显示面板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，且特别涉及一种厚度薄的显示面板。

背景技术：

于一般常见的显示面板中，其上、下基板皆需贴附一片偏光片，以限定特定偏振方向的偏振光通过。

然而，此类型的显示面板在贴附偏光片时，容易会有偏贴错位的问题，导致液晶效率下降。再者，由于需要外加两片偏光片，故无法减少液晶面板的厚度。

技术实现要素：

本发明涉及一种显示面板，是于阵列基板中直接制作用以偏光的结构。

根据本发明的一实施例，提出一种显示面板。显示面板包括一阵列基板、一对向基板以及一液晶层。对向基板相对于阵列基板设置。液晶层位于阵列基板及对向基板之间。阵列基板包括一第一电极、一第二电极以及数个第三群组。第一电极包括数个第一群组，每一个第一群组具有数条第一分支。第二电极包括数个第二群组，每一个第二群组具有数条第二分支。至少部分的第三群组是分别位于两相邻的第一群组及第二群组之间的区域，且这些第三群组不与第一电极及第二电极电性连接。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合说明书附图详细说明如下：

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的显示面板的示意图。

图2是依照本发明的一实施例的阵列基板中，多个子像素结构的俯视图。

图3是图2的阵列基板中，其中一子像素结构的俯视图。

图4是以图3中沿切线4-4’的剖面视角，示出依照本发明的一实施例的显示面板的剖视图。

图5a～图5b是以图3中沿切线5-5’的剖面视角，示出依照本发明的一实施例的不同变形的显示面板的剖视图。

图6是依照本发明的另一实施例的阵列基板中，多个子像素结构的俯视图。

图7是图6的阵列基板中，其中一子像素结构的俯视图。

图8是以图7中沿切线8-8’的剖面视角，示出依照本发明的另一实施例的显示面板的剖视图。

图9a～图9b是以图7中沿切线9-9’的剖面视角，示出依照本发明的另一实施例的不同变形的显示面板的剖视图。

图10是依照本发明的再一实施例的阵列基板中，多个子像素结构的俯视图。

图11是图10的阵列基板中，其中一子像素结构的俯视图。

图12是以图11中沿切线12-12’的剖面视角，示出依照本发明的再一实施例的显示面板的剖视图。

图13a～图13c是以图11中沿切线13-13’的剖面视角，示出依照本发明的再一实施例的不同变形的显示面板的剖视图。

附图标记说明：

1、1’、2、2’、3、3’、3”：显示面板

10、10’、20、20’、30、30’、30”：阵列基板

100：第一基底

101：栅绝缘层

102：绝缘层

110、210、310：第一电极

110g1、210g1、310g1：第一群组

1101、2101、3101：第一分支

1102、2102、3102：第一汇集部

1103、2103、3103：第一延伸部

120、220、320：第二电极

120g2、220g2、320g2：第二群组

1201、2201、3201：第二分支

1202、2202、3202：第二汇集部

1203、2203、3203：第二延伸部

130g3、130g3’、230g3、230g3’、330g3、330g3’、330g3”：第三群组

1301、1301’、2301、2301’、3301、3301’、3301”：第三分支

140：主动元件

1401：栅极

1402：源极

1403：半导体层

1404：漏极

150：数据线

160：扫描线

170：公共电极线

180、280、380：像素电极

190、290、390：公共电极

40：对向基板

401：偏光片

402：第二基底

50：液晶层

d1：第一方向

d2：第二方向

d3：第三方向

l1：第一层

l2：第二层

l3：第三层

p1、p2、p3：子像素结构

w：线栅偏光结构

具体实施方式

以下是提出各种实施例进行详细说明，本发明并非显示出所有可能的实施例，未于本发明提出的其它实施方式也可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本发明保护范围之用。此外，实施例中的附图是省略部分元件，以清楚显示本发明的技术特点。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件或步骤做说明。

请参照图1，其为依照本发明的一实施例的显示面板1的示意图。显示面板1可为液晶显示面板，包括阵列基板10、液晶层50以及对向基板40。液晶层50位于阵列基板10及对向基板40之间，可受电压驱动而改变其透光率。对向基板40相对于阵列基板10设置，例如是彩色滤光片基板，使显示面板1能够显示彩色。

对向基板40可包括一第二基底402及一偏光片401，第二基底402位于偏光片401与液晶层50之间，然本发明不限于此，亦可将偏光结构形成第二基底402与液晶层50之间以省略偏光片401的设置。于本实施例中，可于阵列基板10中直接制作用以偏光的结构，因此并不需要再贴上一层偏光片于阵列基板10的外侧。以下将对此进行详细说明。

