专利名称：偏转器及其制造方法和应用偏转器的带电粒子束曝光装置的制作方法
技术领域：
本发明主要涉及在用于半导体集成电路等的曝光的电子束曝光装置、离子束曝光装置等的带电粒子束曝光装置中可以应用的技术，特别是，涉及在用多条带电粒子束进行图案描绘的带电粒子束曝光装置中可以应用的偏转技术和应用该偏转技术的带电粒子束曝光装置等。
背景技术：
在半导体器件的生产中，电子束曝光技术将可以进行0.1μm以下的微细图案曝光的刻蚀作为有力的技术正在引起人们的注意。虽然在该刻蚀中存在几种方式，但是在各种方式中都存在着要解决的课题。例如，具有所谓的能够一笔描绘图案的“可变矩形束方式”。但是可变矩形束方式存在着使图案曝光时的生产率很低，作为为了对大量的晶片高效率地描绘图案的用于大批量生产的曝光装置不能够得到充分的生产率那样的课题。
作为能够达到提高生产率目的的刻蚀方式，已经提出了缩小复印在模板掩模中形成的图案的“图形统括曝光方式”的方案。可是，该方案对于重复描绘多个单纯图案是有利的，但是对于描绘逻辑配线层等的随机图案在提高生产率方面还有许多课题，当实用化时对于提高生产性还存在很大的障碍。
与此相对，已经提出了不用掩模而用多条电子束同时描绘图案的多束系统的方案。如果根据该系统，则因为不需要制作物理的掩模、将掩模设定在曝光装置中和交换该掩模，所以具有有利于实用化的许多优点。例如，在如下所示的非专利文献1(安田洋著应用物理69，1135(1994))中表示了用多条电子束描绘图案的多电子束曝光装置的例子。
图1是用于多电子束曝光装置的消隐器阵列的截面图。消隐器阵列是矩阵状地配置具有开口和消隐电极的消隐器的阵列，能够个别地控制多条电子束的照射。这里，在图中，151是开口，152和153表示第1和第2消隐电极。当通过开口的带电粒子束照射在试料上时，在第1和第2消隐电极152、153上加上接地电位的信号，当遮断时，同时在第1和第2消隐电极上加上正负电位的信号。
但是，在上述使用多条电子束的已有例中，因为将多个消隐电极配列成矩阵状，需要独立控制使各条电子束接通/断开的消隐器，所以存在着当消隐器的个数增多时难以进行用于控制消隐电极的配线那样的课题。我们一面参照图2、3一面说明这个问题。图2是举例表示除去了到各电极的配线的6×6个消隐器阵列的配列的平面图。在图中，电子束从垂直纸面的方向进行照射扫描，通过开口151。用于使电子束接通/断开的1对消隐电极例如是图中的152和153。在图2中，到各消隐器的消隐电极的配线是独立的。图3是图2的“A”部分的放大图，是表示包含从各消隐电极在Y方向上取出配线时到各电极的配线的状态图。如从图3可以看到的那样，在配线取出方向(图3的情形中为Y方向)，随着远离器件中心配线数增加，因此，存在着当保持消隐器之间的间距恒定(例如100μm)不变时，难以向数千个单位的消隐电极进行配线那样的课题。
此外，也存在着关于加工线污染的课题。因为在消隐电极上配置许多配线，所以在作为制作消隐电极的MEMS基片的电极基片上，为了以约100μm的间距配置数千个单位的消隐电极，该配线设计规则成为亚微米单位，需要半导体LSI生产线的加工装置，但是在半导体加工线中，存在着由于为了避免重金属污染，不能够将用MEMS加工线制作的上述MEMS基片投入半导体加工线中的那种制造上的制约所引起的课题。
发明内容
本发明就是鉴于上述课题提出的，本发明的目的是提供可以向许多消隐电极配线，或者，不受在制造线上的污染影响，或者，在构成偏转器的电极基片与配线基片的接合处，能够有效地防止电极基片的电极部的脱落和变形，或者，即便当将电子束直接照射在偏转器的电极基片上时，也能够防止发生充电，可以实现电子束稳定化的偏转技术等。
与本发明有关的偏转器的特征主要是具有下列构成。
即，与本发明有关的偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；和为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与各电极对连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点，接合地形成上述电极基片和上述配线基片。
或者，与本发明有关的偏转器备有具有多个贯通口、用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对、和在该第1电极和第2电极近旁，电连接该第1电极和第2电极中的各个电极的电极配线焊点的电极基片；和为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点和上述电极基片的电极配线焊点，接合地形成该电极基片和该配线基片。
又，制造接合地形成与本发明有关的电极基片和配线基片的偏转器的方法备有准备具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片的工序；准备为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片的工序；和在接合上述配线基片和上述配线基片前，在配线层部中设置该配线基片的电子束开口部的工序。
又，制造接合地形成与本发明有关的电极基片和配线基片的偏转器的方法备有准备具有多个贯通口、用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对、和具有在该第1电极和第2电极近旁，与该第1电极和第2电极中各个电极电连接的电极配线焊点的电极基片的工序；准备为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片的工序；和在接合上述配线基片和上述配线基片前，在配线层部中设置该配线基片的电子束开口部的工序。
又，与本发明有关的带电粒子束曝光装置具有发射带电粒子束的带电粒子源、和用于控制上述照射的带电粒子束的图象形成位置的偏转器，上述偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；和具有为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，与该各电极对连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点，接合地形成上述电极基片和上述配线基片。
