线栅偏振器及其制造方法
【专利摘要】提供一种线栅偏振器及其制造方法。所述线栅偏振器包括：基板；多个导电布线图案，平行地形成以从基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在导电布线图案上；第二硬掩模图案，设置在第一硬掩模图案上，其中，第二硬掩模图案的锥角与第一硬掩模图案的锥角的比值为1或更大。
【专利说明】线栅偏振器及其制造方法
[0001 ] 本申请要求于2015年4月8日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0049381号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的内容将通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002]本公开的实施例针对线栅偏振器及其制造方法。
【背景技术】
[0003]线栅偏振器是导电布线平行地布置以使来自电磁波的特定光偏振的平行导电布线阵列。
[0004]响应于非偏振入射光，具有比入射光的波长小的周期的线栅偏振器使与其布线平行的方向上的偏振光反射并使与其布线垂直的方向上的偏振光透射通过。不同于吸收偏振器，线栅偏振器允许反射的偏振光被再使用。
【发明内容】
[0005]本公开的示例性实施例提供一种具有优异的可加工性的线栅偏振器、一种包括所述线栅偏振器的显示装置以及一种制造所述线栅偏振器的方法。
[0006]根据本公开的示例性实施例，一种线栅偏振器包括:基板；多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在导电布线图案上;第二硬掩模图案，设置在第一硬掩模图案上，其中，第二硬掩模图案的锥角与第一硬掩模图案的锥角的比值为大约I或更大。
[0007]第一硬掩模图案的锥角可为大约90度或更小。
[0008]第二硬掩模图案的锥角可为大约90度或更大。
[0009]第二硬掩模图案的底部宽度与第一硬掩模图案的顶部宽度的比值可为大约I或更小。
[0010]第一硬掩模图案的厚度可在大约1nm至大约30nm的范围内。
[0011]线栅偏振器还可包括:保护层，与基板分隔开设置，保护层与基板的形成有导电布线图案的整个表面叠置。
[0012]线栅偏振器还可包括在基板上设置在导电布线图案之间的反射层，其中，第一硬掩模图案设置在反射层上。
[0013]根据本公开的另一示例性实施例，一种线栅偏振器包括:基板；多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从基板的顶表面突出；第一硬掩模图案，设置在导电布线图案上;第二硬掩模图案，设置在第一硬掩模图案上，其中，第二硬掩模图案的底部宽度与第一硬掩模图案的顶部宽度的比值为大约I或更小。
[0014]第二硬掩模图案的锥角与第一硬掩模图案的锥角的比值可为大约I或更大。
[0015]第一硬掩模图案的锥角可为大约90度或更小。
[0016]第二硬掩模图案的锥角可为大约90度或更大。
[0017]第一硬掩模图案的厚度可在大约1nm至大约30nm的范围内。
[0018]根据另一示例性实施例的线栅偏振器还可包括:保护层，与基板分隔开设置，保护层与基板的形成有导电布线图案的整个表面叠置。
[0019]根据另一示例性实施例的线栅偏振器还可包括在基板上设置在导电布线图案之间的反射层，其中，第一硬掩模图案设置在反射层上。
[0020]—种制造线栅偏振器的方法包括下述步骤:在基板上顺序地沉积导电布线无图案层和第一硬掩模层;在第一硬掩模层上形成抗蚀图案;在抗蚀图案之间形成第二硬掩模图案;去除抗蚀图案;利用第二硬掩模图案对第一硬掩模层进行图案化;利用第一硬掩模图案和第二硬掩模图案对导电布线无图案层进行图案化。
[0021]制造方法还可包括，在形成第二硬掩模图案之前，对抗蚀图案的表面执行选择性疏水处理工艺。
[0022]对导电布线无图案层进行图案化的步骤可包括形成导电布线图案。
[0023]制造方法还可包括，在图案化导电布线无图案层之后，在第二硬掩模图案上形成保护层，其中，保护层与基板分隔开并与基板的整个表面叠置。
[0024]对导电布线无图案层进行图案化的步骤可包括形成反射层。
[0025]形成抗蚀图案的步骤可包括使用滚动抗蚀方法。
[0026]根据示例性实施例，能够提供具有优异的可加工性的线栅偏振器。
[0027]然而，本公开的示例性实施例不限制于在此所阐述的。通过参照以下本公开的详细描述、附图和权利要求，对本公开所属领域的技术人员而言，本公开的以上和其他示例性实施例将变得更加明显。
【附图说明】
[0028]图1是根据本公开示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。
