一种无暗角的玻璃导光板的制作方法

文档序号:15712837发布日期:2018-10-19 21:41阅读:324来源:国知局
一种无暗角的玻璃导光板的制作方法

本实用新型涉及导光板,具体公开了一种无暗角的玻璃导光板。



背景技术:

导光板是利用光学级的亚克力板材、PC板材或玻璃板材,然后用具有极高反射率且不吸光的高科技材料,并在光学级的板材底面用激光雕刻、V型十字网格雕刻或UV网版印刷技术印上导光网点,导光板将线光源转变成面光源。

导光板主要用于侧入式背光模组,侧入式背光模组将线光源设置于导光板的侧面,光线从导光板的侧面进入,通过导光网点的作用,光线从导光板的正面出射,为节约能源,侧面线光源的长度通常都会比导光板的长或宽小,导致侧面线光源没有覆盖的地方形成暗角,不利于背光模组的使用。



技术实现要素:

基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种无暗角的玻璃导光板,应用于侧入式背光模组,能够有效解决侧入式背光模组形成暗角的问题。

为解决现有技术问题,本实用新型公开一种无暗角的玻璃导光板,包括玻璃板,玻璃板设有至少一个侧入光面和一个出光面,侧入光面的长度小于玻璃板的长度或宽度,玻璃板中与出光面相对的一面为背面,背面设有导光网点层,背面的至少两个角落设有磨砂结构,磨砂结构位于侧入光面两端外的背面上。

进一步的,侧入光面设有四个,磨砂结构也设有四个。

进一步的,磨砂结构呈方形或扇形。

进一步的,导光网点层包括若干激光网点或丝印网点。

进一步的,玻璃板至少两个相邻角端的侧面包覆有反射结构,反射结构位于侧入光面两端的玻璃板侧面上。

进一步的,反射结构呈L形。

本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种无暗角的玻璃导光板,对导光板背面的角落进行磨砂加工,形成磨砂结构的投影位于侧入光面的两端,磨砂结构能够对光线进行漫反射,从而提高玻璃导光板角落的亮度,本玻璃导光板应用于侧入式背光模组时,能够有效解决侧入式背光模组形成暗角的问题。

附图说明

图1为本实用新型的立体结构示意图。

图2为本实用新型另一视角的立体结构示意图。

图3为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。

附图标记为:玻璃板10、侧入光面11、出光面12、背面13、导光网点层131、磨砂结构132、反射结构14。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

参考图1至图3。

本实用新型实施例公开一种无暗角的玻璃导光板,包括玻璃板10,玻璃板10设有至少一个侧入光面11和一个出光面12,本实用新型玻璃导光板应用于侧入式背光模组时,至少需要配备一个侧光源,因而至少需要有一个与之匹配的侧入光面11,侧入光面11的长度小于玻璃板10的长度或宽度,玻璃板10中与出光面12相对的一面为背面13,背面13设有导光网点层131,背面13的至少两个角落设有磨砂结构132,磨砂结构132位于侧入光面11两端外的背面13上。

本实用新型玻璃导光板应用于侧入式背光模组时,将线光源设置于侧入光面11,线光源的大小与侧入光面11匹配,光线从侧入光面11进入玻璃板10,导光网点层13改变线光源光线的光路,使光线从出光面12出射,磨砂结构132通过漫反射将光线均匀扩散,确保磨砂结构132处的亮度,即提高玻璃板10角落处的亮度。

本实用新型对导光板的背面13的角落进行磨砂加工,形成磨砂结构132的投影位于侧入光面11的两端,磨砂结构132能够对光线进行漫反射,从而提高玻璃导光板角落的亮度,本玻璃导光板应用于侧入式背光模组时,能够有效解决侧入式背光模组形成暗角的问题。

在本实施例中,侧入光面11设有四个,磨砂结构132也设有四个,为提高侧入式背光模组的发光亮度,会在导光板的四个侧面设置线光源,即四个线光源分别设置与四个侧入光面11上,四个磨砂结构132分别位于出光面12的四个角落,即每两个相邻的磨砂结构132都对应一个侧入光面11,从而确保导光板的各个角落都不会形成暗角。

在本实施例中,磨砂结构132呈方形或扇形,方形的磨砂结构132提高角落亮度的能力较强,扇形的磨砂结构132能更好地过渡出光面12各处的亮度。

在本实施例中,导光网点层13包括若干激光网点或丝印网点,激光雕刻形成的导光网点结构稳定,UV丝印制作的导光网点成本低。

在本实施例中,玻璃板10至少两个相邻角端的侧面包覆有反射结构14,反射结构14位于侧入光面11两端的玻璃板10侧面上,反射结构14一般为反射镜,反射结构14能够进一步提高磨砂结构132处的亮度,优选地,反射结构14呈L形。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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