一种波长可调的BOSA的制作方法

本实用新型涉及光通信技术领域，特别是涉及一种波长可调的BOSA。

背景技术：

近年随着光纤入户(Fiber to the home，简写为：FTTH)网络的迅速发展，整个网络架构在不断的膨胀，越来越多的人感受到光纤到户技术给我们提供的优质高速服务。但是随着用户数量急剧增加的光纤资源也变得越来越紧缺，业内多采用波分复用方式去高效利用光纤资源，进行高速的数据传输。

目前没有一款光收发一体组件(Bi-Directional Optical Sub-Assembly，简写为：BOSA)器件能实现发射激光器的波长稳定可调。市场上在使用BOSA器件的激光器的波长都会随着温度的变化而产生漂移，不能提供稳定波长的光输出。且大多采用的稀疏波分复用(Coarse Wavelength Division Multiplex，简写为：CWDM)和分布反馈式(Distributed Feed Back，简写为：DFB)的管芯去做，波长漂移范围可能达到±10nm，这样一根光缆最多只能传输16个波段光信号，光纤资源得不到高效利用。另外一种市面上已普遍应用的是采用分立式器件，TOSA和ROSA分开，例如：采用DWDM TOSA去做。这种分立式器件方式，波长可以做到非常精确，性能也很稳定，但是采用分立结构，体积变大了，价格非常昂贵，不同波长管芯也不同，类型特别多，设备成本非常高，加工也很复杂。如图1：市场上也出现一种采用普通BOSA外置制冷器方案是通过在激光器的外部添加制冷器和温度传感器，利用制冷器改变BOSA外部环境温度，从而去控制器件里面激光器芯片工作温度而达到波长稳定可调这一功能。但是这种外置制冷器的方式，热传递效果很差，热能首先要通过制冷片与BOSA之间的导热垫传递到BOSA外壳上，再由外壳传递到内部热层而引起激光器芯片工作温度变化，然而BOSA外壳体积大，散热快，受外部环境影响大，导致激光器芯片工作温度很难稳定，从而导致波长调节和温度速度慢，调节精度差，调节范围小，功耗高，使得其推广也一度受限。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是如何解决波长可调BOSA中制冷片结构带来的波长调节和温度速度慢，调节精度差，并且，受外部环境影响大，导致激光器芯片工作温度很难稳定。

本实用新型采用如下技术方案：

第一方面，本实用新型提供了一种波长可调的BOSA，包括BOSA壳体、发射模组、接收模组和BOSA收发光路组件，所述发射模组包括底座、第一制冷器、激光器、背光PD、第一热敏电阻和45°反光棱镜，其中，底座上设置有至少8个管脚，分别对应于所述第一制冷器的TEC+和TEC-管脚，激光器的LD+和LD-管脚，背光PD的PD+和PD-管脚，以及第一热敏电阻的RES1和RES2管脚，具体的：

所述第一制冷器的底部由导热胶固定在底座上，所述45°反光棱镜的位置位于完成固定后的所述第一制冷器表面，并且相对于底座的中心区域；第一制冷器表面位于所述45°反光棱镜的反射面设置有所述激光器；

所述第一热敏电阻设置在所述第一制冷器表面上靠近所述激光器的位置；

所述背光PD设置在所述第一制冷器表面上背靠所述激光器的位置。

优选的，所述激光器、背光PD、第一热敏电阻和45°反光棱镜在被固定在所述第一制冷器表面之前，先被固定在热导PCB板上；其中，所述热导PCB板被固定在所述第一制冷器上的位置，使得所述激光器位于所述第一制冷器的中心位置。

第二方面，本实用新型还提供了一种波长可调的BOSA，包括BOSA壳体、发射模组、接收模组和BOSA收发光路组件，所述发射模组包括底座、第一制冷器、激光器、背光PD、第一热敏电阻和45°反光棱镜，其中，底座上设置有至少8个管脚，分别对应于所述第一制冷器的TEC+和TEC-管脚，激光器的LD+和LD-管脚，背光PD的PD+和PD-管脚，以及第一热敏电阻的RES1和RES2管脚，具体的：

