分段式保护膜的制作方法

文档序号:24128291发布日期:2021-03-02 16:02阅读:52来源:国知局
分段式保护膜的制作方法

[0001]
本发明涉及触控电子领域,尤其涉及一种分段式保护膜。


背景技术:

[0002]
在制备触控电子产品时,经常要使用到保护膜防止产品被污染或者刮花。在多次镀膜-光刻工艺中,前制程做出的电路标靶会被后续工序所镀的膜遮掩住,后续光刻制程因此无法进行抓靶对位,容易导致产品光刻不良或者无法进行光刻。因此,在镀膜前需要对产品的标靶进行保护。


技术实现要素:

[0003]
为了能够最终能够避免因光刻过程中无法准确抓靶或无法抓靶造成的产品不良或者无法光刻的问题,本发明提供一种分段式保护膜。
[0004]
本发明提供了一种分段式保护膜,包括:中间段,沿第一方向延伸;第一边缘段,位于所述中间段垂直于所述第一方向的一侧边缘部位,所述第一边缘段与所述中间段之间形成第一边界线,所述第一边界线平行于所述第一方向;第二边缘段,位于所述中间段垂直于所述第一方向的另一侧边缘部位,所述第二边缘段与所述中间段之间形成第二边界线,所述第二边界线平行于所述第一方向,所述第一边界线与所述第二边界线处均设有一易撕结构。
[0005]
与现有保护膜相比,本发明的分段式保护膜将所述保护膜分成三段,所述中间段对应于产品的光刻电路区,所述第一边缘段与所述第二边缘段分别对应产品的所述光刻电路区两侧具有标靶的边缘部分。通过将所述保护膜分成三段,在对产品进行镀膜时,可以先利用所述第一边界线与所述第二边界线设置的易撕结构撕除所述中间段,保留所述第一边缘段与所述第二边缘段,镀膜时由于所述第一边缘段与所述第二边缘段的保护,所述标靶不会被污染,在后续光刻制程中可以再将所述第一边缘段与所述第二边缘段撕除,此时由于所述标靶没有被污染,可以很好地完成抓靶对位,不会造成无法抓靶或抓靶不准确造成的光刻不良。
[0006]
进一步地,所述第一边缘段与所述第二边缘段关于所述中间段沿所述第一方向的中心轴线对称。如此,在将所述分段式保护膜贴覆与待镀膜产品上时方便对位,且所述第一边缘段与所述第二边缘段关于所述中间段对称设置更便于加工,节约生产成本。
[0007]
进一步地,所述易撕结构为多个依次间隔设置的缺口。多个所述缺口既能保证所述中间段与所述第一边缘段以及所述第二边缘段之间连结,又能保证能够很容易地将所述中间段与所述第一边缘段与所述第二边缘段分离,方便撕除保护膜。
[0008]
进一步地,所述缺口为通孔或盲孔。所述缺口为通孔或盲孔,都既能保证三段之间连结又能保证三段之间能够轻松完成分离。
[0009]
进一步地,所述盲孔沿垂直于所述分段式保护膜表面方向的深度为所述分段式保护膜厚度的1/3~2/3。所述盲孔沿垂直于所述分段式保护膜表面方向的深度不宜过深也不
宜过浅,过深则无法保证三段之间连结,容易因意外脱落;过浅则会导致在撕膜过程中三段之间不易分离。
[0010]
进一步地,所述盲孔均设置于所述分段式保护膜的同一侧表面,或所述盲孔交替设置于所述分段式保护膜的两侧表面。
[0011]
将所述盲孔都设置于所述分段式保护膜的同一侧表面,能够方便所述分段式保护膜的加工与成产,节约生产成本。将所述盲孔分别交替设置于所述分段式保护膜的两侧表面,能够带来更好的撕除效果,在撕除所述中间段时能使所述中间段与所述第一边缘段以及所述第二边缘段之间更好地分离开来。
[0012]
进一步地,多个所述缺口沿所述第一方向等距设置,且相邻两所述缺口之间距离范围为5mm~25mm。
[0013]
多个所述缺口之间距离太小则不能保证所述中间段与所述第一边缘段以及所述第二边缘段之间的连接,太大则不便于在撕除所述中间段时所述中间段与所述第一边缘段以及所述第二边缘段之间的分离。通过将多个所述缺口之间的距离范围控制在上述范围内,既保证所述多段式保护膜正常情况下之间连结又能保证需要撕除时轻易分离。
[0014]
进一步地,所述易撕结构还可以为沿所述第一方向延伸的狭槽。将所述易撕结构设计成沿所述第一方向延伸的狭槽,同样也能实现所述多段式保护膜正常情况下之间连结又能保证需要撕除时轻易分离,同时能够方便加工生产,节约生产成本。
[0015]
进一步地,沿垂直于所述分段式保护膜表面的方向,所述狭槽的深度为所述分段式保护膜的厚度的1/3~2/3。所述狭槽沿垂直于所述分段式保护膜表面方向的深度不宜过深也不宜过浅,过深则无法保证三段之间连结,容易因意外脱落;过浅则会导致在撕膜过程中三段之间不易分离。
[0016]
进一步地,所述分段式保护膜的材质包括pet(polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二醇酯)。pet为最常用做sensor保护膜的材质,其具有成本低廉,易于获取的优点,可在产业上大规模使用。
附图说明
[0017]
为了更清楚地说明本发明实施方式中的技术方案,下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0018]