请参照图2，其为依照本发明的一实施例的阵列基板10中，多个子像素结构p1的俯视图。于此，是示出2×2个子像素结构p1为例，每个子像素结构p1形成于第一基底100上。

请参照图3，其为图2的阵列基板10中，其中一子像素结构p1的俯视图。其中，是于子像素结构p1中形成一线栅偏光结构w，来实现偏光的效果。

本实施例是于子像素结构中形成一线栅偏光结构w，来实现偏光的效果。线栅偏光结构w包括多条细长形的图案，这些细长形的图案举例为金属细线。于本实施例中，线栅偏光结构w中的一些细长形的图案还可集束而作为阵列基板10中所需的电极结构使用。这些细长形的图案可由一膜层图案化而单独形成，或是可与阵列基板10中的导线由相同或不同的膜层图案化而形成。

图4是以图3中沿切线4-4’的剖面视角，示出依照本发明的一实施例的显示面板1的剖视图。请同时参考图3及图4，阵列基板10包括第一电极110及第二电极120。第一电极110包括多个第一群组110g1，每个第一群组110g1具有数条第一分支1101，为方便说明，图3中仅显示两个第一群组110g1及六个第一分支1101，但不以此为限。第二电极120包括多个第二群组120g2，每个第二群组120g2具有数条第二分支1201，为方便说明，图3中仅显示两个第二群组120g2及六个第二分支1201，但不以此为限。阵列基板10还包括多个第三群组130g3，每个第三群组130g3亦可具有数条第三分支1301，为方便说明，图3中仅显示四个第三群组130g3及十两个第三分支1301，但不以此为限。至少一第三群组130g3是位于两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2之间的区域，第三群组130g3是不与两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2重叠，但本发明不以此为限，第三群组130g3可与两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2中的至少一个重叠。

请参阅图3，第一群组110g1、第二群组120g2及第三群组130g3大致可依以下方式沿扫描线160的延伸方向(即第一方向d1)按序排列：第一群组→第三群组→第二群组→第三群组→第一群组→第三群组→第二群组→第三群组→……，依此类推。如图3所示，三个第三群组130g3分别位于两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2之间的区域，但不以此为限。在本实施例中，每个第一群组110g1的第一分支1101的数量可为1至50条，每个第二群组120g2的第一分支1201的数量可为1至50条，而每个第三群组130g3的第三分支1301的数量可为1至50条。

于此，这些第一分支1101、第二分支1201及第三分支1301构成了上述的线栅偏光结构w。一般来说，线栅偏光结构w具有线距(linepitch)和线宽(linewidth)，而线距尺寸应远小于照射光的入射波长，线栅偏光结构w才可实现偏光的效果。举例来说，每条第一分支1101的宽度(即线宽)可为10至1000纳米，且这些第一分支1101彼此间的间距(即线距)可为10至1000纳米。每条第二分支1201的宽度(即线宽)可为10至1000纳米，且这些第二分支1201彼此间的间距(即线距)可为10至1000纳米。每条第三分支1301的宽度(即线宽)可为10至1000纳米，且这些第三分支1301彼此间的间距(即线距)可为10至1000纳米。举例来说，第一分支1101的宽度、第二分支1201的宽度及第三分支1301的宽度可相等。举例来说，第一分支1101彼此间的间距、第二分支1201彼此间的间距及第三分支1301彼此间的间距可相等。

另外，如图3的所示，每个第一群组110g1中的所有第一分支1101可于一端集结起来，且各个第一群组110g1之间亦互相连接。详细地说，第一电极110可还包括第一延伸部1103及数个第一汇集部1102，第一延伸部1103是沿第一方向d1延伸。每个第一汇集部1102均连接于第一延伸部1103，且这些第一汇集部1102的数量可与这些第一群组110g1的数量相等。每个第一群组110g1的所有第一分支1101可连接于一个第一汇集部1102，且第一分支1101均自第一汇集部1102沿第二方向d2延伸，第二方向d2可垂直于第一方向d1。

类似地，每个第二群组120g2中的所有第二分支1201可于一端集结起来，且各个第二群组120g2之间亦互相连接。第二电极120可还包括第二延伸部1203及数个第二汇集部1202，第二延伸部1203是沿第一方向d1延伸。每个第二汇集部1202均连接于第二延伸部1203，且这些第二汇集部1202的数量可与这些第二群组120g2的数量相等。每个第二群组120g2的所有第二分支1201可连接于一个第二汇集部1202，且第二分支1201均自第二汇集部1202沿第三方向d3延伸，第三方向d3是与第二方向d2相反。

