荧光发光元件、光源装置以及投影机的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及荧光发光元件、光源装置以及投影机（projector)。
【背景技术】
[0002] 作为荧光发光元件，已知有具备在硅树脂中分散有荧光体的荧光体层的发光元件 (例如专利文献1)。
[0003] 在先技术文献
[0004] 专利文献1 :日本特开2012-74273号公报
【发明内容】
[0005] 然而，一般而言，由于硅树脂（粘合剂）的热导率低于荧光体的热导率，因此，在如 上述那样的在硅树脂中分散有荧光体的荧光体层中，荧光体层中的粘合剂的体积的比例越 大，荧光体层整体的热导率越显著下降，荧光体层的热阻越高。热阻越高，由荧光体的发热 而产生的热越容易积蓄在荧光体层中。因此，存在由于所积蓄的热而导致产生例如荧光体 的发光特性下降、荧光体损伤的情况。
[0006] 在专利文献1中，通过调整荧光体与硅树脂的配合比来尝试着解决上述问题，但 是不充分。
[0007] 本发明的一个技术方案是鉴于上述问题而完成的，其目的之一是提供一种能够减 少荧光体层的温度上升的荧光发光元件、具备这种荧光发光元件的光源装置以及具备这种 光源装置的投影机。
[0008] 本发明的荧光发光元件的一个技术方案是一种荧光发光元件，其具备包含荧光体 和粘合剂的荧光体层，所述粘合剂由无机材料构成，该荧光发光元件的特征在于，所述粘合 剂的热导率B大于所述荧光体的热导率A的1. 88倍，在将所述荧光体层中所含的所述荧光 体的体积记为X、将所述荧光体层中所含的所述粘合剂的体积记为Y时，X/Y > 1/2。
[0009] 根据本发明的突光发光兀件的一个技术方案，由于粘合剂由无机材料构成，因此 与作为粘合剂使用硅树脂的情况相比，作为荧光体层整体的热导率较高。而且，由于粘合剂 的热导率大于荧光体的热导率的1. 88倍，因此即使向荧光体层中导入粘合剂，也能够得到 热导率充分高的荧光体层。由此，能够减少荧光体层的厚度方向的热阻的增加。
[0010] 另一方面，在荧光体层中所含的荧光体的体积浓度低的情况下，向荧光体层入射 的激励光之中没有照射到荧光体的光增加，激励光的利用效率下降。作为结果，有时荧光发 光元件的发光强度下降。
[0011] 与此相对，根据本发明的突光发光兀件的一种技术方案，由于突光体的体积相对 于粘合剂的体积的比例大于1/2,因此荧光体层中的荧光体的体积浓度充分大。因此，能够 向荧光体高效地照射激励光而得到充分高的发光强度。
[0012] 因此，根据本发明的荧光发光元件的一个技术方案，能够得到荧光体层的热导率 高、且能射出强光的突光发光兀件。
[0013] 也可以设为下述构成：将所述荧光体层中所含的所述荧光体的体积浓度记为 〇卜〇1%]时，〇彡 2.4736\(8/^)-1 432 父100。
[0014] 根据该构成，能够使荧光体层的热阻为荧光体层仅由荧光体构成的情况下的热阻 以下。由此，能够得到可减少荧光体层的温度上升的荧光发光元件。
[0015] 也可以设为下述构成：所述粘合剂从氧化铝、氧化镁、碳化硅以及氮化铝中选出。
[0016] 根据该构成，能够得到能更切实地减少荧光体层的温度上升的荧光发光元件。
[0017] 也可以设为下述构成：所述粘合剂由氧化铝构成，所述荧光体的体积浓度是 66vol % 以上。
[0018] 根据该构成，能够使荧光体层的热阻为荧光体层仅由荧光体构成的情况下的热阻 以下。
[0019] 也可以设为下述构成：所述荧光体的体积浓度为75V〇l%以上、95V〇l%以下。
[0020] 根据该构成，能够充分减小荧光体层的热阻。
[0021] 也可以设为下述构成：所述粘合剂由氧化镁构成，所述荧光体的体积浓度为 50vo 1 % 以上、80vol % 以下。