又，与本发明有关的带电粒子束曝光装置具有发射带电粒子束的带电粒子源、和用于控制上述照射的带电粒子束的图象形成位置的偏转器，上述偏转器备有具有多个贯通口、用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对，和在该第1电极和第2电极的近旁，电连接该第1电极和第2电极中的各个电极的电极配线焊点的电极基片；和为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点和上述电极基片的电极配线焊点，接合地形成该电极基片和该配线基片。
又，制造接合地形成与本发明有关的电极基片和配线基片的偏转器的方法备有准备具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片的工序；和准备与上述电极基片接合的配线基片的工序，由上述准备配线基片的工序制作的上述电极基片，在上述电极基片上形成的上述贯通孔对应的位置上，具有贯通的开口部，具有使上述开口部的侧面、该开口部的配线层表面和上述配线基片的背面电接地的电极。
又，与本发明有关的偏转器备有具有多个开口部、和用于偏转通过上述开口部的带电粒子束，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；和层积了具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线层和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线层的配线基片。
又，与本发明有关的偏转器备有具有多个开口部、和用于偏转通过上述开口部的带电粒子束，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线基片；和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线基片，将上述电极基片配置在上述第1配线基片与上述第2配线基片之间。
又，与本发明有关的偏转器备有具有多个开口部、和用于偏转通过上述开口部的带电粒子束，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；
具有用于在上述第1电极上加上预定电压的配线的配线基片；和将接地电位给予上述第2电极的接地基片，将上述接地基片，比上述电极基片和上述配线基片，更配置在上述带电粒子束的通过方向中的前侧。
又，在具备与本发明有关的带电粒子束源、和偏转从上述带电粒子束源照射的带电粒子束的偏转器的带电粒子束曝光装置中，上述偏转器备有具有多个开口部、和用于偏转通过上述开口部的带电粒子束，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；和层积了具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线基片和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线基片的配线基片。
又，在具备与本发明有关的带电粒子束源和偏转从上述带电粒子束源照射的带电粒子束的偏转器的带电粒子束曝光装置中，上述偏转器备有具有多个开口部、和用于偏转通过上述开口部的带电粒子束，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线基片；和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线基片，上述电极基片配置在上述第1配线基片与上述第2配线基片之间。
又，在具备与本发明有关的带电粒子束源和偏转从上述带电粒子束源照射的带电粒子束的偏转器的带电粒子束曝光装置中，上述偏转器备有具有多个开口部、和用于偏转通过上述开口部的带电粒子束，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；具有用于在上述第1电极上加上预定电压的配线的配线基片；和将接地电位给予上述第2电极的接地基片，将上述接地基片，比上述电极基片和上述配线基片，配置在更接近上述带电粒子束源的位置上。
又，与本发明有关的器件的制造方法备有用上述任何一项所述的带电粒子束曝光装置对晶片进行曝光的工序、和对上述晶片进行显影的工序。
如以上说明的那样，如果根据本发明，则通过接合电极基片和配线基片形成可以应用于带电粒子束曝光装置的偏转器，通过将配线基片作为多层配线，可以实现到多个消隐电极的配线。
或者，因为可以分别制作成为污染起因的电极基片和由讨厌污染的制造线制作的配线基片，所以也能够解决制造线中的污染问题。
或者，可以在构成偏转器的电极基片与配线基片的接合处，有效地防止电极基片的电极部的脱落和变形。
或者，即便当在电子束调整等中将电子束直接照射在偏转器的电极基片上时，也能够防止发生充电，可以实现使电子束稳定化的目的。
或者，因为能够将用于控制消隐电极的配线减少大约一半，能够容易地制作配线基片，可以增大配线的宽度，所以可以抑制由于当高频驱动消隐器阵列时发生的噪声使电子束不稳定的问题。又，可以用简单的构成形成屏蔽电极。
或者，形成在各连接配线焊点的下层具有配线基片的加工层(Si基片)的构造，可以提高对于与电极基片接合的加重的强度。因此，可以极大地提高电极基片和配线基片接合的稳定性。
或者，具有通过在可能直接打上电子束的配线基片上的全部区域上配置GND电极而构造的配线基片的偏转器能够防止发生充电，可以达到使电子束稳定化的目的。
图1是用于已有例中的多电子束曝光装置的消隐器阵列的截面图。
图2是举例表示已有例中，除去了到各电极的配线的6×6个消隐器阵列的配列的平面图。
图3是图2的“A”部分的放大图，是表示包含从各消隐电极在Y方向上取出配线时到各电极的配线的状态的图。
图4A是表示配置了3×3消隐器阵列的消隐电极的电极基片的平面图。
图4B是从截面方向看图4A的电极基片的图。
图5是第1实施形态中的配线基片的平面图。
图6是图5所示的配线基片的截面图。
图7是表示第1实施形态中的电极基片和配线基片接合的状态的平面图。
图8是表示第1实施形态中的电极基片和配线基片接合的状态的截面图。
图9是表示第1实施形态中，当从电极基片一侧看时，通过在配线基片的加工层(Si基片)的背面一侧设置开口部，形成的消隐器阵列(偏转器)的图。