[0029]图2是图1中的A区域的局部放大图。
[0030]图3是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。
[0031 ]图4是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。
[0032]图5是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。
[0033]图6至图13是示出根据本公开示例性实施例的制造线栅偏振器的方法的剖视图。
[0034]图14至图21是示出根据本公开另一示例性实施例的制造线栅偏振器的方法的剖视图。
[0035]图22是示出根据本公开示例性实施例的制造抗蚀图案的方法的剖视图。
[0036]图23是示出根据本公开另一示例性实施例的制造抗蚀图案的方法的剖视图。
【具体实施方式】
[0037]通过参照以下示例性实施例的详细描述和附图，可更加容易理解发明构思的特征和完成发明构思的方法。然而，发明构思的实施例可以采用许多不同的形式，并且不应被理解为限制于在此所阐述的实施例。
[0038]在附图中，为了清楚，会夸大层和区域的厚度。将要理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接至”或者“结合至”另一元件或层时，此元件或层可直接在另一元件或层上、直接连接至或直接结合至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。如在此所使用的，连接可指元件物理地、电气地和/或流体地连接到彼此。同样的标号可以始终指同样的元件。
[0039]在此，当一个值被描述为大约等于另一个值时，要理解的是，这些值在测量误差范围内彼此相等，或者如果测量的不相等，那么这些值在值上是足够的接近为在功能上彼此等同，正如本领域普通技术人员将理解的。
[0040]以下将参照附图描述示例性实施例。
[0041]图1是根据本公开示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图，图2是图1中的A区域的局部放大图。
[0042]参照图1和图2，线栅偏振器可包括基板110、平行地形成为从基板110的顶表面突出的多个导电布线图案121、设置在导电布线图案121上的多个第一硬掩模图案131以及设置在第一硬掩模图案131上的多个第二硬掩模图案141。
[0043]基板110的材料使可见光透射通过，并且可考虑到基板110的使用目的和基板110将要经受的处理类型而另外适当地选择。例如，基板110可由诸如玻璃、石英、丙烯酸材料、三乙酰纤维素(TAC)、环烯烃共聚物(COP)、环烯烃聚合物(COC)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚醚砜(PES)的各种材料形成，但是本公开不局限于此。基板110可由柔性光学膜材料形成。
[0044]导电布线图案121可以以预定的周期布置。当导电布线图案121的周期短于入射光的波长时，线栅偏振器的偏振消光比增加。然而，周期越短，制造线栅偏振器就变得越有挑战。可见光光谱通常在大约380nm至大约780nm的范围。线栅偏振器应具有至少200nm或更小的周期，以具有针对三原色(即，红色、绿色和蓝色)光的高消光比。只有那样，才可期待偏振特性。线栅偏振器可具有但不限于大约120nm或更小的周期，以展现出与相关领域偏振器的偏振性能等同或比之更好的偏振性能。
[0045]导电布线图案121可由任何导电材料形成。在示例性实施例中，导电布线图案121可由金属形成。更具体地，导电布线图案121可由从基本由铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钨(W)、钛(Ti)、钴(Co)和钼(Mo)组成的组中选择的金属或者该金属的合金形成，但是本公开不局限于此。
[0046]导电布线图案121可包括两个或更多个层。例如，导电布线图案121可包括由铝(Al)形成的第一导电布线图案和由钛(Ti)或钼(Mo)形成的第二导电布线图案，但是本公开的实施例不局限于此。如果第一导电布线图案由铝(Al)形成，则根据温度，在随后的工艺中会在第一导电布线图案的顶部形成小丘。结果，线栅偏振器的顶表面会变得不规则，并且线栅偏振器的光学性质会劣化。为了处理这种情形，使用Ti或Mo在第一导电布线图案上形成第二导电布线图案以防止小丘的产生。
[0047]导电布线图案121的宽度可在但不局限于大约1nm至大约500nm的范围或者大约1nm至200nm的范围，只要导电布线图案121的宽度小于导电布线图案121的周期并且导电布线图案121可展现偏振。
