显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术是申请日为2017年1月6日、申请号为201710009520.2、题为“显示装置及其制造方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
2.本发明的示例性实施方式涉及显示装置及其制造方法，更具体而言，涉及包括在钝化层的凹入部分处的光阻挡部分的显示装置及其制造方法。


背景技术：

3.基于显示装置的光发射方案，显示装置被分为液晶显示(lcd)装置、有机发光二极管(oled)显示装置、等离子体显示面板(pdp)装置、电泳显示(epd)装置等。
4.在所述类型的显示装置当中，lcd装置包括彼此相对的两个基板、在这两个基板的至少之一上的电极以及在这两个基板之间的液晶层。
5.lcd装置典型地包括在这两个基板的其中之一上的多个薄膜晶体管和像素电极以及在这两个基板的另一个上的多个滤色器、光阻挡部分和公共电极。近来，已经研究了具有阵列上滤色器(coa)结构的显示装置，在其中除公共电极之外，滤色器、光阻挡部分、像素电极等形成在单一基板上。此外，已经研究了具有黑色柱间隔物结构的显示装置，在其中配置为保持这两个基板之间的单元间隙均一的柱间隔物与光阻挡部分一体形成以简化工艺。
6.将理解，技术背景部分旨在提供用于理解此处公开的技术的有用背景并因此在此处被公开，因而，技术背景部分可以包括不是在此处公开的内容的相应有效申请日之前已经被相关领域的普通技术人员知道或了解的部分的概念、原理或认识。


技术实现要素：

7.本发明的示例性实施方式针对一种包括在钝化层的凹入表面区域中的光阻挡部分的显示装置。
8.本发明的示例性实施方式针对一种在其中主柱间隔物和子柱间隔物与光阻挡部分一体形成为整体单元的显示装置。
9.另外，本发明的示例性实施方式针对一种显示装置以及制造该显示装置的方法，在该显示装置中，光阻挡部分具有高精确的图案，其厚度容易确保，并且容易提供主柱间隔物和子柱间隔物之间的高度差。
10.根据本发明的一示例性实施方式，一种显示装置包括：第一基板；在第一基板上的栅线，其中栅线在第一方向上延伸；在第一基板上的数据线，其中数据线在交叉第一方向的第二方向上延伸；薄膜晶体管，连接到栅线和数据线；钝化层，在栅线、数据线和薄膜晶体管上，其中钝化层包括凹入部分；光阻挡部分，在钝化层的凹入部分上；主柱间隔物，其在第三方向上从光阻挡部分突出，其中第三方向垂直于第一和第二方向；以及子柱间隔物，其在第三方向上从光阻挡部分突出，其中子柱间隔物与主柱间隔物间隔开。
11.在一示例性实施方式中，主柱间隔物可以具有相对于光阻挡部分的表面的大于子
柱间隔物的高度的高度。
12.在一示例性实施方式中，光阻挡部分、主柱间隔物和子柱间隔物可以包括彼此相同的材料。
13.在一示例性实施方式中，凹入部分可以具有在光阻挡部分的厚度的大约百分之10(％)至大约200％的范围内的深度。
14.在一示例性实施方式中，光阻挡部分可以具有在大约0.5微米(μm)至大约2.5μm的范围内的厚度。
15.在一示例性实施方式中，凹入部分的至少一部分可以交叠栅线和数据线的至少之一。
16.在一示例性实施方式中，主柱间隔物和子柱间隔物的至少之一可以交叠薄膜晶体管。
17.在一示例性实施方式中，该显示装置还可以包括第一滤色器和第二滤色器，其在第一基板和钝化层之间，其中第二滤色器具有与第一滤色器的颜色不同的颜色。在这样的实施方式中，第一滤色器和第二滤色器可以在第一滤色器和第二滤色器的边界区域中彼此交叠，并且凹入部分的至少一部分可以被限定为交叠在其中第一滤色器和第二滤色器彼此交叠的边界区域。
18.在一示例性实施方式中，该显示装置还可以包括在光阻挡部分上以与第一基板相对的第二基板以及在第一基板和第二基板之间的液晶层。
19.根据本发明的另一示例性实施方式，一种显示装置包括：第一基板；在第一基板上的第一滤色器；在第一基板上的第二滤色器，其中第二滤色器具有与第一滤色器的颜色不同的颜色；在第一滤色器和第二滤色器上的钝化层，其中钝化层包括凹入部分；以及在钝化层的凹入部分上的光阻挡部分。在这样的实施方式中，第一滤色器和第二滤色器在其边界区域中彼此交叠，并且凹入部分的至少一部分交叠在其中第一滤色器和第二滤色器彼此交叠的边界区域。
20.在一示例性实施方式中，凹入部分可以具有在光阻挡部分的厚度的大约10％至大约200％的范围内的深度。
21.在一示例性实施方式中，该显示装置还可以包括：在第一基板和钝化层之间的栅线，其中栅线在第一方向上延伸；在第一基板和钝化层之间的数据线，其中数据线在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及薄膜晶体管，连接到栅线和数据线。在这样的实施方式中，凹入部分的至少一部分可以交叠栅线和数据线的至少之一。
22.在一示例性实施方式中，该显示装置还可以包括：主柱间隔物，其在第三方向上从光阻挡部分突出，其中第三方向垂直于第一和第二方向；以及子柱间隔物，其在第三方向上从光阻挡部分突出，其中子柱间隔物与主柱间隔物间隔开。
23.在一示例性实施方式中，主柱间隔物可以设置为交叠薄膜晶体管。
24.根据本发明的另一示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：在第一基板上提供薄膜晶体管；在薄膜晶体管上提供钝化层，其中钝化层包含凹入部分；在钝化层的凹入部分上提供光阻挡部分；以及在光阻挡部分上提供主柱间隔物和子柱间隔物，其中主柱间隔物从光阻挡部分向上突出，以及子柱间隔物从光阻挡部分向上突出并且与主柱间隔物间隔开。
25.在一示例性实施方式中，提供钝化层可以包括：在薄膜晶体管上涂覆第一光敏成分；在第一光敏成分上设置第一曝光掩模并且通过第一曝光掩模照射光到第一光敏成分；以及在照射光到第一光敏成分上之后，显影第一光敏成分。在这样的实施方式中，第一曝光掩模可以包括透射图案、半透射图案和阻挡图案。
26.在一示例性实施方式中，提供光阻挡部分以及提供主柱间隔物和子柱间隔物可以在相同的工艺中执行。
27.在一示例性实施方式中，提供光阻挡部分以及提供主柱间隔物和子柱间隔物可以包括：在钝化层上涂覆第二光敏成分；在第二光敏成分上设置第二曝光掩模并且通过第二曝光掩模照射光到第二光敏成分；以及在照射所述光到第二光敏成分之后，显影并固化第二光敏成分。在这样的实施方式中，第二曝光掩模可以包括透射图案、第一半透射图案、第二半透射图案和阻挡图案。
28.在一示例性实施方式中，该方法还可以包括在提供钝化层之前，在第一基板上提供滤色器。
29.在一示例性实施方式中，提供滤色器可以包括：在第一基板上提供第一滤色器；以及在第一基板上提供第二滤色器，其中第二滤色器具有与第一滤色器的颜色不同的颜色。在这样的实施方式中，第一滤色器和第二滤色器可以在其边界区域中彼此交叠，并且凹入部分的至少一部分可以被提供为交叠在其中第一滤色器和第二滤色器彼此交叠的边界区域。
30.在一示例性实施方式中，提供薄膜晶体管可以包括：在第一基板上提供栅线，其中栅线在第一方向上延伸并且连接到薄膜晶体管；以及在第一基板上提供数据线，其中数据线在交叉第一方向的第二方向上延伸并且连接到薄膜晶体管。在这样的实施方式中，凹入部分的至少一部分可以交叠数据线和栅线的至少之一。
31.前述仅是说明性的，而不旨在以任何方式限制。除说明性的方面之外，以上描述的实施方式和特征、另外的方面、实施方式和特征将通过参考附图以及以下详细描述变得明显。
附图说明