图10是说明第1实施形态中的电极基片的消隐电极与配线基片的连接配线焊点的位置关系的图。
图11是说明消隐器阵列(偏转器)的制作方法的图。
图12A和B是表示将偏转器用作消隐器的电子束曝光装置的构成的概略图。
图13是详细说明关于图12A、B中说明的一列电子束的控制的图。
图14是说明电子束曝光装置中的各部的功能的图。
图15是表示用于控制电子束曝光装置的控制系统的构成图。
图16A是表示配置了3×3地配列的消隐器阵列的电极配线焊点的电极基片的平面图。
图16B是从截面方向看图16A的电极基片的图。
图17是表示第2实施形态中的电极基片和配线基片接合后的状态的截面图。
图18是第2实施形态中的偏转器的截面图。
图19是说明第2实施形态中的电极基片的电极与电极配线焊点的位置关系的图。
图20是说明第3实施形态中的偏转器的构成图。
图21是说明构成第3实施形态中的偏转器的电极基片的制造方法的图。
图22A和B是第4实施形态中的消隐器阵列(偏转器)990的截面图和平面图。
图23是说明配线基片1500的构造图。
图24是说明配线基片1500的构造图。
图25是放大与第5实施形态中的配线基片的1个消隐器部分对应的区域的图。
图26是说明构成第5实施形态中的偏转器的电极基片的制造方法的图。
图27是说明第6实施形态的偏转器的构成图。
图28是表示半导体器件全体的制造工艺的流程图。
图29是表示晶片加工的详细情形的流程图。
具体实施例方式
<第1实施形态>
我们一面参照图4A～图10的图面一面说明与本发明有关的偏转器的第1实施形态。图4A表示配置了3×3消隐器阵列的消隐电极的电极基片400的平面图，图4B是从截面方向看该电极基片400的图(未示出用来绝缘消隐电极和电极基片的绝缘体)。在图4A中，52、53是消隐电极，51是电子束开口部。图5是配线基片500的平面图，52P、53P表示用于从外部电源(图中未画出)加上电压的加电压焊点，52′、53′是用于将来自加电压焊点52P、53P的配线52H、53H与电极基片400的电极52、53电连接起来的接合用的连接配线焊点。51′是配线层部的电子束开口部，但是比电极基片400(图4A、B)的电子束开口部51小。图6表示图5所示的配线基片500的截面图。
图4A、B所示的电极基片400通过连接配线焊点52′、53′与图5所示的配线基片500电接合。图7、图8分别是表示电极基片400和配线基片500接合的状态的平面图和截面图。
图9是表示通过在配线基片500的加工层(Si基片)960上只从电极基片400在背面一侧设置背面开口部950形成的消隐器阵列(偏转器)900的图。
图10是表示当电极基片400和配线基片500接合时电极基片400的消隐电极(52、53)与配线基片500的连接配线焊点(52′、53′)的位置关系图，配线基片500的连接配线焊点(52′、53′)直接与电极基片400的消隐电极(52、53)接合形成接合部1000。
其次，我们说明上述消隐器阵列900的制作方法。首先我们一面参照图11，一面说明电极基片400的制作方法。
(1)准备好基片501。基片501由硅构成，它的厚度成为决定偏转灵敏度的重要因素。例如，可以用约200μm的厚度。其次，用热氧化法，在基片501的表面背面形成厚度为1.5μm的二氧化硅膜507(图11的11a)(2)在基片501的表面用酚醛清漆系的抗蚀剂，进行光刻。形成刻蚀的掩模(图中未画出)。其次，进行用CF4和CHF3等的气体的反应性离子刻蚀。刻蚀二氧化硅507，此后，除去抗蚀剂(图11的11b)。
(3)对硅基片501进行使用感应耦合型等离子体和BOSCH工艺的反应性离子刻蚀，使它露出底面的二氧化硅507(图11的11c)。
(4)用缓冲氟酸除去二氧化硅507(图中未画出)。此后，用热氧化法，在基片501的表面背面和开口的侧壁形成由厚度为1.5μm的二氧化硅构成的绝缘层504(图11的11d)。
(5)准备好在玻璃等绝缘体上形成金(Au)膜的导电性基片509。又，导电性基片509也可以是由金属构成的基片。其次，在导电性基片509上涂敷酚醛清漆系的抗蚀剂508，将基片501与导电性基片509粘合起来(图11的11e)。
(6)进行用氧的反应性离子刻蚀，除去开口底部的抗蚀剂508，露出导电性基片509。此后，进行金的电镀直到从基片501突出金503a、b为止(图11的11f)。
(7)将包含基片501的全体浸入丙酮等的有机溶剂中，进行超声波清洗，除去抗蚀剂508和脱离导电性基片509。其次，研磨基片501的表面背面进行平坦化(图11的11g)。
(8)在背面涂敷抗蚀剂等作为保护膜511。在与保护膜相反一侧的面上涂敷作为酚醛清漆系的抗蚀剂的AZP4620(Clariant Japan制)厚度为8μm，进行光刻，形成刻蚀掩模(图中未画出)。其次，进行用CF4等的气体的反应性离子刻蚀，在绝缘层504上形成开口，露出由硅构成的基片501(图11的11h)。
(9)对硅基片501进行用感应耦合型等离子体和BOSCH工艺的反应性离子刻蚀，露出底面的绝缘层54(图11的11i)。
(10)用缓冲氟酸除去二氧化硅的绝缘层504，露出偏转电极503a、503b。又，在该工序中因为背面受到由抗蚀剂等构成的保护膜511的保护，所以不进行刻蚀。此后，除去抗蚀剂511(图11的11j)。
其次，我们一面参照图6，一面说明配线基片500的制作方法。首先，在Si基片上淀积厚度为500nm的绝缘膜(SiO2)后，为了提高与绝缘膜的粘合性用溅射法淀积Ti、作为扩散阻挡层的TiN、和作为配线材料的Al-Au合金，厚度分别为30、80、300nm。其次，用光刻和干刻进行配线加工，进行第1层配线(53H)的加工，其次，用低温CVD法淀积绝缘膜，用深腐蚀法进行干刻蚀后，再次淀积绝缘膜进行平坦化。
其次，用光刻和干刻形成连接孔(贯通孔)，进行第2层配线(52H)的加工。而且，用同样的工序对加电压焊点(52P、53P)进行加工。
进一步，在用光刻法形成抗蚀剂图案，淀积厚度分别为30、2000nm的TiN、Au后，用剥离法形成连接配线焊点52′、53′。在与电极基片400的接合中使用Au-Sn的共晶接合的情形中，也可以在淀积Au后，进一步淀积Sn，形成连接配线焊点52′、53′。又，用蒸镀法淀积Au，但是也可以用电镀法得到更厚的连接配线焊点(突起)。最后用光刻和干刻在配线层部上设置开口部51′。因为在接合电极基片400和配线基片500后，要在配线层部上设置开口部在工序上是困难的，所以希望在接合前在配线层部上设置电子束开口部。但是在接合前也在配线基片500的Si基片本体上设置背面开口部，因为是几～十几μm厚度的薄膜的接合，所以机械强度变弱，是不适合的。
