一种阵列基板和显示面板的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术：

随着科技的发展和进步，液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(Backlight Module)。液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFTSubstrate)和光罩(Mask)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Li-quidCrystal，LC)。

薄膜晶体管的基本组成包括两层金属(常用Al或Cu)、两层绝缘层、一层有源层和一层位于半导体与金属层之间的欧姆接触层。两层金属构成的电极分别是扫描信号金属电极和数据信号金属电极；两层绝缘层分别指位于有源层下方的绝缘层(GI层)和位于有源层上方的绝缘层(PV层)；有源层和欧姆接触作用的掺杂层一起在薄膜晶体管中通常是个岛状图形，因此有时又被称为有源岛或硅岛。根据栅极与硅岛的上下位置关系，薄膜晶体管结构可以分为底栅结构和顶栅结构。

现有顶栅结构受到背光照射使得TFT器件性能劣化。

技术实现要素：

有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可以遮挡背光对TFT器件产生影响的一种阵列基板和显示面板。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种保护TFT器件性能的画素结构设计，包括：衬底基板；第二金属层，包括源极金属层和漏极金属层，形成于衬底基板上；沟道区，位于所述源极金属层和所述漏极金属层之间；欧姆接触层，形成于所述源极金属层和所述漏极金属层上，以及所述沟道区内；有源层，形成于所述欧姆接触层上，以及所述沟道区内；第一绝缘层(GI层)，形成于所述有源层、源极金属层和漏极金属层上；第一金属层，形成于所述第一绝缘层上；第二绝缘层(PV层)，形成于所述第一金属层和第一绝缘层上；第一色阻层，形成于衬底基板上，隔挡所述沟道区；所述第一色阻层至少有两层色阻层，所述两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置。

可选的，所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述第二金属层均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述第二金属层位置对应设置。

可选的，所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述沟道区均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述沟道区位置对应设置。

可选的，所述阵列基板包括第二色阻层，所述显示区包括像素；所述第二色阻层位于所述显示区，所述第二色阻层的各色阻层在所述显示区内并列分布，与所述像素位置对应设置。

可选的，所述第一色阻层包括红色色阻和绿色色阻。

可选的，所述第一色阻层包括红色色阻和蓝色色阻。

可选的，所述第一色阻层包括绿色色阻和蓝色色阻。

可选的，所述第一色阻层包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。

本实用新型还公开了一种保护TFT器件性能的画素结构设计，包括：一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；第二金属层，包括源极金属层和漏极金属层，形成于衬底基板上；沟道区，位于所述源极金属层和所述漏极金属层之间；欧姆接触层，形成于所述源极金属层和所述漏极金属层上，以及所述沟道区内；有源层，形成于所述欧姆接触层上，以及所述沟道区内；第一绝缘层(GI层)，形成于所述有源层、源极金属层和漏极金属层上；第一金属层，形成于所述第一绝缘层上；第二绝缘层(PV层)，形成于所述第一金属层和第一绝缘层上；第一色阻层，形成于衬底基板上，隔挡所述沟道区；所述第一色阻层至少有两层色阻层，所述两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置；

所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述第二金属层均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述第二金属层位置对应设置；

所述阵列基板包括第二色阻层，所述显示区包括像素，所述第二色阻层位于所述显示区，所述第二色阻层的各色阻层在所述显示区内并列分布，与所述像素位置对应设置。

本实用新型还公开了一种显示面板，包括：

如上任意所述的一种阵列基板，所述阵列基板设有第一色阻层，所述第一色阻层用于隔挡沟道区。

本实用新型的有益效果是：顶栅结构的沟道与衬底基板直接接触，当点亮背光后，背光会通过衬底基板照射到沟道，导致TFT器件性能劣化。考虑到画素结构生产过程中，需要进行多次重复色阻沉积工序，而只要任意两种不同的色阻层层叠设置，就可以隔挡背光，因此，本案通过色阻层制程中,同步在形成层叠设置的色阻层，隔挡沟道区，从而隔挡背光对沟道的照射，并且无需增加额外的工序，节约成本。另外，色阻都采用非导电的材质制成，跟TFT器件以及其它导电线路之间不会产生寄生电容，使TFT器件性能得以稳定。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是的顶栅结构示意图；