32.本发明的公开的以上和其它特征将从结合附图的以下详细描述被更清楚地理解，在图中：
33.图1是示出显示装置的一示例性实施方式的平面图；
34.图2是示出图1的像素的一示例性实施方式的平面图；
35.图3是沿图1的线i-i'截取的截面图；
36.图4是示出图2的像素的等效电路图；
37.图5是沿图1的线ii-ii'截取的截面图；
38.图6是示出显示装置的一备选示例性实施方式的截面图；
39.图7是示出显示装置的另一备选示例性实施方式的截面图；
40.图8是示出显示装置的另一备选示例性实施方式的截面图；
41.图9是沿图8的线iii-iii'截取的截面图；以及
42.图10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h和10i是示出制造图1的显示装置的方法的
一示例性实施方式的截面图。
具体实施方式
43.现在，在下文中将参考附图更全面地描述示例性实施方式。虽然本发明能够以各种方式改变并具有若干实施方式，但是多个示例性实施方式在附图中示出并且将主要在说明书中被描述。然而，本发明的范围不限于所述示例性实施方式，而应该被理解为包括在本发明的精神和范围内包括的所有变化、等效物和置换物。
44.在图中，某些元件或形状可以以放大的方式或简化的方式被示出以更好地示出本发明，在实际产品中存在的其它元件也可以被省略。因而，附图旨在促进本发明的理解。
45.当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时，它可以直接在另一层、区域或板上，或可以在其间存在居间层、区域或板。相反地，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板上时，在其间可以不存在居间层、区域或板。此外，当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“下面”时，它可以直接在另一层、区域或板下面，或可以在其间存居间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下面”时，在其间可以不存在居间层、区域或板。
46.为了描述的方便，可以在此使用空间关系术语“在
……
下面”、“在
……
之下”、“下”、“在
……
上方”、“上”等来描述一个元件或部件与另一元件或部件如图中所示的关系。将理解，除了图中所描绘的取向之外，空间关系术语还意欲涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，在图中所示的装置被翻转的情形下，位于另一装置“下面”或“之下”的装置可以被置于所述另一装置“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”可以包括下和上两种位置。该装置还可以在其它方向取向，因而空间关系术语可以取决于所述取向被不同地解释。
47.在整个说明书中，当一元件被称为“连接”到另一元件时，所述元件“直接连接”到另一元件，或者“电连接”到另一元件，其中一个或更多个居间元件插置在其间。在此使用时，单数形式“一”和“该”也旨在包括包含“至少一个”的复数形式，除非上下文以别的方式清楚地表示。“或”意指“和/或”。在此使用时，术语“和/或”包括一个或更多个相关列举项目的任意和所有组合。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包含
……
的”、“包括”和/或“包括
……
的”表明所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
48.将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在此处使用以描述不同的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。因而，以下讨论的“第一元件”可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以被同样地称呼，而不脱离此处的教导。
49.考虑正被讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，在此使用时，“大约”或“大致”包括所述值在内并且意指在如本领域的普通技术人员确定的对于特殊值的可接受偏差范围内。例如，“大约”能够意指在一个或更多标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
50.除非另外限定，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还将理解，术语(诸如在通常使用的字典中所定义的那些)应被理解为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，将不被理解为
理想或过度正式的意义，除非在本说明书中明确限定。
51.与该描述无关的部分的一些可以不被提供，以便明确地描述本发明的实施方式，并且在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。
52.在下文中，将参考图1、2、3和4描述显示装置的一示例性实施方式。
53.图1是示出显示装置的一示例性实施方式的平面图，图2是示出图1的像素的一示例性实施方式的平面图，图3是沿图1的线i-i'截取的截面图，图4是示出图2的像素的等效电路图，图5是沿图1的线ii-ii'截取的截面图。
54.显示装置10的一示例性实施方式可以是液晶显示(lcd)装置。在这样的实施方式中，如图3所示，显示装置10包括第一基板111、与第一基板111相对的第二基板112、以及在第一基板111和第二基板112之间的液晶层lc。
55.然而，本发明的范围不限于lcd装置。在一个备选示例性实施方式中，例如，该显示装置是有机发光二极管(oled)装置。为了描述的方便，在下文，将详细描述其中显示装置是lcd装置的示例性实施方式。
56.显示装置10包括在第一基板111上的多个像素px1和px2。在下文，为了描述的方便，将描述所述像素之一例如像素px1的构造。
57.参考图1和图2，像素px1连接到栅线gl和数据线dl。栅线gl在第一方向上延伸，数据线dl在交叉第一方向的第二方向上延伸。在图1和图2中，第一方向对应于横向方向或水平方向，第二方向对应于纵向方向或竖直方向。
58.像素px1包括第一子像素spx1和第二子像素spx2。第一子像素spx1包括第一薄膜晶体管t1、第一像素电极pe1和第一存储电极ste1。第二子像素spx2包括第二薄膜晶体管t2、第二像素电极pe2、第二存储电极ste2和第三薄膜晶体管t3。
59.第一子像素spx1可以被称为高像素，第二子像素spx2可以被称为低像素。
60.在一示例性实施方式中，如图1所示，在横向方向上延伸的栅线gl以及第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3可以设置在一像素的子像素的边界区域中或在彼此相邻的第一像素电极pe1和第二像素电极pe2之间的区域中。在纵向方向上延伸的数据线dl可以设置在两个相邻像素之间的边界区域中，例如在所述两个相邻像素的第一子像素spx1之间以及在所述两个相邻像素的第二子像素spx2之间的区域中。栅线gl可以交叉数据线dl。