所述第一制冷器的底部由导热胶固定在底座上，所述激光器设置的位置位于所述第一制冷器表面的中心区域；第一制冷器表面位于所述激光器的出光面侧设置有所述45°反光棱镜；其中，第一制冷器固定在底座上的位置向激光器背光侧偏斜指定距离，使得光路在通过所述45°反光棱镜反射后，能够指向所述底座的中心垂线方向；

所述第一热敏电阻设置在所述第一制冷器表面上靠近所述激光器的位置；

所述背光PD设置在所述第一制冷器表面上背靠所述激光器的位置。

优选的，所述激光器、背光PD、第一热敏电阻和45°反光棱镜在被固定在所述第一制冷器表面之前，先被固定在热导PCB板上；其中，所述热导PCB板被固定在所述第一制冷器上的位置，使得所述激光器位于所述第一制冷器的中心位置。

优选的，所述管脚的径长为0.25mm，且数量为8个时，所述管脚的排列方式包括：

布局在底座圆周靠边区域，均匀分布8个管脚；或者，

设定一排所包含的管脚数量为两个，则构成第一排和第二排对称布局在底座圆周靠边区域结构，将剩余管脚构成第三排和第四排对称分布在所述第一排和第二排构成空间的两侧，从而使得8个管脚的连线构成八边形；或者，

设定一排所包含的管脚数量为两个，则构成第一排和第二排对称布局在底座圆周靠边区域结构，并以三个管脚为单位构成第三排和剩余的一个管脚构成的第四排对称分布在所述第一排和第二排构成空间的两侧。

优选的，所述第一制冷器的长宽高尺寸为3mm*2.5mm*2.0mm，其工作功率为0.6W～0.7W。

优选的，所述BOSA还包括第二制冷器和第二热敏电阻，具体的：

所述第二热敏电阻和第二制冷器分别固定在所述BOSA壳体上。

优选的，BOSA壳体的长度在15～20mm，宽在6～8mm。

第三方面，本实用新型还提供了一种波长可调的BOSA，包括BOSA壳体、发射模组、接收模组和BOSA收发光路组件，所述发射模组包括底座、耦合平台、第一制冷器、激光器、背光PD和第一热敏电阻，其中，底座上设置有至少8个管脚，分别对应于所述第一制冷器的TEC+和TEC-管脚，激光器的LD+和LD-管脚，背光PD的PD+和PD-管脚，以及第一热敏电阻的RES1和RES2管脚，具体的：

所述耦合平台的底部由导热胶固定在底座上；其中，所述耦合平台的底部为窄面，其用于固定器件的侧面为宽面；管脚设置在底座上，并且平均布局在所述耦合平台两宽面侧；在所述宽面靠近管脚铜芯柱高度位置设置有一排通孔，所述通孔用于金丝焊线能够穿过耦合平台，建立耦合平台设置电器的一侧与耦合平台另一侧管脚的电路连接；其中，所述电器包括有所述第一制冷器、激光器、背光PD和第一热敏电阻中的两个对象；

所述激光器设置在所述耦合平台的侧面，并且与第一热敏电阻和背光PD位于耦合平台的同侧；

所述第一热敏电阻设置在靠近所述激光器的位置；所述背光PD设置在背靠所述激光器的位置。

优选的，所述激光器、背光PD和第一热敏电阻在被固定在所述第一制冷器表面之前，先被固定在热导PCB板上。

优选的，所述通孔内部还设置有连接柱，具体的：在通孔内部的连接柱采用陶瓷套包络铜柱，并在铜柱位于耦合平台的两个侧面端预留了金丝焊线焊接位。

优选的，所述BOSA还包括第二制冷器和第二热敏电阻，具体的：

所述第二热敏电阻和第二制冷器分别固定在所述BOSA壳体上。

优选的，所述管脚具体为管脚和联排绝缘套一体式固定的，并设置有排座，其中，每一联排绝缘套中设置有4根直径为0.25mm管脚，每根管脚之间保持0.25mm以上的安全间距；

