1.一种中波红外介质增强金属高反膜的制备方法，其特征在于：先在反射镜表面蒸镀一层结合层，再蒸镀一层金属反射层，最后蒸镀多层介质增强膜。
2.根据权利要求1所述一种中波红外介质增强金属高反膜的制备方法，其特征在于：所述蒸镀方法为电子束蒸镀。
3.根据权利要求2所述一种中波红外介质增强金属高反膜的制备方法，其特征在于：所述结合层材料为一氧化硅，厚度为100nm～150nm；所述金属反射层材料为铝，厚度为120nm～150nm；所述介质增强膜材料为SiO/Ge/SiO/Ge，厚度依次为500nm～600nm，200nm～300nm，500nm～600nm，200nm～300nm。
4.根据权利要求3所述一种中波红外介质增强金属高反膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：采用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉清洗反射镜，以去除表面杂物、油污和辅料；
步骤2：将反射镜固定至夹具上，放置真空室，抽真空，当腔体内压强小于2×10-2Pa后，加热反射镜基底至140℃～160℃，保温30min；
步骤3：用APS源轰击反射镜5～8分钟；
步骤4：蒸镀结合层一氧化硅，蒸镀时真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发速率为0.5～1.5nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为100nm～150nm；
步骤5：关闭真空室加热器，自然冷却，温度低于50℃时蒸镀铝，蒸发速率为3～10nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为120nm～150nm；
步骤6：开启真空室加热器，加热反射镜基底至140℃～160℃，保温30min；
步骤7：蒸镀一氧化硅，蒸镀时真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发速率为0.5～1.5nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为500nm～600nm；
步骤8：蒸镀锗，蒸镀时真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发速率为0.2～0.5nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为200nm～300nm；
步骤9：蒸镀一氧化硅，蒸镀时真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发速率为0.5～1.5nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为500nm～600nm；
步骤10：蒸镀锗，蒸镀时真空室压强小于5×10-3Pa，蒸发速率为0.2～0.5nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为200nm～300nm；
步骤11：真空室冷却至室温后取出镀有介质增强金属反射膜的反射镜，该反射镜为具有Sub|LMLHLH膜系，其中Sub代表基底，H代表锗、L代表一氧化硅、M代表铝。
5.根据权利要求4所述一种中波红外介质增强金属高反膜的制备方法，其特征在于：中波红外介质增强金属高反膜的反射波段为3～5μm。