61.第一子像素spx1的第一薄膜晶体管t1包括从栅线gl分支的第一栅电极ge1、交叠第一栅电极ge1的第一半导体层sm1、从数据线dl分支并且交叠第一半导体层sm1的第一源电极se1、以及与第一源电极se1间隔开并且交叠第一半导体层sm1的第一漏电极de1。第一漏电极de1连接到第一像素电极pe1。在一示例性实施方式中，例如，第一漏电极de1朝向第一像素电极pe1延伸并且通过第一接触孔h1电连接到从第一像素电极pe1分支的第一连接电极cne1。
62.第一存储电极ste1连接到在第一方向上延伸的第一存储线sl1。第一像素电极pe1交叠第一存储线sl1和第一存储电极ste1的部分，因而形成第一存储电容器cst1。第一存储电极ste1接收存储电压。
63.第二子像素spx2的第二薄膜晶体管t2包括从栅线gl分支的第二栅电极ge2、交叠第二栅电极ge2的第二半导体层sm2、从数据线dl分支并且交叠第二半导体层sm2的第二源电极se2、以及与第二源电极se2间隔开并且交叠第二半导体层sm2的第二漏电极de2。第二
漏电极de2连接到第二像素电极pe2。在一示例性实施方式中，例如，第二漏电极de2朝向第二像素电极pe2延伸，并且通过第二接触孔h2电连接到从第二像素电极pe2分支的第二连接电极cne2。
64.第二子像素spx2的第三薄膜晶体管t3包括从栅线gl分支的第三栅电极ge3、通过第三接触孔h3电连接到第一存储电极ste1的第三源电极se3、从第二漏电极de2延伸的第三漏电极de3、以及第三半导体层sm3。第三源电极se3和第一存储电极ste1通过第三接触孔h3彼此电连接，并且第三漏电极de3通过第二接触孔h2电连接到第二像素电极pe2。
65.在备选的示例性实施方式中，第三栅电极ge3可以从单独的降压栅线(decompressing gate line)(未示出)分支。
66.第二存储电极ste2连接到在第一方向上延伸的第二存储线sl2。第二像素电极pe2交叠第二存储线sl2和第二存储电极ste2的部分，因而形成第二存储电容器cst2。第二存储电极ste2接收存储电压。
67.第一薄膜晶体管t1可具有与第二薄膜晶体管t2的尺寸相同的尺寸。第三薄膜晶体管t3可具有比第二薄膜晶体管t2的尺寸小的尺寸。
68.参考图3，栅线gl、从栅线gl分支的第一、第二和第三栅电极ge1、ge2和ge3、第一存储线sl1、第一存储电极ste1、第二存储线sl2和第二存储电极ste2设置在第一基板111上。
69.覆盖栅线gl、第一、第二和第三栅电极ge1、ge2和ge3、第一和第二存储线sl1和sl2、以及第一和第二存储电极ste1和ste2的栅绝缘层130设置在第一基板111上或上方。栅绝缘层130可以包括绝缘材料或由绝缘材料形成。在一示例性实施方式中，例如，栅绝缘层130可以包括硅氮化物或硅氧化物。
70.第一、第二和第三半导体层sm1、sm2和sm3设置在栅绝缘层130上。第一、第二和第三半导体层sm1、sm2和sm3可以包括非晶硅或包含从镓(ga)、铟(in)、锡(sn)和锌(zn)中选出的至少一个元素的氧化物半导体，或由之形成。虽然未示出，但是欧姆接触层可以设置在第一、第二和第三半导体层sm1、sm2和sm3上。
71.数据线dl在第二方向上(即，在纵向方向上)延伸，并且设置在栅绝缘层130上。第一、第二和第三源电极se1、se2和se3设置为分别交叠第一、第二和第三半导体层sm1、sm2和sm3的部分，并且第一、第二和第三漏电极de1、de2和de3设置为分别交叠第一、第二和第三半导体层sm1、sm2和sm3的另一部分，从而形成第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3或由此定义第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3。
72.第三薄膜晶体管t3的第三源电极se3通过穿过栅绝缘层130限定的第三接触孔h3电连接到第一存储电极ste1。
73.绝缘夹层169设置为交叠数据线dl以及第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3。绝缘夹层169覆盖第一、第二和第三半导体层sm1、sm2和sm3的暴露的上部分。例如，绝缘夹层169可具有包括硅氧化物、硅氮化物和/或光敏有机材料或硅基低介电常数绝缘材料的单层或多层结构。
74.第一和第二滤色器cf1和cf2以及钝化层175设置在绝缘夹层169上。
75.参考图3，第一和第二滤色器cf1和cf2设置在第一基板111上。第一和第二滤色器cf1和cf2在其边界区域(例如，第一和第二滤色器cf1和cf2的与在其间的边界相邻的区域)中彼此交叠。
76.第一和第二滤色器cf1和cf2设置为交叠第一和第二像素电极pe1和pe2并且配置为给予透射通过像素px1和px2的光颜色。第一滤色器cf1和第二滤色器cf2具有彼此不同的颜色，并且可以均包括红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。第一滤色器cf1和第二滤色器cf2的其中之一可以是白色滤色器。
77.在一示例性实施方式中，显示装置10具有阵列上滤色器(coa)结构，在其中第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3以及第一和第二滤色器cf1和cf2设置在相同的面板(例如下面板)上。
78.钝化层175设置在绝缘夹层169以及第一和第二滤色器cf1和cf2上。钝化层175可具有包括硅氧化物、硅氮化物和/或光敏有机材料或硅基低介电常数绝缘材料的单层结构或多层结构。钝化层175可具有在大约1.0微米(μm)至大约2.5μm的范围内的厚度。
79.钝化层175可以包括凹入部分195。随后将更详细地描述钝化层175的凹入部分195。
80.钝化层175可以包括曝光部分保留且未曝光部分被显影的负型光敏成分，或由之形成。在这样的实施方式中，钝化层175可以包括正型光敏成分，或由正型光敏成分形成。在一示例性实施方式中，例如，钝化层175可以包括光敏有机材料或由光敏有机材料形成。在这样的实施方式中，其中钝化层175包括光敏有机材料，钝化层175可以被称为有机层。
81.钝化层175配置为平坦化第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3的上部分以及第一和第二滤色器cf1和cf2的上部分。因此，钝化层175也可以被称为平坦化层。
82.在一示例性实施方式中，一部分绝缘夹层169和一部分钝化层175被去除，从而限定或形成暴露一部分第一漏电极de1的第一接触孔h1以及暴露一部分第二漏电极de2的第二接触孔h2。
83.第一像素电极pe1和第二像素电极pe2设置在钝化层175上。第一像素电极pe1通过第一接触孔h1电连接到第一漏电极de1。第二像素电极pe2通过第二接触孔h2电连接到第二漏电极de2。
84.参考图1和图2，第一和第二像素电极pe1和pe2分别包括十字形主干部分以及分别从所述主干部分延伸的多个分支部分。
85.第一和第二像素电极pe1和pe2可以包括透明导电材料，或由透明导电材料形成。在一示例性实施方式中，例如，第一和第二像素电极pe1和pe2可以包括透明导电材料诸如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟锡锌氧化物(itzo)、铝锌氧化物(azo)等，或由之形成。