接着，接合电极基片400和配线基片500。将电极基片400和配线基片500接合在电极基片400的电极(52、53)与配线基片500的连接配线焊点(52′、53′)之间。当配线基片500的连接配线焊点(52′、53′)为Sn/Au时，在与电极基片400的Au电极之间，进行Au-Sn-Au共晶接合。首先，使用预先在电极基片和配线基片上作成的对准标记对准电极基片和配线基片后，在约300℃的温度中加上荷重进行电极基片和配线基片的接合(图8)。
最后，在接合的两基片的电极基片一侧涂敷抗蚀剂保护表面后，用感应耦合型等离子体和BOSCH工艺的反应性离子刻蚀对背面进行刻蚀，形成背面开口，结束全部加工(图9)。
又，在上述说明中，在图8的接合中，在约300℃的温度中使用Au-Sn的共晶接合，但是也能够使用Au-Au的常温接合。因为在Au-Au的情形中，在Ar等离子体中洗净后，可以在常温下进行接合，所以在常温接合中具有能够避免由于与温度有关的材料的膨胀系数不同引起变形的优点。又，因为当从电极基片方向入射的电子束打在配线基片500上的配线和连接配线焊点上时，可能成为充电和系统不稳定性的原因，所以为了避免它，最好在与电极基片400的贯通孔对置的配线基片区域中没有配线和配线焊点。
<电子束曝光装置的说明>
图12A是将本实施形态的偏转器用作消隐器的电子束曝光装置的概略图。在图12A中，1是形成多个电子源像，从该电子源像发射电子束的多源模块。该多源模块1如图12B所示，具有3×3配列的构成。我们将在后面述说它的详细情况。
21、22、23、24是磁透镜阵列，形成间隔地上下配置具有3×3配列的相同形状的开口的磁体圆板MD，由共同的线圈CC进行励磁的构造。结果，磁透镜阵列的各开口部分成为各磁透镜ML的磁极，设计上，产生透镜磁场。通过与磁透镜阵列21、22、23、24对应的4个磁透镜(ML1、ML2、ML3、ML4)，将各多源模块1的多个电子源像投影到晶片4上。这里，我们将来自一个多源模块的电子束照射到晶片上为止，作用于该电子束的光学系统定义为“列”。即，在本实施形态的构成中，与磁透镜阵列的3×3配列对应，将9列(col.1～col.9)的电子束投影到晶片4上。这时，由磁透镜阵列21和磁透镜阵列22的对应的2个磁透镜进行一次成像，接着由磁透镜阵列23和磁透镜阵列24的对应的2个磁透镜将该像投影到晶片4上。而且，通过用共同的线圈(CC)个别地控制磁透镜阵列21、22、23、24的各个励磁条件，使各列的各个光学特性(焦点位置、像的转动、放大倍数)大致相同，换句话说能够只以相同的量调整各个光学特性。
3是使从多源模块1照射的多条电子束偏转，使多条电子束在晶片4上沿X、Y方向变化位置的主偏转器。5是载置晶片4，可以在与光轴AX(Z轴)正交的XY方向和围绕Z轴的转动方向中移动的载物台，将载物台基准板6固定在载物台5上。7是检测当由电子束照射载物台基准板6上的标记时产生的反射电子的反射电子检测器。
图13是详细说明关于图12A、B中说明的一列的电子束的控制的图，我们用图13说明多源模块1和从多源模块1照射晶片4电子束的光学特性的调整功能。
101是电子枪形成的电子源(交叉点像)。从该电子源101发射的电子束通过压缩透镜102成为大致平行的电子束。本实施形态的压缩透镜102是由3块开口电极构成的静电透镜。103是开口部形成2维配列的孔径阵列，104是2维配列具有相同光学能力的静电透镜形成的透镜阵列，105、106是2维配列可以个别驱动的静电的8极偏转器形成的偏转器阵列，107是2维配列可以个别驱动的静电消隐器形成的消隐器阵列。将本实施形态中先前说明的偏转器用作该消隐器阵列107。
现在我们用图14说明各部的功能。来自压缩透镜102的大致平行的电子束由孔径阵列103分割成多个电子束。分割后的电子束通过对应的透镜阵列104的静电透镜，在消隐器阵列107的对应的消隐器上形成电子源的中间像。
这时，偏转器阵列105、106个别地调整在消隐器阵列107上形成的电子源的中间像的位置(与光轴正交的面内的位置)。又，被消隐器阵列107偏转的电子束，因为被图13的消隐孔径(AP)遮断，所以不照射到晶片4上。另一方面，不被消隐器阵列107偏转的电子束，因为不被图13的消隐孔径AP遮断，所以照射到晶片4上。
再次回到图13的说明，通过磁透镜阵列21和磁透镜阵列22的对应的2个磁透镜，将由多源模块1形成的电子源的多个中间像投影到晶片4上。这里，在将多个中间像投影到晶片4上时的光学特性中，像的转动、放大倍数，能够用偏转器105、106调整消隐器阵列上的各中间像的位置，能够用设置在每列中的动态聚焦透镜(静电或磁透镜)108、109调整焦点位置。
其次，图15表示用于控制电子束曝光装置的控制系统的构成。消隐器阵列控制电路41是个别地控制构成消隐器阵列107的多个消隐器的电路，偏转器阵列控制电路42是个别地控制构成偏转器阵列105、106的偏转器的电路。
D_FOCUS控制电路43是个别地控制动态聚焦透镜108、109的电路，主偏转器控制电路44是控制主偏转器3的电路，反射电子检测电路45是处理来自反射电子检测器7的信号的电路。只装备与列数(col.1～col.9)相同的数量的这些消隐器阵列控制电路41、偏转器阵列控制电路42、DFOCUS控制电路43、主偏转器控制电路44和反射电子检测电路45。
磁透镜阵列控制电路46是控制各个磁透镜阵列21、22、23、24的共同线圈的电路，载物台驱动电路47是与检测载物台位置的图中未画出的激光干涉仪协同工作，驱动控制载物台5的控制电路。主控制系统48控制上述多个控制电路，管理整个电子束曝光装置。
如以上说明的那样，因为根据本实施形态的偏转器是通过接合电极基片400和配线基片500形成的，所以通过将配线基片作为多层配线，可以实现到多个消隐电极的配线，并且因为可以分别制作成为污染起因的电极基片400和由讨厌污染的制造线制作的配线基片500，所以也能够解决制造线中的污染问题。
又，在本实施形态中，将本发明的偏转器用作消隐器阵列107，但是本发明的偏转器能够完全用于为了偏转多条带电粒子束的偏转器，例如也可以用作本实施形态的偏转器阵列105、106。