[0048]第一硬掩模图案131形成在导电布线图案121上。第一硬掩模图案131的厚度可在但不局限于大约1nm至大约30nm的范围，以防止第一硬掩模图案131的锥角在蚀刻期间变得太小。
[0049]第一硬掩模图案131可由诸如聚合物、氧化物或者氮化物的透明材料形成。例如，第一硬掩模图案131可由氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(S1C)或者其混合物形成，但是本公开的实施例不局限于此。
[0050]第二硬掩模图案141形成在第一硬掩模图案131上。第二硬掩模图案141的厚度不受具体限制。
[0051 ]第二硬掩模图案141可由诸如聚合物、氧化物或者氮化物的透明材料形成。例如，第二硬掩模图案141可由S1x、SiNx、S1C或者其混合物形成，但是本公开的实施例不局限于此。第二硬掩模图案141可由与第一硬掩模图案131的材料相同的材料形成，但是本公开的实施例不局限于此。
[0052]第二硬掩模图案141的锥角Θ2与第一硬掩模图案131的锥角Θ1的比值，g卩Θ2/Θ1，可为大约I或更大。例如，第一硬掩模图案131的锥角Θ1可在但不局限于大约90度或更小的范围，第二硬掩模图案141的锥角Θ2可在但不局限于大约90度或更大的范围。
[0053]在示例性实施例中，第一硬掩模图案131的顶部宽度可大于或者等于第二硬掩模图案141的底部宽度，使得第二硬掩模图案的底部宽度与第一硬掩模图案的顶部宽度的比值为大约I或更小，但是本公开的实施例不局限于此。
[0054]图3是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。
[0055]图3示出的线栅偏振器具有与图1的线栅偏振器的结构相似的结构，除了图3示出的线栅偏振器还包括与基板110分隔开的保护层150之外，所述保护层150与基板110的其上形成有多个导电布线图案121的整个表面叠置。
[0056]保护层150可以对线栅偏振器的顶表面进行非导电性的处理，使线栅偏振器的表面平坦化并且确保导电布线图案121之间的空间。保护层150可由任何非导电透明材料形成。
[0057]例如，保护层150可由从基本由例如S1x、SiNx和S1C组成的组中选择的一种组成。例如，保护层150可具有包括S1x层和沉积在S1x层上的S1C层的结构。在这个示例中，可通过改变原料气体利用相同的室和相同的条件沉积保护层150，并且因为S1C层可相对快速地沉积，所以可高效地形成保护层150。
[0058]图3的线栅偏振器的其他元件与图1的各自对应元件相同或等同，因此，将省略其他元件的详细描述。
[0059]图4是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。
[0060]参照图4并进一步参照图2，线栅偏振器包括基板210、平行地形成为从基板210的顶表面突出的多个导电布线图案221、在基板210上设置在导电布线图案221之间的反射层222、设置在导电布线图案221和反射层222上的多个第一硬掩模图案231以及设置在第一硬掩模图案231上的多个第二硬掩模图案241。
[0061]反射层222可对应于没有被图案化为导电布线图案221的区域，并且可对应于包括线栅偏振器的显示装置的无开口部分。例如，反射层222可形成在布线区或晶体管区中，但是本公开的实施例不局限于此。
[0062]图4的线栅偏振器的其他元件与图1的各自对应元件相同或等同，因此，将省略其他元件的详细描述。
[0063]图5是根据本公开另一示例性实施例的线栅偏振器的竖直剖视图。
[0064]图5示出的线栅偏振器具有与图4的线栅偏振器的结构相似的结构，除了图5示出的线栅偏振器还包括与基板210分隔开的保护层250之外，所述保护层250与基板210的其上形成有多个导电布线图案221的整个表面叠置。
[0065]图5的线栅偏振器的其他元件与图1的各自对应元件相同或等同，因此，将省略其他元件的详细描述。
[0066]图6至图13是示出根据本公开示例性实施例的制造线栅偏振器的方法的剖视图。
[0067]参照图6，在基板110上顺序地沉积导电布线无图案层120和第一硬掩模图案层130。
[0068]基板110的材料对可见光来说是透明的，并且可考虑到基板110的使用目的和基板110将要经受的处理类型而另外适当地选择。例如，基板110可由诸如玻璃、石英、丙烯酸材料、TAC、C0P、C0C、PC、PET或PES的各种材料形成，但是本公开不局限于此。基板110也可由柔性光学膜材料形成。
[0069]另外，可在基板110和导电布线无图案层120之间附加形成缓冲层。
[0070]导电布线无图案层120和第一硬掩模图案层130可通过溅射、化学气相沉积(CVD)或蒸镀形成，但是本公开的实施例不局限于此。
