技术特征：
1.一种六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，包括第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版包括第一透明基板(1)以及覆盖于第一透明基板(1)表面的第一光刻掩膜层(2)，第二掩膜版包括第二透明基板(3)以及覆盖于第二透明基板(3)表面的第二光刻掩膜层(4)；所述第一光刻掩膜层(2)中具有由第一正六边形图案单元拼接成的第一蜂窝状图案，且每个第一正六边形图案单元中，六条侧边线处为不透光线条，六条侧边线围合区域均为透光区域；任意两个相邻的第一正六边形图案单元之间保持间隔，使两个第一正六边形图案单元贴近的两条平行不透光线条之间具有一条透光线条；所述第二光刻掩膜层(4)中具有由第二正六边形图案单元拼接成的第二蜂窝状图案，且每个第二正六边形图案单元中，六条侧边线处为透光线条，六条侧边线围合区域均为不透光区域；任意两个相邻的第二正六边形图案单元之间保持间隔，使两个第二正六边形图案单元贴近的两条平行透光线条之间具有一条不透光线条；所述第一蜂窝状图案中的第一正六边形图案单元能够与所述第二蜂窝状图案中的第二正六边形图案单元一一对应重叠，以实现套刻。2.如权利要求1所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述第一透明基板(1)和/或第二透明基板(3)的材质为苏打玻璃、石英玻璃或硼硅玻璃。3.如权利要求1所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述第一光刻掩膜层(2)和/或第二光刻掩膜层(4)为带有镂空图案的铬层，其中所有不透光区域具有连续的铬层，而所有透光区域均镂空。4.如权利要求1所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述不透光线条和/或所述透光线条的线宽为4～5mil。5.如权利要求1所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述第一光刻掩膜层(2)镀于第一透明基板(1)的单侧表面，第二光刻掩膜层(4)镀于第二透明基板(3)的单侧表面。6.一种六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，包括第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版包括第一透明基板(1)以及覆盖于第一透明基板(1)表面的第一光刻掩膜层(2)，第二掩膜版包括第二透明基板(3)以及覆盖于第二透明基板(3)表面的第二光刻掩膜层(4)；所述第一光刻掩膜层(2)中具有由第一正六边形图案单元拼接成的第一蜂窝状图案，且每个第一正六边形图案单元中，六条侧边线处为透光线条，六条侧边线围合区域均为不透光区域；任意两个相邻的第一正六边形图案单元之间保持间隔，使两个第一正六边形图案单元贴近的两条平行透光线条之间具有一条不透光线条；所述第二光刻掩膜层(4)中具有由第二正六边形图案单元拼接成的第二蜂窝状图案，且每个第二正六边形图案单元中，六条侧边线处为不透光线条，六条侧边线围合区域均为透光区域；任意两个相邻的第二正六边形图案单元之间保持间隔，使两个第二正六边形图案单元贴近的两条平行不透光线条之间具有一条透光线条；所述第一蜂窝状图案中的第一正六边形图案单元能够与所述第二蜂窝状图案中的第二正六边形图案单元一一对应重叠，以实现套刻。7.如权利要求6所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述第一透明基
板(1)和/或第二透明基板(3)的材质为苏打玻璃、石英玻璃或硼硅玻璃。8.如权利要求6所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述第一光刻掩膜层(2)和/或第二光刻掩膜层(4)为带有镂空图案的铬层，其中所有不透光区域具有连续的铬层，而所有透光区域均镂空。9.如权利要求6所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述不透光线条和/或所述透光线条的线宽为4～5mil。10.如权利要求6所述的六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，其特征在于，所述第一光刻掩膜层(2)镀于第一透明基板(1)的单侧表面，第二光刻掩膜层(4)镀于第二透明基板(3)的单侧表面。
技术总结
本实用新型公开了一种六边形蜂窝状双沟槽光刻版，涉及半导体器件的制造。本实用新型将传统OPEN JUNCTION酸洗工艺中才会使用的六边形蜂窝状排布，通过光刻掩膜版的设计，应用于GPP玻璃封装的工艺中，并通过引入双沟槽，使晶片在完成刀刮工艺的玻璃保护后可以使用激光进行切割。本实用新型的优点是操作简便，设备辅材投入成本降低，且大大提高晶片的使用效率，增加了产品的切割速度，显著提高了产品的经济效益。经济效益。经济效益。
技术研发人员：虞旭俊 金家斌 王俊 贺鸿浩 朱燕飞 毛建军 任亮
受保护的技术使用者：杭州赛晶电子有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/7/5