所述管脚通过排座固定在已开好对应槽孔的底座上完成固定，其中，两个联排绝缘套一共包括了8根管脚。

第四方面，本实用新型还提供了一种波长可调的BOSA温度控制方法，使用第二方面或者第三方面所述的波长可调的BOSA，控制方法包括：

确定当前激光器工作条件的目标温度；

根据目标温度，设置第一制冷器的初始输入电流；实时获取第一热敏电阻的检测电流值，根据所述检测电流值调整所述第一制冷器的输入电流；

其中，在实时根据所述检测电流值调整所述第一制冷器的输入电流的同时，还包括：

实时根据第二热敏电阻获取BOSA壳体的温度，并在所述BOSA壳体的温度达到预设第一阈值时，启动所述第二制冷器，使得所述BOSA壳体的温度能够维持预设工作温度区间。

优选的，实时根据第二热敏电阻获取BOSA壳体的温度，并在所述BOSA壳体的温度低于预设第二阈值时，启动所述第二制冷器，使得所述BOSA壳体的温度能够尽快超过所述预设第二阈值温度。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型提出了一款波长可调的BOSA，由于将第一制冷器设置在了发射组件内部，直接制作在激光器和底座之间，因此提高了激光器(例如：激光波长可随温度变化的DFB激光器)的波长调节精度，另一方面，还通过将第一热敏电阻从背景技术中的BOSA外壳中集成到了发射组件内部，进一步提高了激光器的调节响应速率。

【附图说明】

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型提供的现有技术中的一种波长可调的BOSA中制冷片布局结构图；

图2是本实用新型实施例提供的一种波长可调的BOSA中各器件布局结构图；

图3是本实用新型实施例提供的一种波长可调的BOSA中发射组件结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的另一种波长可调的BOSA中发射组件结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的一种波长可调的BOSA中发射组件的管脚示意图；

图6是本实用新型实施例提供的另一种波长可调的BOSA中发射组件的管脚示意图；

图7是本实用新型实施例提供的还有一种波长可调的BOSA中发射组件的管脚示意图；

图8是本实用新型实施例提供的还有一种波长可调的BOSA中发射组件结构示意图；

图9是本实用新型实施例提供的还有一种波长可调的BOSA中发射组件的结构示意图；

图10是本实用新型实施例提供的还有一种波长可调的BOSA中发射组件的结构俯视图；

图11是本实用新型实施例提供的还有一种波长可调的BOSA中发射组件的结构示意图；

图12是本实用新型实施例提供的还有一种波长可调的BOSA的封装效果示意图；

图13是本实用新型实施例提供的一种波长可调的BOSA的温度控制流程图；

图14是本实用新型实施例提供的激光信号波长随温度控制效果示意图；

图15是本实用新型实施例提供的波长可调的BOSA波长随时间变化效果示意图。

【具体实施方式】

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本实用新型的描述中，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型而不是要求本实用新型必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本实用新型的限制。

此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

传统外置制冷器方案，应热传递效率低和稳定度差，热传递实时性也不够，从理论上不可能实现小功耗和高精度的温度精准控制。实用新型人打破传统思维限制，突破BOSA封装工艺限制思路，采用将制冷器和温度传感器小型化，内置化的思维方案去设计开发我们封装结构，围绕如何增加制冷器到激光器之间的导热效率和如何保证温度传感器能实时精准的监测激光器芯片工作温度来优化物理结构，实现激光器芯片工作温度的精准控制，同时利用DFB激光器光波长随温度漂移特性，进一步实现激光器芯片发射光的波长快速精准调节。下面将结合具体的实施例展开描述如何实现本实用新型的技术方案。

实施例1:

本实用新型实施例1提供了一种波长可调的BOSA，如图2和图3所示，包括BOSA壳体1、发射模组2、接收模组3和BOSA收发光路组件4，所述发射模组2包括底座21、第一制冷器22、激光器23、背光PD24、第一热敏电阻25和45°反光棱镜26，其中，底座21上设置有至少8个管脚，分别对应于所述第一制冷器22的TEC+和TEC-管脚，激光器23的LD+和LD-管脚，背光PD24的PD+和PD-管脚，以及第一热敏电阻的RES1和RES2管脚，具体的：

所述第一制冷器22的底部由导热胶固定在底座21上，所述45°反光棱镜26设置的位置位于完成固定后的所述第一制冷器22表面，并且相对于底座21的中心区域；第一制冷器22表面位于所述45°反光棱镜26的反射面设置有所述激光器23；