[0071 ]导电布线无图案层120可由任何导电材料形成。在示例性实施例中，导电布线无图案层120可由金属形成。更具体地，导电布线无图案层120可由从基本由Al、Cr、Au、Ag、Cu、N1、Fe、W、T1、Co和Mo组成的组中选择的金属或者该金属的合金形成，但是本公开的实施例不局限于此。
[0072]导电布线无图案层120可包括两个或更多个层。例如，导电布线无图案层120可包括由Al形成的第一导电布线无图案层和由Ti或Mo组成的第二导电布线无图案层，但是本公开的实施例不局限于此。如果第一导电布线无图案层由Al形成，则根据温度，在随后的工艺中会在第一导电布线无图案层的顶部处形成小丘。结果，线栅偏振器的顶表面会变得不规贝1J，并且线栅偏振器的光学性质会劣化。为了处理这种情形，可使用Ti或Mo在第一导电布线无图案层上形成第二导电布线无图案层以防止小丘的产生。
[0073]第一硬掩模图案层130可由聚合物、氧化物或者氮化物形成。例如，第一硬掩模图案层130可由S1x、SiNx、S1C或者其混合物形成，但是本公开的实施例不局限于此。
[0074]第一硬掩模图案层130的厚度可在但不限于大约1nm至大约30nm的范围，以防止第一硬掩模图案层130的锥角在蚀刻过程中变得太小。
[0075]参照图7，在第一硬掩模图案层130上形成抗蚀图案140。
[0076]抗蚀图案140可由任何抗蚀材料形成。例如，抗蚀图案140可由包括碳氢化合物的材料形成，但是本公开的实施例不局限于此。
[0077]抗蚀图案140可形成为具有大约90度或更小的锥角。结果，可在抗蚀图案140之间形成第二硬掩模图案141以具有大约90度或更大的锥角。
[0078]参照图8，通过对抗蚀图案140的表面执行选择性疏水处理工艺来形成疏水性表面140ao
[0079]例如，选择性疏水处理工艺可为在氟基气体气氛下执行的等离子处理。作为在氟基气体气氛下执行的等离子处理的结果，在碳氢化合物抗蚀图案140的表面上形成C-F键，并且抗蚀图案140的表面可变得疏水。等离子处理可为NF3等离子处理，但是本公开的实施例不局限于此。
[0080]在第一硬掩模图案层130的表面上没有形成C-F键，因此第一硬掩模图案层130的表面没有变得疏水。
[0081]参照图9，在具有疏水性表面140a的抗蚀图案140之间形成第二硬掩模图案141。
[0082]第二硬掩模图案141可由诸如聚合物、氧化物或氮化物的透明材料形成。例如，第二硬掩模图案141可由S1x、SiNx、S1C或者其混合物形成，但是本公开的实施例不局限于此。第二硬掩模图案141可由与第一硬掩模图案层130的材料相同的材料形成，但是本公开的实施例不局限于此。
[0083]第二硬掩模图案141通过例如沉积而不是蚀刻来形成，因此，第二硬掩模图案141的形成可由每个抗蚀图案140的侧面引导。由于抗蚀图案140具有大约90度或更小的锥角，因此第二硬掩模图案141将具有大约90度或更大的锥角。
[0084]参照图10，去除抗蚀图案140，使得第二硬掩模图案141保留在第一硬掩模图案层130 上。
[0085]抗蚀图案140的去除可通过清洗、洗涤、灰化或蚀刻来执行，但是本公开的实施例不局限于此。即，可使用任何能够选择性地去除抗蚀图案140同时在第一硬掩模图案层130上留下第二硬掩模图案141的方法。
[0086]参照图11，通过使用第二硬掩模图案141作为蚀刻掩模来蚀刻第一硬掩模图案层130而形成第一硬掩模图案131。由于第一硬掩模图案131通过蚀刻形成，因此第一硬掩模图案131可在顶部比在其底部被更多地蚀刻。因此，第一硬掩模图案131的锥角可为大约90度或更小。
[0087]如果在没有第二硬掩模图案141的情况下形成第一硬掩模图案131，那么第一硬掩模图案131会是薄的，并且在蚀刻导电布线无图案层120的过程中会损害导电布线图案121。为了防止这种情形的发生，第一硬掩模图案131可形成为厚的。然而，在这种情况下，第一硬掩模图案131的锥角会在蚀刻导电布线无图案层120的过程中减小，结果，导电布线图案121的锥角也会被减小，从而使线栅偏振器的光学性质劣化。
[0088]由于第二硬掩模图案141具有大约90度或更大的锥角，因此第二硬掩模图案141的顶部宽度可大于第二硬掩模图案141的底部宽度。在这种情况下，如果执行各向异性蚀刻以形成第一硬掩模图案131，那么第一硬掩模图案131的顶部宽度可大于第二硬掩模图案141的底部宽度。
[0089 ]参照图12，通过使用第一硬掩模图案131和第二硬掩模图案141作为蚀刻掩模来图案化导电布线无图案层120而形成导电布线图案121。