图2是本实用新型其中一种实施例的画素结构示意图；

图3是本实用新型其中一种实施例的红色色阻和绿色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；

图4是本实用新型其中一种实施例的红色色阻和蓝色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；

图5是本实用新型其中一种实施例的绿色色阻和蓝色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；

图6是本实用新型其中一种实施例的红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；

图7是本实用新型其中一种实施例的一种阵列基板的示意图。

其中，10、阵列基板；11、衬底基板；12、源极金属层；13、漏极金属层；14、沟道区；15欧姆接触层；16、第一金属层；17、第一色阻层；18、第二色阻层；19、显示区；110红色色阻；111、绿色色阻；112、蓝色色阻；113、非显示区；114、像素；115、第二金属层；116、有源层；117、第一绝缘层；118、第二绝缘层；119氧化铟锡层。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

现有未公开信息为关于a-Si:H材料，a-Si:H材料是的光电导材料，它的电导率在可见光的照射下回急剧增加，使得在光照TFT特性下Ioff增加和Vth降低，这是由于光子能量使载流子从非导电态激发到导电态的缘故。对于顶栅结构来说，存在一个致命的弱点就是硅岛直接受到背光源的照射，易导致TFT中a-Si层的光电导效应增加，从而使得TFT器件性能劣化。

下面结合附图和较佳的实施例对本实用新型作进一步说明。

参考图1至图7所示，本实用新型实施例公布了一种保护TFT器件性能的画素结构设计：一种阵列基板10，包括：衬底基板11，第二金属层115，包括源极金属层12和漏极金属层13，形成于衬底基板11上；沟道区14，位于源极金属层12和漏极金属层13之间；欧姆接触层15，形成源极金属层12和漏极金属层13上，以及沟道区14内；有源层116，形成于所述欧姆接触层15上，以及沟道区14内；第一绝缘层117(GI层)，形成于有源层116、源极金属层12和漏极金属层13上；第一金属层16，形成于第一绝缘层15上；第二绝缘层118(PV层)，形成于第一金属层16和第一绝缘层117上；第一色阻层17，形成于衬底基板11上，隔挡所述沟道区14；第一色阻层17至少有两层色阻层，两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置。

本案中，顶栅结构的沟道区14与衬底基板11直接接触，当点亮背光后，背光会通过衬底基板11照射到沟道区14，导致TFT器件性能劣化。考虑到画素结构生产过程中，需要进行多次重复色阻沉积工序，而只要任意两种不同的色阻层层叠设置，就可以隔挡背光，因此，本案通过色阻层制程中,同步在形成层叠设置的色阻层，隔挡沟道区14，从而隔挡背光对沟道区14的照射，并且无需增加额外的工序，节约成本。另外，色阻都采用非导电的材质制成，跟TFT器件以及其它导电线路之间不会产生寄生电容，使TFT器件性能得以稳定。

本实施方式可选的，阵列基板10包括非显示区113和显示区19，显示区19和非显示区113通过漏极金属层13相连；第一色阻层17和第二金属层115均位于非显示区113内，第一色阻层17与第二金属层115位置对应设置。

本案中，非显示区113不需要透光，因此将第一色阻层17设置在非显示区113，可以隔挡背光对非显示区113的照射；因为第二金属层115位于非显示区113内，所以沟道区14也位于非显示区113内，若使第一色阻层17与第二金属层115位置对应设置，这样第一色阻层17可以隔挡第二金属层115免于背光照射，同时可以保证完全隔挡沟道区14免于背光照射，从而使TFT器件性能得以稳定。

本实施方式可选的，阵列基板10包括非显示区113和显示区19，显示区19和非显示区113通过漏极金属层13相连；第一色阻层17和沟道区14均位于非显示区113内，第一色阻层17与沟道区14位置对应设置。

本案中，因为沟道区14受到背光照射才会影响TFT器件性，沟道区位于非显示113区域内，那么只需要隔挡衬底基板11的沟道区14免于背光照射就可以使TFT器件性能稳定，因此，本方案将第一色阻层17只沉积在非显示区113的沟道区14，并与沟道区14位置对应设置，这样可以提高色阻的使用效率。

本实施方式可选的，阵列基板10包括第二色阻层18，显示区19包括像素114；第二色阻层18位于显示区19，第二色阻层18的各色阻层在显示区19内并列分布，与像素114位置对应设置。

本案中，因为显示区19内的像素114位置需要接受背光的照射从而显示出对应像素114的颜色，因此，本案在像素114上设置的色阻层之间为并列分布，并且在每个像素114上设置与其颜色相同的色阻层，这样不会妨碍像素114的功能。

本实施方式可选的，第一色阻层17包括红色色阻110和绿色色阻111。

本案中，红色色阻110层可以只透过红光，红光不能穿过绿色色阻111，那么由红色色阻110和绿色色阻111叠加组成的第一色阻层17可以遮挡背光，从而使TFT器件性能得以稳定。

