一种IPS型阵列基板的制作方法

本实用新型涉及了显示技术领域，特别是涉及了一种IPS型阵列基板。

背景技术：

随着TFT-LCD行业的不断发展，用户对显示面板的要求也越来越高，现有的显示面板一般包括TN型显示面板、IPS型显示面板等。IPS型显示面板中的液晶分子相对于基板面平行取向，通过对液晶层施加横线电场来控制液晶分子的旋转，具有响应速度快、可视角度大及色差真实等优点。IPS型显示面板的阵列基板一般包括设置有第一金属电极层和第二金属电极层两层金属层以及第一ITO层和第二ITO层两层ITO层，其中，在阵列基板的非显示区，常常需要实现第二ITO层和第二金属电极层之间的电性连接，现有一般都是直接通过过孔连接的方式直接将第二ITO层和第二金属电极层连接，但这样往往导致连接电阻过大。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是能够有效实现降低IPS型阵列基板中非显示区内第二 ITO层和第二金属电极层之间的过孔连接接触电阻。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种IPS型阵列基板，设有显示区和非显示区，其特征在于，包括：

基板；

第一金属电极层，形成于显示区和非显示区内，在显示区内形成栅电极和栅极线；

第一绝缘层，形成于所述第一金属电极层和基板上；

有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应所述栅电极设置；

第二金属电极层，形成于显示区和非显示区内，在显示区内形成源电极、漏电极和数据线，

第一ITO层，形成于显示区和非显示区内，在显示区内形成像素电极；

第二绝缘层，形成于所述第二金属电极层、第一ITO层和第一绝缘层上；

第二ITO层，形成于显示区和非显示区内，在显示区内形成公共电极；

其中，在非显示区内，所述第二金属电极层与所述第二ITO层形成多个过孔连接，所述过孔连接内设置有覆盖所述第二金属电极层的第一ITO层。作为本实用新型提供的一种优选方案，所述像素电极与所述漏电极电性连接。

作为本实用新型提供的一种优选方案，所述像素电极直接搭接于所述漏电极上形成电性连接。

作为本实用新型提供的一种优选方案，所述非显示区内形成有快检端口，所述快检端口内设有所述过孔连接。

作为本实用新型提供的一种优选方案，所述非显示区内形成有防静电电路，所述防静电电路内设有所述过孔连接。

本实用新型具有如下技术效果：本实用新型提供的一种IPS型阵列基板在非显示区内，所述第二金属电极层与第二ITO层形成的过孔连接内覆盖有第二ITO层的第一ITO层，即第二ITO层通过与所述第一ITO层接触实现电性连接来实现与所述第二金属电极层的电性连接，而由于第一ITO层与第二ITO层均为ITO材质一致，相当于同一电极层，而第一ITO层覆盖所述第二金属电极层设置，有效增大了接触面积，从而可以有效降低第二金属电极层与第二ITO层形成的过孔连接接触电阻；此外，使得第一ITO层覆盖第二金属电极层设置，由于ITO材质较金属材质耐腐蚀，还能有效起到保护第二金属电极层的作用，提高产品耐腐蚀能力；而且，由于直接采用形成像素电极的第一ITO层来覆盖第二金属电极层，因此可有效利用现有的工艺成型，无需增加工序工时，有效保证了生产效率和成本。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种IPS型阵列基板的结构示意图；

图2为本实用新型提供的一种IPS型阵列基板的显示区结构布置示意图；

图3本实用新型提供的一种快检端口的结构示意图；

图4为本实用新型提供的一种快检端口的过孔连接的布置示意图；

图5本实用新型提供的一种防静电电路的电路示意图；

图6为本实用新型提供的一种防静电电路的平面示意图；

图7为本实用新型提供的一种防静电电路的过孔连接的布置示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另外定义，本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

实施例一

如图1-2所示，其表示了本实用新型提供的一种IPS型阵列基板。该IPS型阵列基板设有显示区AA和非显示区NA，包括：基板1；第一金属电极层2，形成于显示区AA和非显示区NA内，在显示区AA内形成栅电极21和栅极线22；第一绝缘层3，形成于所述第一金属电极层2和基板1上；有源层4，形成于所述第一绝缘层3上且对应所述栅电极21设置；第二金属电极层5，形成于显示区AA和非显示区NA内，在显示区AA内形成源电极51、漏电极52和数据线53，第一ITO层6，形成于显示区AA和非显示区NA内，在显示区AA 内形成像素电极61；第二绝缘层7，形成于所述第二金属电极层5、第一ITO层6和第一绝缘层3上；第二ITO层8，形成于显示区AA和非显示区NA内，在显示区AA内形成公共电极；其中，在非显示区NA内，所述第二金属电极层5与所述第二ITO层8形成多个过孔连接100，所述过孔连接100内设置有覆盖所述第二金属电极层5的第一ITO层6。

这样，在非显示区NA内，所述第二金属电极层5与第二ITO层8形成的过孔连接100 内覆盖有第二ITO层8的第一ITO层6，即第二ITO层8通过与所述第一ITO层6接触实现电性连接来实现与所述第二金属电极层5的电性连接，而由于第一ITO层6与第二ITO层8 均为ITO材质一致，相当于同一电极层，而第一ITO层6覆盖所述第二金属电极层5设置，有效增大了接触面积，从而可以有效降低第二金属电极层5与第二ITO层8形成的过孔连接 100接触电阻；此外，使得第一ITO层6覆盖第二金属电极层5设置，由于ITO材质较金属材质耐腐蚀，还能有效起到保护第二金属电极层5的作用，提高产品耐腐蚀能力；而且，由于直接采用形成像素电极61的第一ITO层6来覆盖第二金属电极层5，因此可有效利用现有的工艺成型，无需增加工序工时，有效保证了生产效率和成本。

具体地，在本实施例中，所述像素电极61与所述漏电极52电性连接，所述像素电极61 直接搭接于所述漏电极52上形成电性连接，这样的电性连接方式稳定可靠且易于成型。

进一步地，如图3-4所示，所述非显示区NA内形成有快检端口200，所述快检端口200 内设有所述过孔连接100。具体地，所述快检端口200用于实现与外接检测设备的电性连接，包括有多个阵列布置的所述过孔连接100。

进一步地，如图5-7所示，所述非显示区NA内形成有防静电电路300，所述防静电电路 300内设有所述过孔连接100。具体地，所述防静电电路300用于当信号线400输入端出现静电积聚时，可以及时将静电导通至公共电极线500，具体地，所述信号线400可以与显示区域AA内的栅极线22或数据线53电性连接。具体地，所述防静电电路300内设有第一薄膜晶体管301、第二薄膜晶体管302和第三薄膜晶体管303；所述第一薄膜晶体管301的源/漏极、所述第二薄膜晶体管302的栅极和所述第三薄膜晶体管303的源/漏极形成共用节点A；所述过孔连接100应用于形成共用节点A区域，具体地，所述第一薄膜晶体管301及第二薄膜晶体管303的源/漏极为将所述第二ITO层8通过所述过孔连接100电性连接于第二金属电极层5形成；所述第二金属电极层5上覆盖有第一ITO层6。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。