[0090]导电布线图案121可以以预定的周期平行地形成。如果导电布线图案121的周期小于入射光的波长，那么线栅偏振器的偏振消光比增大。然而，周期越短，制造线栅偏振器就变得越有挑战。可见光光谱通常在大约380nm至大约780nm的范围。线栅偏振器应具有至少200nm或更小的周期，以具有针对三原色(S卩，红色、绿色和蓝色)光的高消光比。只有那样，才可期待偏振特性。线栅偏振器可具有但不限于大约120nm或更小的周期，以展现与相关领域偏振器的偏振性能等同或比之更好的偏振性能。
[0091 ] 导电布线图案121的宽度可在但不局限于大约1nm至大约500nm的范围或者大约1nm至200nm的范围，只要导电布线图案121的宽度小于导电布线图案121的周期并且导电布线图案121可展现偏振。
[0092]参照图13，在形成导电布线图案121后，可在第二硬掩模图案141上形成保护层150。保护层150可与基板110分隔开并且与基板110的整个表面叠置或覆盖基板110的整个表面。
[0093]保护层150可由从基本由例如S1x、SiNx、S1C组成的组中选择的至少一种形成，但是本公开的实施例不局限于此。例如，保护层150可具有包括S1x层和沉积在S1x层上的S1C层的结构。在这个示例中，可通过改变原料气体使用相同的室和相同的条件来沉积保护层150，因为S1C层可相对快速地沉积，所以可高效地形成保护层150。
[0094]图14至图21是示出根据本公开另一示例性实施例的制造线栅偏振器的方法的剖视图。
[0095]参照图14至图21，在基板210上顺序地沉积导电布线无图案层220和第一硬掩模图案层230。
[0096]在第一硬掩模图案层230上形成抗蚀图案240。抗蚀图案240可平行地形成在第一硬掩模图案层230的整个表面上，但不形成在一些区域中(图15)。
[0097]此后，通过对抗蚀图案240的表面执行选择性疏水处理工艺来形成疏水性表面240a(图 16)。
[0098]在具有疏水性表面240a的抗蚀图案240之间形成第二硬掩模图案241(图17)。
[0099]去除抗蚀图案240，使得第二硬掩模图案241保留在第一硬掩模图案层230上(图18)。
[0100]通过使用第二硬掩模图案241作为蚀刻掩模来蚀刻第一硬掩模图案层230而形成第一硬掩模图案231 (图19)。
[0101]通过使用第一硬掩模图案231和第二硬掩模图案241作为蚀刻掩模来图案化导电布线无图案层220来形成导电布线图案221和反射层222(图20)。
[0102]反射层222可对应于导电布线图案221之间的非纳米图案化区域。可适当地调整反射层222的宽度以与显示装置的非开口部分的大小配合。
[0103]在形成导电布线图案221和反射层222之后，可形成与基板210分隔开地形成保护层250以与基板210的形成有导电布线图案221的整个表面叠置(图21)。
[0104]图14至图21的示例性实施例的其他元件与图6至图13的示例性实施例的各自对应元件相同或至少等同，因此，将省略其他元件的详细描述。
[0105]图22是示出根据本公开示例性实施例的制造抗蚀图案的方法的剖视图。
[Ο?Ο?] 参照图22，可使用滚动抗蚀方法(roll resist method)在第一硬掩模图案层130上形成抗蚀图案140。
[0107]辊子10可包括抗蚀图案140分别插入到其中的凹进图案。响应于辊子10在第一硬掩模图案层130上滚动，抗蚀图案140从辊子10转印到第一硬掩模图案层130。
[0108]图23是示出根据本公开另一示例性实施例的制造抗蚀图案的方法的剖视图。
[0109]参照图23，可使用滚动抗蚀方法在第一硬掩模图案层230上形成抗蚀图案240。
[0110]辊子20可包括抗蚀图案240分别插入到其中的凹进图案，但是在与基板210的将要形成有反射层222的部分对应的区域中可以没有这样的凹进图案。响应于辊子20在第一硬掩模图案层230上滚动，抗蚀图案240从辊子20转印到第一硬掩模图案层230。
[0111]然而，本公开的效果不限制于在此所阐述的。对于本公开所属领域的普通技术人员而言，本公开的以上和其他效果将通过参照权利要求而变得更加明显。
【主权项】
1.一种线栅偏振器，所述线栅偏振器包括: 基板； 多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从所述基板的顶表面突出； 第一硬掩模图案，设置在所述多个导电布线图案上；以及 第二硬掩模图案，设置在所述第一硬掩模图案上， 其中，所述第二硬掩模图案的锥角与所述第一硬掩模图案的锥角的比值为I或更大。2.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第一硬掩模图案的锥角为90度或更小。3.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的锥角为90度或更大。