G3打开时与扫描线Gl打开情况相同，信号线Dl及信号线D2等为高电压，信号线D3及信号线D4等为低电压。在一帧结束后，下一帧开始时再将各个子像素的极性进行反转，如当扫描线Gl再次打开时，信号线Dl及信号线D2等由上一帧的高电压变为低电压，信号线D3及信号线D4等由上一帧的低电压变为高电压。
[0052]根据图9所示的像素设计，因每两列的子像素对应的TFT所在位置不同，导致彩色滤光片对应的黑色矩阵外形及实际透光区域发生变更，每一个透镜覆盖范围内对应于左右眼的子像素形状不同，且奇数列与偶数列透镜单元覆盖的子像素形状不同。如图10是采用该像素设计时对应的黑色矩阵外形及实际透光区域示意图，其中3003为实际透光区域，3004为黑色矩阵，由此可见，因每两列子像素TFT位置发生变更，每两列的子像素外形产生差异，打破了在整个立体显示装置中所有子像素具备相同外形的规律性，借由黑色矩阵或者实际透光区域外形的变更减少整个立体显示装置的摩尔纹。
[0053]图11所示，4000为立体显示装置像素设计第四实施例俯视图。将每个子像素划分为1、I1、III及IV四个区域时，第一列及第二列子像素对应的TFT位于I区，第三列及第四列子像素对应的TFT位于III区。在整个立体显示装置中，以第一列到第四列的像素设计为一个重复单元，同一行的子像素对应的TFT由相邻的两条扫描线进行开关，同一列的子像素则借助同一条信号线进行充放电，如子像素Ρ1Λ及Ρ1/2由扫描线Gl进行开关，子像素Ρ1/3及子像素P 1/4由扫描线G2进行开关。为实现点反转，在每一帧以内，当扫描线Gl、G2、...、Gm依次打开时，每一条信号线须在对应扫描线打开后变更其正负极性以减少画面闪烁，如在一帧以内，当扫描线Gl打开时，信号线Dl及信号线D4等为高电压，信号线D2及信号线D3等为低电压；当扫描线G2打开时，信号线Dl及信号线D4等为低电压，信号线D2及信号线D3等为高电压；当扫描线G3打开时与扫描线Gl打开情况相同，信号线Dl及信号线D4等为高电压，信号线D2及信号线D3等为低电压。在一帧结束后，下一帧开始时再将各个子像素的极性进行反转，如当扫描线Gl再次打开时，信号线Dl及信号线D4等由上一帧的高电压变为低电压，信号线D2及信号线D3等由上一帧的低电压变为高电压。
[0054]根据图11所示的像素设计，因每两列的子像素对应的TFT所在位置不同，导致彩色滤光片对应的黑色矩阵外形及实际透光区域发生变更，每一个透镜覆盖范围内对应于左右眼的子像素形状相同，但奇数列与偶数列透镜单元覆盖的子像素形状不同。如图12是采用该像素设计时对应的黑色矩阵外形及实际透光区域示意图，其中4003为实际透光区域，4004为黑色矩阵，由此可见，因每两列子像素TFT位置发生一次变更，每两列的子像素外形产生差异，有助于减少整个立体显示装置的摩尔纹。
[0055]图13所示，5000为立体显示装置像素设计第五实施例俯视图。将每个子像素划分为1、I1、III及IV四个区域时，第一列子像素对应的TFT位于I区，第二列子像素对应的TFT位于II区。在整个立体显示装置中，以第一列及第二列的像素设计为一个重复单元，同一行的子像素对应的TFT由同一条扫描线进行开关，同一列的子像素由同一条信号线进行充放电，但将每两条信号线设置在相邻位置，即信号线Dl及信号线D2之间相隔两个子像素，而信号线D2与信号线D3之间没有子像素。为实现点反转，在每一帧以内，当扫描线Gl, G2,...,Gm依次打开时，每一条信号线须在对应扫描线打开后变更其正负极性以减少画面闪烁，如在一帧以内，当扫描线Gl打开时，信号线Dl及信号线D3等为高电压，信号线D2及信号线D4等为低电压；当扫描线G2打开时，信号线Dl及信号线D3等为低电压，信号线D2及信号线D4等为高电压；当扫描线G3打开时与扫描线Gl打开情况相同，信号线Dl及信号线D3等为高电压，信号线D2及信号线D4等为低电压。在一帧结束后，下一帧开始时再将各个子像素的极性进行反转，如当扫描线Gl再次打开时，信号线Dl及信号线D3等由上一帧的高电压变为低电压，信号线D2及信号线D4等由上一帧的低电压变为高电压。
[0056]根据图13所示的像素设计，因每列子像素对应的TFT所在位置不同，导致彩色滤光片对应的黑色矩阵外形及实际透光区域发生变更，每一个透镜覆盖范围内对应于左右眼的子像素形状互为镜像。如图14是采用该像素设计时对应的黑色矩阵外形及实际透光区域示意图，由此可见，因每列子像素TFT位置发生一次变更，每列子像素的外形或实际透光区域互不相同，有助于减少整个立体显示装置的摩尔纹。