所述第一热敏电阻25设置在所述第一制冷器22表面上靠近所述激光器23的位置；

所述背光PD24设置在所述第一制冷器22表面上背靠所述激光器23的位置。

本实用新型实施例提出了一款波长可调的BOSA，由于将第一制冷器设置在了发射组件内部，直接制作在激光器和底座之间，因此提高了激光器(例如：激光波长可随温度变化的DFB激光器)的波长调节精度，另一方面，还通过将第一热敏电阻从背景技术中的BOSA外壳中集成到了发射组件内部，进一步提高了激光器的调节响应速率。

本实用新型实施例由于将45°反光棱镜26制作在了第一制冷器22的中心区域，而所述第一制冷器22也将其中心区域固定在底座21的中心区域，从而保证了发射组件的带透镜的管帽中，相应的透镜能够制作在管帽的中心区域，从而能够实现与现有光模块使用上的兼容，并且，因为无需考虑因为管帽中透镜位置偏离中心带来的固定角度的问题，因此，保证了现有技术中对发射组件安装的效率。

在背景技术中，由于激光器是被直接设置在发射组件的底座上(例如TO封装中的基座)，因此，无需考虑由于激光器发射带来的底座形变问题(由于是金属材料的底座，几乎可以忽略不计)。然而，在本实用新型实施例中，激光器不再是直接设置在底座上，而是在激光器和底座之间夹着一层第一制冷器22，并且还位于偏离第一制冷器22中心区域的位置上。需要明确的是，制冷器的工作原理就是一面被加热，而另一面则降温，并且材料主体是半导体材料，因此，制冷器自身工作过程过程中就存在一定的形变，另一方面加上本实用新型实施例中激光器的大小相对于制冷器的大小只有10％不到，因此，容易发生制冷器位于激光器耦合面上的局部温度过高，造成制冷器的不规则形变，给激光器发射的激光信号带来不必要的干扰。因此，为了改善由于本实用新型实施例所提出的结构，可能造成的上述问题，除了在实施例1中描述的将激光器设置在位于第一制冷器26上且激光器23的出光面朝向45°反光棱镜26的反射面外，还存在一种优选的实现方式，具体为：所述激光器23、背光PD24、第一热敏X电阻25和45°反光棱镜26在被固定在所述第一制冷器22表面之前，先被固定在热导PCB板29上；其中，所述热导PCB板29被固定在所述第一制冷器22上的位置，使得所述激光器23位于所述第一制冷器22的中心位置。其中，所述热导PCB中掺杂了铜元素，所述热导PCB可以获得16.5W/mK的导热系数，能够起到将激光器局部产热快速的平摊到热导PCB其他区域，从而进一步改善第一制冷器可能发生的不规则热形变。

值得说明的是，本实用新型实施例1和实施例2之间属于共同的实用新型构思，且具有较高的结构相似度，因此，基于本实用新型实施例相关的可扩展实现方案将在实施例2中展开来描述。实施例1也同样可以借鉴实施例2中的相关扩展内容，实现自身技术方案的优化。

实施例2:

本实用新型实施例2提供了一种波长可调的BOSA，如图2和图4所示，包括BOSA壳体1、发射模组2、接收模组3和BOSA收发光路组件4，所述发射模组2包括底座21、第一制冷器22、激光器23、背光PD24、第一热敏电阻25和45°反光棱镜26，其中，底座21上设置有至少8个管脚，分别对应于所述第一制冷器22的TEC+和TEC-管脚，激光器23的LD+和LD-管脚，背光PD24的PD+和PD-管脚，以及第一热敏电阻的RES1和RES2管脚，具体的：

所述第一制冷器22的底部由导热胶固定在底座21上，所述激光器23设置的位置位于所述第一制冷器22表面的中心区域；第一制冷器22表面位于所述激光器23的出光面侧设置有所述45°反光棱镜26；其中，第一制冷器22固定在底座21上的位置向激光器23背光侧偏斜指定距离，使得光路在通过所述45°反光棱镜26反射后，能够指向所述底座21的中心垂线方向；

