测信号以及获取到该检测信号之后的时间和基板输送速度来获取基板G的输送位置。另外，控制部40在规定的记录区域内具有发光控制程序P，该发光控制程序P用于在规定的定时控制构成光源4的各发光控制组GR的亮度、即提供给各发光控制组GR (的UV-LED元件L)的电流值。预先设定要对基板G的规定位置照射的需要照度(提供给发光控制组GR的电流值)、用于确定对上述基板G的规定位置进行发光控制的发光控制组GR的信息等，作为该发光控制程序P执行时使用的制程的参数。在此，使用图6至图8说明局部曝光装置I中的准备工序。为了按照在曝光处理时使光透过的每个掩模图案决定曝光处理所涉及的参数(称为制程)而实施该准备工序。具体地说，为了填满图8示出的制程表Tl中的各参数而实施。此外，该制程表Tl被存储保存在控制部40中。另外，在该准备工序中使用两种采样基板(称为采样对象1、2)中的任一基板。首先，采样对象I是在抗蚀剂涂敷之后实施了半曝光以及显影处理过的被处理基板。另一方面，采样对象2是通过一般的光刻工序(不通过局部曝光装置I的工序)形成了布线图案的被处理基板。如图6所示，在采样对象I的情况下，对抗蚀剂涂敷之后实施了半曝光和显影处理过的多个被处理基板进行采样(图6的步骤Stl)。接着，测量采样得到的基板G的面内的抗蚀剂残膜厚(图6的步骤St2)，如图7中示意性地表示那样，根据多个二维坐标值(X，y)来确定要减少膜的规定区域AR(图6的步骤 St5)。另一方面，如图6所示，在采样对象2的情况下，通过一般的光刻工序(不通过局部曝光装置I的工序)对形成布线图案的多个被处理基板进行采样(图6的步骤St3)。接着，测量采样得到的基板G的面内的布线图案的线宽、图案之间的间距(图6的步骤St4)，如图7中示意性地表示那样，根据多个二维坐标值(X，y)来确定要减少膜的规定区域AR (图6的步骤St5)。当确定规定区域AR时，如图8的制程表T I所示，控制部40对于规定区域AR内的各坐标值算出所需减少的膜厚(例如，在坐标(xl，yl)的情况下为1000人))(图6的 步骤St6)。并且，根据该减少膜厚的值以及抗蚀剂种类等多个条件，算出用于减少膜厚而要照射的照度(坐标(xl，yl)的情况下为O. 2mJ/cm2))(图6的步骤St7)。另外，如图8的制程表Tl所示，控制部40分别确定能够对规定区域AR的各坐标值照射的发光控制组GR(图6的步骤St8)，从图9示出的相关表T2中求出用于使该发光控制组GR以期望的照度发光所需的顺电流值(图6的步骤St9)。该相关表T2表示按照每个发光控制组GR测量得到的照度值与电流值之间的相关关系，存储在控制部40的记录区域中。例如以下那样定期地更新上述相关表T2。 首先，在将光源4 (光照射窗6)设定为规定高度的状态下，根据来自控制部40的控制信号来驱动直线电机34,处于待机位置的照度传感器31移动到光照射窗6的下方。在此，光照射窗6与照度传感器31之间的距离和光照射窗6与基板G上表面之间的距离相等，因此由照度传感器31检测出的照度为照射到基板G的照度。然后，按照每个发光控制组GR，在额定电流范围内，使提供给光源4的发光控制组GR的顺电流值增减，由照度传感器31检测出该发光照度，照度与电流值之间的关系被存储到上述相关表T2。这样，沿着图6的流程图求出全部参数，设定于图8的制程表Tl，从而完成准备工序(图6的步骤St 10)。接着，使用图10至图12来进一步说明 局部曝光装置I的局部曝光的一系列动作。在前级工序中的处理结束之后，基板G在基板输送路径2中输送，当基板传感器39检测到基板G时，向控制部40中提供该基板检测信号(图10的步骤SI)。控制部40根据输送基板检测信号和基板输送速度，来开始获取(检测)基板G的输送位置(图10的步骤S2)。然后，控制部40在要进行局部曝光的规定区域通过光照射单元3的下方的时间(图10的步骤S3)，如图11中示意性地所示那样，对构成光源4的发光控制组GRl GRn进行发光控制(图10的步骤S4)。在此，例如在对基板G的规定区域AR进行发光照射的情况下，对配置在其上方的发光控制组GRn-I GRn-2进行发光控制。