技术特征：
技术总结
本发明公开一种新型的三层结构衰减片、基于该结构形成的Ni纳米线太赫兹衰减片及太赫兹衰减器。所述三层结构衰减片，其结构从下到上依次包括：基底、有序排列的Ni纳米线层以及聚二甲基硅氧烷固定层。所述Ni纳米线太赫兹衰减片，包括两个权利要求1或2所述的三层结构衰减片A/B，其中，三层结构衰减片A位置固定，三层结构衰减片B通过连续固定可调转轴转动，所述三层结构衰减片B转动的轴心线与所述三层结构衰减片A中与所述轴心线同方向的中心线在同一铅垂面内。本发明的主要是对衰减片结构上的创新，通过双层可旋转的结构来实现太赫兹光波强度的连续可调控制。
技术研发人员：相文峰;孙睿;姚江峰;董子斌;陈少华
受保护的技术使用者：中国石油大学（北京）
技术研发日：2017.09.30
技术公布日：2019.04.09