所述第一热敏电阻25设置在所述第一制冷器22表面上靠近所述激光器23的位置；

所述背光PD24设置在所述第一制冷器22表面上背靠所述激光器23的位置。

本实用新型实施例提出了一款波长可调的BOSA，由于将第一制冷器设置在了发射组件内部，直接制作在激光器和底座之间，因此提高了激光器(例如：激光波长可随温度变化的DFB激光器)的波长调节精度，另一方面，还通过将第一热敏电阻从背景技术中的BOSA外壳中集成到了发射组件内部，进一步提高了激光器的调节响应速率。

在背景技术中，由于激光器是被直接设置在发射组件的底座上(例如TO封装中的基座)，因此，无需考虑由于激光器发射带来的底座形变问题(由于是金属材料的底座，几乎可以忽略不计)。然而，在本实用新型实施例中，激光器不再是直接设置在底座上，而是在激光器和底座之间夹着一层第一制冷器22。需要明确的是，制冷器的工作原理就是一面被加热，而另一面则降温，并且材料主体是半导体材料，因此，制冷器自身工作过程过程中就存在一定的形变，另一方面加上本实用新型实施例中激光器的大小相对于制冷器的大小只有10％不到，因此，容易发生制冷器位于激光器耦合面上的局部温度过高，造成制冷器的不规则形变，给激光器发射的激光信号带来不必要的干扰。因此，为了改善由于本实用新型实施例所提出的结构，可能造成的上述问题，除了在实施例2中描述的将激光器设置在制冷器的中心区域的方式外(将激光器设置在制冷器中心位置，可以优化不规则形变，使得形变范围线索与垂直方向，从而减少了水平方向不规则形变可能带来的更恶劣的影响。)，还存在一种优选的实现方式，具体为：所述激光器23、背光PD24、第一热敏电阻25和45°反光棱镜26在被固定在所述第一制冷器22表面之前，先被固定在热导PCB板29上；其中，所述热导PCB板29被固定在所述第一制冷器22上的位置，使得所述激光器23位于所述第一制冷器22的中心位置。其中，所述热导PCB中掺杂了铜元素，所述热导PCB可以获得16.5W/mK的导热系数，能够起到将激光器局部产热快速的平摊到热导PCB其他区域，从而进一步改善第一制冷器可能发生的不规则热形变。

在本实用新型实施例中，所述管脚的径长为0.25mm，且数量为8个时，所述管脚的排列方式具体可以通过以下三种方式实现。

方式一：

如图5所示，布局在底座21圆周靠边区域，均匀分布8个管脚。此种排布模式主要是应用在无法水平固定在壳体和PCB的结构上，且发射端频率较低产品中(如2.5GHZ光模块或上行在300MHz以下ONU或RFOG设备中)。

方式二：

以两个管脚为单位分别构成第一排和第二排对称布局在底座21圆周靠边区域，将剩余管脚构成第三排和第四排对称分布在所述第一排和第二排构成空间的两侧，从而使得8个管脚的连线构成八边形。其中，方式二和方式一的差距很小，尤其是在各管脚内切的圆周周长较小时，两者几乎没有多少差别。但是，方式二更容易识别不同功能管脚所处位置，可以将方式二中每一排管脚给予第一制冷器22的TEC+和TEC-管脚，激光器23的LD+和LD-管脚，背光PD24的PD+和PD-管脚，或者第一热敏电阻的RES1和RES2管脚当中的一对，尤其是可以在每一排管脚中间给予标示字母，例如：字母T表明该行为TEC+和TEC-管脚，而字母L表明该行为LD+和LD-管脚等等，从而可以快速确定检测对象。

方式三：

如图6所示，以两个管脚为单位分别构成第一排和第二排对称布局在底座21圆周靠边区域，并以三个管脚为单位构成第三排和剩余的一个管脚构成的第四排对称分布在所述第一排和第二排构成空间的两侧。其中比较粗的管脚一般接PD+或RES之一，在电路属性连接过程中PD+和RES中的任意一个引脚一般都是可地属性的，可直接固定在壳体上或PCB上。