又，在本实施形态中，例如，可以分别作为图1的第1层配线(53H)和第2层配线(52H)构成第1配线层和第2配线层。又，能够作为给予设置在电极基片上的电极中的，例如，电极52、53中的任何一个接地电位的第2电极进行构成。这时，加在第2电极上的第2电压最好为0V(接地电位)。
<第2实施形态>
我们一面参照图16A～图19一面说明与本发明有关的第2实施形态的偏转器。图16A表示配置了3×3配列的消隐器阵列的电极配线焊点的电极基片600的平面图，图16B是从截面方向看该电极基片600的图。在图16A中，60是电极配线焊点，是与消隐电极电连接的焊点。
图17是表示电极基片600和配线基片700接合后的状态的截面图，图18是第2实施形态中的偏转器1800的截面图，在配线基片700中形成背面开口部1850。在第1实施形态中，将电极基片和配线基片的接合部设置在电极基片的电极上，但是在第2实施形态的构成中，如图19所示，形成在偏离电极配线焊点60从电极基片600的电极(520、530)偏离的位置(电极近旁的位置)上。而且，该电极配线焊点60与配线基片700′的连接配线焊点(520′、530′(请参照图18))接合(图19的1900)。为了当电极基片600与配线基片700′接合时加上荷重，防止电极脱落变形，如本实施形态那样，最好配线基片700′的连接配线焊点(520′、530′)的位置从电极基片600的电极(520、530)的位置偏离，通过如本实施形态所示地构成电极基片600与配线基片700′的接合位置，可以有效地防止电极部的脱落和变形。
又，因为第2实施形态所示的电极基片600的制作方法，与第1实施形态所示的工序比较，只是在附加电极配线焊点60的工序这点上不同，所以我们省略对全部工序的说明。
又，也可以将本实施形态中说明的偏转器应用于第1实施形态中说明的电子束曝光装置。
<第3实施形态>
我们一面参照图20一面说明与本发明有关的第3实施形态的偏转器。在第3实施形态的偏转器中，具有以在第1实施形态中说明的电极基片上，在与配线基片的连接面的相反一侧的面上，通过绝缘膜1230配置GND(接地)电极1220为特征的构成。如果根据这种构成，则即便在调整电子束等中电子束直接照射到电极基片1200上的情形中，也能够防止发生充电，可以达到使电子束稳定化的目的。
构成本实施形态中的偏转器1250的电极基片1200的制作方法最好将第1实施形态中的图11的11h～11j的加工变更为图21的21a～21e的加工，其它部分的制作方法与第1实施形态相同。下面我们逐一说明图21的21a～21e的加工。
(1)用等离子体CVD形成作为绝缘膜505的硅氮化膜，厚度为1μm。其次，连续蒸镀作为屏蔽电极506的钛/金，厚度分别为5nm/50nm。此后，在背面涂敷抗蚀剂等形成保护膜511(图21的21a)。
(2)在屏蔽电极506上涂敷作为酚醛清漆系的抗蚀剂的AZP4620(Clariant Japan制)厚度为8μm，进行光刻，形成刻蚀掩模(图中未画出)。其次，进行用氯和氩等的气体的反应性离子刻蚀，对钛/金进行刻蚀。进一步，进行用CF4等的气体的反应性离子刻蚀，形成开口部和焊点510a、510b。此后，除去抗蚀剂(图21的21b)。
(3)在屏蔽电极506上涂敷作为酚醛清漆系的抗蚀剂的AZP4620(Clariant Japan制)厚度为8μm，进行光刻，形成刻蚀掩模(图中未画出)。其次，进行用CF4等的气体的反应性离子刻蚀，在绝缘层505中形成开口部，露出由硅构成的基片501(图21的21c)。
(4)对硅基片501进行用感应耦合型等离子体和BOSCH工艺的反应性离子刻蚀，使它露出底面的绝缘层504(图21的21d)。
(5)用缓冲氟酸除去二氧化硅绝缘层504，露出偏转电极503a、503b。又，因为在该工序中背面得到由抗蚀剂等构成的保护膜的保护，所以，不发生刻蚀。此后，除去抗蚀剂(图21的21e)。
通过上述加工，能够作成本实施形态中的电极基片1200。因为接合该电极基片1200和配线基片1210，制作图20所示的偏转器1250的工序的说明与第1实施形态中的工序相同，所以这里省略该说明又，也可以将本实施形态中的说明的偏转器应用于第1实施形态中说明的电子束曝光装置。
<第4实施形态>
我们一面参照图22A～图24一面说明与本发明有关的偏转器等的第4实施形态。图22A、B分别是消隐器阵列(偏转器)990的截面图和平面图。消隐器阵列990由电极基片1400、配线基片1500和屏蔽电极基片800构成，通过以图22A表示的顺序层积并接合各基片，得到电连接。这里，消隐器阵列990为3×3的偏转器阵列，偏转器由一对消隐电极252、253构成。
消隐器阵列990通过用配置在配线基片1500上的加电压焊点1501加上电位进行驱动。这里，最大的特征是偏转器中的一对消隐电极252、253的单侧，例如，消隐电极253具有为了给予GND电位的特殊化的构成，能够减少配线基片1500具有的配线数，具有比第1实施形态中的说明的偏转器的构成更简单的构成。又，屏蔽电极基片800与为了给予GND电位而特殊化的消隐电极253电连接，成为GND电位。
与本实施形态有关的电极基片1400具有与第2实施形态中说明的大致相同的构成。第4实施形态中的电极基片1400备有在电极基片1400的表面一侧和背面一侧具有电极配线焊点160，通过该电极配线焊点160接合配线基片1500的焊点部163和屏蔽电极基片800的焊点部161的构造。
屏蔽电极基片800由厚度为200μm的Si基片构成，在与电极基片1400的电子束开口部151对应的位置上3×3阵列状地设置大小为□25μm(所谓的□25μm表示每边25μm的四方形)的电子束开口部801。又，屏蔽电极基片800具有在基片的表面背面和电子束开口部801的侧壁上形成的厚度约1000埃的由Au构成的屏蔽电极802的膜，使屏蔽电极基片800全体保持同电位的功能。又，如图22B所示，形成从屏蔽电极基片800的上面一侧不能够看到电极基片1400的构造。
其次，我们用图23说明配线基片1500的构造。图23是表示配线基片1500的构造的图，配线基片1500对于每个偏转器具有连接配线焊点252′、253′、电子束开口部151′和加电压焊点252P、253P。这里，连接配线焊点252′通过加电压焊点252P和配线252H一对一地连接。进一步，该加电压焊点252P与能够加上任意电压的焊点54连接。与此相对，连接配线焊点253′通过加电压焊点253P和配线253H电连接，但是因为共用其它偏转器和配线253H，所以形成配线253H和加电压焊点253P的数目比配线252H和加电压焊点252P少的简单构成。与GND55连接的加电压焊点253P能够将配线焊点253′规定在GND电位。