于本实施例中，第三群组130g3并不与第一电极110及第二电极120电性连接。举例而言，第一电极110是与阵列基板10中的一主动元件140电性连接，例如是与漏极1404同层制作而提供作为一像素电极180使用。第二电极120是与一公共电极线170电性连接，例如是通过穿孔(未标示)连接而提供作为一公共电极190使用。每个第三群组130g3是与第一电极110及第二电极120绝缘。于本实施例中，第三群组130g3可为浮置，亦即，第三群组130g3中的每条第三分支1301并没有连接任何的电信号。反而，由于第三群组130g3位于两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2之间的区域，故于像素电极180(即第一电极110)和第三群组130g3之间可感应生成与第一基底100大致平行的电场，并进一步于第三群组130g3和公共电极190(即第二电极120)之间产生与第一基底100大致平行的电场，由此驱动液晶层50。通过在两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2之间的区域设置第三群组130g3的设计，可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。

请参照图3及图4，于阵列基板10中，是于第一基底100上形成扫描线160(此亦形成主动元件140的栅极1401)、公共电极线170等第一层l1结构后，再覆盖栅绝缘层101。接着，于栅绝缘层101上形成主动元件140的半导体层1403。而后，再于半导体层1403及栅绝缘层101上形成数据线150(此亦形成主动元件140的源极1402)、主动元件140的漏极1404、第一电极110、第二电极120等第二层l2结构。

于本实施例中，主动元件140的漏极1404可与第一电极110及第二电极120由相同的膜层图案化而形成，例如是以曝光显影的方式形成。于一实施例中，亦可先形成主动元件140的漏极1404、第一电极110的第一延伸部1103及数个第一汇集部1102、和第二电极120的第二延伸部1203及数个第二汇集部1202，之后，再将多条第一分支1101与第二分支1201的线栅偏光结构w以转印的方式形成于栅绝缘层101上。

根据上述设计，第一电极110可提供作为像素电极180使用，且第二电极120可提供作为公共电极190使用。并且，第一电极110和第二电极120是以线栅偏光结构w所呈现，而具备偏光的效果。因此，可减少液晶面板1的整体厚度。此外，亦可减少制程所需的掩模数量，降低生产的成本。再者，此结构不需要再外加一层偏光片于阵列基板10，因此不会有偏贴错位的问题产生。

图5a～图5b是以图3中沿切线5-5’的剖面视角，示出依照本发明的一实施例的不同变形的显示面板1、1’的剖视图。于本实施例中，第三群组130g3可与第一电极110和第二电极120位于同一层，例如是同样位于第二层l2。然，第三群组130g3亦可与第一电极110和第二电极120位于不同层，例如是位于第一层l1。

请参照图5a，阵列基板10的第三群组130g3是位于第二层l2。于此实施例中，第三群组130g3可与漏极1404、第一电极110及第二电极120由相同的膜层图案化而形成。于一实施例中，第三群组130g3亦可依照上述将多条第一分支1101与第二分支1201的线栅偏光结构w的转印的方式，一起将多条第一分支1101、第二分支1201与第三分支1301转印形成于栅绝缘层101上。由于第一群组110g1、第二群组120g2和第三群组130g3是同样位于第二层l2，故可使用ips(板内切换)型显示技术，由此驱动液晶层50。而通过浮置的第三群组130g3，还可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。

请参照图5b，显示阵列基板10’中的第三群组130g3’是位于第一层l1。于此实施例中，第三群组130g3’是与第一电极110及第二电极120由不同的膜层图案化而形成。进一步地说，以图5b为例，共显示出三个第三群组130g3’。其中，位于左、右两侧的第三群组130g3’是分别与第一群组110g1及第二群组120g2重叠，但位于中间的第三群组130g3’并不与第一群组110g1及第二群组120g2的任何一者重叠。亦即，中间的第三群组130g3’是位于两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2之间的区域，然本发明不以此为限，亦可将第三群组130g3’仅设置位于两相邻的第一群组110g1及第二群组120g2之间的区域，而与第一群组110g1重叠及与第二群组120g2重叠的区域实质上不设置任何第三群组130g3’。