4.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的底部宽度与所述第一硬掩模图案的顶部宽度的比值为I或更小。5.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第一硬掩模图案的厚度在1nm至30nm的范围内。6.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述线栅偏振器还包括: 保护层，与所述基板分隔开设置，所述保护层与所述基板的形成有所述多个导电布线图案的整个表面叠置。7.根据权利要求1所述的线栅偏振器，其特征在于，所述线栅偏振器还包括: 反射层，在所述基板上设置在所述多个导电布线图案之间， 其中，所述第一硬掩模图案设置在所述反射层上。8.一种线栅偏振器，所述线栅偏振器包括: 基板； 多个导电布线图案，平行地形成，所述多个导电布线图案从所述基板的顶表面突出； 第一硬掩模图案，设置在所述多个导电布线图案上；以及 第二硬掩模图案，设置在所述第一硬掩模图案上， 其中，所述第二硬掩模图案的底部宽度与所述第一硬掩模图案的顶部宽度的比值为I或更小。9.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的锥角与所述第一硬掩模图案的锥角的比值为I或更大，并且所述第一硬掩模图案的锥角为90度或更小。10.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的锥角与所述第一硬掩模图案的锥角的比值为I或更大，并且所述第二硬掩模图案的锥角为90度或更大。11.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第一硬掩模图案的锥角为90度或更小。12.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第二硬掩模图案的锥角为90度或更大。13.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述第一硬掩模图案的厚度在10]11]1至30111]1的范围内。14.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述线栅偏振器还包括: 保护层，与所述基板分隔开设置，所述保护层与所述基板的形成有所述多个导电布线图案的整个表面叠置。15.根据权利要求8所述的线栅偏振器，其特征在于，所述线栅偏振器还包括: 反射层，在所述基板上设置在所述多个导电布线图案之间， 其中，所述第一硬掩模图案设置在所述反射层上。16.—种制造线栅偏振器的方法，所述方法包括下述步骤: 在基板上顺序地沉积导电布线无图案层和第一硬掩模层； 在所述第一硬掩模层上形成抗蚀图案； 在所述抗蚀图案之间形成第二硬掩模图案； 去除所述抗蚀图案； 利用所述第二硬掩模图案对所述第一硬掩模层进行图案化；以及 利用所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案对所述导电布线无图案层进行图案化。17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括，在形成所述第二硬掩模图案之前，对所述抗蚀图案的表面执行选择性疏水处理工艺。18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，对所述导电布线无图案层进行图案化的步骤包括形成导电布线图案。19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括，在对所述导电布线无图案层进行图案化之后，在所述第二硬掩模图案上形成保护层，其中，所述保护层与所述基板分隔开并与所述基板的整个表面叠置。20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，对所述导电布线无图案层进行图案化的步骤包括形成导电布线图案和反射层。
【文档编号】G02B5/30GK106054301SQ201610087740
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年2月16日 公开号201610087740.2, CN 106054301 A, CN 106054301A, CN 201610087740, CN-A-106054301, CN106054301 A, CN106054301A, CN201610087740, CN201610087740.2
【发明人】吴知勋, 安泰泳
【申请人】三星显示有限公司