86.光阻挡部分190设置在钝化层175的凹入部分195上，例如在由钝化层175的凹入表面限定的空间内，并且主柱间隔物191和子柱间隔物192设置在光阻挡部分190上。
87.随后将更详细地描述光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192。
88.虽然未示出，但是下配向层可以设置在第一和第二像素电极pe1和pe2以及光阻挡部分190上方。下配向层可以是垂直配向层，并且可以包括光敏材料。
89.第二基板112是包括诸如玻璃或塑料的透明材料的绝缘基板。
90.公共电极ce设置在第二基板112上。公共电极ce可以包括例如ito、azo或透明导电氧化物(tco)，或由之形成。
91.虽然未示出，但是上配向层可以设置在公共电极ce上方。上配向层可以包括与以
上描述的下配向层中包括的材料相同的材料，或由之形成。
92.虽然未示出，但是在彼此面对的第一基板111的表面和第二基板112的表面，例如第一和第二基板111和112的内表面，分别被定义为对应基板的上表面，并且与该上表面相反的表面，例如第一和第二基板111和112的外表面，分别被定义为对应基板的下表面的情形下，偏振器可以分别设置在第一基板111的下表面和第二基板112的下表面上。
93.液晶层lc设置于由主柱间隔物191和子柱间隔物192确保的在第一基板111和第二基板112之间限定的空间中。
94.液晶层lc可以包括液晶分子。液晶层lc的液晶分子可具有其中其长轴或纵轴平行于第一基板111和第二基板112的其中之一排列的结构，并且该方向从第一基板111的配向层的摩擦方向到第二基板112螺旋扭转大约90度。备选地，液晶层lc可以包括垂直液晶分子。
95.在下文中，将参考图4描述像素的操作。图4是图2的像素px1的等效电路图。图1中示出的像素可以均以相同的方式被驱动。
96.参考图4，像素px1的一示例性实施方式包括第一子像素spx1和第二子像素spx2。
97.第一子像素spx1包括第一薄膜晶体管t1、第一液晶电容器clc1和第一存储电容器cst1。第一薄膜晶体管t1包括连接到栅线gl的第一栅电极ge1、连接到数据线dl的第一源电极se1、以及连接到第一液晶电容器clc1和第一存储电容器cst1的第一漏电极de1。
98.如在上文描述的，第一薄膜晶体管t1的第一漏电极de1连接到第一像素电极pe1。第一液晶电容器clc1由第一像素电极pe1和公共电极ce以及在其间的液晶层lc限定。第一像素电极pe1交叠第一存储线sl1的部分和第一存储电极ste1的部分，因而限定或形成第一存储电容器cst1。
99.第二子像素spx2包括第二薄膜晶体管t2、第三薄膜晶体管t3、第二液晶电容器clc2和第二存储电容器cst2。第二薄膜晶体管t2包括连接到栅线gl的第二栅电极ge2、连接到数据线dl的第二源电极se2、以及连接到第二液晶电容器clc2和第二存储电容器cst2的第二漏电极de2。
100.如在上文描述的，第二薄膜晶体管t2的第二漏电极de2连接到第二像素电极pe2。第二液晶电容器clc2由第二像素电极pe2和公共电极ce以及在其间的液晶层lc限定。第二像素电极pe2交叠第二存储线sl2的部分和第二存储电极ste2的部分，因而限定或形成第二存储电容器cst2。
101.第三薄膜晶体管t3包括连接到与其相应的栅线gl的第三栅电极ge3、接收存储电压vcst的第三源电极se3、以及连接到第二像素电极pe2的第三漏电极de3，其中第二薄膜晶体管t2的第二漏电极de2连接到该第二像素电极pe2。
102.如在上文描述的，第三源电极se3电连接到第一存储电极ste1，由此接收存储电压vcst。公共电极ce接收公共电压vcom，第一和第二存储线sl1和sl2接收存储电压vcst。
103.第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3通过经栅线gl施加的栅信号导通。
104.数据电压通过导通的第一薄膜晶体管t1被施加到第一子像素spx1。在一示例性实施方式中，例如，经数据线dl施加的数据电压通过导通的第一薄膜晶体管t1被施加到第一子像素spx1的第一像素电极pe1。
105.对应于数据电压的第一像素电压被充入第一液晶电容器clc1。在一示例性实施方
式中，例如，对应于施加到第一像素电极pe1的数据电压和施加到公共电极ce的公共电压vcom之间的电压电平差的第一像素电压被充到第一液晶电容器clc1。因此，第一像素电压被充到第一子像素spx1。
106.数据电压通过导通的第二薄膜晶体管t2被施加到第二子像素spx2，存储电压vcst通过导通的第三薄膜晶体管t3被施加到第二子像素spx2。
107.数据电压的电压电平的范围被设为比存储电压vcst的电压电平的范围宽。公共电压vcom可以被设为具有在数据电压的电压电平的范围内的中间值。数据电压和公共电压之间的电压电平差的绝对值可以被设为大于存储电压vcst和公共电压vcom之间的电压电平差的绝对值。
108.第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3之间的接触点的电压是被第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3导通时的电阻态的电阻值除的电压。也就是，第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3之间的接触点的电压具有在通过导通的第二薄膜晶体管t2施加的数据电压与通过导通的第三薄膜晶体管t3施加的存储电压vcst之间的大约中间值的电压电平。第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3之间的接触点的电压被施加到第二像素电极pe2。也就是，对应于数据电压和存储电压vcst之间的大约中间值的电压被施加到第二像素电极pe2。
109.对应于施加到第二像素电极pe2的电压和施加到公共电极ce的公共电压vcom之间的电压电平差的第二像素电压被充到第二液晶电容器clc2。也就是，具有比第一像素电压的电压电平低的电压电平的第二像素电压被充到第二液晶电容器clc2。因此，具有比第一像素电压的电压电平低的电压电平的第二像素电压被充到第二子像素spx2。
110.通过以前述方式执行的操作，观看者可以感知对应于被充到像素px1的第一像素电压与第二像素电压之间的中间值的灰度级。
111.在下文，将详细描述凹入部分195、光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192。
112.凹入部分195被限定在钝化层175中。参考图1和3，当从显示装置10的厚度方向上的平面图看时，凹入部分195被限定为交叠栅线gl、第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3以及数据线dl。然而，示例性实施方式不限于此，凹入部分195可以被限定在另一区域中。
113.因为钝化层175具有第一和第二接触孔h1和h2以及凹入部分195，所以钝化层175具有三个台阶差。在一示例性实施方式中，钝化层175可以在使用光敏成分和三色调掩模的光刻方法中形成，该三色调掩模具有每个均具有不同透光率的三个部分。随后将更详细描述形成钝化层的方法的一示例性实施方式。