此处所述的「重叠」，指的是两物件于垂直第一基底100的投影方向上有所重叠，包含了部分重叠或完全重叠。在本实施例中，位于左侧的第三群组130g3’所具有的三条第三分支1301’是与上方的第一群组110g1所具有的三条第一分支1101完全重叠，位于右侧的第三群组130g3’所具有的三条第三分支1301’是与上方的第二群组120g2所具有的三条第二分支1201完全重叠，但本发明不以此为限。

于图5b的设计下的显示面板1’，由于第三群组130g3’是位于第一层l1，第一群组110g1和第二群组120g2是位于第二层l2，故可使用ffs(边缘场切换)型显示技术，由此驱动液晶层50。而通过浮置的第三群组130g3’，还可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。再者，由于第三群组130g3’是与第一群组110g1和第二群组120g2位于不同层，因此还可进一步提高光线的极化率。

请参照图6，其为依照本发明的另一实施例的阵列基板20中，多个子像素结构p2的俯视图。于此，是示出2×2个子像素结构p2为例，每个子像素结构p2形成于第一基底100上。

请参照图7，其为图6的阵列基板20中，其中一子像素结构p2的俯视图。其中，是于子像素结构p2中形成一线栅偏光结构w，来实现偏光的效果。图8是以图7中沿切线8-8’的剖面视角，示出依照本发明的另一实施例的显示面板2的剖视图。

阵列基板20与图3的阵列基板10类似，相同的技术特征在此不赘述，不同之处在于：阵列基板20的第一电极210和第二电极220是位于第一层l1，而非第二层l2。

在本实施例中，第一电极210是与阵列基板20中的一主动元件140电性连接，例如是与漏极1404通过穿孔(未标示)连接而提供作为一像素电极280使用。第二电极220是与一公共电极线170电性连接，例如是与公共电极线170同层制作而提供作为一公共电极290使用。第三群组230g3可为浮置，亦即，第三群组230g3中的每条第三分支2301并没有连接任何的电信号。反而，由于第三群组230g3位于两相邻的第一群组210g1及第二群组220g2之间的区域，故于像素电极280(即第一电极210)和第三群组230g3之间可感应生成与第一基底100大致平行的电场，并进一步于第三群组230g3和公共电极290(即第二电极220)之间产生与第一基底100大致平行的电场，由此驱动液晶层50。通过在两相邻的第一群组210g1及第二群组220g2之间的区域设置第三群组230g3的设计，可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。

请参照图7及图8，于阵列基板20中，是于第一基底100上形成扫描线160(此亦形成主动元件140的栅极1401)、公共电极线170、第一电极210、第二电极220等第一层l1结构后，再覆盖栅绝缘层101。接着，于栅绝缘层101上形成主动元件140的半导体层1403。而后，再于栅绝缘层101上形成数据线150(此亦形成主动元件140的源极1402)、主动元件140的漏极1404等第二层l2结构。

于本实施例中，主动元件140的栅极1401可与第一电极210及第二电极220由相同的膜层图案化而形成，例如是以曝光显影的方式形成。于一实施例中，亦可先形成主动元件140的栅极1401、第一电极210的第一延伸部2103及数个第一汇集部2102、和第二电极220的第二延伸部2203及数个第二汇集部2202，之后，再将多条第一分支2101与第二分支2201的线栅偏光结构w以转印的方式形成于第一基底100上。

根据上述设计，第一电极210可提供作为像素电极280使用，且第二电极220可提供作为公共电极290使用。并且，第一电极210和第二电极220是以线栅偏光结构w所呈现，而具备偏光的效果。因此，可减少液晶面板2的整体厚度。此外，亦可减少制程所需的掩模数量，降低生产的成本。再者，此结构不需要再外加一层偏光片于阵列基板20，因此不会有偏贴错位的问题产生。

图9a～图9b是以图7中沿切线9-9’的剖面视角，示出依照本发明的一实施例的不同变形的显示面板2、2’的剖视图。于本实施例中，第三群组230g3可与第一电极210和第二电极220位于同一层，例如是同样位于第一层l1。然，第三群组230g3亦可与第一电极210和第二电极220位于不同层，例如是位于第二层l2。

请参照图9a，阵列基板20的第三群组230g3是位于第一层l1。于此实施例中，第三群组230g3可与栅极1401、第一电极210及第二电极220由相同的膜层图案化而形成。于一实施例中，第三群组230g3亦可依照上述将多条第一分支2101与第二分支2201的线栅偏光结构w的转印的方式，一起将多条第一分支2101、第二分支2201与第三分支2301转印形成于第一基底100上，由于第一群组210g1、第二群组220g2和第三群组230g3是同样位于第一层l1，故可使用ips(板内切换)型显示技术，由此驱动液晶层50。而通过浮置的第三群组230g3，还可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。

