1.光刻润湿液，其特征在于，其含有水、有机碱和活性剂；
所述有机碱为胍类有机碱或哌嗪类有机碱；
所述活性剂为eo/po嵌段共聚物与水溶性聚合物的组合物。
2.根据权利要求1所述的光刻润湿液，其特征在于，所述胍类有机碱选自单胍及其衍生物，化学结构式如下：
其中，r1、r2、r3各自独立地为h、烃基或杂环取代基；
或者，所述胍类有机碱选自双胍及其衍生物，化学结构式如下：
其中，ra、rb、rc、rd各自独立地为h、烃基、芳香基团或杂环取代基。
3.根据权利要求1所述的光刻润湿液，其特征在于，所述哌嗪类有机碱选自哌嗪及其衍生物，化学结构式如下：
其中，rs1、rs2各自独立地为h、甲基、乙基、氨基、羟甲基或羟乙基。
4.根据权利要求1所述的光刻润湿液，其特征在于，所述eo/po嵌段共聚物的通式如下：
ro-[-(eo)m(po)n-]-h
其中，r为碳原子数5-20的烃链，m为eo的重复单元数，n为po的重复单元数，m与n的和小于20；
所述水溶性聚合物为聚乙二醇；所述聚乙二醇的分子量为200-600。
5.根据权利要求1所述的光刻润湿液，其特征在于，所述有机碱的质量百分含量为0.05%-1%，eo/po嵌段共聚物的质量百分含量为0.001-1%，水溶性聚合物的质量百分含量为0.001%-1%。
6.根据权利要求1所述的光刻润湿液，其特征在于，还含有高沸点有机溶剂；所述高沸点有机溶剂选自丙二醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇。
7.根据权利要求6所述的光刻润湿液，其特征在于，所述高沸点有机溶剂的质量百分含量为0.5%-5%。
8.根据权利要求1所述的光刻润湿液，其特征在于，还含有防霉杀菌剂；所述防霉杀菌剂为季铵盐型杀菌剂。
9.根据权利要求8所述的光刻润湿液，其特征在于，所述防霉杀菌剂的质量百分含量为0.001%-0.005%。
10.半导体光刻工艺，其特征在于，在光阻显影后，采用权利要求1至9中任一项所述的光刻润湿液来旋洗光阻表面，去除结构中的杂质，形成清晰完整的光阻图案。