相对于方式一和方式二来说，方式三具有很强的对准优势，即在进行管脚插入管脚座的操作过程中，可以通过寻找所述第四排相对于其它几排的位置图形，来快速完成管脚和管脚座之间的方位配对。另一方面来说，方式三也适用于有局部管脚涉及大电流的情况下，例如：图6所示的位于右上角的管脚可以用于连接LD+，从而为大电流工作对象提供更为稳定和安全的管脚结构。

在本实用新型实施例中，除了上述三种方式外，还提供了一种更为特殊的方式四，如图7所示，其相对于上述三种方式来说，不仅具有更高的频率特性(例如：可使用在25GHZ以下光模块和2.7GHZ ONU或RFOG中作为下行发射单元)，而且其通过以四个管脚为单位分别构成第一排和第二排，从而给第一排和第二排之间留下充足的区域，可以更容易实现本实用新型实施例中“第一制冷器22固定在底座21上的位置向激光器23背光侧偏斜指定距离，使得光路在通过所述45°反光棱镜26反射后，能够指向所述底座21的中心垂线方向”的结构要求。

在本实用新型实施例中，所述BOSA壳体的长度在15～20mm，宽在6～8mm，则所述第一制冷器22的的长宽高尺寸可以制作成为3mm*2.5mm*2.0mm，其工作功率可达到0.6W～0.7W。

实用新型人通过实验得出，本实用新型实施例2所提出的结构方案，虽然在波长调节精度和调节响应速率相对于背景技术中介绍的制冷器外置的结构方案有了很大的提高，但是，当调节温度达到某一阈值时，上述调节精度和调节响应速度会存在较明显的下降。经过测试和理论分析，将第一制冷器设置到发射组件内部可以在一段温度调节器件起到较明显的作用，而由于第一制冷器被设置在一较密闭空间，并且除了拥有发射组件的底座这一间接的热交互对象外，构成其另一热交互对象的激光传输空间则是一较密闭的环境，其对热交互的影响相对于底座可以忽略不计，因此，在底座的热交互因为其自身材料问题或者外界温度问题达到某一瓶颈状态时，便会影响到热交互效率从而表现出控制精度和响应速率的下降。给予上述分析，本实用新型实施例还提供了一种优选的实现方案，用于改善上述特定情况下控制精度和响应速率的下降的问题。如图8所示，所述BOSA还包括第二制冷器51和第二热敏电阻52，具体的：

所述第二热敏电阻52和第二制冷器51分别固定在所述BOSA壳体上。在本实用新型实施例4中将对于其控制方法展开阐述。

实施例3:

本实用新型实施例除了提供实施例2所述的利用45°反光棱镜来实现水平发射激光基础上完成垂直出光的波长可调的BOSA外(其中“水平”和“垂直”均相对于发射组件的底座表面而言)，还通过本实用新型实施例3提供一种垂直发射激光基础上完成垂直出光的波长可调的BOSA，如图2、图9和图10所示，包括BOSA壳体1、发射模组2、接收模组3和BOSA收发光路组件4，其特征在于，所述发射模组2包括底座21、耦合平台27、第一制冷器22、激光器23、背光PD24和第一热敏电阻25，其中，底座21上设置有至少8个管脚，分别对应于所述第一制冷器22的TEC+和TEC-管脚，激光器23的LD+和LD-管脚，背光PD24的PD+和PD-管脚，以及第一热敏电阻的RES1和RES2管脚的，具体的：

所述耦合平台27的底部由导热胶固定在底座21上；其中，所述耦合平台27的底部为窄面，其用于固定器件的侧面为宽面；管脚设置在底座21上，并且平均布局在所述耦合平台27两宽面侧(如图11所示)；在所述宽面靠近管脚铜芯柱高度位置设置有一排通孔28，所述通孔28用于金丝焊线能够穿过耦合平台27，建立耦合平台27设置电器的一侧与耦合平台27另一侧管脚的电路连接；其中，所述电器包括有所述第一制冷器22、激光器23、背光PD24和第一热敏电阻25中的两个对象；

