技术特征：
1.一种套刻误差的补偿方法，其特征在于，包括：获取已曝光晶圆的套刻误差；将所述已曝光晶圆划分为若干区域；根据各所述区域对应的所述套刻误差分别计算各所述区域对应的补偿值；利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿。2.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，形成所述已曝光晶圆和所述待曝光晶圆的工艺条件相同。3.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿之前，还包括：判断所述待曝光晶圆的各区域的物理性质和\或工艺条件与所述套刻误差是否匹配；若是，再执行所述利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿的步骤。4.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述将所述已曝光晶圆划分为若干区域，具体包括：将所述已曝光晶圆划分为中心区域、以及环绕所述中心区域的边缘区域或将所述已曝光晶圆划分为两个半圆区域。5.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述将所述已曝光晶圆划分为若干区域，具体包括：根据所述已曝光晶圆的套刻误差，将所述已曝光晶圆划分为若干区域。6.根据权利要求5所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述根据所述已曝光晶圆的套刻误差，将所述已曝光晶圆划分为若干区域，具体包括：设置一套刻误差阈值，将大于或等于所述套刻误差阈值的套刻误差的位置分为一区域，将小于所述套刻误差阈值的套刻误差的位置分为另一区域。7.根据权利要求5所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述根据所述已曝光晶圆的套刻误差，将所述已曝光晶圆划分为若干区域，具体包括：设置n(n>＝2)个套刻误差阈值，根据所述套刻误差阈值组成的阈值区间将所述已曝光晶圆分为n+1个区域。8.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述补偿值为一阶补偿值，并且所述一阶补偿值在线更新。9.根据权利要求8所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述补偿值包括：旋转补偿值、膨胀补偿值和平移补偿值中的任一种或其任意组合。10.一种晶圆曝光系统，其特征在于，包括：控制装置、以及与所述控制装置相连的获取装置和光刻机；所述获取装置，用于获取已曝光晶圆的套刻误差；所述控制装置，用于将所述已曝光晶圆划分为若干区域，根据各所述区域相应的套刻误差计算各所述区域对应的补偿值；所述光刻机，用于利用所述补偿值，分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿并曝光。11.一种服务器，其特征在于，包括：至少一个处理器；以及，与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行如权利要求1至10中任一所述的套刻误差的补偿方法。12.一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9任一项所述的套刻误差的补偿方法。
技术总结
本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质。本发明中，套刻误差的补偿方法应用于晶圆，包括：获取已曝光晶圆的套刻误差；将所述已曝光晶圆划分为若干区域；根据各所述区域对应的套刻误差分别计算各所述区域对应的补偿值；利用所述补偿值分别对待曝光晶圆的相应区域进行补偿。本发明提供的套刻误差的补偿方法、曝光系统、服务器及可读存储介质，能够提高晶圆的套刻误差补偿精度，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。
技术研发人员：董鹏
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.03.10
技术公布日：2021/9/9