更具体地说，如图12的图表(每个发光控制组GRn-I GRn-2相对于时间经过的照射束(瓦)的大小)所示，在基板G的规定区域AR通过光源下方的期间，对提供的顺电流进行控制以使照射束W的大小发生变化。这样，不仅能够对基板G的规定区域AR进行照射，而且能够以任意的照度对区域AR内的局部进行照射。另外，在基板G中，在存在其它的要进行局部曝光的区域的情况下(图10的步骤S5)，在该区域进行发光控制组GR的发光控制，在没有其它的要进行局部曝光的区域的情况下(图10的步骤S5)，结束对该基板G进行的局部曝光处理。此外，如图4所示，除了该局部曝光处理(AE)以外，与在其前级或者后级中进行的曝光处理(EXP) —起完成对基板G的曝光处理，由显影装置56 (DEV)对该曝光后的抗蚀剂膜进行显影处理。如上所述，根据本发明所涉及的实施方式，在对形成于基板G的抗蚀剂膜厚的任意的部位进行的局部曝光处理中，由在基板宽度方向(Y方向)上线状地配置的多个UV-LED元件L形成多个发光控制组GR，与下方输送的基板G相对应地来对被选择的发光控制组GR进行发光控制。由此，能够容易地对要使膜厚更薄的任意的部位进行局部曝光处理，能够通过预先设定的曝光量(照度)来减少到期望的膜厚。因而，例如即使在半曝光处理中使抗蚀剂膜具有不同的膜厚(厚膜部与薄膜部)的情况下(即如薄膜部那样薄的膜厚)，也能够使显影处理后的抗蚀剂膜厚均匀，能够抑制布线图案的线宽和间距的偏差。另外，关于曝光量(照度)的设定，预先使用照度传感器31对全部发光控制组GR进行测量，将其驱动电流值与照度之间的关系保存为相关表，由此能够高精度地调整曝光量。
此外，在上述实施方式中，例示出将进行局部追加曝光的区域设在基板面的有效区域内，但并不限定于此。例如图13所示，还能够使用于对基板G的边缘部区域(有效区域的周边)El进行曝光的处理。另外，在上述实施方式中，例示出将由多个UV-LED元件L构成的发光控制组作为发光控制单位，但并不限定于此，还可以将各UV-LED元件L作为发光控制单位，进行更精细的局部曝光。另外，在上述实施方式中，以一边平流输送基板G—边进行曝光处理的情况为例进行了说明，但是本发明并不限定于该方式，也可以具有以下结构在腔室内以静止的状态 下保持被处理基板，对所保持的基板进行曝光处理。在该情况下，也可以使线状光源相对于被处理基板进行移动(即，线状光源与被处理基板相对地在相反方向上移动的结构即可)。另外，在上述实施方式中，以使半曝光处理后的抗蚀剂残留膜厚均匀的情况为例进行了说明，但是本发明所涉及的局部曝光方法，能够应用于普通的曝光处理而不仅限于半曝光处理。例如，即使在进行普通的曝光处理而并非半曝光处理的情况下，通过应用本发明所涉及的局部曝光方法，也能够使抗蚀剂残留膜厚变得面内均匀。另外，并不限定于如图6的步骤St6、St7那样根据所需残留膜厚来求出需要照度，也可以对显影处理后的图案线宽进行测量而求出图案线宽与照度之间的相关数据，根据该相关数据来制作制程表。另外，在上述实施方式中，基于相关表T2，根据需要照度来决定电流值，仅根据该电流值来进行照度的控制。此时，光照射单元3的高度为固定的，但是也可以适当地调整并改变其高度位置。例如，担心即使驱动电流为固定的，由于UV-LED元件L的经年劣化而其照度也会降低。因此，在照度测量的结果是对UV-LED元件L施加最大电流的负载也无法得到期望的照度的情况下，使光照射单元3接近基板G而再次进行测量，在其结果是得到期望的照度的情况下，重新设定高度位置作为光照射单元3的高度位置。另外，在上述实施方式中，根据形成于基板G的抗蚀剂膜的规定区域的膜厚来决定要照射的照度，基于相关表根据上述照度来决定驱动电流值。然而，并不仅限定于这种方式，也可以将上述规定区域的膜厚变化值(减少膜厚值)以及照射到该规定区域的发光控制组GR的驱动电流值之间的关系作为数据库而存储到图14示出的相关表T3，并利用该相关表T3。即，也可以基于所述相关表T3根据上述规定区域的膜厚变化值直接决定驱动电流值，根据上述驱动电流值来使发光控制组GR发光。在这样使用相关表T3的情况下，作为参 数能够省去照度(即也可以不利用照度与驱动电流值之间的相关表T2)，因此能够省去使用照度传感器31进行照度测量来定期更新相关表T2的作业。另外，也可以将上述实施方式的一部分进行组合来实施，也能够实现同样的作用和效果。
