[0068] 滤色器基板114称作上基板。滤色器基板114包括形成在滤色器基板114内表面 上的红、绿、蓝滤色器和黑矩阵。红、绿和蓝滤色器是与像素区域相对地形成的。黑矩阵围 绕每个红、绿、蓝滤色器，并遮挡栅极线、数据线和薄膜晶体管。滤色器基板114还包括覆盖 红、绿和蓝滤色器和黑矩阵的透明公共电极。
[0069] IXD装置100可以采用的IPS (平面内切换）和FFS (边缘场切换）模式中的一种 来形成。在本示例下，像素电极和公共电极布置在阵列基板112上。
[0070] 而且，IXD装置110包括贴附在阵列基板112和滤色器基板114的外表面上的偏 光片。每个偏光片选择性地仅透射特定波长的指定光。
[0071] IXD装置还包括与IXD面板110的至少一个边缘相连接的至少一个印刷电路板 117 (或其他电路基板）。使用连接部件116 (诸如柔性印刷电路板或带载封装（TCP))将印 刷电路板117连接到IXD面板110的边缘。这样，印刷电路板117配置为在模块化工艺过 程中，偏向并紧密接触支撑主体130的侧表面或下盖150的后表面。
[0072] 响应于来自栅极驱动器（或其它栅极控制电路）的导通/断开信号，逐条栅极线 地选择性导通LCD面板110上的薄膜晶体管。导通的薄膜晶体管将信号电压传输给各个像 素电极，所述信号电压是从数据驱动器（或其它数据控制电路）通过各条数据线施加的。如 此，液晶分子取向被方向性地改变，并且在LCD面板100中控制透光率差异。
[0073] 为了向外部展示IXD面板110中的透光率差异，在IXD装置100中包括用于向IXD 面板110提供光的背光单元120。
[0074] 背光单元120包括LED组件129 (或其它类型光源），和具有银色和白色之一颜色 的反射板125 (或其它类型反射装置）。而且，背光单元120包括设置在反射板125上的导 光板123、设置在导光板123上方的光学片211、以及插入在光学片211和导光板123之间 的光转换片200。
[0075] 采用与导光板123和光学片211相类似的四方平板形状来形成光转换片200,但并 不限于此。为了增强光输出效率，光转换片200包括光转换层205 (其包括量子点）、以及沿 着光转换层205的边缘形成的光补偿图案206。
[0076] LED组件129设置在导光板123的至少一个侧表面（该侧表面作为光输入表面） 上。而且，LED组件129包括以固定间隔或以其它期望图案布置的多个LED 129a、以及具有 多个LED 129a的印刷电路板（PCB) 129b。
[0077] LED组件120可以形成为顶视型，其允许多个LED 129a沿着垂直于PCB 129b的方 向发光，但并不限于此。LED组件还可以形成为侧视型。
[0078] LED 129a包括与光转换片200对应的蓝色LED，每个蓝色LED发出波长约为 430nm~450nm的蓝光。
[0079] 换句话说，根据本发明的背光单元120不能仅使用蓝色LED 129a，而是还要求光 转换片200的光转换层205采用如下材料形成，所述材料包括红和绿量子点，或者绿荧光物 质和红量子点，或者红荧光物质和绿量子点。
[0080] 反射板125反射从导光板123后表面输出的光，使得光反射向IXD面板110。这 样，反射板125可以增加背光单元120的光输出的亮度（或辉度）。
[0081] 光学片211设置在导光板123和光转换片211之上或者附近。光学片211可以包 括扩散片和至少一个聚光片。光学片211对通过导光板123和光转换片200的光进行扩散 和聚光（或会聚）。这样，光学片211可以改善LCD面板110的亮度均匀性。
[0082] 现在将参照图4详细描述根据本发明的光转换片200。
[0083] 根据本发明的光转换片200包括第一基板201和第二基板202,以及插入在第一基 板201和第二基板202之间的光转换层205,第一基板201和第二基板202均采用具有一定 透明度的绝缘材料形成。而且，光转换片200包括插入在第一基板201和光转换层205之 间的第一屏障203 (或类似功能元件）、以及插入在光转换层205和第二基板202之间的第 二屏障204 (或类似功能元件）。