114.参考图2、3和10e，第一和第二接触孔h1和h2被限定在凹入部分195中。在一示例性实施方式中，其中第一和第二接触孔h1和h2被限定在凹入部分195中，与其中接触孔h1和h2被限定在钝化层175的除凹入部分195以外的部分中的情形相比，接触孔h1和h2的深度减小了凹入部分195的深度d1。因此，与其中第一和第二接触孔h1和h2形成在钝化层175的除凹入部分195以外的部分中的情形相比，第一和第二接触孔h1和h2的上部分可以在凹入部分195中具有相对小的直径，并且可以以高的精确度形成精细结构。
115.光阻挡部分190设置在钝化层175的凹入部分195上。
116.主柱间隔物191和子柱间隔物192从光阻挡部分190向上(例如，在垂直于第一和第
二方向的方向上)突出，以设置在光阻挡部分190上。
117.主柱间隔物191和子柱间隔物192可以包括与光阻挡部分190中包括的材料相同的材料，或者备选地，可以包括与光阻挡部分190中包括的材料不同的材料。在一示例性实施方式中，光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192使用相同的材料一体形成为单一的整体单元。在这样的示例性实施方式中，可以应用光刻方法。
118.其中主柱间隔物191和子柱间隔物192同时形成为整体结构的结构被称为黑色柱间隔物结构。在一示例性实施方式中，显示装置10具有黑色柱间隔物结构。
119.在这样的实施方式中，光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192可以包括其未曝光的部分被显影的负型光敏成分，或由之形成。在光阻挡部分190的形成中使用的光敏成分可以包括例如粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、颜料、分散剂或光引发剂。颜料可以包括黑色颜料、黑色树脂等，例如碳黑。在下文，光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192的光敏成分将被称为“光阻挡材料”。
120.光阻挡部分190设置在除了第一和第二像素电极pe1和pe2以外的部分中，并且可以交叠第一和第二像素电极pe1和pe2的边缘部分的一部分。在一备选的示例性实施方式中，光阻挡部分190可以不交叠第一和第二像素电极pe1和pe2。
121.光阻挡部分190有效地防止从背光单元(未示出)施加的光向外部透射，并且进一步防止外部光照射到栅线gl、数据线dl以及第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3。光阻挡部分190也被称为黑矩阵。
122.参考图1和3，光阻挡部分190设置在栅线gl、第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3以及数据线dl上方。因此，光阻挡部分190可具有沿栅线gl和数据线dl设置的网孔状平坦表面。在这样的实施方式中，光阻挡部分190可具有网孔状图案。然而，示例性实施方式不限于此，备选地，光阻挡部分190可以仅设置在栅线gl上方。在这样的实施方式中，光阻挡部分190可具有线形形状。
123.在一示例性实施方式中，因为光阻挡部分190在凹入部分195上，所以可以允许光阻挡部分190的厚度增加达凹入部分195的深度。这里，凹入部分195的深度被限定为凹入部分的上表面相对于在附近相邻的钝化层的非凹入部分的深度或水平差。
124.如果光阻挡部分190的厚度相当小，则光阻挡材料可能在形成光阻挡部分190的工艺中没有充分地交联，因而可能发生由于从粘着物剥离而引起的光阻挡材料的缺陷。根据一示例性实施方式，光阻挡部分190的厚度可以被充分地确保从而可以有效地防止光阻挡材料的剥离缺陷。
125.在这样的实施方式中，其中光阻挡部分190的厚度增加，光阻挡部分190的光阻挡能力可以增强。
126.在这样的实施方式中，凹入部分195限定光阻挡部分190的位置。因此，光阻挡部分190的对准准确度可以通过凹入部分195提高。
127.在这样的实施方式中，凹入部分195可以用作光阻挡材料的屏障(dam)。典型地，在形成光阻挡部分190的图案使用光阻挡材料形成之后，光阻挡材料被固化以形成光阻挡部分190。在这样的实施方式中，一部分光阻挡材料可具有流动性以在固化工艺中在其周围分散，这可以被称为“回流”。根据一示例性实施方式，凹入部分195用作屏障从而可以有效地防止回流的光阻挡材料被分散到另一部分。因此，光阻挡部分190的图案的准确度可以增
强。在采用凹入部分195和光阻挡部分190的一示例性实施方式中，显示装置可以实现高分辨率。
128.在其中光阻挡部分190设置在凹入部分195上的一示例性实施方式中，光阻挡部分190可以不在注入液晶的工艺中实质上妨碍液晶的流动。
129.光阻挡部分190的厚度t1可以大于或小于凹入部分195的深度d1。在图3中，光阻挡部分190的厚度t1被描绘成大于凹入部分195的深度d1，但是示例性实施方式不限于此。
130.凹入部分195可具有是光阻挡部分190的厚度t1的大约百分之10(％)至大约200％的深度d1。这里，光阻挡部分190的厚度t1由在(例如除接触孔h1和h2中的部分之外的)凹入部分195上的部分的厚度限定。在一示例性实施方式中，凹入部分195可具有在大约0.2微米(μm)至大约2μm的范围内的深度d1。在一示例性实施方式中，例如，凹入部分195可具有在大约0.5μm至大约1.0μm的范围内的深度d1。
131.光阻挡部分190可具有在大约0.5μm至大约2.5μm的范围内的厚度t1。在一示例性实施方式中，例如，光阻挡部分190可具有在大约0.5μm至大约1.5μm的范围内的厚度t1。
132.主柱间隔物191和子柱间隔物192彼此间隔开并且具有相对于光阻挡部分190的一表面(例如上表面)的高度差。主柱间隔物191相对于光阻挡部分190的该表面的高度h1大于子柱间隔物192相对于该表面的高度h2。
133.主柱间隔物191主要支撑第一基板111和第二基板112以确保空间。子柱间隔物192辅助地支撑第一基板111和第二基板112。主柱间隔物191和子柱间隔物192将第一基板111和第二基板112之间的间隙保持为实质上均一的，从而提高显示装置10的操作特性。
134.在一示例性实施方式中，例如，显示装置10的第一基板111和第二基板112之间的间隙被称为单元间隙，该单元间隙影响显示装置10的操作特性，诸如响应速度、对比度、视角和亮度均匀度。因此，期望地是保持第一基板111和第二基板112之间的整个区域的均一的单元间隙，使得可以在显示装置10的整个表面显示均一的图像。
135.参考图3，钝化层175和公共电极ce之间的间隙可以被定义为单元间隙。单元间隙可以在大约3μm至大约4μm的范围内，例如在大约3.2μm至大约3.4μm的范围内。
136.光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192可具有彼此不同且在单元间隙的高度的范围内(也就是，大约3μm至大约4μm，例如大约3.2μm至大约3.4μm)的高度。当光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192的高度在大约3μm至大约4μm的范围内时，在具有彼此不同的高度的光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192的形成中期望更精确的图案化。
137.根据一示例性实施方式，主柱间隔物191和子柱间隔物192设置在钝化层175的凹入部分195上。在这样的实施方式中，在其中设置主柱间隔物191和子柱间隔物192的空间被增大了凹入部分195的深度。因此，可以容易地提供主柱间隔物191和子柱间隔物192之间的高度差。
