硅基液晶空间光调制器与波长选择开关的制作方法

文档序号:21651762发布日期:2020-07-29 03:05阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种硅基液晶空间光调制器,其特征在于,包括:第一基板(10)、与所述第一基板(10)相对间隔设置的第二基板(20)以及设于所述第一基板(10)与第二基板(20)之间的液晶层(30);

所述第一基板(10)包括:硅基背板(11)及设于所述硅基背板(11)上的辅助层(12);

所述硅基背板(11)包括阵列排布的多个像素区(111),所述辅助层(12)包括多个条状的第一挡墙(121)、多个条状的第二挡墙(122)及多个凸起部(123);

所述多条第一挡墙(121)与多条第二挡墙(122)纵横交错形成多个网格(124),每一个网格(124)包围一个像素区(111),且每一个网格(124)内设有至少一个凸起部(123)。

2.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述辅助层(12)的材料为氧化硅或氮化硅。

3.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第一挡墙(121)和第二挡墙(122)的高度为1~8μm。

4.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,每一个像素区(111)均包括第一衬底(51)、设于所述第一衬底(51)朝向第二基板(20)一侧的cmos电路(52)以及设于所述cmos电路(52)上的与所述cmos电路(52)电性连接的第一电极(53)。

5.如权利要求4所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第一电极(53)为反射电极。

6.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述凸起部(123)的高度小于所述第一挡墙(121)和第二挡墙(122)的高度。

7.如权利要求1所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第二基板(20)包括第二衬底(21)及设于所述第二衬底(21)靠近所述第一基板(10)一侧的第二电极(22)。

8.如权利要求7所述的硅基液晶空间光调制器,其特征在于,所述第二衬底(21)为透明衬底,所述第二电极(22)为透明电极。

9.一种波长选择开关,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的硅基液晶空间光调制器。


技术总结
本发明提供一种硅基液晶空间光调制器及波长选择开关。所述硅基液晶空间光调制器包括:第一基板、与第一基板相对间隔设置的第二基板以及设于第一基板与第二基板之间的液晶层;第一基板包括:硅基背板及设于硅基背板上的辅助层;硅基背板包括阵列排布的多个像素区,辅助层包括多个条状的第一挡墙、多个条状的第二挡墙及多个凸起部;多条第一挡墙与多条第二挡墙纵横交错形成多个网格,每一个网格包围一个像素区,且每一个网格内设有至少一个凸起部;能够提升硅基液晶空间光调制器的对比度,降低边缘场效应。

技术研发人员:李方红;常嘉兴
受保护的技术使用者:深圳市科创数字显示技术有限公司
技术研发日:2020.04.20
技术公布日:2020.07.28
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