二基板13其中一 者可为一上方可设置有薄膜晶体管单元层而另一者上方可设置彩色滤光层及黑色矩阵层； 或者第一基板11与第二基板13其中一者可为一上方设置有薄膜晶体管单元及彩色滤光层 的数组上彩色滤光层（C0A)基板而另一者可为一形成有黑色矩阵层的基板；此时，第一基 板11及第二基板13所定义的空间中还可填充有液晶分子。若本实施例的显示面板为一有 机发光二极管显示面板，则第一基板11与第二基板13其中一者上方可还设置有有机发光 层，而另一者上方可设置有黑色矩阵层并选择性的设置有彩色滤光层。无论是液晶显示面 板或有机发光二极管显示面板，均可具有本技术领域常见的用于液晶显示设备或有机发光 二极管装置的结构，故在此不再赘述。
[0043] 于本实施例中，是以液晶显示面板作为示例。如图1所示，第一基板11的第二表 面112上设置有一彩色滤光层14及一作为一共电极层15的第二透明导电层，且彩色滤光 层14设于第一基板11的第二表面112与共电极层15间。此外，于第二基板13上设置有 一薄膜晶体管组件层16及一作为画素电极层17的另一第二透明导电层，其中，画素电极层 17与第一基板11的第二表面112相对，且薄膜晶体管组件层16设于第二基板13与画素电 极层17间。再者，第一基板11与第二基板13间还夹置有一液晶层18。
[0044] 于本实施例中，第一图案化透明导电层12及第二透明导电层（包括共电极层15 及画素电极层17)的材料均为本技术领域常用的透明电极材料，如透明导电氧化物。其中， 透明导电氧化物的例子可包括：ln203、In203:Sn(氧化铟锡、ΙΤΟ)、ΖηΟ:1η(氧化铟锌、ΙΖ0)、 In203-Zn0、Cdln204等；然而，本发明不仅限于此，只要本发明形成透明导电层所使用的透明 导电氧化物材料包含铟即可。
[0045] 图4为图1的区域A的部分放大示意图。其中，本实施例的第一图案化透明导电 层12具有一第一厚度T1至少包括：一包括一第一次区12a及一第二次区12a'的第一区 与一第二区12b，包括第一次区12a及第二次区12a'的第一区位于第二区12b与第一基板 11之间，且第一次区12a及第二次区12a'的第一区为第一图案化透明导电层12靠近第一 基板11三分之二的第一厚度T1的区域。此外，第二次区12a'位于第二区12b及第一次区 12a间；且第一次区12a为第一图案化透明导电层12靠近第一基板11三分之一的第一厚 度T1的区域，而第二次区12a'为第一图案化透明导电层12介于第一基板11三分之一至 三分之二的第一厚度T1的区域。
[0046] 其中，包括第一次区12a及第二次区12a'的第一区为靠近第一基板11的区域而 为一底区，而第二区12b为远离第一基板11的区域而为一顶区。以第一图案化透明导电层 12的材料的元素总量为基准，第二区12b(顶区）的铟元素含量大于包括第一次区12a及第 二次区12a'的第一区（底区）的铟元素含量；此外，第二次区12a'的铟元素含量大于第一 次区12a的铟元素含量；因此，由第一基板11起，第一图案化透明导电层12材料中的铟元 素含量逐渐增加。较佳为，第二区12b(顶区）的铟元素含量可为5~40%，包括第一次区 12a及第二次区12a'的第一区（底区）的铟元素含量可为1~15%。
[0047] 同时，若第一图案化透明导电层12材料中还包括锌或锡等高价原子以提高载子 浓度时，以第一图案化透明导电层12的材料的元素总量为基准，第二区12b(顶区）的锌或 锡元素含量大于包括第一次区12a及第二次区12a'的第一区（底区）的锌或锡元素含量； 因此，由第一基板11 一侧起，第一图案化透明导电层12材料中的锌或锡元素含量亦逐渐增 加。
[0048]图5为图1的区域B的部分放大示意图。其中，本实施例的作为共电极层15的第 二透明导电层具有一第二厚度T2且至少包括一第三区15a，15a'与一第四区15b，第三区 15a，15a'位于第四区15b与第一基板11间，且第三区15a，15a'为共电极层15靠近第一基 板11三分之二的第二厚度T2的区域。
[0049] 图6为图1的区域C的部分放大示意图。其中，本实施例的作为画素电极层17的 第二透明导电层具有另一第二厚度Τ3且至少包括一第三区17a，17a'与一第四区17b，第三 区17a，17a'位于第四区17b与第二基板13间，且第三区17a，17a'为画素电极层17靠近 第二基板13三分之二的第二厚度T3的区域。