138.在一示例性实施方式中，光阻挡材料被涂覆在钝化层175上，并且光阻挡材料以选择性方式被曝光和显影，从而形成光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192。在这样的实施方式中，设置在一部分钝化层175上以与主柱间隔物191和子柱间隔物192一起形成的光阻挡材料具有比其另一部分的厚度大的厚度(参考图10h)。在这样的实施方式中，使用具有相对大的厚度的光阻挡材料执行图案化，从而可以确保主柱间隔物191和子柱间隔
物192之间的高度差相对大，因而主柱间隔物191和子柱间隔物192可以相对容易地形成。
139.在一示例性实施方式中，可以使用具有相对高的透光率的光阻挡材料以使得基于光强度的曝光水平的差异被清楚地区分开。
140.根据一示例性实施方式，可以使用具有相对高的透光率的光阻挡材料。在一示例性实施方式中，例如，包括相对低含量的诸如碳黑的黑色颜料的光阻挡材料可以用于形成光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192。根据一示例性实施方式，可以使用对于大约1μm的厚度相对于具有大约365纳米(nm)的波长的光(例如i-线)具有小于大约2(例如小于大约1.3)的光密度的光敏材料。
141.根据一示例性实施方式，因为光阻挡部分190可具有相对大的厚度，所以即使使用具有相对高的透光率的光阻挡材料，光阻挡部分190的光阻挡能力也可以不退化。在这样的实施方式中，因为使用具有相对高的透光率的光阻挡材料，所以可以容易地确保主柱间隔物191和子柱间隔物192之间的高度差。
142.主柱间隔物191可具有相对于光阻挡部分190的表面的在大约2μm至大约4μm的范围内的高度。在一个示例性实施方式中，例如，主柱间隔物191可具有相对于光阻挡部分190的表面的在大约2.5μm至大约3.5μm的范围内的高度。
143.子柱间隔物192可具有相对于光阻挡部分190的表面的在大约1μm至大约3.5μm的范围内的高度。在一个示例性实施方式中，例如，子柱间隔物192可具有相对于光阻挡部分190的表面的在大约1.5μm至大约3μm的范围内的高度。
144.主柱间隔物191和子柱间隔物192的至少一个可以交叠第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3的至少一个。在一示例性实施方式中，如图1和3所示，主柱间隔物191可以设置为交叠第三薄膜晶体管t3，子柱间隔物192可以设置为交叠第一薄膜晶体管t1。
145.参考图5，凹入部分195可以被限定在数据线dl上。在这样的实施方式中，凹入部分195的底表面和数据线dl之间的距离可以在大约1.5μm至大约5μm的范围内。在一个示例性实施方式中，例如，凹入部分195的底表面和数据线dl之间的距离可以在大约2μm至大约3μm的范围内。
146.参考图5，第一和第二像素电极pe1和pe2设置在钝化层175的表面的高于凹入部分195的凸起部分上。因此，即使凹入部分195形成在钝化层175中，数据线dl与第一和第二像素电极pe1和pe2之间的远离空间也可以被充分地确保，因而可能由于第一和第二像素电极pe1和pe2之间的交互作用而发生的电阻-电容(r-c)延迟可以被显著地减小或防止。
147.在一示例性实施方式中，参考图3和5，第一滤色器cf1和第二滤色器cf2设置在钝化层175下面，例如，在第一基板111和钝化层175之间，并且第一滤色器cf1和第二滤色器cf2在第一滤色器cf1和第二滤色器cf2之间的边界区域处彼此交叠。凹入部分195可以被限定在第一滤色器cf1和第二滤色器cf2之间的交叠区中。然而，示例性实施方式不限于此，备选地，凹入部分195和光阻挡部分190可以不被提供在第一滤色器cf1和第二滤色器cf2之间的交叠区中。
148.在下文，将参考图6描述一备选示例性实施方式。图6是示出显示装置的一备选示例性实施方式的截面图。
149.在一示例性实施方式中，如图6所示，显示装置20包括第一基板111、在第一基板111上的第一滤色器cf1、设置在第一基板111上并且包括不同于第一滤色器cf1的颜色的颜
色的第二滤色器cf2、设置在第一滤色器cf1和第二滤色器cf2上并且具有凹入部分195的钝化层175、以及在钝化层175的凹入部分195上的光阻挡部分190。第一滤色器cf1和第二滤色器cf2在其边界区域中彼此交叠，并且凹入部分195沿第一滤色器cf1和第二滤色器cf2的交叠区设置。
150.参考图6，凹入部分195具有深度d2，并且在凹入部分195上的光阻挡部分190具有厚度t2。凹入部分195的深度d2可以大于或等于光阻挡部分190的厚度t2。也就是，凹入部分195的深度d2和光阻挡部分190的厚度t2可以满足以下不等式：d2≥t2。
151.在下文，将参考图7描述另一备选示例性实施方式。
152.图7是示出显示装置的另一备选示例性实施方式的截面图。在这样的实施方式中，显示装置30是lcd装置，并且具有与以上参考图1至5描述的显示装置10的示例性实施方式的构造实质上相同的构造，除了第一和第二滤色器cf1和cf2设置在第二基板112上之外。在图7中显示的相同或相似元件用与以上用来描述图1至图5中显示的显示装置的示例性实施方式相同的附图标记标注，在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
153.在这样的实施方式中，显示装置30包括第一基板111、第二基板112和液晶层lc。
154.在这样的实施方式中，第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3、钝化层175、第一像素电极pe1、第二像素电极pe2、光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192设置在第一基板111上。
155.在这样的实施方式中，滤色器cf1和cf2、外涂层115和公共电极ce设置在第二基板112上。
156.滤色器cf1和cf2分别设置在像素px1和px2的上部分上。每个滤色器cf1和cf2可以包括红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。
157.外涂层115设置在滤色器cf1和cf2上方。外涂层115平坦化在下面的表面，例如滤色器cf1和cf2的上部分，并保护滤色器cf1和cf2。
158.公共电极ce设置在外涂层115上。
159.液晶层lc设置在第一基板111和第二基板112之间。
160.在下文，将参考图8和9描述另一备选示例性实施方式。
161.图8是示出显示装置的另一备选示例性实施方式的截面图，图9是沿图8的线iii-iii'截取的截面图。
162.在图8中显示的显示装置40的示例性实施方式是lcd装置。在图8中显示的显示装置40的示例性实施方式包括第一基板111、与第一基板111相对的第二基板112、以及在第一基板111和第二基板112之间的液晶层lc。
163.参考图8和9，显示装置40的一示例性实施方式包括多个像素px1、px2和px3。每个像素px1、px2和px3包括像素电极pe。
164.第一基板111是包括塑料或透明玻璃例如钠钙玻璃或硼硅酸盐玻璃的绝缘基板。
