OLED色度调整方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED色度调整方法。

背景技术：

有机发光二极管(Organic light-emitting Diode,简称OLED)，通过有机层自主发光显示，由于不需要背光源，因此具有更快的响应时间，更大的可视角度，更高的对比度以及更轻的元器件质量，低功耗等特点，是目前公认的最有潜力的平板显示技术。

目前，有机发光二极管由具有不同功能的多层结构组成。每层材料的固有属性及其与其他层材料的兼容性是非常重要的。多层结构中，通常包括空穴注入层(HIL)，空穴传输层(HTL)，发光层(EML)，电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)等等。由于各层的折射率不同，光在各层之间传输的时候会发生全反射的现象，导致发光层有机物产生的大部分光的流失。只有约20％的光能够有效地发射，大部分的光都浪费在各层之间的反射中，这是导致有机发光二极管外量子效率较低的主要原因。在光路上增加微透镜阵列(microlens array)来提高OLED元件的光耦合作用，是提高OLED元件外量子效率的一种方法。

OLED显示技术目前有两种实现方法。第一种以白光OLED加上彩色滤光片(color filter)，第二种是RGB OLED，即由能分别发射红色，绿色和蓝色光的OLED子像素组成。在RGB OLED中，三种颜色的色度就成了评估OLED性能的主要标准之一，也是目前OLED工艺中的一个难点。

技术实现要素：

本发明提供一种OLED色度调整方法，用以解决现有技术中OLED的色度不达标，从而影响OLED性能的技术问题。

本发明提供一种OLED色度调整方法，包括：

步骤101，对OLED使用封装层进行封装之后，在封装层表面覆盖第一光刻胶，第一光刻胶中掺杂染色剂；

步骤102，利用光掩膜板对第一光刻胶进行曝光处理；

步骤103，利用显影液对经过曝光处理的第一光刻胶进行处理，以获得第二光刻胶，第二光刻胶上具有呈阵列分布的孔洞。

进一步的，曝光处理采用紫外线曝光。

进一步的，光刻胶为负性光刻胶。

进一步的，光刻胶为正性光刻胶。

进一步的，在步骤101之前还包括，在OLED的阴极镀隔离层，隔离层包括有机薄膜层和无机薄膜层；在隔离层表面覆盖封装层，以完成OLED的封装。

进一步的，封装层为氮化硅层。

进一步的，有机薄膜层为聚乙烯薄膜层。

进一步的，无机薄膜层为无机氧化物薄膜层。

进一步的，在OLED的阴极镀隔离层具体包括，通过原子层沉积技术和/或化学气相沉积技术在OLED的阴极镀隔离层。

本发明提供一种OLED色度调整方法，通过在第一光刻胶中加入染色剂来调整第二光刻胶的折射率，从而提高OLED元件的光耦合作用，以调整OLED的色度，同时，由于光刻的技术具有高解析度的特点，将排版后获得的第二光刻胶作为微透镜阵列使用，这样的微透镜阵列在设计上更加灵活。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1为本发明实施例提供的OLED色度调整方法的一流程示意图；

图2为本发明实施例提供的紫外线曝光处理示意图；

图3为本发明实施例提供的OLED色度调整方法的另一流程示意图。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，本发明提供一种OLED色度调整方法，包括：

步骤101，对OLED使用封装层进行封装之后，在封装层表面覆盖第一光刻胶，第一光刻胶中掺杂染色剂。染色剂可为RGB染色剂。在光刻胶中掺杂染色剂，可作为彩色滤光片使用。通过染色剂来调整光刻胶的折射率，从而调整OLED的色度。第一光刻胶可为负性光刻胶，也可为正性光刻胶。

步骤102，利用光掩膜板对第一光刻胶进行曝光处理紫外线。优选的，曝光处理采用紫外线曝光。光掩膜板上具有特定的镂空图案，将光掩膜板放置于第一光刻胶表面，并对其进行紫外线曝光，使光掩膜板镂空部分对应的第一光刻胶得到紫外线曝光。

步骤103，利用显影液对经过曝光处理的第一光刻胶进行处理，以获得第二光刻胶，第二光刻胶上具有呈阵列分布的孔洞。当第一光刻胶为正性光刻胶时，第一光刻胶上曝光处理的部分，即第一光刻胶上被紫外线照射到的部分将溶于显影液，在利用显影液对第一光刻胶进行处理时，被紫外线照射到的部分会被清洗掉。当第一光刻胶为负性光刻胶时，第一光刻胶上未被曝光处理的部分，即第一光刻胶上未被紫外线照射到的部分(光掩膜板非镂空部分覆盖的部分)将溶于显影液，在利用显影液对第一光刻胶进行处理时，未被紫外线照射到的部分会被清洗掉。无论是使用正性光刻胶还是负性光刻胶，第二光刻胶都需要具有呈阵列分布的孔洞，该具有呈阵列分布的孔洞的第二光刻胶可作为微透镜阵列使用。由于第二光刻胶中的孔洞尺寸与光掩膜板的镂空尺寸有关，因此可以通过设计光掩膜板的镂空尺寸来控制第二光刻胶的孔洞尺寸，所以第二光刻胶的孔洞尺寸可以做到很小。当第二光刻胶作为微透镜阵列使用时，可进一步增加设计的灵活性。

图2为紫外线曝光处理示意图。图2中4表示紫外线曝光，1为光掩膜板，2为第一光刻胶，3为封装层。对于负性光刻胶来说，紫外线曝光的部分将不溶于显影液，因此紫外线曝光的部分中会在后续显影步骤中保留下来，而没有曝光的部分溶于显影液，因此该部分中会在显影步骤中被洗掉。对于正性光刻胶来说，紫外线曝光的部分将溶于显影液，该部分会在显影步骤中被洗掉，没有曝光的部分将不溶于显影液，该部分会在显影步骤中保留下来。

由于光刻的方法具有高分辨率的特点，因此，将第二光刻胶作为微透镜阵列使用，可提高OLED元件的光耦合作用，以提高OLED元件的外量子效率。由于将排版后获得的第二光刻胶作为微透镜阵列使用，可以使这种微透镜阵列做到更小的尺寸，增加了设计的灵活性。本实施例提供的OLED色度调整方法，将掺杂了染色剂的第一光刻胶作为彩色滤光薄膜来使用，可以调整出光的色度，从而提高OLED元件的光耦合作用，以调整OLED的色度，同时，由于光刻可以达到很高的分辨率，将排版后的光刻胶作为微透镜阵列使用，在设计上更加灵活。

如图3所示，在本发明的一具体实施例中，在步骤101之前还包括步骤100a和步骤100b。

其中，步骤100a，在OLED的阴极镀隔离层，隔离层包括有机薄膜层和无机薄膜层。有机薄膜层为聚乙烯薄膜层。无机薄膜层为无机氧化物薄膜层。

在本发明的另一具体实施例中，在OLED的阴极镀隔离层具体包括，通过原子层沉积技术和/或化学气相沉积技术在OLED的阴极镀隔离层。

在OLED的封装步骤中，通过在阴极上蒸镀一层隔离层，然后再通过原子层沉积技术和/或化学气相沉积技术将有机薄膜层和无机薄膜层交互镀在OLED阴极区域，以避免水气和氧气进入OLED，造成OLED元件损坏。

步骤100b，在隔离层表面覆盖封装层，以完成OLED的封装。优选的，封装层为氮化硅层。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。