技术特征：
1.一种亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述亚微米级波导耦合结构包括：硅光芯片、激光器芯片以及硅波导；所述激光器芯片倒装于所述硅光芯片一面的安装槽中；所述激光器芯片包括激光器，所述激光器包括：磷化铟衬底以及形成于所述磷化铟衬底中的多量子阱结构；所述磷化铟衬底的上表面具有凹槽，所述硅光芯片的安装槽中对应设置有与所述凹槽相配合的定位柱；所述磷化铟衬底的端面形成出光端面和划片端面，所述出光端面通过刻蚀方式形成，并与所述划片端面形成台阶结构；所述硅波导位于所述硅光芯片一面上，其端面与所述激光器芯片的出光端面相耦合。2.根据权利要求1所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述安装槽的底部还沉积有一层氮化硅薄膜。3.根据权利要求1所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述安装槽中还设置有焊盘，所述焊盘上溅射有金锡焊料，所述硅光芯片通过其上表面的金属焊盘与所述安装槽中焊盘共晶焊接。4.根据权利要求1所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述定位柱分前后行设置，任一行设置有间隔设置的两个定位柱。5.根据权利要求1所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述出光端面及硅波导与其相耦合的端面均为斜面，所述斜面的倾斜角度为5
‑
15
°
。6.根据权利要求5所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述出光端面及硅波导与其相耦合的端面均沉积有氮化硅薄膜。7.根据权利要求6所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，通过3d有限时域差分算法建立激光器与硅波导的耦合模型，将出光端面、硅波导的耦合端面上氮化硅薄膜的膜厚设置为扫描参数，通过扫描参数计算耦合效率与膜厚对应关系，根据所述对应关系确定氮化硅薄膜厚度的最优值。8.根据权利要求1所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述硅波导的一侧设置有位于所述硅光芯片上的第一对位标记，所述磷化铟衬底的下表面设置有第二对位标记。9.根据权利要求1所述的亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述激光器芯片包括四个并排设置的磷化铟激光器，所述硅光芯片的安装槽内的定位柱按照两行八列的阵列进行排布。
技术总结
本发明提供一种亚微米级波导耦合结构，其包括：硅光芯片、激光器芯片以及硅波导；激光器芯片倒装于硅光芯片一面的安装槽中；激光器芯片包括激光器，激光器包括：磷化铟衬底以及形成于磷化铟衬底中的多量子阱结构；磷化铟衬底的上表面具有凹槽，硅光芯片的安装槽中对应设置有与凹槽相配合的定位柱；磷化铟衬底的端面形成出光端面和划片端面，出光端面通过刻蚀方式形成，并与划片端面形成台阶结构；硅波导位于硅光芯片一面上，其端面与激光器芯片的出光端面相耦合。本发明能够实现硅光芯片、激光器芯片的高效率耦合，通过对硅光芯片、激光器芯片的设计以及精确倒装，能够解决光源与硅基芯片的混合集成问题，工艺简单，适合应用于大批量生产中。量生产中。量生产中。
技术研发人员：李量 沈笑寒 甘飞 陈奔 朱宇
受保护的技术使用者：亨通洛克利科技有限公司
技术研发日：2021.08.20
技术公布日：2021/10/23