又，配线基片1500可以具有如图24所示的构成。即，也能够共用配线253H，与9个连接配线焊点253′对应地独立构成加电压焊点253P。通过增大配线253H的宽度等强化GND，接近地设置加电压焊点252P、253P，能够正确地规定GND电位。
通过如上说明地共用连接到GND55的配线253H，减少配线253H的配线数，能够使消隐器阵列990具有简单的构成。又，缓和对用于在配线基片1500上形成配线253H的加工的制约，从而可以容易地制作配线基片1500。
进一步，因为可以增大配线253H的宽度，所以可以抑制由于当高频驱动消隐器阵列990时发生的噪声使电子束不稳定的问题。
又，能够通过消隐电极253，将屏蔽电极基片800的电位规定在GND电位，可以用非常简单的构成形成屏蔽电极。又，在本实施形态中，屏蔽电极基片作为接地基片起作用。在图22A的构成中，可以将配线基片1500作为第1配线基片，将屏蔽电极800作为第2配线基片，构成偏转器。
又，也可以将本实施形态中说明的偏转器应用于第1实施形态中说明的电子束曝光装置。
<第5实施形态>
下面，我们一面参照图25、26一面说明与本发明有关的偏转器等的第5实施形态。图25是放大与配线基片中的1个消隐器部分对应的区域的图。第5实施形态中的偏转器的构成，在第2实施形态中说明的配线基片700(图17)上，在与各消隐器对应的位置上设置配线基片的电子束开口部2501，在该电子束开口部2501的侧面、电子束开口部附近的配线层表面和配线基片背面上覆盖GND电极2502这点上是不同的。该配线基片2500与第2实施形态中说明的电极基片600接合，形成与本实施形态有关的偏转器。
如果根据图25的构成，则形成在各连接配线焊点(突起)2503的下层具有配线基片2500的加工层(Si基片)2608的构造，可以提高对于与电极基片接合的加重的强度。因此，可以极大地提高电极基片和配线基片2500接合的稳定性。例如，在第1实施形态中，为了避免布线基片的薄膜部中的接合，虽然在电极基片与布线基片接合后在布线基片的背面中设置了开口部，但在本实施形态的布线基片中，可以在布线基片的表面和背面中全部加工了开口部后进行接合。
又，在与本实施形态有关的构成中，通过在调整电子束等中在可能直接打上电子束的配线基片上的全部区域上配置GND电极2502，能够防止发生充电，能够达到使电子束稳定化的目的。
其次，我们一面参照图26一面说明与本实施形态有关的配线基片2500的制作方法。
(1)首先，准备好成为基底的配线基片2600。这里，图26的26a是放大与配线基片2600中的一个消隐器的一部分对应的区域的图。在该配线基片2600的表面上涂敷作为酚醛清漆系的抗蚀剂的AZP4903(Clariant Japan制)厚度为17μm，进行光刻，形成用于电子束开口部的掩模图案2601。其次，进行用CHF3等的气体的反应性离子刻蚀，在配线层部分中形成电子束开口部2602，此后，除去抗蚀剂(图26的26b)。
(2)在配线基片2600上涂敷作为酚醛清漆系的抗蚀剂的AZP4903(Clariant Japan制)厚度为17μm，进行光刻，形成被覆连接配线焊点(突起)2503附近的区域的掩模图案2603。其次，连续蒸镀作为GND电极2604的钛/金，厚度分别为5nm/300nm(图26的26c)。
(3)在GND电极2604上在配线基片2600上涂敷作为酚醛清漆系的抗蚀剂的AZP4903(Clariant Japan制)厚度为17μm，进行光刻，形成掩模图案2605。其次，进行用氯和氩等的气体的反应性离子刻蚀，对掩模图案2603的表面和它的极近处的Ti/Au进行刻蚀(图26的26d)。此后，全部除去掩模图案2603和2605。
(4)在配线基片上涂敷作为酚醛清漆系的抗蚀剂的AZP4903(Clariant Japan制)厚度为17μm，进行光刻，形成用于在作为支持基片的配线基片中形成电子束开口部的掩模图案2606。这时，掩模2606的开口，比配线层部分的开口2602更形成在内侧(图26的26e)。其次，通过用氯和氩等的气体的反应性离子刻蚀，对掩模图案2606的开口部的Ti/Au进行刻蚀，进一步，用同一个掩模图案2606对硅基片2608进行用感应耦合型等离子体和BOSCH工艺的反应性离子刻蚀，形成电子束开口部2601(图26的26f)。
(5)从基片2608的背面一侧在GND电极2607上连续蒸镀Ti/Au，厚度分别为5nm/300nm。或者，从背面连续蒸镀Cr/Pd，厚度分别为100nm/300nm，此后用无电解电镀法形成Pd膜厚度为1.5μm(图26的26g)。
此后除去抗蚀剂。将GND电极2604和GND电极2607复合起来形成图25中的GND电极2502。通过以上的加工，能够制作本实施形态中的配线基片2500。
又，也可以将用本实施形态中说明的配线基片2500的偏转器应用于第1实施形态中说明的电子束曝光装置。
<第6实施形态>
其次我们一面参照图27一面说明与本发明有关的偏转器等的第6实施形态。在第6实施形态中，将第3实施形态中所示的GND电极1220配置在第2实施形态中所示的电极基片上，使第5实施形态所示的配线基片与该电极基片接合，形成与本实施形态有关的偏转器。但是，在与配置电极基片的GND电极相反的面(将它称为背面)上，配置与第5实施形态的配线基片所示的同样的GND电极2701。因此，可以进一步抑制发生充电，能够达到使电子束稳定化的目的。
又，在本实施形态中，作为电极基片表面的GND电极，用第3实施形态的GND电极，但是也可以配置第4实施形态所示的屏蔽电极基片。这时，在配线基片与电极基片接合后，接合屏蔽电极基片前的时刻，能够使探针直接接触偏转电极，检查配线和接合。此后，通过接合屏蔽电极基片形成第6实施形态的偏转器，具有能够预先排除不合格品的优点。因为电极基片背面的GND电极1220的形成最好与电极配线焊点60的形成同时进行，所以我们省略对制作工序的说明。
又，也可以将本实施形态中说明的偏转器应用于第1实施形态中说明的电子束曝光装置。