图1是本发明提供的分段式保护膜的正面结构示意图;
[0019]
图2是图1中i部结构放大示意图;
[0020]
图3是图1中第一实施例中沿aa截面的剖视图;
[0021]
图4是图1中第二实施例中沿aa截面的剖视图;
[0022]
图5是图4中ii部结构放大示意图;
[0023]
图6是图1中第三实施例中沿aa截面的剖视图;
[0024]
图7是图1中第四实施例中沿aa截面的剖视图;
[0025]
图8是本发明提供的分段式保护膜贴合在导电膜上的正面结构示意图;
[0026]
图9是本发明提供的分段式保护膜贴合在导电膜上的剖视图。
具体实施方式
[0027]
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]
需要说明的是,当元件被称为“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。本文所使用的术语、“左”、“右”、“上”、“下”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
[0029]
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在限制本发明。
[0030]
请参考图1,本发明提供一种分段式保护膜10,包括:中间段15,所述中间段15沿第一方向s延伸;第一边缘段11,位于所述中间段15垂直于所述第一方向s的一侧边缘部位,所述第一边缘段11与所述中间段15形成第一边界线13,所述第一边界线13平行于所述第一方向s;第二边缘段12,位于所述中间段15垂直于所述第一方向s的另一侧边缘部位,所述第二边缘段12与所述中间段15形成第二边界线14,所述第二边界线14平行于所述第一方向s,所述第一边界线13与所述第二边界线14处均设有一易撕结构19。
[0031]
与现有保护膜相比,本发明所示出的所述分段式保护膜10将所述保护膜分成三段,所述中间段15对应于产品的光刻电路区,所述第一边缘段11与所述第二边缘段12分别对应产品的所述光刻电路区两侧具有标靶的边缘部分。通过将所述保护膜分成三段,在对产品进行镀膜时,可以先利用所述第一边界线13与所述第二边界线14设置的所述易撕结构19撕除所述中间段15,保留所述第一边缘段11与所述第二边缘段12,镀膜时由于所述第一边缘段11与所述第二边缘段12的保护,所述标靶不会被污染,在后续光刻制程中可以再将所述第一边缘段11与所述第二边缘段12撕除,此时由于所述标靶没有被污染,可以很好地完成抓靶对位,不会造成无法抓靶或抓靶不准确造成的光刻不良。
[0032]
所述第一边缘段11与所述第二边缘段12关于所述中间段15沿所述第一方向s的中心轴线对称,同时,所述第一边界线13与所述第二边界线14关于所述中间轴线对称。由于导电膜在制备过程中的大张是轴对称的,将所述分段式保护膜10各段也设计成关于所述中间段15沿所述第一方向s的中心轴线对称,有益于适配所述导电膜,在导电膜制备过程中便于使用与剥离。
[0033]
请同时参考图2,在所述第一边界线13处设有易撕结构19。在本发明提供的一个实施例中,所述易撕结构19为多个依次间隔设置的缺口16,多个所述缺口16沿所述第一边界线13依次间隔设置,一方面能够使得所述分段式保护膜10各段能够连结,一方面能够使得在导电膜制备过程中方便撕除分离所述中间段15与所述第一边缘段11以及所述第二边缘段12。
[0034]
可以理解的,所述第二边界线14处也设有所述易撕结构19,所述第二边界线14的多个所述缺口16可以与所述第一边界线13处的多个所述缺口16关于所述中间段15对称设置,也可以不对称设置。所述易撕结构19的作用在于便于所述中间段15的撕除,其内在的多个所述缺口16是否关于所述中间段15对称设置并不影响其易撕特性,在理解本发明时不应
将本发明方案局限于多个所述缺口16是关于所述中间段15对称。
[0035]
请参考图1与图3,在本发明提供的第一实施例中,所述缺口16可以为通孔,所述通孔直接贯穿所述分段式保护膜10,能够使得所述分段式保护膜10更好地撕除分离。
[0036]
请同时参考图1、图3与图4,在本发明提供的第二实施例中,所述缺口16也可以为盲孔,即所述缺口16未贯穿所述分段式保护膜10,此种设计的分段式保护膜10具有更好的连结性,能够避免所述分段式保护膜10各段受到一定外力作用即分离,造成不良。
[0037]
请参考图4,在本发明提供的第二实施例中,所述盲孔皆设置在所述分段式保护膜10的同一侧表面,将所述盲孔都设置于所述分段式保护膜10的同一侧表面,能够方便所述分段式保护膜10的加工与成产,节约生产成本。
[0038]
