1.一种马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，包括100～500km的长光纤连接的光发射端和光接收端，在光发射端，激光器的输出连接到马赫曾德尔强度调制器(MZM)的光输入端口，频率为FIN＝300MHz～30GHz的调制电信号被输入到马赫曾德尔强度调制器(MZM)的调制端口，在马赫曾德尔强度调制器(MZM)的偏置端口连接直流偏置电压电路(VREF)，马赫曾德尔强度调制器(MZM)的光输出端口经长光纤连接光接收端的光电探测器(PD)，光电转换后恢复出电信号经过高通滤波器(HPF)，得到调制电信号被输出；其特征在于：
所述光发射端的马赫曾德尔强度调制器(MZM)的偏置端口还连接频率分别为F1和F2的第一参考电信号和第二参考电信号，两个参考电信号的频率F1、F2均低于调制电信号频率FIN；在光接收端，光探测器(PD)还连接反馈控制电路，所述反馈控制电路包括第一极窄带滤波器(BPF)和第二极窄带滤波器(bpf)，与之对应的第一、第二模数变换器(ADC、adc)和第一、第二对数放大器(LOG AMP、log amp)，以及比较器；光电转换后恢复出电信号小部分经第一极窄带滤波器(BPF)和第二极窄带滤波器(bpf)分别得到频率为F1的第一参考电信号和频率为2F1-F2的三阶交调信号，各经第一、第二模数变换器(ADC、adc)和第一、第二对数放大器(LOG AMP、log amp)后，接入比较器进行幅度比较，得到三阶交调抑制值；比较器的输出端连接电光转换器(E/O)，所得三阶交调抑制值光信号经另一根长光纤连接光发射端的光电转换器(O/E)，恢复三阶交调抑制值电信号，接入直流偏置电压电路(VREF)，自动按当前反馈的三阶交调抑制值微调马赫曾德尔强度调制器(MZM)的直流偏置电压，锁定马赫曾德尔强度调制器(MZM)于最佳工作点。
2.根据权利要求1所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述反馈控制电路设置于光发射端，马赫曾德尔强度调制器(MZM)的光输出端口连接光耦合器，光耦合器分光后大部分的光接入长光纤传输到光接收端的光探测器，小部分光接入光电转换器(O/E)，恢复的电信号接入反馈控制电路，反馈控制电路输出的三阶交调抑制值直接接入直流偏置电压电路(VREF)。
3.根据权利要求2所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述光耦合器的分光比为(90～99)/(10～1)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述第一参考电信号的频率F1或第二参考电信号的频率F2低于调制电信号频率FIN,且与电信号频率FIN差的绝对值大于或等于100MHz。
5.根据权利要求4所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述两个参考电信号的频率F1和F2不相等，F1和F2差的绝对值大于或等于1MHz。
6.根据权利要求5所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述第一参考电信号频率F1＝10～12MHz，第二参考电信号频率F2＝11～13MHz。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述第一参考电信号F1和三阶交调信号2F1-F2的频率值的差大于或等于1MHz。
8.根据权利要求7所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述极窄带滤波器为3dB频宽小于或等于1kHz的极窄带滤波器。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述2个对数放大器和比较器为并行运算速度优于或等于10G次乘法累加的可编程器件。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的马赫曾德尔强度调制器的直流偏置工作点控制回路，其特征在于：
所述直流偏置电压电路为数字可调式参考电压源。