165.传输栅信号的栅线gl设置在第一基板111上。栅线gl在一方向上，例如在横向方向或第一方向上延伸。栅电极ge在第二方向上从栅线gl突出。
166.栅绝缘层130设置在第一基板111、栅线gl和栅电极ge上。
167.用于形成薄膜晶体管t的沟道的半导体层sm设置在栅绝缘层130上。半导体层sm的至少一部分交叠栅电极ge。
168.数据线dl设置在栅绝缘层130上。数据线dl设置为交叉栅线gl。在一个示例性实施方式中，例如，数据线dl在纵向方向或第二方向上延伸。
169.源电极se从数据线dl分支并且延伸到半导体层sm的上部分上。漏电极de与源电极se间隔开，并且相对于薄膜晶体管t的沟道区域而与源电极se相对从而设置在半导体层sm上方。
170.栅电极ge、源电极se、漏电极de和半导体层sm共同地限定薄膜晶体管t。
171.绝缘夹层169设置在薄膜晶体管t上。
172.第一滤色器(未示出)、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3设置在绝缘夹层169上。在这样的实施方式中，第一滤色器(未示出)可以是红色滤色器，第二滤色器cf2可以是绿色滤色器，第三滤色器cf3可以是蓝色滤色器。滤色器可以包括白色滤色器(未示出)。
173.每个第二和第三滤色器cf2和cf3可以交叠薄膜晶体管t，或者备选地可以不交叠薄膜晶体管t。参考图9，每个第二和第三滤色器cf2和cf3设置在不交叠薄膜晶体管t的区域中。参考图9，第二滤色器cf2和第三滤色器cf3在其边界区域中彼此交叠。
174.钝化层175设置在绝缘夹层169以及第二和第三滤色器cf2和cf3上。钝化层175可具有包括例如硅氧化物、硅氮化物、光敏有机材料或具有低介电常数(低k)的硅基绝缘材料的单层结构或多层结构。
175.在一示例性实施方式中，暴露一部分漏电极de的接触孔被限定在绝缘夹层169和钝化层175中。在一个示例性实施方式中，例如，一部分绝缘夹层169和一部分钝化层175被去除从而限定接触孔。
176.像素电极pe设置在钝化层175上。像素电极pe通过接触孔电连接到漏电极de。
177.钝化层175具有至少一个凹入部分195。
178.参考图8和9，凹入部分195位于栅线gl、薄膜晶体管t和数据线dl之上。当从在显示装置40的厚度方向上的平面图看时，凹入部分195交叠栅线gl、薄膜晶体管t和数据线dl。
179.光阻挡部分190设置在凹入部分195上。主柱间隔物191和子柱间隔物192从光阻挡部分190向上突出以设置在光阻挡部分190上。
180.光阻挡部分190设置在非像素区域中，例如除了像素电极pe以外的区域中，并且可以交叠像素电极pe的边缘部分的一部分。备选地，光阻挡部分190可以不交叠像素电极pe。在一个示例性实施方式中，例如，光阻挡部分190可具有沿栅线gl和数据线dl的网结构的平坦表面，即，可具有网状图案。
181.在一备选的示例性实施方式中，光阻挡部分190可以仅设置在栅线gl之上。在这样的实施方式中，凹入部分195可以位于栅线gl上方或定位成仅交叠栅线gl。
182.主柱间隔物191和子柱间隔物192从光阻挡部分190向上突出。主柱间隔物191和子柱间隔物192之间具有高度差并且彼此间隔开。相对于光阻挡部分190的表面，主柱间隔物191具有比子柱间隔物192的高度大的高度。
183.根据一示例性实施方式，光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192包括相同的材料并且在相同的工艺中形成。
184.第二基板112是包括透明玻璃或塑料的绝缘基板，或由透明玻璃或塑料形成。
185.公共电极ce设置在第二基板112上。
186.液晶层lc设置在第一基板111和第二基板112之间的由主柱间隔物191和子柱间隔
物192确保的空间中。
187.在下文，将参考图10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h和10i描述在图1中显示的显示装置10的制造方法的一示例性实施方式。图10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h和10i是示出制造图1的显示装置10的方法的一示例性实施方式的截面图。
188.参考图10a，第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3被提供或形成在第一基板111上，该第一基板111包括例如透明玻璃或塑料，或使用例如透明玻璃或塑料形成。
189.在一示例性实施方式中，例如，栅线gl以及第一、第二和第三栅电极ge1、ge2和ge3被提供或形成在第一基板111上。在这样的实施方式中，第一和第二存储线sl1和sl2以及第一和第二存储电极ste1和ste2被提供或形成在第一基板111上。
190.栅绝缘层130提供或形成在第一基板111上以覆盖栅线gl、第一、第二和第三栅电极ge1、ge2以及ge3、第一和第二存储线sl1和sl2、以及第一和第二存储电极ste1和ste2。
191.分别交叠至少部分的第一、第二和第三栅电极ge1、ge2和ge3的第一、第二和第三半导体层sm1、sm2和sm3被提供或形成在栅绝缘层130上。
192.在这样的实施方式中，交叉栅线gl的数据线dl提供或形成在栅绝缘层130上。第一、第二和第三源电极se1、se2和se3以及第一、第二和第三漏电极de1、de2和de3提供或形成在栅绝缘层130上。
193.参考图10b，绝缘夹层169提供或形成在栅绝缘层130以及第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3上，并且第一和第二滤色器cf1和cf2提供或形成在绝缘夹层169上。每个第一和第二滤色器cf1和cf2可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的其中之一。
194.在一示例性实施方式中，提供第一和第二滤色器cf1和cf2的工艺可以包括在第一基板111的绝缘夹层169上提供第一滤色器cf1以及在第一基板111的绝缘夹层169上提供第二滤色器cf2，该第二滤色器cf2具有与第一滤色器cf1的颜色不同的颜色。在这样的实施方式中，第一滤色器cf1和第二滤色器cf2在其边界区域中彼此交叠。
195.参考图10c，用于形成钝化层的第一光敏成分171被涂覆在第一、第二和第三薄膜晶体管t1、t2和t3以及第一和第二滤色器cf1和cf2上。
196.第一光敏成分171是其中曝光部分保留且未曝光部分被显影的负型光敏树脂成分。通过第一光敏成分171形成的钝化层175是有机层。
197.然而，示例性实施方式不限于此，备选地，其相对于显影液的可溶性通过光照射而增加的正型光敏树脂成分可以被用作第一光敏成分171。
198.例如，第一光敏成分可以包括粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、分散剂和光引发剂。
199.参考图10d，第一曝光掩模401设置在第一光敏成分171上方以与第一光敏成分171间隔开，并且光l通过第一曝光掩模401被照射到第一光敏成分171以执行曝光。
200.第一曝光掩模401包括在透明基底410上的透射图案420、半透射图案430和阻挡图案440。第一曝光掩模401是三色调掩模。
201.第一曝光掩模401的阻挡图案440设置在第一光敏成分171的将被提供为第一和第二接触孔h1和h2的区域上方或设置为交叠第一光敏成分171的将被提供为第一和第二接触孔h1和h2的区域，半透射图案430设置在第一光敏成分171的将被提供为钝化层175的凹入