所述激光器23设置在所述耦合平台27的侧面，并且与第一热敏电阻25和背光PD24位于耦合平台27的同侧；

所述第一热敏电阻25设置在靠近所述激光器23的位置；所述背光PD24设置在背靠所述激光器23的位置。

本实用新型实施例除了可以具有实施例1和实施例2所述的技术效果之外，由于省去了45°反光棱镜，光路结构上相对更为简洁，但是，从实体结构来看相比较实施例1和实施例2还增设了耦合平台和通孔，一定程度上也带来了加工工艺的复杂化。但是，在本实用新型实施例中由于采用了直立的耦合平台结构，释放了底座的空间，因此允许存在如图11所示的管脚布局结构，使得无论在发射组件管脚的识别，还是在发射组件管脚的安装来说，相比较实施例1和实施例2都具有极大的提升。

在背景技术中，由于激光器是被直接设置在发射组件的底座上(例如TO封装中的基座)，因此，无需考虑由于激光器发射带来的底座形变问题(由于是金属材料的底座，几乎可以忽略不计)。然而，在本实用新型实施例中，激光器不再是直接设置在底座上，而是在激光器和底座之间夹着一层第一制冷器22和耦合平台27。需要明确的是，制冷器的工作原理就是一面被加热，而另一面则降温，并且材料主体是半导体材料，因此，制冷器自身工作过程过程中就存在一定的形变，另一方面加上本实用新型实施例中激光器的大小相对于制冷器的大小只有10％不到，因此，容易发生制冷器位于激光器耦合面上的局部温度过高，造成制冷器的不规则形变，给激光器发射的激光信号带来不必要的干扰。因此，为了改善由于本实用新型实施例所提出的结构，可能造成的上述问题，除了在实施例2中描述的将激光器设置在制冷器的中心区域的方式外(将激光器设置在制冷器中心位置，可以优化不规则形变，使得形变范围线索与垂直方向，从而减少了水平方向不规则形变可能带来的更恶劣的影响。)，还存在一种优选的实现方式，具体为：所述激光器23、背光PD24和第一热敏电阻25在被固定在所述第一制冷器22表面之前，先被固定在热导PCB板29上；其中，所述热导PCB板29被固定在所述第一制冷器22上的位置，使得所述激光器23位于所述第一制冷器22的中心位置。其中，所述热导PCB中掺杂了铜元素，所述热导PCB可以获得16.5W/mK的导热系数，能够起到将激光器局部产热快速的平摊到热导PCB其他区域，从而进一步改善第一制冷器可能发生的不规则热形变。

在本实用新型实施例中，所述通孔28的使用方法具有两种，第一种是就以通孔的方式存在，并通过贯穿金丝完成电器和耦合平台27背面的管脚的焊接；第二种则是，在所述通孔28内部还设置有连接柱，具体的：在通孔28内部的连接柱采用陶瓷套包络铜柱，并在铜柱位于耦合平台27的两个侧面端预留了金丝焊线焊接位。于是，耦合平台27一侧的管脚和另一侧的电器可以通过分别焊接在同一根连接柱的两个端面完成电器导通。

实用新型人通过实验得出，本实用新型实施例2所提出的结构方案，虽然在波长调节精度和调节响应速率相对于背景技术中介绍的制冷器外置的结构方案有了很大的提高，但是，当调节温度达到某一阈值时，上述调节精度和调节响应速度会存在较明显的下降。经过测试和理论分析，将第一制冷器设置到发射组件内部可以在一段温度调节器件起到较明显的作用，而由于第一制冷器被设置在一较密闭空间，并且除了拥有发射组件的底座这一间接的热交互对象外，构成其另一热交互对象的激光传输空间则是一较密闭的环境，其对热交互的影响相对于底座可以忽略不计，因此，在底座的热交互因为其自身材料问题或者外界温度问题达到某一瓶颈状态时，便会影响到热交互效率从而表现出控制精度和响应速率的下降。给予上述分析，本实用新型实施例还提供了一种优选的实现方案，用于改善上述特定情况下控制精度和响应速率的下降的问题。如图8所示，所述BOSA还包括第二制冷器51和第二热敏电阻52，具体的：

所述第二热敏电阻52和第二制冷器51分别固定在所述BOSA壳体上。在本实用新型实施例4中将对于其控制方法展开阐述。

基于本实用新型实施例独有的管脚排列方式，本实用新型实施例还提供了一种更优选的对应管脚的制作方法，具体的，所述管脚具体为管脚和联排绝缘套一体式固定的，并设置有排座，其中，每一联排绝缘套中设置有4根直径为0.25mm管脚，每根管脚之间保持0.25mm以上的安全间距；