[0022] 根据该构成，能够充分减小荧光体层的热阻。
[0023] 本发明的光源装置的一个技术方案，其特征在于，具备上述的荧光发光元件。
[0024] 根据本发明的光源装置的一个技术方案，由于具备上述的荧光发光元件，因此能 够减少由在荧光体层中积蓄热而导致的荧光强度的下降。因此，根据本发明的光源装置的 一个技术方案，能够得到可靠性优异的光源装置。
[0025] 本发明的投影机的一个技术方案，其特征在于，具备：上述的光源装置；光调制装 置，其对从所述光源装置射出的光进行调制而形成图像光；以及投射光学系统，其投射从所 述光调制装置射出的光。
[0026] 根据本发明的投影机的一个技术方案，由于具备上述的光源装置，因此能够得到 可靠性同样优异的投影机。
【附图说明】
[0027] 图1是表示本实施方式的投影机的概略构成图。
[0028] 图2是表示本实施方式的荧光体层的剖面的示意图。
[0029] 图3是表示荧光体的体积浓度低的荧光体层的剖视图。
[0030] 图4是表示使用作为粘合剂的氧化铝的情况下的荧光体层的热阻的变化的曲线 图。
[0031] 图5是表示使用作为粘合剂的氧化镁的情况下的荧光体层的热阻的变化的曲线 图。
[0032] 图6是表示相对于热导率比的荧光体的浓度下限的变化的曲线图。
[0033] 附图标记说明
[0034] A…突光体的热导率；B…粘合剂的热导率；30…突光发光兀件；31···突光体层； 31a…荧光体；31b…粘合剂；IOOb…第2光源装置（光源装置）；40(?、4006、4001?...光调制 装置；600…投射光学系统；1000···投影机。
【具体实施方式】
[0035] 以下，一边参照附图，一边说明本发明的实施方式涉及的投影机。
[0036] 再者，本发明的范围并不限于以下的实施方式，能够在本发明的技术思想的范围 内任意地变更。另外，在以下的附图中，为了便于理解各构成，有使实际的构造和各构造的 比例、数量等不同的情况。
[0037] 图1是表示本实施方式的投影机1000的概略构成图。
[0038] 本实施方式的投影机1000,具备照明装置100、色分离导光光学系统200、光 调制装置400R、光调制装置400G、光调制装置400B、十字分色棱镜（cross dichroic prism) 500、和投射光学系统600。
[0039] 照明装置100,具备第1光源装置100a、第1聚光透镜60、旋转扩散板70、第1拾 取光学系统80、第2光源装置（光源装置）100b、复眼积分器（Fly's eye integrator)90、 偏振光变换元件93、和第2准直透镜94。
[0040] 第1光源装置IOOa具备第1光源50和第1准直透镜阵列53。
[0041] 第2光源装置IOOb具备第2光源10、第2准直透镜阵列13、第2聚光透镜20、第 1平行化透镜21、分色镜22、第2拾取光学系统40、和突光发光兀件30。
[0042] 第1光源50是具备第1基台51和在第1基台51上平面性地排列配置的多个第 1固体发光兀件52的光源阵列。第1固体发光兀件52是射出被分色镜22反射的蓝色光 的光源。在本实施方式的情况下，第1固体发光兀件52是射出蓝色（发光强度的峰：450nm 附近）的激光的半导体激光器，但如果是由分色镜22反射的波长的光，则第1固体发光元 件52也可以是射出具有450nm以外的峰波长的光的发光元件。另外，第1固体发光元件52 也可以是LED等的射出非激光器光的发光元件。
[0043] 第1准直透镜阵列53具备与各第1固体发光元件52 -一对应的多个第1显微透 镜530。多个第1显微透镜530排列配置在第1基台51上。各第1显微透镜530设置在从 对应的第1固体发光元件52射出的蓝色光的光轴上，将该蓝色光平行化而射出。由此，从 第1光源