在上述第1实施形态中，例如，可以构成第1配线层和第2配线层分别作为图1的第1层配线(53H)和第2层配线(52H)。又，能够作为将接地电位给予设置在电极基片上的电极中的，例如，电极52、53中的任何一个的第2电极进行构成。这时，加在第2电极上的第2电压最好为0V(接地电位)。
又，在上述第4实施形态中，屏蔽电极基片作为接地基片起作用，在图22A的构成中，可以将配线基片1500作为第1配线基片，将屏蔽电极800作为第2配线基片，构成与本实施形态有关的偏转器。
如果根据以上说明的第1到第6实施形态，则可以通过接合电极基片和配线基片形成用于带电粒子束曝光装置的偏转器，可以通过将配线基片作为多层配线，向多个消隐电极进行配线。
或者，因为可以分别制作成为污染起因的电极基片和由讨厌污染的制造线制作的配线基片，所以能够解决制造线中的污染问题。
或者，可以在构成偏转器的电极基片与配线基片的接合处，有效地防止电极基片的电极部的脱落和变形。
或者，即便当在电子束调整等中将电子束直接照射在偏转器的电极基片上时，也能够防止发生充电，可以实现使电子束稳定化的目的。
或者，因为能够将用于控制消隐电极的配线减少大约一半，能够容易地制作配线基片，可以增大配线的宽度，所以可以抑制由于当高频驱动消隐器阵列时发生的噪声使电子束不稳定的问题。又，可以用简单的构成形成屏蔽电极。
或者，形成在各连接配线焊点的下层具有配线基片的加工层(Si基片)的构造，可以提高对于与电极基片接合的加重的强度。因此，可以极大地提高电极基片和配线基片接合的稳定性。
或者，具有通过在可能直接打上电子束的配线基片上的全部区域上配置GND电极而构造的配线基片的偏转器能够防止发生充电，可以达到使电子束稳定化的目的。
<半导体器件的制造工艺>
其次我们说明利用上述带电粒子束曝光装置的半导体器件的制造工艺。图28是表示半导体器件全体的制造工艺的流程的图。在步骤1(设计电路)进行半导体器件的电路设计。在步骤2(制作曝光控制数据)根据设计的电路图案制作曝光装置的曝光控制数据。另一方面，在步骤3(制造晶片)用硅等的材料制造晶片。将步骤4(加工晶片)称为前工序，用刻蚀技术在晶片上形成实际的电路。将下一个步骤(组装)称为后工序，是用步骤4制作的晶片使半导体芯片化的工序，包含装配工序(切割、焊接)、包装工序(封入芯片)等的组装工序。在步骤6(检查)进行确认步骤5中制成的半导体器件的工作的试验和耐久性试验等的检查。经过这些工序完成半导体器件，进行出货(步骤7)。
图29是表示上述晶片加工的详细的流程的图。在步骤11(氧化)对晶片表面进行氧化。在步骤12(CVD)在晶片表面形成绝缘膜。在步骤13(形成电极)通过蒸镀在晶片上形成电极。在步骤14(注入离子)将离子注入晶片。在步骤15(处理抗蚀剂)在晶片上涂敷感光剂。在步骤16(曝光)由上述带电粒子束曝光装置在晶片上描绘(曝光)电路图案。在步骤17(显影)对经过曝光的晶片进行显影。在步骤18(刻蚀)除去经过显影的抗蚀剂像以外的部分。在步骤19(剥离抗蚀剂)除去完成刻蚀后已经不需要的抗蚀剂。通过重复进行这些步骤，在晶片上形成多重的电路图案。
权利要求
1.一种偏转器，其特征在于它备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；和为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与各电极对连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点，接合形成上述电极基片和上述配线基片。
2.权利要求1所述的偏转器，其特征在于上述配线基片的连接配线焊点和与该配线焊点连接的配线没有与上述电极基片的贯通口对置的区域。
3.权利要求1所述的偏转器，其特征在于上述配线基片是多层配线基片。
4.一种偏转器，其特征在于它具有多个贯通口、用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对、和在该第1电极和第2电极近旁，电连接该第1电极和第2电极中的各个电极的电极配线焊点的电极基片；和为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点和上述电极基片的电极配线焊点，接合形成该电极基片和该配线基片。
5.权利要求4所述的偏转器，其特征在于上述配线基片的连接配线焊点和与该配线焊点连接的配线没有与上述电极基片的贯通口对置的区域。
6.权利要求4所述的偏转器，其特征在于上述配线基片是多层配线基片。
7.权利要求1或4所述的偏转器，其特征在于在电极基片的与上述配线基片的接合面相反的面上，配置接地的屏蔽电极。
8.权利要求1或4所述的偏转器，其特征在于上述接合是Au-Sn的共晶接合。
9.权利要求1或4所述的偏转器，其特征在于上述接合是Au-Au的常温接合。
10.一种接合电极基片和配线基片形成的偏转器的制造方法，其特征在于它备有准备具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片的工序；准备为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片的工序；和在接合上述电极基片和上述配线基片前，在配线层部中设置该配线基片的电子束开口部的工序。
11.一种接合电极基片和配线基片形成的偏转器的制造方法，其特征在于它备有准备具有多个贯通口、用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对、和具有在该第1电极和第2电极近旁，与该第1电极和第2电极中各个电极电连接的电极配线焊点的电极基片的工序；准备为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片的工序；和在接合上述配线基片和上述配线基片前，在配线层部中设置该配线基片的电子束开口部的工序。
12.一种带电粒子束曝光装置，其特征在于它具有发射带电粒子束的带电粒子源、和用于控制上述照射的带电粒子束的图象形成位置的偏转器，上述偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；和具有为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，与该各电极对连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点，接合形成上述电极基片和上述配线基片。