请参考图6,在本发明提供的第三实施例中,所述盲孔交替设置在所述分段式保护膜10的两侧表面。可以理解的是,此处所述的“交替设置”是指所述易撕结构19上的多个所述缺口16(本实施例中指的是盲孔)每相邻的两个所述缺口16分别设置于所述分段式保护膜10的不同侧。将所述盲孔分别交替设置于所述分段式保护膜10的两侧表面,能够带来更好的撕除效果,在撕除所述中间段15时能使所述中间段15与所述第一边缘段11以及所述第二边缘段12之间更好地分离开来。
[0039]
请参考图5,在一个优选实施例中,所述盲孔沿垂直于所述分段式保护膜10表面方向的深度h为所述分段式保护膜10厚度d的1/3~2/3。盲孔沿垂直于所述分段式保护膜10表面方向的深度h相对于所述分段式保护膜10厚度d不宜过大也不宜过小,过大则会导致所述分段式保护膜10的各段之间连结性差,过小则会导致各段在需要撕除分离时无法正常分离,造成不良。
[0040]
请同时参考图1与图2,多个所述缺口16可以沿所述第一方向s方向等距设置,且任意两相邻所述缺口16之间的距离l的范围为5mm~25mm。任意两相邻所述缺口16之间的距离l若小于5mm则容易导致所述分段式保护膜10各段之间连结性差,容易在受到外力作用时轻易就发生分离,造成产品不良。若所述距离l大于25mm则容易导致所述分段式保护膜10在需要撕除分离时不易撕除,造成各段之间“藕断丝连”,同样容易造成产品不良。
[0041]
可以理解的,在另一些实施例中,多个所述缺口16也可以沿所述第一方向s方向不等距设置,即,多个所述缺口16任意两相邻所述缺口之间的距离可以相等也可以不相等。但同样的,任意两相邻所述缺口16之间的距离l也需为5mm~25mm以内。
[0042]
请参考图7,在本发明提供的另一实施例中,所述易撕结构19也可以是沿第一方向s延伸的狭槽17,所述狭槽17在所述第一方向s与所述分段式保护膜10同步延伸,即所述分段式保护膜10沿所述第一方向s的皆设有连续的所述狭槽17。将所述易撕结构19设计成沿所述第一方向s的狭槽17,同样也能实现所述多段式保护膜10正常情况下之间连结又能保证需要撕除时轻易分离,同时能够方便加工生产,节约生产成本。
[0043]
在一个优选实施例中,沿垂直于所述分段式保护膜10的方向,所述狭槽17的深度为所述分段式保护膜10的厚度的1/3~2/3。所述狭槽17沿垂直于所述分段式保护膜10方向的深度不宜过深也不宜过浅,过深则无法保证三段之间连结,容易因意外脱落;过浅则会导致在撕膜过程中三段之间不易分离。
[0044]
可以理解的,所述第一边界线13与所述第二边界线14的所述易撕结构19可以相同也可以不同。在一些实施例中,所述易撕结构19可以都为通孔,也可以都为同侧设置的盲
孔,可以为两侧交替设置的盲孔,也可以为狭槽。在另一些实施例中,所述第一边界线13与所述第二边界线14的所述易撕结构19可以分别为上述几种方案的任意组合。本发明的所述易撕结构19旨在需要时方便撕除所述中间段15,对所述第一边界线13与第二边界线14处的所述易撕结构19的具体组合并没有特殊要求,在理解本发明时,不应将本发明局限于上述列举的实施例的方案。可以理解的是,凡是基于本发明的思想所做出的其他易撕结构的替换,都应当视为落入本发明的保护范围内。
[0045]
所述分段式保护膜10的材质可以是pet,pet为最常用做sensor保护膜的材质,其具有成本低廉,易于获取的优点,可在产业上大规模使用。可以理解的是,本发明所述的分段式保护膜10的材质可以为其它材质,如pi(polyimide,聚酰亚胺)、cop(cyclo olefin polymer,环烯烃聚合物)等,本发明对于所述分段式保护膜10的材质的列举,不应理解为对所述材质的限制,凡是在基于本发明思想所采取的其他替代材质,均应视为落入本发明保护范围内。
[0046]
请同时参考图8与图9,在导电膜20的制备过程中需要经过镀膜-光刻工序,会先在具有标靶25的导电膜20上贴一层所述分段式保护膜10。由于镀膜时需要在所述导电膜10的基材(图中未示出)上镀一层导电胶膜,所述导电胶膜会影响所述标靶25的清晰度,从而导致在光刻时光刻机无法抓靶。
[0047]
在对所述导电膜20镀膜之前,先将所述分段式保护膜10的所述中间段15撕除,以裸露出所述导电膜20的光刻区22,而所述导电膜20的所述标靶25所在的非光刻区24依旧被所述分段式导电膜10的所述第一边缘段11与所述第二边缘段12所覆盖。由于有所述第一边缘段11与所述第二边缘段12的保护,在镀膜过程中所述标靶25不会被导电胶膜污染。在镀膜完成后,撕除所述第一边缘段11与所述第二边缘段12,从而裸露出所述标靶25,此时再进行光刻光刻机能够很好地实现抓靶对位,从而提高光刻的精度与避免光刻不良或无法光刻。
[0048]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0049]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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