显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种显不面板，且特别是涉及一种具有良好显不品质的显不面板。
【背景技术】
[0002]液晶显示器已被广泛地应用在各式电子产品，如手机、笔记型电脑(notebook)及平板电脑(Tablet PC)等，而且随着大尺寸平面显示器市场的快速发展，具有轻量化与薄型化特性的液晶显示器更是扮演着相当重要的角色，进而逐渐取代阴极射线管(CRT)显示器成为市场主流。
[0003]并且，具有广视角的液晶显示器已经成为目前既定的趋势。然而，基于广视角所引入的新技术，也容易伴随衍生新的问题，而影响显示品质的问题。因此，如何提供一种具有良好显示品质且具有广视角的液晶显示面板，为相关业者努力的课题之一。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种显示面板。在显示面板中，彩色滤光基板上的透明导电层的开口位于黑色矩阵上且至少部分覆盖一个间隙壁，因而可以有效提高开口率，减少耦合电容对于线路的信号传输的不良影响，进而提升显示面板的显示品质。
[0005]为解决上述问题，本实用新型提出一种显示面板。显示面板包括一彩色滤光基板。彩色滤光基板包括一第一基材、一黑色矩阵、一彩色滤光层、一透明导电层及多个间隙壁。黑色矩阵及彩色滤光层设置于第一基材上。透明导电层设置于彩色滤光层与黑色矩阵上，透明导电层具有多个开口，此些开口位于黑色矩阵上。间隙壁位于透明导电层上且位于黑色矩阵上。开口的至少其中之一者位于相邻的间隙壁之间，且间隙壁的至少其中之一者部分覆盖于开口的至少其中之一者上。
[0006]该些间隙壁的至少其中之一者覆盖该些开口的至少其中之一者的面积的5%?50%之间。
[0007]该些间隙壁的至少其中之一者覆盖该些开口的至少其中之一者的面积的10%?30%之间。
[0008]该彩色滤光层具有至少二色阻(color resist)，其中该二色阻具有不同颜色，该些间隙壁的至少其中之一者位于该至少二不同颜色的色阻的交界处延伸线上。
[0009]该彩色滤光层具有一凹孔，该凹孔位于该二色阻的交界处，且该凹孔的最底部位于该些间隙壁的至少其中之一者的中心之外。
[0010]该至少二色阻分别为红色色阻、绿色色阻或蓝色色阻的其中之一。
[0011]该显示面板还包括:液晶层；以及薄膜晶体管基板，与该彩色滤光基板对组。
[0012]该薄膜晶体管基板包括一栅极线，该些间隙壁的至少其中之一者与该些开口的至少其中之一者位于该栅极线上。
[0013]该薄膜晶体管基板包括一数据线，该些间隙壁的至少其中之一者位于该数据线上。
[0014]该薄膜晶体管基板还包括一像素电极，该些开口的至少其中之一者位于该像素电极的中心处上。
[0015]该薄膜晶体管基板还包括一像素电极，该些开口的至少其中之一者与该些间隙壁的至少其中之一者位于该黑色矩阵上，且该黑色矩阵横跨该像素电极。
[0016]该薄膜晶体管基板还包括:第二基板；以及薄膜晶体管层，设置于该第二基板上。
[0017]该显示面板还包括:平坦层，位于该彩色滤光层、该黑色矩阵层以及该透明导电层之间。
[0018]本实用新型的优点在于，在其显示面板中，彩色滤光基板上的透明导电层的开口位于黑色矩阵上且至少部分覆盖一个间隙壁，因而可以有效提高开口率，减少耦合电容对于线路的信号传输的不良影响，进而提升显示面板的显示品质。
[0019]为了对本实用新型的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下:
【附图说明】
[0020]图1A为本实用新型一实施例的显示面板的局部俯视示意图；
[0021]图1B为沿图1A的剖面线B-B’的剖面示意图；
[0022]图1C为沿图1A的剖面线C-C’的剖面示意图；
[0023]图2为本实用新型另一实施例的显不面板的俯视不意图；
[0024]图3A为本实用新型一实施例的显示面板的局部俯视示意图；
[0025]图3B为沿图3A的剖面线3B-3B’的剖面示意图；
[0026]图4为本实用新型又一实施例的显示面板的局部分解示意图。
[0027]符号说明
[0028]100、200、300、400:显示面板
[0029]100A:彩色滤光基板
[0030]100B:薄膜晶体管基板
[0031]100C:液晶层
[0032]110:第一基材
[0033]120:黑色矩阵
[0034]130:彩色滤光层
[0035]130A、130B、130C:色阻
[0036]130b:最底部
[0037]130c:凹孔
[0038]140:透明导电层
[0039]140A:开口
[0040]150:间隙壁
[0041]150c:中心
[0042]160:平坦层
[0043]170:第二基板
[0044]180:薄膜晶体管层
[0045]190:像素电极
[0046]B-B，、C-C，、3B_3B’:剖面线
[0047]DL:数据线
[0048]GL:栅极线
[0049]LC:液晶
[0050]P:次像素单元
[0051]R:区域