所述管脚通过排座固定在已开好对应槽孔的底座21上完成固定，其中，两个联排绝缘套一共包括了8根管脚。

在本实用新型实施例中，如图12所示，所述BOSA壳体的长度在15～20mm，宽在6～8mm，所述第一制冷器22的长宽高尺寸为3mm*2.5mm*2.0mm，其工作功率为0.6W～0.7W。另外，所述耦合平台27的厚度为1.0～1.5mm，高度为3mm～5mm。

在本实用新型实施例中，尤其是实施例1、实施例2和实施例3中的第一制冷器22的尺寸是可以通用，仅仅是固定的表面选择上存在差异，因此，上述长宽高尺寸为3mm*2.5mm*2.0mm在各实施例中均被采用到。另外，需要指出的是，所述第一制冷器22的长宽是指其热面和冷面的尺寸，而高2.0mm则是指所述热面和冷面之间的距离。

实施例4:

在公开了上述实施例2和实施例3的两种波长可调的BOSA，本实用新型实施例进一步就其设置有第一制冷器、第二制冷器、第一热敏电阻和第二热敏电阻情况下的BOSA，提供相应温度控制方法，如图13所示，控制方法包括：

在步骤201中，确定当前激光器23工作条件的目标温度。

这里的目标温度通常是根据当前激光器23的型号、其所要产生的激光波长等确定的。在实现时候，可以是预先存储在主控制器中，并通过结合查表和外界输入的方式完成。

在步骤202中，根据目标温度，设置第一制冷器22的初始输入电流。

这里是控制信号的转换，即将查找或者计算得到的目标温度，转换为用于驱动第一制冷器22工作的初始输入电流。

在步骤203中，实时获取第一热敏电阻25的检测电流值，根据所述检测电流值调整所述第一制冷器22的输入电流。

其中，在实时根据所述检测电流值调整所述第一制冷器22的输入电流的同时，还包括：

在步骤204中，实时根据第二热敏电阻52获取BOSA壳体的温度，并在所述BOSA壳体的温度达到预设第一阈值时，启动所述第二制冷器51，使得所述BOSA壳体的温度能够维持预设工作温度区间。例如：当产品BOSA器件对应外壳散热性很差，无散热或客户对产品使用环境温度大于50摄氏度情况下，如果内部激光器设定温度与外壳的温度差大于50摄氏度，将启动第二制冷器已为此两者温度差再50摄氏度以内。

其中，步骤203和步骤204通常是同步进行的，而在具体实现过程中，步骤203和步骤204也可以是按照各自的执行周期完成相应步骤内容的执行，再此不做特殊限定。

基于本实用新型实施例所提出的温度控制方法，不仅能够有效的解决当调节温度达到某一阈值时，上述调节精度和调节响应速度会存在较明显的下降的问题。并且，通过有针对性的判断BOSA壳体的温度是否达到预设第一阈值后，再运行第二制冷器，在保证控制精度和控制速度条件下，降低了功耗的消耗。

有加热必定也有降温的情况，在本实用新型实施例介绍了上述降温实例后，结合本实用新型实施例还存在加热实例，具体的：实时根据第二热敏电阻52获取BOSA壳体的温度，并在所述BOSA壳体的温度低于预设第二阈值时，启动所述第二制冷器51，使得所述BOSA壳体的温度能够尽快超过所述预设第二阈值温度。

实施例5:

本实用新型实施例，将本实用新型实施例3所提出的BOSA应用到电路中测试，最高功耗降为1W以下，平均功耗0.1W。

如图14所示：实际波长调节范围可达到7nm，调节精度可达到0.05nm，-20到70内波长稳定度0.2nm以内。

如图15所示：4nm波长切换的时间，只需要430ms。相比目前现有的外置制冷器的方案，功耗只有其4％，波长调节范围扩宽了将近一倍，波长调节精度、稳定度和速度都得到极高提升。相比采用WDM管芯去封装的BOSA现有实用新型方案体积更小，因其波长可调所以不需要区分不同波长品类，使得物料品类更少，兼容性高，便于生产和管控。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。