本发明涉及保温技术，具体涉及一种基于珀尔帖效应的液体保温装置。
背景技术：
随着时代的发展，信息技术的飞速进步，芯片的集成度越来越高，半导体制造的条件也越来越苛刻。光刻工艺在半导体制造工艺中至关重要，其成本占了几乎三分之一。显影是光刻过程中的一个关键步骤，显影过程要控制显影液的温度使其在要求范围内。
随着芯片特征尺寸的不断减小，使得人们对工艺各环节的条件要求更高，包括显影液的温度。传统的水保温系统占用体积较大，且温度控制速度有限。珀尔帖效应，即当有电流通过不同的导体组成的回路时，除产生不可逆的焦耳热外，在不同导体的接头处随着电流方向的不同会分别出现吸热、放热现象。基于珀尔帖效应的保温系统可以更快更准控制显影液温度，从而提高光刻工艺的质量。
技术实现要素：
鉴于光刻工艺的显影步骤需要一个更快更准且体积较小的保温系统；本发明提供一种基于珀尔帖效应的液体保温方法，其通过单片机根据测得的温度信号对半导体制冷片的电流方向进行变换，使其放热或吸热来控制显影液温度。由于半导体制冷片响应快且体积小，该方法能改善显影液温度的控制效果。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案。
一种基于珀尔帖效应的液体保温装置，包括：
一个或多个半导体制冷片，该半导体制冷片与装有液体的容器外壁之间通过导热硅脂接触；
测温装置，该测温装置测量容器内液体的温度，并与单片机相连，将温度信号发送给单片机；
单片机，该单片机控制电源与半导体制冷片连接的正负极方向，根据测温装置反馈的温度信号改变通过半导体制冷片的电流方向，使半导体制冷片在吸热与放热间转换，热量在半导体制冷片、容器和液体间传导，实现对液体的温度控制。
作为一种优选，所述半导体制冷片的形状为长方体，尺寸长×宽×厚为(10～50mm)×(10～50mm)×(1～5mm)，功率为20～200w。
本发明有益的技术效果为：
该保温装置能实现喷涂过程中液体温度的快速、准确控制，且半导体制冷片的体积较小，能很方便地安装在管道或喷嘴外壁上。
附图说明
图1为本发明的系统结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行更进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1，保温系统实施例主要包括半导体制冷片10、导热硅脂20、测温装置30、单片机40、电源50、液体容器60及液体70。
半导体制冷片10与液体容器60外壁通过导热硅脂20接触，导热硅脂20能加快半导体制冷片10与液体容器60之间的热传导。
测温装置30用来测量液体70的实时温度并把温度信号传递给单片机40。
单片机40控制电源50与半导体制冷片10的连接正负极方向，根据测温装置30反馈的温度信号改变通过半导体制冷片10的电流方向，使半导体制冷片10在吸热与放热间转换，热量在半导体制冷片10、液体容器60和液体70间传导，实现对液体70的温度控制。
以上通过具体实施例对本发明做了详细的说明，这些具体的描述不能认为本发明仅仅限于这些实施例的内容。本领域技术人员根据本发明构思、这些描述并结合本领域公知常识做出的任何改进、等同替代方案，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。