共电极接收公共电压Vcom。当电场由像素电极与公共电极之间的电压差产 生时，液晶分子重新取向W定量地改变光偏振，从而显示图像。
[0072] 类似地，如图5所示，可变电容器Ct_l通过包括栅极电极124、半导体层150、源极 电极173和漏极电极175的薄膜晶体管形成。源极电极173和漏极电极175彼此电连接。 栅极绝缘层140插设在半导体层150与栅极电极124之间。欧姆接触层163和165形成在 源极电极173与半导体层150之间W及漏极电极175与半导体层150之间。对于低灰度子 像素902,源极电极173和漏极电极175连接到薄膜晶体管Qs_l的输出端并接收数据电压， 栅极电极124接收公共电压Vcom。任意电压V0可W代替公共电压Vcom施加到目标，任意 电压V0在图4中单独地表示。然而，可变电容器Ct_l具有根据本发明示范性实施例的特 性，当预定电压施加到薄膜晶体管的栅极电极124时，它并不导通，原因在于没有沟道形成 在半导体层150处。因此，如图5所示，可变电容器Ct_l形成在源极电极173和漏极电极 175与栅极电极124重叠的地方。在形成欧姆接触层163和165的情况下，该可变电容器可 W形成在欧姆接触层163和165 W及源极电极173和漏极电极175与栅极电极124重叠的 地方。在低灰度子像素902的情况下，恒定电压施加到栅极电极124。
[0073] 此外，寄生电容Cpl形成在栅极线Gi与薄膜晶体管Qs_l的输出端之间。
[0074] 如上所述，图5中示出的低灰度子像素902的可变电容器Ct_l和图6中示出的高 灰度子像素901的可变电容器Ct_h具有不同的存储电容，因为尽管其它条件相同但是重叠 面积不同。因此，对于该两个子像素，即使相同的数据电压施加到其上，但回扫电压仍不同， 该导致不同的亮度。
[0075] 图4到图6示出了可变电容器的结构，其中薄膜晶体管的源极电极和漏极电极彼 此电连接。当使用该可变电容器（其中薄膜晶体管的源极电极和漏极电极彼此电连接）时， 确认器件特性W便测试其可靠性。该在图8和图9中示出。
[0076] 图8和图9示出了图4中的可变电容器在应力（stress)下的电压-电流特性。
[0077] 图8示出了用DC电压驱动栅极的情况，图9示出了用AC电压驱动栅极的情况。在 图8和图9中，横轴表示栅极电极和源极电极之间的电压差，纵轴表示沿漏极电极流动的电 流。
[007引图8示出了在应力施加之前的电流-电压曲线不同于在施加S小时15VDC的应力 后的电流-电压曲线。
[0079] 相反地，图9示出了在AC电压应力施加之前的电压-电流曲线与施加S小时 + 15V AC电压的应力之后的曲线重叠。
[0080] 因为液晶显示器件通常反向驱动W防止器件退化，所W通过反向驱动在形成和使 用图4中示出的可变电容器中不存在问题。
[0081] 现在将详细描述根据本发明另一示范性实施例的可变电容器。
[0082] 图10和图11是根据本发明另一示范性实施例的可变电容器的截面图。
[0083] 图10和图11中示出的可变电容器可W包括图1中示出的那些可变电容器的所有 其它的结构特征。对于根据本发明示范性实施例的液晶显示器件，像素900包括两个子像 素901和902,子像素901和902又分别包括薄膜晶体管Qs_h和Qs_l、液晶电容器Clc_h 和Clc_l W及可变电容器Ct_h和Ct_l。
[0084] 高灰度子像素901的可变电容器Ct_h在图11中示出，低灰度子像素902的可变 电容器Ct_l在图10中示出。
[0085] 如图11所示，高灰度子像素901的可变电容器Ct_h包括栅极电极124、半导体层 150和源极电极173,但是不像通常的薄膜晶体管一样具有漏极电极。栅极绝缘层140形成 在半导体层150与栅极电极124之间。此外，欧姆接触层163形成在源极电极173与半导 体层150之间。在高灰度子像素901中，栅极电极124连接到薄膜晶体管Qs_h的输出端并 接收数据电压，源极电极173接收公共电压Vcom。任意电压V0可W代替公共电压Vcom施 加到目标。然而，在图11中示出的可变电容器Ct_h中，当施加到栅极电极124的电压达到 或超过预定电压时，根据薄膜晶体管的特性，半导体层150起到类似导体的作用。在此情况 下，如图11所示，可变电容器Ct_h形成在半导体层150和源极电极173与栅极电极124重 叠的地方。