[0050] 于图5及图6中，第三区15a，15a'及第三区17a，17a'分别为靠近第一基板11及 第二基板13的区域而为一底区，而第四区15b及第四区17b则分别为靠近第一基板11及 第二基板13的区域而为一顶区。以共电极层15或画素电极层17的第二透明导电层的材 料的元素总量为基准，第四区15b或第四区17b(顶区）的铟元素含量分别大于第三区15a， 15a'或第三区17a，17a'（底区）的铟元素含量。
[0051] 同时，若共电极层15或画素电极层17的第二透明导电层的材料中还包括锌或锡 等高价原子以提高载子浓度时，以第二透明导电层的材料的元素总量为基准，第四区15b 或第四区17b(顶区）的锌或锡元素含量分别大于第三区15a，15a'或第三区17a，17a'（底 区）的锌或锡元素含量；因此，由第一基板11或第二基板13 -侧起，共电极层15或画素电 极层17的第二透明导电层材料中的锌或锡元素含量亦逐渐增加。
[0052] 在此，第一图案化透明导电层12、共电极层15及画素电极层17等透明导电层的 形成方法可包使用沉积法。其中，于制程初期至制程中期时，利用使用稳定的通氧分压，使 得铟（或锌/锡）含量比例低，而得以使透明导电层与下方的基板或组件层的附着性增加； 其原因在于，利用通入较多的氧，使得透明导电层底区的氧原子配位较多，且氧原子电负度 大，故金属原子的价电子易被氧原子吸引而形成离子键，以增加透明导电层的附着力。相较 于现有的透明导电层，因初期通氧分压不稳定，造成成膜附着性不佳，容易脱膜，而影响导 电率。
[0053] 于制程后期及将结束前，设计成通氧分压较制程初期至制程中期小，使得铟（或 锌/锡）含量比例变高，而得以增加透明导电层的导电率；其原因在于，利用通过较少量的 氧，使得透明导电层顶区的氧原子配位较少，适当的氧原子空缺形成自由电子，而可提升顶 区表面电子传导率，以增加导电率。
[0054] 此外，于第一图案化透明导电层12、共电极层15及画素电极层17等透明导电层 中，较佳为第三区15a，15a'，17a，17a'的铟元素含量大于包括第一次区12a及第二次区 12a'的第一区的铟元素含量，且第四区15b，17b的铟元素含量大于第二区12b的铟元素含 量；以因应导电特性不同需求。
[0055] 实施例1
[0056] 于本实施例中，如图1、图4及图5所示，作为触控面板的第一图案化透明导电层 12为一ΙΖ0薄膜；而作为共电极层15的第二透明导电层为一ΙΤ0薄膜。
[0057] 在此，是使用能量分散光谱（EnergyDispersiveSpectroscopy，EDS)量测系统测 量第一图案化透明导电层12及共电极层15中的元素含量。其中，透过于观察样品表面形 貌的场发射扫描式电子显微镜（fieldemissionscanningelectronmicroscope，FESEM) 上加装能量分散光谱（EnergyDispersiveSpectroscopy，EDS)量测系统，可以侦测电子打 到样品而产生特性X光，因而获得微小区域的元素成份。其中，第一图案化透明导电层12 的ΙΖ0薄膜的元素含量及共电极层15的ΙΤ0薄膜的元素含量分别如下表1及表2所示。
[0058]表1
[0059]
[0062] 注：第三区15a为共电极层15靠近第一基板11三分之一的第二厚度T2的区域， 而第三区15a'为共电极层15介于第一基板11三分之一至三分之二的第二厚度Τ2的区域。
[0063] 请参照图4及表1，于本实施例中，以透明导电层材料的元素总量为基准，第一次 区12a的铟元素含量为13. 26%且锌元素含量为2. 98% ;第二次区12a'的铟元素含量为 19. 61 %且锌元素含量为4. 84% ;而第二区12b的铟元素含量为24. 37%且锌元素含量为 6. 39%。
[0064] 请参照图5及表2,于本实施例中，以透明导电层材料的元素总量为基准，第三区 15a的铟元素含量为34. 42%且锡元素含量为4. 04%;第三区15a'的铟元素含量为32. 86% 且锡元素含量为3.54% ;而第四区15b的铟元素含量为36. 07%且锡元素含量为4. 91%。
[0065] 实施例2
[0066] 于本实施例中，如图1、图4及图6所示，作为触控面板的第一图案化透明导电层 12及作为画素电极层17的第二透明导