专利名称：磁控管输出部的抗流体结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁控管，尤其涉及一种通过增加抑制高次谐波频带宽度，而 能够抑制两种高次谐波，有效提高磁控管电磁干扰特性的磁控管输出部的抗 流体结构。
二背景技术：
磁控管(magnetron)是一种安装在微波炉或者照明用具等设备中，在接 通高电压之后，能够将电能转化成微波(microwave)的高频能量装置。
磁控管的结构大体上包括阴极、阳极、作用空间、上极靴和下极靴、永 久磁铁、磁极、多个叶片、冷却片、排气管、天线、A陶瓷、扼流线圈、贯通 型高压电容器和遮蔽箱；阳极设置在阴极周围，作用空间形成在阴极和阳极 之间；上极靴和下极靴用于向作用空间施加磁场，永久磁铁分别设置在上极 靴和下极靴内侧；由于设置了永久磁铁，因此磁极之间构成磁路，多个叶片 以放射状设置在阳极内面，冷却片在阳极外周面以一定间距压入固定，将阳 极产生的高温热量迅速向外部放出；为了使传递到阳极的高高频波能量放射 到外部，天线组装在排气管内周壁面上，A陶瓷与排气管结合；为了防止作用 空间产生的不必要高频波成分逆流到电源上，下极靴下侧设置有扼流线圈、 贯通型高压电容器和遮蔽箱；排气管上端设置在天线盖下部，排气管下端与A 陶瓷上部保持特定间距地固定设置。
磁控管输出部包括天线、A封盖、A陶瓷、排气管、天线盖和抗流槽；排气管 上端设置在天线盖下
部，排气管支撑在A陶瓷上，A陶瓷固定在A封盖上，抗流槽固定在A封盖顶 部；抗流槽的内半径一般在17ram左右。
参阅图1所示，磁控管一般由输入部11、冷却部12、磁路13、阳极部 14 (anode)、阴极部15 (cathode)和输出部16几个部分组成；阳极部由安 装在磁控管本体的磁轭内部的阳极筒体和安装在阳极筒体内部而形成共同谐 振器的数个叶片7 (vane)组成；阴极部由安装在阳极筒体中心的细丝8 (filament)构成，细丝8与叶片前端之间相距一定间隔，构成作用空间9，
能够释放出热电子；磁控管本体的磁轭上侧设置有输出部，该输出部包括排 气管l、 A封盖3、天线(Antenna) 2、天线帽10、 A陶瓷9及抗流体结构4， 天线2位于抗流体结构4中心位置，如图2所示。
磁控管接通高电压之后，阴极部产生的热电子向固定在阳极部叶片和阴 极部之间的作用空间放射，叶片和阴极部之间形成电场，由磁控管本体内设 有的磁铁、上下极靴构成磁路，通过电场和向作用空间施加磁场，上述热电 子将进行轮转线(cycloid)运动，从而将作为电磁能的微波传送到叶片上， 上述微波通过磁控管输出部向外部放射。阴极部传送到作用空间的能量除传 送基本频率为2.46GHz的基波(正弦波)外，还传送频率为基本频率整数倍的 高次谐波，包括4.9GHz、 7.35GHz、 9. 8GHZ以及12. 5GHz等基本频率整数倍的高 次谐波，这些高次谐波应该全部或者绝大部分在输出部抗流体结构的抑制下， 使其频率减弱到规定标准之下，因为该高次谐波随基波(正弦波) 一起通过 输出部的天线馈电线向外部传送后，会引起对电子产品的干扰，如对卫星发 射接收、蓝牙通讯或无线通讯等造成干扰。
参阅图3、图4所示，现有磁控管输出部的抗流体结构，该抗流体结构包 括中空圆柱体的抗流槽4以及与抗流槽一体成型的圆形环面5，该圆形环面固 定在A封盖3顶部与抗流槽4构成一个短路面，根据四分之一波长原理，抗 流槽4的高度决定了它对一种高次谐波的抑制，而原A封盖3顶部的下表面 是一个曲面且工差过大，使得固定时抗流槽4的上下位置偏差较大，由此对 抑制高次谐波频率偏差较大；不能很好地抑制这些高次谐波，致使其最终仍 以电磁波的形式辐射出去，因此磁控管的抗电磁波干扰(EMI)性能不佳。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有产品存在的上述缺点，而提供一种磁控 管输出部的抗流体结构，其通过改变抗流体结构的形状及组装位置，增大A 封盖与抗流槽内半径的差值，增加抑制高次谐波频带的宽度，能够对高次谐 波具有更好的抑制效果，并可在一个抗流体上同时抑制两种高次谐波，有效 提高磁控管的抗电磁波干扰性能，改善磁控管的工作性能。
本发明的目的是由以下技术方案实现的。
本发明磁控管输出部的抗流体结构，包括抗流槽以及与抗流槽一体成型 的圆形环面，该抗流槽为中空圆柱体，圆形环面组装在A封盖上；其特征在 于，所述圆形环面对应两侧分别开设有半月形槽而构成具有半月形缺面的环
面，两个半月形缺面的直线边相互平行，距圆柱体中心的距离在Omra至2mm 之间，该圆形环面的弧形边固定在A封盖阶梯部向卜"Omra至2mm的位置。
前述的磁控管输出部的抗流体结构，其中所述圆形环面弧形边采用钎焊 方式固定在A封盖阶梯部向下0腿至2mm的位置。
前述的磁控管输出部的抗流体结构，其中所述圆形环面采用冲压方式在 对应两侧分别开设半月形槽。
前述的磁控管输出部的抗流体结构，其中所述中空圆柱体的内半径是 4. 2mm至4. 8ram。