13.一种带电粒子束曝光装置，其特征在于它具有发射带电粒子束的带电粒子源、和用于控制上述照射的带电粒子束的图象形成位置的偏转器，上述偏转器备有具有多个贯通口、用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对、和在该第1电极和第2电极的近旁，电连接该第1电极和第2电极中的各个电极的电极配线焊点的电极基片；和为了在上述电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与上述电极配线焊点连接的连接配线焊点的配线基片，通过上述配线基片的连接配线焊点和上述电极基片的电极配线焊点，接合形成该电极基片和该配线基片。
14.权利要求1或4所述的偏转器，其特征在于一个连接配线焊点与用于电接地的共同的配线连接，另一个连接配线焊点与用于加上电压的配线一对一地连接。
15.权利要求14所述的偏转器，其特征在于进一步具有成膜了导电层的屏蔽基片，上述屏蔽基片具有在与上述贯通口对应的各个位置上，由上述导电层成膜了侧壁的开口部、和用于与上述电极基片连接的焊点部，上述屏蔽基片通过与上述焊点部的连接电接地。
16.权利要求1或4所述的偏转器，其特征在于上述配线基片在与在上述电极基片中形成的上述贯通口对应的位置上，具有贯通的开口部，且具有使上述开口部的侧面、该开口部的配线层表面和上述配线基片的背面电接地的电极。
17.一种接合电极基片和配线基片形成的偏转器的制造方法，其特征在于它备有准备具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，由与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片的工序；和准备与上述电极基片接合的配线基片的工序，由上述准备配线基片的工序制作的上述电极基片，在与在上述电极基片上形成的上述贯通孔对应的位置上，具有贯通的开口部，具有使上述开口部的侧面、该开口部的配线层表面和上述配线基片的背面电接地的电极。
18.权利要求1或4所述的偏转器，其特征在于具有使上述电极基片的表面和背面电接地的电极。
19.一种偏转器，其特征在于它备有具有多个开口部、和用于使通过上述开口部的带电粒子束偏转，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的多个电极对的电极基片；和层积了具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线层和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线层的配线基片。
20.一种偏转器，其特征在于它备有具有开口部、和用于使通过上述开口部的带电粒子束偏转，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线基片；和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线基片，将上述电极基片配置在上述第1配线基片与上述第2配线基片之间。
21.一种偏转器，其特征在于它备有具有开口部、和用于使通过上述开口部的带电粒子束偏转，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；具有用于在上述第1电极上加上预定电压的配线的配线基片；和将接地电位给予上述第2电极的接地基片，上述接地基片，比上述电极基片和上述配线基片，更配置在上述带电粒子束的通过方向中的前侧。
22.一种带电粒子束曝光装置，具备带电粒子束源、和偏转从上述带电粒子束源照射的带电粒子束的偏转器，其特征在于上述偏转器备有具有多个开口部、和用于使通过上述开口部的带电粒子束偏转，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的多个电极对的电极基片；和层积了具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线层和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线层的配线基片。
23.一种带电粒子束曝光装置，具备带电粒子束源、和偏转从上述带电粒子束源照射的带电粒子束的偏转器，其特征在于上述偏转器备有具有多个开口部、和用于使通过上述开口部的带电粒子束偏转，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；具有用于在上述第1电极上加上第1电压的第1配线的第1配线基片；和具有用于在上述第2电极上加上第2电压的第2配线的第2配线基片，上述电极基片配置在上述第1配线基片与上述第2配线基片之间。
24.一种带电粒子束曝光装置，具备带电粒子束源、和偏转从上述带电粒子束源照射的带电粒子束的偏转器，其特征在于上述偏转器备有具有开口部、和用于使通过上述开口部的带电粒子束偏转，由夹着上述开口部对置地配置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片；具有用于在上述第1电极上加上预定电压的配线的配线基片；和将接地电位给予上述第2电极的接地基片，上述接地基片，比上述电极基片和上述配线基片，配置在更接近上述带电粒子束源的位置上。
25.一种器件的制造方法，其特征在于它备有用权利要求22到24中任何一项所述的带电粒子束曝光装置对晶片进行曝光的工序、和对上述晶片进行显影的工序。
全文摘要
偏转器备有具有多个贯通口、和用于控制通过该贯通口的带电粒子束的轨道，与该各贯通口的侧壁对置地设置的第1电极和第2电极构成的电极对的电极基片(400)、和为了在电极基片的各电极对上个别地加上电压，具有与各电极对连接的连接配线焊点的配线基片(500)，通过配线基片的连接配线焊点，接合地形成电极基片和配线基片。
文档编号H01J37/04GK1525259SQ20041000727
公开日2004年9月1日 申请日期2004年2月27日 优先权日2003年2月28日
发明者小野治人, 刚, 赤池正刚, 尔, 玉森研尔, 史, 广濑太, 则, 小山泰史, 一, 寺崎敦则, 长永兼一, 中山义则 申请人:佳能株式会社, 株式会社日立高新技术