[0057]图15所示，6000为立体显示装置像素设计第六实施例俯视图。将每个子像素划分为1、I1、III及IV四个区域时，第一列子像素对应的TFT位于I区，第二列子像素对应的TFT位于IV区。在整个立体显示装置中，以第一列及第二列的像素设计为一个重复单元，同一行的子像素对应的TFT由相邻的两条扫描线进行开关，同一列的子像素则由同一条信号线进行充放电，每两条信号线设置在相邻位置，即信号线Dl及信号线D2之间相隔两个子像素，而信号线D2与信号线D3之间没有子像素。为实现点反转，在每一帧以内，当扫描线Gl, G2,...,Gm依次打开时，每一条信号线须在对应扫描线打开后变更其正负极性以减少画面闪烁，如在一帧以内，当扫描线Gl打开时，信号线D1、信号线D2、信号线D3及信号线D4等均为高电压；当扫描线G2打开时，信号线D1、信号线D2、信号线D3及信号线D4等均为低电压；当扫描线G3打开时与扫描线Gl打开情况相同，信号线Dl、信号线D2、信号线D3及信号线D4等均为高电压。在一帧结束后，下一帧开始时再将各个子像素的极性进行反转，如当扫描线Gl再次打开时，信号线D1、信号线D2、信号线D3及信号线D4等全部由上一帧的高电压变为低电压。
[0058]根据图15所示的像素设计，因每列的子像素对应的TFT所在位置不同，导致彩色滤光片对应的黑色矩阵外形及实际透光区域发生变更。在每一个透镜覆盖范围内，对应于左右眼的子像素形状彼此不同。如图16是采用该像素设计时对应的黑色矩阵外形及实际透光区域示意图，由此可见，因每列子像素TFT位置发生一次变更，相邻两列子像素的外形互不相同，将有助于减少整个立体显示装置的摩尔纹。
[0059]图17所示，7000为立体显示装置像素设计第七实施例俯视图。将每个子像素划分为1、I1、III及IV四个区域时，第一列子像素对应的TFT位于I区，第二列子像素对应的TFT位于IV区，第三列子像素对应的TFT位于III区，第四列子像素对应的TFT位于II区。在整个立体显示装置中，以第一列到第四列的像素设计为一个重复单元，同一行的子像素对应的TFT由相邻的两条扫描线进行开关，同一列的子像素则由同一条信号线进行充放电，每两条信号线设置在相邻位置，即信号线Dl及信号线D2之间相隔两个子像素，而信号线D2与信号线D3之间没有子像素。为实现点反转，在每一帧以内，当扫描线Gl，G2,..., Gm依次打开时，每一条信号线须在对应扫描线打开后变更其正负极性以减少画面闪烁，如在一帧以内，当扫描线Gl打开时，信号线Dl及信号线D2等为高电压，信号线D3及信号线D4等为低电压；当扫描线G2打开时，信号线Dl及信号线D2等为低电压，信号线D3及信号线D4为高电压；当扫描线G3打开时与扫描线Gl打开情况相同，信号线Dl及信号D2等为高电压，信号线D3及信号线D4等为低电压。在一帧结束后，下一帧开始时再将各个子像素的极性进行反转，如当扫描线Gl再次打开时，信号线Dl及信号线D2等由上一帧的高电压变为低电压，信号线D3及信号线D4等由上一帧的低电压变为高电压。
[0060]根据图17所示的像素设计及裸眼立体显示装置，因任意相邻两列子像素对应的TFT所在区域不同，导致彩色滤光片对应的黑色矩阵外形及实际透光区域发生变更。在每一个透镜覆盖范围内，对应于左右眼的子像素形状彼此不同，且相邻的两个透镜分别对应的左右眼子像素外形不同。如图18是采用该像素设计时对应的黑色矩阵外形及实际透光区域示意图，由此可见，因任意相邻两列子像素TFT位置发生一次变更，每列的子像素外形产生差异，将有助于减少整个立体显示装置的摩尔纹。
[0061]如图19所示，对于采用“H”型common电极增大存储电容的设计，在图示虚线框内的部分(即字母“H”中的一横，后续称为横向电极)，尽管此处没有黑色矩阵的遮挡，金属电极的存在仍影响了每一个子像素实际透光区域的形状。为进一步削弱像素阵列与狭缝光栅或者柱透镜组装时因结构周期性排列相互叠加而形成的摩尔纹，在像素设计时可以进一步改变H型common电极的设计位置，尤其是虚线框内的那一部分。对前面提到的任意一种像素设计，凡是采用类似H型common电极增大存储电容的结构设计，均可以实施，以下仅就图17所示的像素结构进行说明。
[0062]图20所示，8000为立体显示装置像素设计第八实施例俯视图。该设计中，子像素的TFT分布方式与图17中的分布方式相同以及为实现点反转，驱动方式与图17所示像素设计完全相同，不再赘述。与第七实施例不同的是，任意相邻两行子像素的H型中横向电极设计位置不同，以第一列为例，如从第一行到第七行横向电极从第I/III区逐渐向II/IV区过渡，第七行到十三行横向电极从第II/IV区逐渐向I/III区过渡，即仅就横向电极位置而言，以第七行为中心上下为镜像结构，当然这里不限定具体行数。在同一个透镜单元内，左右眼所对应的子像素横向电极互为镜像结构，而相邻两个透镜单元的横向电极设计相同。
[0063]根据图20所示的像素设计和裸眼