请参照图9b，显示阵列基板20’中的第三群组230g3’是位于第二层l2。于此实施例中，第三群组230g3’是与第一电极210及第二电极220由不同的膜层图案化而形成。进一步地说，以图9b为例，共显示出三个第三群组230g3’。其中，位于左、右两侧的第三群组230g3’是分别与第一群组210g1及第二群组220g2重叠，但位于中间的第三群组230g3’并不与第一群组210g1及第二群组220g2的任何一者重叠。亦即，中间的第三群组230g3’是位于两相邻的第一群组210g1及第二群组220g2之间的区域，然本发明不以此为限，亦可将第三群组230g3’仅设置位于两相邻的第一群组210g1及第二群组220g2之间的区域，而与第一群组210g1重叠及与第二群组220g2重叠的区域实质上不设置任何第三群组230g3’。

此处所述的「重叠」，指的是两物件于垂直第一基底100的投影方向上有所重叠，包含了部分重叠或完全重叠。在本实施例中，位于左侧的第三群组230g3’所具有的三条第三分支2301’是与下方的第一群组210g1所具有的三条第一分支2101完全重叠，位于右侧的第三群组230g3’所具有的三条第三分支2301’是与下方的第二群组220g2所具有的三条第二分支2201完全重叠，但本发明不以此为限。

于图9b的设计下的显示面板2’，由于第三群组230g3’是位于第二层l2，第一群组210g1和第二群组220g2是位于第一层l1，故可使用ffs(边缘场切换)型显示技术，由此驱动液晶层50。而通过浮置的第三群组230g3’，还可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。再者，由于第三群组230g3’是与第一群组210g1和第二群组220g2位于不同层，因此还可进一步提高光线的极化率。

请参照图10，其为依照本发明的再一实施例的阵列基板30中，多个子像素结构p3的俯视图。于此，是示出2×2个子像素结构p3，每个子像素结构p3形成于第一基底100上。

请参照图11，其为图10的阵列基板30中，其中一子像素结构p3的俯视图。其中，是于子像素结构p3中形成一线栅偏光结构w，来实现偏光的效果。图12是以图11中沿切线12-12’的剖面视角，示出依照本发明的另一实施例的显示面板3的剖视图。

阵列基板30与图3的阵列基板10类似，相同的技术特征在此不赘述，不同之处在于：阵列基板30的第一电极210和第二电极220不是位于第一层l1，也不是位于第二层l2，而是位于第三层l3。

在本实施例中，第一电极310是与阵列基板30中的一主动元件140电性连接，例如是与漏极1404通过穿孔(未标示)连接而提供作为一像素电极380使用。第二电极320是与一公共电极线170电性连接，例如是通过穿孔(未标示)连接而提供作为一公共电极390使用。第三群组330g3可为浮置，亦即，第三群组330g3中的每条第三分支3301并没有连接任何的电信号。反而，由于第三群组330g3位于两相邻的第一群组310g1及第二群组320g2之间的区域，故于像素电极380(即第一电极310)和第三群组330g3之间可感应生成与第一基底100大致平行的电场，并进一步于第三群组330g3和公共电极390(即第二电极320)之间产生与第一基底100大致平行的电场，由此驱动液晶层50。通过在两相邻的第一群组310g1及第二群组320g2之间的区域设置第三群组330g3的设计，可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。

请参照图11及图12，于阵列基板30中，是先于第一基底100上形成扫描线160(此亦形成主动元件140的栅极1401)、公共电极线170等第一层l1结构后，再覆盖上栅绝缘层101。接着，于栅绝缘层101上形成主动元件140的半导体层1403。而后，再于栅绝缘层101上形成数据线150(此亦形成主动元件140的源极1402)、主动元件140的漏极1404等第二层l2结构。接着，于覆盖绝缘层102之后，于绝缘层102上形成第一电极310、第二电极320等第三层l3结构。

于本实施例中，第一电极310是与第二电极320由相同的膜层图案化而形成，例如是以曝光显影的方式形成。于一实施例中，亦可先形成第一电极310的第一延伸部3103及数个第一汇集部3102、和第二电极320的第二延伸部3203及数个第二汇集部3202，之后，再将多条第一分支3101与第二分支3201的线栅偏光结构w以转印的方式形成于绝缘层102上。

