含硅底层的制作方法

技术特征：

技术总结
提供采用可湿法剥离的底层组合物制造电子器件的方法，所述组合物包含以下各项的缩合物和/或水解物：包含作为聚合单元的一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体的聚合物，其中所述可缩合含硅部分悬垂于所述聚合物主链上；和一种或多种可缩合硅单体。

技术研发人员：C·A·卡特勒;崔莉;山田晋太郎;P·J·拉博姆;S·M·科莱;J·F·卡梅伦;D·格林
受保护的技术使用者：罗门哈斯电子材料有限责任公司
技术研发日：2018.11.01
技术公布日：2019.05.17