部分195的区域上方，透射图案420设置在除了将被提供为第一和第二接触孔h1和h2以及凹入部分195的区域之外的区域上方。
202.第一曝光掩模401的透射图案420可具有大约百分之95(％)或更高的透光率，阻挡图案440可具有大约5％或更低的透光率，并且半透射图案430可具有在大约50％至大约60％的范围内的透光率。透射图案420、阻挡图案440和半透射图案430的透光率可以基于第一光敏成分171的种类而变化。
203.基于第一光敏成分171的种类，透射图案420可具有在大约90％至大约100％的范围内的透光率，阻挡图案440可具有在大约0％至大约1％的范围内的透光率，半透射图案430可具有在大约30％至大约40％的范围内的透光率。在一备选的示例性实施方式中，半透射图案430可具有在大约60％至大约70％的范围内的透光率。
204.半透射图案430和阻挡图案440可以通过涂覆光阻挡材料形成。在一个示例性实施方式中，例如，半透射图案430的透光率可以通过调整设置在透明基底410上的光阻挡材料的浓度而被控制。
205.在一示例性实施方式中，半透射图案430可具有其中透射部分和光阻挡狭缝(未示出)交替地设置的结构。在这样的实施方式中，半透射图案430的透光率可以通过调整透射部分和光阻挡狭缝之间的距离而被控制。
206.参考图10e，被曝光的第一光敏成分171可以通过显影液被显影并被固化，从而形成钝化层175。
207.在一示例性实施方式中，第一光敏成分171和绝缘夹层169的在第一曝光掩模401的阻挡图案440下面的部分被去除，从而形成分别暴露第一和第二漏电极de1和de2的部分的第一和第二接触孔h1和h2。在这样的实施方式中，第一光敏成分171的在第一曝光掩模401的半透射图案430下面的部分被部分地去除，从而限定具有深度d1的凹入部分195。凹入部分195可以沿栅线gl和数据线dl形成或限定，并且可以形成或限定在第一滤色器cf1和第二滤色器cf2的交叠区中。
208.参考图10f，通过第一接触孔h1电连接到第一漏电极de1的第一像素电极pe1被提供或形成在钝化层175上，并且通过第二接触孔h2电连接到第二漏电极de2的第二像素电极pe2被提供或形成在其上。
209.参考图10g，用于形成光阻挡部分的第二光敏成分199被涂覆在钝化层175以及第一和第二像素电极pe1和pe2上。第二光敏成分199包括负型光敏树脂成分。第二光敏成分199可以包括例如粘合剂树脂、可聚合单体、可聚合低聚物、颜料、分散剂和光引发剂。颜料可以包括黑色颜料、黑色树脂等，例如碳黑。第二光敏成分199包括光阻挡材料以将光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192一体形成为整体单元。
210.参考图10h，第二曝光掩模501设置在第二光敏成分199上方以与第二光敏成分199间隔开，并且光l通过第二曝光掩模501被照射到第二光敏成分199从而可以执行曝光。
211.第二曝光掩模501包括在透明基底510上的透射图案520、第一半透射图案530、第二半透射图案540和阻挡图案550。第二曝光掩模501是具有互相不同的透光率的四色调掩模。
212.第二曝光掩模501的透射图案520设置在将被提供为主柱间隔物191的区域上方或与之交叠，第一半透射图案530设置在将被提供为子柱间隔物192的区域上方或与之交叠，
第二半透射图案540设置在除了将被提供为主柱间隔物191的区域和将被提供为子柱间隔物192的区域之外的将被提供为光阻挡部分190的区域上方或与之交叠，阻挡图案550设置在将被提供为第一和第二像素电极pe1和pe2的区域上方或与之交叠。
213.第二曝光掩模501的透射图案520可具有大约95％或更高的透光率，阻挡图案550可具有大约5％或更低的透光率，第一半透射图案530可具有在大约60％至大约70％的范围内的透光率，第二半透射图案540可具有在大约30％至大约40％的范围内的透光率。
214.第二曝光掩模501的透射图案520、阻挡图案550、第一半透射图案530和第二半透射图案540的透光率可以基于光阻挡部分190的厚度t1和第二光敏成分199的种类而变化。在一个示例性实施方式中，例如，透射图案520可具有大约100％的透光率，阻挡图案550可具有在大约0％至大约1％的范围内的透光率，第一半透射图案530可具有在大约50％至大约60％的范围内的透光率，第二半透射图案540可具有在大约20％至大约30％的范围内的透光率。
215.第一半透射图案530和第二半透射图案540的透光率可以通过调整光阻挡材料的浓度而被控制。在一示例性实施方式中，第一半透射图案530和第二半透射图案540可具有其中透射部分和光阻挡狭缝(未示出)交替地设置的结构。在这样的实施方式中，第一半透射图案530和第二半透射图案540的透光率可以通过调整透射部分和光阻挡狭缝之间的距离而被控制。
216.当第二曝光掩模具有四种图案时，在各图案的透光率之间的差异范围方面存在限制。因此，在使用四色调掩模的情形下，在曝光工艺中，与各图案对应的区域的曝光程度之间的差异相对较小，因而期望第二光敏成分199具有相对高的光敏度以有效地执行曝光工艺。在一示例性实施方式中，光阻挡材料，其具有低含量黑色颜料诸如碳黑以具有关于光强度差异的高灵敏度，可以被用作第二光敏成分199。在这样的实施方式中，光阻挡部分190的厚度足够大或者被充分地确保以使得光阻挡部分190可以有效地执行光阻挡功能。
217.参考图10i，被曝光的第二光敏成分199通过显影液被显影并被固化，从而形成光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192。
218.在一个示例性实施方式中，例如，在用于形成光阻挡部分190的图案通过显影形成之后，用于形成光阻挡部分190的图案的光阻挡材料被固化，从而提供光阻挡部分190。在这样的实施方式中，可能在固化工艺中发生回流，也就是，其中光阻挡材料的一部分具有流动性以被分散到周围区域的现象。在这样的实施方式中，凹入区域195用作屏障从而有效地防止回流的光阻挡材料被分散到另一区域。因此，可以提高光阻挡部分190的图案精确的程度。
219.在一示例性实施方式中，第二基板112被提供或设置在光阻挡部分190、主柱间隔物191和子柱间隔物192上以与第一基板111相对，并且液晶层lc被提供或设置在第一基板111和第二基板112之间。
220.在一示例性实施方式中，公共电极ce被提供或形成在第二基板112上，液晶层lc设置在第一基板111上，第一基板111和第二基板112彼此接合，由此提供在图3中示出的显示装置10。
221.根据这里阐述的一个或多个示例性实施方式，光阻挡部分、主柱间隔物和子柱间隔物设置在凹入部分上，从而可以容易地确保光阻挡部分的厚度。在这样的实施方式中，在
用于形成主柱间隔物和子柱间隔物的光阻挡材料中的颜料或染料的含量可以减小，在光刻工艺中图案精确度的程度可以提高，并且操作特性可以改善。在这样的实施方式中，可以稳定地保证主柱间隔物和子柱间隔物之间的高度差。
222.从以上描述，将理解，此处已经描述了根据本公开的各种实施方式用于例示，并且在不脱离本教导的范围和精神的情况下，可以进行各种变形。因此，此处公开的各种示例性实施方式不旨在限制这里的教导的真实范围和精神。以上描述的和其它实施方式的各种特征能够以任何方式混合和匹配，以产生按照本发明的另一些实施方式。