根据上述设计，第一电极310可提供作为像素电极380使用，且第二电极320可提供作为公共电极390使用。并且，第一电极310和第二电极320是以线栅偏光结构w所呈现，而具备偏光的效果。因此，可减少液晶面板3的整体厚度。此外，亦可减少制程所需的掩模数量，降低生产的成本。再者，此结构不需要再外加一层偏光片于阵列基板30，因此不会有偏贴错位的问题产生。

图13a～图13c是以图11中沿切线13-13’的剖面视角，示出依照本发明的一实施例的不同变形的显示面板3、3’、3”的剖视图。于本实施例中，第三群组330g3可与第一电极310和第二电极320位于同一层，例如是同样位于第三层l3。然，第三群组330g3亦可与第一电极310和第二电极320位于不同层，例如是位于第二层l2或是第一层l1。

请参照图13a，显示阵列基板30的第三群组330g3是位于第三层l3。于此实施例中，第三群组330g3可与第一电极310及第二电极320由相同的膜层图案化而形成。于一实施例中，第三群组330g3亦可依照上述将多条第一分支3101与第二分支3201的线栅偏光结构w的转印的方式，一起将多条第一分支3101、第二分支3201与第三分支3301转印形成于绝缘层102上。

于图13a的设计下的显示面板3，由于第一群组310g1、第二群组320g2和第三群组330g3是同样位于第三层l3，故可使用ips(板内切换)型显示技术，由此驱动液晶层50。而通过浮置的第三群组330g3，还可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。

请参照图13b及图13c，图13b显示阵列基板30’中的第三群组330g3’是位于第二层l2，图13c显示阵列基板30”中的第三群组330g3”是位于第一层l1。于此两个实施例中，第三群组330g3’是与第一电极310及第二电极320由不同的膜层图案化而形成。进一步地说，以图13b为例，共显示出三个第三群组330g3’。其中，位于左、右两侧的第三群组330g3’是分别与第一群组310g1及第二群组320g2重叠，但位于中间的第三群组330g3’并不与第一群组310g1及第二群组320g2的任何一者重叠。亦即，中间的第三群组330g3’是位于两相邻的第一群组310g1及第二群组320g2之间的区域。此外，以图13c为例，共显示出三个第三群组330g3”。其中，位于左、右两侧的第三群组330g3”是分别与第一群组310g1及第二群组320g2重叠，但位于中间的第三群组330g3”并不与第一群组310g1及第二群组320g2的任何一者重叠。亦即，中间的第三群组330g3”是位于两相邻的第一群组310g1及第二群组320g2之间的区域，然本发明不以上述为限，亦可将第三群组330g3’或330g3”仅设置位于两相邻的第一群组310g1及第二群组320g2之间的区域，而与第一群组310g1重叠及与第二群组320g2重叠的区域实质上不设置任何第三群组330g3’或330g3”。

以图13b为例，位于左侧的第三群组330g3’所具有的三条第三分支3301’是与上方的第一群组310g1所具有的三条第一分支3101完全重叠。位于右侧的第三群组330g3’所具有的三条第三分支3301’是与上方的第二群组320g2所具有的三条第二分支3201完全重叠。此外，以图13c为例，位于左侧的第三群组330g3”所具有的三条第三分支3301”是与上方的第一群组310g1所具有的三条第一分支3101完全重叠。位于右侧的第三群组330g3”所具有的三条第三分支3301”是与上方的第二群组320g2所具有的三条第二分支3201完全重叠。

于图13b及图13c的设计下的显示面板3’、3”，由于第三群组330g3’、330g3”是分别位于第二层l2和第一层l1，第一群组310g1和第二群组320g2是位于第三层l3，故可使用ffs(边缘场切换)型显示技术，由此驱动液晶层50。而通过浮置的第三群组330g3’、330g3”，还可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。再者，由于第三群组230g3’、330g3”是与第一群组310g1和第二群组320g2位于不同层，因此还可进一步提高光线的极化率。

上述提供的显示面板，是于阵列基板中直接制作用以偏光的结构，如线栅偏光结构，因此并不需要再贴上一层偏光片于阵列基板，不但减少液晶面板的整体厚度，也不会有偏贴错位的问题产生。此外，制程所需的掩模数量亦可减少，降低生产的成本。

另一方面，在两相邻的第一群组及第二群组之间的区域设置第三群组，且第三群组不与第一电极和第二电极电性连接，在此设计下，还可有效地提升液晶面板的液晶效率，提高光线的穿透率。

综上所述，虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作各种的变动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。