权利要求
1.一种局部曝光装置，用于对在基板上形成的感光膜的规定区域实施曝光处理，其特征在于，具备 基板输送单元，其形成基板输送路径，沿着上述基板输送路径平流输送上述基板； 光源，其在上述基板输送路径的上方具有沿与基板输送方向相交叉的方向线状地排列的多个发光元件，能够通过上述发光元件的发光来对在上述发光元件的下方沿着基板输送方向相对于上述发光兀件移动的上述基板上的感光膜进行光照射； 发光驱动部，其能够选择性地将构成上述光源的多个发光元件中的一个或者多个发光元件作为发光控制单位来进行发光驱动； 照度检测单元，其被设置成在上述基板没有在上述光源的下方输送的状态下能够沿着上述光源对上述基板照射光的光照射位置在基板宽度方向上进退，来检测由上述光源照射的光的照度；以及 控制部，其存储由上述照度检测单元检测出的照度与上述发光元件的驱动电流值之间的关系作为相关表，并且控制由上述发光驱动部对上述发光元件进行的驱动， 其中，上述控制部针对在上述基板上形成的感光膜的规定区域，根据该规定区域的膜厚求出要照射的需要照度，并且针对能够照射上述规定区域的上述光源的发光元件，基于上述相关表根据上述需要照度来决定驱动电流值，上述控制部根据上述驱动电流值控制上述发光驱动部来使上述发光元件发光。
2.根据权利要求I所述的局部曝光装置，其特征在于， 上述照度检测单元在与上述基板相同高度的位置处在基板宽度方向上进退移动。
3.根据权利要求I所述的局部曝光装置，其特征在于， 上述光源被设置成能够相对于上述基板改变高度位置， 在上述光源被固定于规定高度的状态下，上述照度检测单元检测由该光源照射的光的照度。
4.根据权利要求I 3中的任一项所述的局部曝光装置，其特征在于， 还具备基板检测单元，该基板检测单元在上述基板输送路径上被配置在上述光源的上游侧，检测由上述基板输送单元输送的上述基板， 其中，上述控制部根据上述基板检测单元的基板检测信号和基板输送速度来获取基板输送位置，当在上述基板上形成的感光膜的规定区域相对地移动到上述光源的下方时，上述控制部控制上述发光驱动部使得仅由上述线状地排列的多个发光元件中的能够照射到上述规定区域的发光元件发光。
5.根据权利要求I 3中的任一项所述的局部曝光装置，其特征在于， 在上述光源的下方设置光漫射板， 从上述光源发出的光经由上述光漫射板照射到上述基板。
6.根据权利要求I 3中的任一项所述的局部曝光装置，其特征在于， 上述控制部将上述光源沿着基板宽度方向分为多个发光控制组，并且按照每个上述发光控制组将规定范围内的多个驱动电流值和该驱动电流值产生的照度存储到上述相关表。
7.根据权利要求I 3中的任一项所述的局部曝光装置，其特征在于， 上述控制部将通过对在上述基板上形成的感光膜的规定区域进行照射以及显影处理而增减的膜厚的变化值与对上述规定区域进行照射的发光元件的驱动电流值之间的关系存储到上述相关表，基于上述相关表根据上述膜厚的变化值来决定驱动电流值，上述控制部根据上述驱动电流值控制上述发光驱动部来使上述发光元件发光。全文摘要
提供一种局部曝光装置，调整在基板面内较细地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后抗蚀剂残留膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。具备具有在基板输送路径上方沿着与基板输送方向相交叉的方向排列的多个发光元件的光源、能够选择性地将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个作为发光控制单位来进行发光驱动的发光驱动部、被设置成在被处理基板没有在光源下方输送的状态下能够沿着光源对被处理基板照射光的光照射位置而在基板宽度方向上进退来检测由光源照射的光照度的照度检测单元、存储由照度检测单元检测出的照度与发光元件的驱动电流值之间的关系作为相关表并且控制由发光驱动部对发光元件进行的驱动的控制部。
文档编号G03F7/20GK102681350SQ20121004366
公开日2012年9月19日 申请日期2012年2月22日 优先权日2011年2月22日
发明者森山茂, 牧哲也, 田中茂喜 申请人:东京毅力科创株式会社