本实施方式可选的，第一色阻层17包括红色色阻110和蓝色色阻112。

本案中，红色色阻110可以只透过红光，红光不能穿过蓝色色阻112，那么由红色色阻110和蓝色色阻112叠加组成的第一色阻层17可以遮挡背光，从而使TFT器件性能得以稳定。

本实施方式可选的，第一色阻层17包括绿色色阻111和蓝色色阻112。

本案中，绿色色阻111可以只透过绿光，绿光不能穿过蓝色色阻112，那么由绿色色阻110和蓝色色阻112叠加组成的第一色阻层17可以遮挡背光，从而使TFT器件性能得以稳定。

本实施方式可选的，第一色阻层17包括红色色阻110、绿色色阻111和蓝色色阻112。

本案中，红色色阻110可以只透过红光，红光不能穿过绿色色阻111和蓝色色阻112，那么由红色色阻110、绿色色阻111和蓝色色阻112叠加组成的第一色阻层17可以遮挡背光，从而使TFT器件性能得以稳定。

本实施方式可选的，在显示区内的第二绝缘层上形成氧化铟锡层119(ITO)，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。

作为本实用新型的另一实施例，参考图1至图7所示，公开了一种保护TFT器件性能的画素结构设计：一种阵列基板10，包括：衬底基板11，第二金属层115，包括源极金属层12和漏极金属层13，形成于衬底基板11上；沟道区14，位于源极金属层12和漏极金属层13之间；欧姆接触层15，形成源极金属层12和漏极金属层13上，以及沟道区14内；有源层116，形成于所述欧姆接触层15上，以及沟道区14内；第一绝缘层117(GI层)，形成于有源层116、源极金属层12和漏极金属层13上；第一金属层16，形成于第一绝缘层15上；第二绝缘层118(PV层)，形成于第一金属层16和第一绝缘层117上；第一色阻层17，形成于衬底基板11上，隔挡所述沟道区14；第一色阻层17至少有两层色阻层，两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置；

阵列基板10包括非显示区113和显示区19，显示区19和非显示区113通过漏极金属层13相连；第一色阻层17和第二金属层115均位于非显示区113内，第一色阻层17与第二金属层115位置对应设置；

阵列基板10包括非显示区113和显示区19，显示区19和非显示区113通过漏极金属层13相连；第一色阻层17和沟道区14均位于非显示区113内，第一色阻层17与沟道区14位置对应设置。

本案中，顶栅结构的沟道区14与衬底基板11直接接触，当点亮背光后，背光会通过衬底基板11照射到沟道区14，导致TFT器件性能劣化。考虑到画素结构生产过程中，需要进行多次重复色阻沉积工序，而只要任意两种不同的色阻层层叠设置，就可以隔挡背光，因此，本案通过色阻层制程中,同步在形成层叠设置的色阻层，隔挡沟道区14，从而隔挡背光对沟道区14的照射，并且无需增加额外的工序，节约成本。另外，色阻都采用非导电的材质制成，跟TFT器件以及其它导电线路之间不会产生寄生电容，使TFT器件性能得以稳定；非显示区113不需要透光，因此将第一色阻层17设置在非显示区113，可以隔挡背光对非显示区113的照射；因为沟道区14位于显示区19内的第二金属层115区域内，若使第一色阻层17与第二金属层115位置对应设置，这样第一色阻层17可以隔挡第二金属层115免于背光照射，同时可以保证完全隔挡沟道区14免于背光照射，从而使TFT器件性能得以稳定；因为显示区19内的像素114位置需要接受背光的照射从而显示出对应像素114的颜色，因此，本案在像素114上设置的色阻层之间为并列分布，并且在每个像素114上设置与其颜色相同的色阻层，这样不会妨碍像素114的功能。

作为本实用新型的另一实施例，参考图1至图7所示，公开了一种显示面板，包括：

包括如上任意所述的一种阵列基板10，阵列基板10设有第一色阻层17，第一色阻层17用于隔挡沟道区14。

顶栅结构的沟道区14与衬底基板11直接接触，当点亮背光后，背光会通过衬底基板11照射到沟道区14，导致TFT器件性能劣化。考虑到画素结构生产过程中，需要进行多次重复色阻沉积工序，而只要任意两种不同的色阻层层叠设置，就可以隔挡背光，因此，本案通过色阻层制程中,同步在形成层叠设置的色阻层，隔挡沟道区14，从而隔挡背光对沟道区14的照射，并且无需增加额外的工序，节约成本。另外，色阻都采用非导电的材质制成，跟TFT器件以及其它导电线路之间不会产生寄生电容，使TFT器件性能得以稳定。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。