[0086] 低灰度子像素902包括图10中示出的可变电容器Ct_l。低灰度子像素902的可 变电容器Ct_l包括栅极电极124、半导体层150和源极电极173,但是不像通常的薄膜晶体 管一样具有漏极电极。栅极绝缘层140形成在半导体层150与栅极电极124之间。欧姆 接触层163形成在源极电极173与半导体层150之间。在低灰度子像素902中，源极电极 173连接到薄膜晶体管Qs_l的输出端并接收数据电压，栅极电极124接收公共电压Vcom。 任意电压VO可W代替公共电压Vcom施加到目标。在根据本发明示范性实施例的可变电容 器Ct_l中，当预定电压施加到栅极电极124时，根据薄膜晶体管的特性，薄膜晶体管并不导 通，原因在于没有沟道形成在半导体层150处。因此，在图10中，可变电容器Ct_l形成在 源极电极173与栅极电极124重叠的地方。当形成欧姆接触层163时，该可变电容器可W 形成在欧姆接触层163和源极电极173与栅极电极124重叠的地方。
[0087] 如上所述，即使其它的条件相同，图10中示出的低灰度子像素902的可变电容器 Ct_l和图11中示出的高灰度子像素901的可变电容器Ct_h也具有不同的存储电容，因为 其重叠面积彼此不同。因此，在各个子像素处形成不同的回扫电压，即使相同的数据电压施 加到其上，该导致不同的亮度。
[008引图10和图11中示出的可变电容器结构不同于图5和图6中示出的可变电容器结 构，不同在于两个子像素901和902中的可变电容器Ct_l和Ct_h被不同地控制。也就是 说，图6和图11中示出的高灰度子像素901的可变电容器Ct_h彼此差别较小，而低灰度子 像素902的可变电容器Ct_l彼此差别明显，差别在于图10中的电容减小到图5中电容的 一半（见双端箭头）。因此，在形成显示器件中，在期望扩大两个子像素901和902的可变 电容器Ct_l和Ct_h之间的尺寸差异的情况下，可W使用图10和图11中示出的结构；或者 在期望减小该些可变电容器Ct_l和Ct_h之间的尺寸差异的情况下，可W使用图5和图6 中示出的结构。此外，在设计薄膜晶体管中可W改变电极和沟道的尺寸，W控制高灰度子像 素901的可变电容器Ct_h与低灰度子像素902的可变电容器Ct_l之间的差异，从而获得 增强的侧向可见性。
[0089] W上基于电路图描述了在液晶显示器件中形成的液晶面板的像素结构。没有在W 上描述的信号控制器、数据驱动器、栅极驱动器、液晶层等可各种方式形成。
[0090] 尽管已经结合现在认为是可行的示范性实施例描述了本发明，但是应当理解，本 发明不限于公开的实施例，相反，本发明旨在涵盖包括在权利要求书的精神和范围内的各 种修改和等同布置。
[0091] 本申请要求于2009年3月5日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请 No. 10-2009-0018995的优先权和权益，其全部内容在此引入W做参考。
【主权项】
1. 一种显示器件，包括： 多条栅极线； 多条数据线；以及 像素，连接到所述多条栅极线之一和所述多条数据线之一， 其中所述像素包括：薄膜晶体管，具有分别连接到所述栅极线至少之一的控制端和连 接到所述数据线至少之一的输入端；以及液晶电容器和可变电容器，分别连接到所述薄膜 晶体管的输出端，其中所述可变电容器通过薄膜晶体管形成。2. 如权利要求1所述的显示器件，其中所述可变电容器具有薄膜晶体管结构，该薄膜 晶体管结构包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极 电极彼此电连接。3. 如权利要求1所述的显示器件，其中所述可变电容器形成为具有从具有栅极电极、 半导体层以及源极电极和漏极电极的薄膜晶体管结构去除源极电极或漏极电极的结构。
【专利摘要】本发明提供了一种对比度增强的垂直配向显示器件。该垂直配向液晶显示器件包括具有可变电容器的两个子像素。通过在每个子像素处形成可变电容器，像素被分成高灰度子像素和低灰度子像素。通过此结构，子像素表现不同的灰度，从而增强了侧向可见性。在将像素分成两个子像素时不需要形成用于向其施加不同信号的单独的配线，并且在用于驱动显示器件的驱动器处被处理的数据量减小。此外，像素以简化的方式分成具有可变电容器的两个子像素，不需要形成额外的配线和元件，从而增大了开口率。
【IPC分类】G02F1/1368, G02F1/1362
【公开号】CN104950542
【申请号】CN201510437775
【发明人】高俊哲, 郑光哲, 蔡钟哲, 郑美惠, 尹宁秀
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2009年12月16日
【公告号】CN101825822A, CN101825822B, US8358295, US8854287, US20100225627, US20130100095