本发明涉及汽车电致变色内后视镜领域，具体为一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜及其制备方法。
背景技术：
电致变色内后视镜基本结构多选用两片1.6mm或更厚导电钠钙玻璃制成类似液晶盒的玻璃盒，中间灌入导电和变色溶液或凝胶，然后再封口制成盒装结构。导电玻璃中前片、后片玻璃的四个面从前到后依次成为第一面、第二面、第三面、第四面。电致变色根据后视镜后面是否加装液晶显示而分别制成半反半透型和全反型两种变色后视镜。很多半反半透型后视镜第三面采用非常薄的一层金属膜做导电层的同时实现半反半透目的。金属膜选择比较多的是Ag、Al、Cr、Ni等膜层。Ag和Al膜层偏软，易硫化、氧化，且同玻璃的附着力稍弱，需要其他金属膜打底以提升附着力及镀在表层做为保护层，故衍生出NiCr+Ag+NiCr、Ni+Ag+Ni、Cr+Ru+Ag、Cr+Rh+Ag、Mo+Al+Mo等多种不同膜层结构。Ni、Cr做保护层吸收偏大，需控制电阻或利用非介质膜匹配改善反射率；Ru、Rh等金属靶材成本高、平面靶材利用率太低、旋转靶则一次性投入成本过高。
采用金属膜层做为第三面导电材料，此结构存在金属膜层同玻璃附着力不好、后续加工过程易掉膜，质地软加工或贴合过程易刮花，镀膜后裸露在空气中易氧化、易硫化且氧化、硫化程度不一而致面电阻不均匀、变色时呈现色斑式变色等问题点。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜及其制备方法，采用该第三面导电膜制备的半反半透型电致变色内后视镜，无论颜色、反射率、还是响应速度，都可以满足汽车对内后视镜的要求。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜，包括依次设置的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层，所述高折射率层的材料选用Nb2O5、TiO2、Si3N4中的一种或者几种，低折射率层的材料为SiO2；其中每个高折射率层或者低折射率层的厚度在0~3000Å。
进一步地，所述第三面导电膜的反射率为50～80%，其电阻在30欧姆以下。
进一步地，所述第一高折射率层的厚度为30-100nm，第一低折射率层的厚度为1-200nm、第二高折射率层的厚度为20-150nm、第二低折射率层的厚度为40-160nm、第三高折射率层的厚度为20-100nm、第三低折射率层的厚度为30-150nm和ITO层的厚度为1-200nm。
优选的方案中，第一高折射率层的材料为TiO2，厚度为54.51nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为88.85nm、第二高折射率层的材料为Si3N4，厚度为64.59nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为88.99nm、第三高折射率层的材料为TiO2，厚度为52.38nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为95.94nm；ITO层的厚度为131.01nm。
优选的方案中，第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为88nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为88nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为88nm；ITO层的厚度为135nm。
优选的方案中，第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为52.34nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为150.95nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为37.71nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为94.06nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为53.22nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为79.13nm；ITO层的厚度为150nm。
优选的方案中，第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为45.01nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为148.71nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为48.28nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为84.13nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为49.89nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为92.79nm；ITO层的厚度为143.68nm。
优选的方案中，第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为80.34nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为11.91nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为92.98nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为91.89nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为53.04nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为94.6nm；ITO层的厚度为136.73nm。
优选的方案中，第一高折射率层的材料为Si3N4，厚度为63.63nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为89.52nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55.81nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为90.73nm、第三高折射率层的材料为Si3N4，厚度为64.31nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为83.76nm；ITO层的厚度为136.36nm。
制备所述膜的方法，具体步骤是：通过磁控溅射依次将第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层进行沉积。
本发明通过选用不同介质层+ITO层结构，可以实现反射率为50～80%、电阻30欧姆以下、颜色可调的汽车半反半透型电致变色内后视镜第三面导电膜层的制备。此种结构的介质层及ITO都采用高温制程，该方法生产的结构信赖性、耐候性好。其附着力、ITO膜层硬度、信赖性、耐候性等各性能指标更好，更适合于对性能要求更高的车载产品的需求。由此制备的电致变色后视镜，无论颜色、反射率，还是响应速度，也都可以满足汽车内后视镜的要求。
具体实施方式
下面结合实施例，进一步阐明本发明。
实施例1： 一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜，包括依次设置的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层；
其中第一高折射率层的材料为TiO2，厚度为54.51nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为88.85nm、第二高折射率层的材料为Si3N4，厚度为64.59nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为88.99nm、第三高折射率层的材料为TiO2，厚度为52.38nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为95.94nm；ITO层为ITO-TN，厚度为131.01nm。其反射率为65%。
实施例2： 一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜，包括依次设置的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层；
其中第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为88nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为88nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为88nm；ITO层的厚度为135nm。其反射率为70%。
实施例3： 一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜，包括依次设置的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层；
其中第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为52.34nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为150.95nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为37.71nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为94.06nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为53.22nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为79.13nm；ITO层的厚度为150nm。其反射率为70%。
实施例4： 一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜，包括依次设置的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层；
其中第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为45.01nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为148.71nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为48.28nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为84.13nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为49.89nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为92.79nm；ITO层的厚度为143.68nm。其反射率为60%。
实施例5： 一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜，包括依次设置的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层；
其中第一高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为80.34nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为11.91nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为92.98nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为91.89nm、第三高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为53.04nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为94.6nm；ITO层的厚度为136.73nm。其反射率为50%。
实施例6： 一种汽车半反半透型电致变色内后视镜用第三面导电膜，包括依次设置的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层；
其中第一高折射率层的材料为Si3N4，厚度为63.63nm；第一低折射率层的材料为SiO2，厚度为89.52nm、第二高折射率层的材料为Nb2O5，厚度为55.81nm、第二低折射率层的材料为SiO2，厚度为90.73nm、第三高折射率层的材料为Si3N4，厚度为64.31nm、第三低折射率层的材料为SiO2，厚度为83.76nm；ITO层的厚度为136.36nm。其反射率为55%。
制备所述膜的方法，具体步骤是：通过磁控溅射依次将第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层和ITO层进行沉积即可。
另外，还可通过控制不同膜层的厚度，可以实现三层~七层结构膜层的选择。
这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不是用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明记载的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求书所限定的范围。