【具体实施方式】
[0052]根据本实用新型的实施例，显示面板中，彩色滤光基板上的透明导电层的开口位于黑色矩阵上且至少部分覆盖一个间隙壁，因而可以有效提高开口率，减少耦合电容对于线路的信号传输的不良影响，进而提升显示面板的显示品质。以下参照所附的附图详细叙述本实用新型的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本实用新型欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。
[0053]图1A绘示根据本实用新型一实施例的显示面板100的局部俯视示意图，图1B绘示沿图1A的剖面线B-B’的剖面示意图，图1C绘示沿图1A的剖面线C-C’的剖面示意图。如图1A?图1C所示，图1A绘示显示面板100的一个次像素单元P。显示面板100包括一彩色滤光基板100A、一液晶层100C以及一薄膜晶体管基板100B，其中薄膜晶体管基板100B与彩色滤光基板100A对组以将液晶层100C夹置于其中。彩色滤光基板100A包括一第一基材110、一黑色矩阵120、一彩色滤光层130、一透明导电层140以及多个间隙壁150。实施例中，以图1A?图1C所示中的彩色滤光基板100A的结构来看(由液晶层100C往彩色滤光基板100A的方向看)，黑色矩阵120及彩色滤光层130设置于第一基材110上；附图中虽绘示先行制作黑色矩阵120于第一基材110后再形成彩色滤光层130覆盖于黑色矩阵120与彩色滤光层130上，但并不以此受限，也可先制作彩色滤光层130于第一基材110上后再形成黑色矩阵120于彩色滤光层130上。透明导电层140设置于彩色滤光层130与黑色矩阵120上，透明导电层140具有多个开口 140A，此些开口 140A位于黑色矩阵120上。间隙壁150位于透明导电层140上且位于黑色矩阵120上。此些开口 140A的至少其中之一者位于相邻的此些间隙壁150之间，且此些间隙壁150的至少其中之一者部分覆盖于此些开口 140A的至少其中之一者上。换言之，至少有一个开口 140A位于相邻的至少两个间隙壁150之间，且至少有一个开口 140A被相邻的至少两个间隙壁150中至少其中一者所部分覆盖。
[0054]换言之，如图1A?图1C所示，开口 140A位于黑色矩阵120上，也就是表示透明导电层140的开口 140A对应于黑色矩阵120设置。一实施例中，以显示面板100为液晶显示面板为例，透明导电层140的开口 140A可以令液晶(Liquid Crystal, LC)中的液晶分子产生360度方向的倾倒而达到广视角的效果。但由于开口 140A周围的液晶LC中的液晶分子排列不规则，因此若开口 140A位于次像素单元P的开口区(显示区域)中，会造成显示区域中的暗区，并产生侧视角漏光问题，因此以往会在对应开口 140A处设置储存电容来遮蔽开口 140A，但却造成了开口率减少的问题。根据本实用新型的实施例，间隙壁150位于透明导电层140上且位于黑色矩阵120上，也就是表示间隙壁150对应于黑色矩阵120设置。如此一来，黑色矩阵120便可以遮蔽因为间隙壁150的形状而造成的液晶LC的液晶分子排列不规则所产生的漏光问题；再者，由于透明导电层140的开口 140A也对应于黑色矩阵120设置，因此黑色矩阵120同时也可以覆盖住开口 140A周围的液晶LC排列不规则的区域R，降低区域R的因为液晶LC排列不规则而产生的暗区与漏光问题。换言之，根据本实用新型的实施例，透明导电层140的开口 140A位于黑色矩阵120上，无需在对应该开口 140A处设置储存电容，如此可以避免因为设置储存电容造成的开口率降低，能有效提高开口率，并且可以有效避免漏光冋题，进而提升显不面板100的显不品质。
[0055]实施例中，如图1B?图1C所示，薄膜晶体管基板100B可包括一第二基板170以及一薄膜晶体管层180，薄膜晶体管层180设置于第二基板170上。薄膜晶体管基板100B可包括一栅极线GL，栅极线GL位于薄膜晶体管层180中并对应黑色矩阵120设置，因此间隙壁150与开口 140A也对应于栅极线GL设置。实施例中，如图1B?图1C所示，此些间隙壁150的至少其中之一者与此些开口 140A的至少其中之一者位于栅极线GL上。
[0056]实施例中，如图1C所示，薄膜晶体管基板100B还可包括一数据线DL，此些间隙壁150的至少其中之一者位于数据线DL上。
[0057]此外，如图1C所示，根据本实用新型的实施例，至少一个间隙壁150部分覆盖至少一个透明导电层140的开口 140A。由于本实施例的开口 140A位于黑色矩阵120上，因此具有开口 140A的透明导电层140也会分布于黑色矩阵120上，此位于黑色矩阵120上的透明导电层140部分会跟对应黑色矩阵的栅极线GL产生耦合电容效应，造成信号互相干扰的问题。而根据本实用新型的实施例，可利用减少位于黑色矩阵120上的透明导电层140或增大开口 140A的面积来减少透明导电层140与栅极线GL的耦合电容效应，