[0084] 第一屏障203和第二屏障204分别贴附在第一基板201和第二基板202上。每个 屏障或屏障层由薄膜形成。第一屏障203和第二屏障204配置为保持光转换层205的厚度。 如果光转换层205的厚度不均匀，那么穿过光转换片200的光（或光线）的转换程度将会 在光转换层205的整个区域上变化。由此，转换光的质量将劣化。鉴于此，光转换层205应 当保持尽可能均匀的厚度。
[0085] 同时，应该注意到，量子点容易受湿气影响。因此，光转换层205需要受到防护以 避免水分渗入。为此，第一屏障203和第二屏障204可以由配置为提供充分防潮保护的无 机材料形成。
[0086] 光补偿图案206可以沿着光转换片200的上表面边缘设置，例如，设置为位于或靠 近第二基板202的上表面边缘。而且，每个光转换图案206可以由配置为提供期望的光转 换效应的棱镜形状或其它几何形状来形成。
[0087] 此外，在第一基板201的外表面和/或第二基板202的外表面上可以涂覆光散射 层。光散射层可以包括多个光散射单元，诸如珠。
[0088] 光转换层205可以配置为包括具有一折射率值的树脂层。所述树脂层包括第一量 子点Q1、第二量子点Q2以及珠 B。第一量子点Q1、第二量子点Q2和珠 B分散在树脂层内。
[0089] 第一量子点Q1和第二量子点Q2可以采用如下材料组中的一种形成，所述材料组 包括周期表中第II-VI，11-111，III-V，VI-IV，IV族的化合物半导体和合金，以及它们的混 合物材料。
[0090] 第一量子点Q1和第二量子点Q2可以米用属于周期表中II和VI族的材料的化合 物来形成。具体来讲，第一量子点Q1和第二量子点Q2可采用如下中的一种或多种形成： CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnTe、HgSe、HgTe 和 CdZnSe，以及它们的各种混合物。
[0091] 第一量子点Q1和第二量子点Q2可以采用属于周期表中III和V族的材料的化 合物来形成。换句话说，第一量子点Q1和第二量子点Q2可采用如下中的一种或多种形 成：InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、Alp、AIN、AlAs、AlSb、CdSeTe 和 ZnCdSe，以及它们的各种混合物。
[0092] 第一量子点Q1和第二量子点Q2可以米用属于周期表中VI和IV族的材料的化合 物来形成。换句话说，第一量子点Q1和第二量子点Q2可采用如下中的一种或多种形成： PbSe、PbTe、PbS、PbSnTe和Ti2SnTe5，以及它们的各种混合物。
[0093] 第一量子点Q1可以是产生红光的红量子点或产生绿光的绿量子点，而第二量子 点可以是红或绿量子点，但是与第一量子点Q1的颜色不同。
[0094] 替代的，光转换层205可以形成为包括一种量子点和一种荧光物质。例如，第一量 子点Q1是红量子点，并且第二量子点Q2是绿荧光物质。作为另一实例，第一量子点Q1是 红荧光物质，并且第二量子点Q2是绿量子点。
[0095] 每个第一量子点Q1和第二量子点Q2的直径范围可以为0· 5nm~30nm。光转 换层205中所使用的树脂层210可以采用如下材料组中选出的一种来形成，所述材料 组包括聚甲基丙稀酸甲酯（poly (methyl (meth)arylate))、聚乙二醇二甲基丙稀酸酯 (poly(ethylene glycol dimethacrylate))、聚乙酸乙稀酯（polyvinyl acetate)、聚二乙 烯基苯（poly(divinyl benzene))、聚硫醚（poly(thioether))、二氧化娃（silica)、聚环 氧化物（polyepoxide)和它们的混合物。
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