本发明磁控管输出部的抗流体结构的有益效果是，其包括抗流槽以及 与抗流槽一体成型的圆形环面，该抗流槽为中空圆柱体，圆形环面组装在A 封盖上；该圆形环面对应两侧分别开设有半月形槽而构成具有半月形缺面的 环面，两个半月形缺面的直线边相互平行，并将圆形环面的弧形边固定在A 封盖阶梯部向卜Omm至2mm位置，从而使抗流槽4底部到端部以及抗流槽4 底部到A封盖顶部形成两个高度，构成两个短路面，于是可以同时抑制两种 频率的高次谐波；另外，根据抑制高次谐波的频带宽度与同轴的特性阻抗成 正比关系的理论，艮卩，Z。=60xln|，其中，a为抗流体结构外直径，b为A封 盖内直径，将抗流槽4的内半径這置为4.2mm至4.8咖，增大增大A封盖与抗 流槽内半径的差值，使得特性阻抗增大，增加抑制高次谐波频带的宽度，能 够对高次谐波具有更好的抑制效果，从而使本发明具有可在一个抗流体上同 时抑制两种高次谐波，有效提高磁控管的抗电磁波干扰性能的功效。 四
图1为现有磁控管结构示意图。 图2为现有磁控管输出部结构示意图。 图3为现有磁控管输出部抗流体结构立体示意图。 图4为现有磁控管输出部抗流体结构与A封盖组合结构剖面示意图。 图5为本发明磁控管输出部结构示意图。 图6为本发明磁控管输出部抗流体结构立体示意图。 图7为本发明磁控管输出部抗流体结构与A封盖组合结构剖面示意图。 图中主要标号说明l排气管、2天线、3A封盖、31阶梯部、4抗流槽、 5抗流槽圆形环面、6极靴、7叶片、8细丝、9、 A陶瓷、IO天线盖、11输入 部、12冷却部、13磁轭、14阳极部、15阴极部、16输出部。
五具体实施例方式
参阅图5、图6所示，本发明磁控管输出部的抗流体结构，包括抗流槽4 以及与抗流槽一体成型的圆形环面5，该抗流槽4为中空圆柱体，圆形环面5 对应两侧分别开设有半月形槽而构成具有半月形缺面的环面5，两个半月形缺 面的直线边相互平行，距圆柱体中心的距离在0mm至2mm之间，该环面5的 弧形边固定在A封盖31阶梯部向下0mm至2mm的位置。
参阅图7所示，本发明磁控管输出部的抗流体结构，其环面弧形边采用 银焊丝钎焊的方法固定在A封盖3的阶梯部31向下Omm至2mm位置。
参阅图6所示，本发明磁控管输出部的抗流体结构，其圆形环面采用冲 压的方法在对应两侧分别开设半月形槽；且中空圆柱体的内半径设置为4. 2mm 至4. 8mm。
本发明实施例磁控管输出部的抗流体结构的制备，是采用与现有技术相 同的方法冲压成型，不同的是冲压过程中使中空圆柱体的内半径设置为5mm， 另在圆形环面冲压开设半月形槽，然后采用银焊丝钎焊的方法将圆形环面弧 形边固定在A封盖3的阶梯部31向下lmm的位置。其他制备过程及方法与现 有技术相同，故不再进行赘述。
本发明磁控管输出部的抗流体结构工作时，灯丝8由于通电温度升高， 在直流高压电场下发射的电子，由于群聚效应掠过叶片7，在叶片7的间隔中 形成高频电场，再通过天线2耦合的A陶瓷9位置，将微波能量辐射出去。 微波在天线2和A封盖3之间传播的过程中，由于有抗流槽4的存在，使得 波长与抗流槽短路面高度四分之一相当的高次谐波受到抑制，且抗流槽4直 径越小，对高次谐波频带宽度的抑制效果越好。因此本发明采取在抗流槽4 上开槽的设计结构，不仅使得抗流槽4的高度改变成为原先的两种，g卩，抗 流槽4底部到端部的高度和抗流槽4底部到A封盖3的高度，构成两个短路 而，于是可以同时抑制两种频率的高次谐波；与此同时，抗流槽4的固定位 置下移，使其摆脱了 A封盖3自身抗流结构的限制，而且其半径变小，于是 加宽了对"次谐波抑制的频带，能够符合EMI允许规格，效果理想。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上 的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等 同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1、一种磁控管输出部的抗流体结构，包括抗流槽以及与抗流槽一体成型的圆形环面，该抗流槽为中空圆柱体，圆形环面组装在A封盖上；其特征在于，所述圆形环面对应两侧分别开设有半月形槽而构成具有半月形缺面的环面，两个半月形缺面的直线边相互平行，距圆柱体中心的距离在0mm至2mm之间，该圆形环面的弧形边固定在A封盖阶梯部向下0mm至2mm的位置。
2、 根据权利要求1所述的磁控管输出部的抗流体结构，其特征在于，所 述环面弧形边采用钎焊方式固定在A封盖阶梯部向K Omm至2mm的位置。
3、 根据权利要求1所述的磁控管输出部的抗流体结构，其特征在于，所 述圆形环面采用冲压方式在对应两侧分别开设半月形槽。
4、 根据权利要求l所述的磁控管输出部的抗流体结构，其特征在于，所 述中空圆柱体的内半径是4. 2mm至4. 8ram。
全文摘要
本发明提供一种磁控管输出部的抗流体结构，包括抗流槽以及与抗流槽一体成型的圆形环面，该抗流槽为中空圆柱体，圆形环面组装在A封盖上；其改进之处在于，圆形环面对应两侧分别开设有半月形槽而构成具有半月形缺面的环面，两个半月形缺面的直线边相互平行，距圆柱体中心的距离在0mm至2mm之间，该圆形环面的弧形边固定在A封盖阶梯部向下0mm至2mm位置；其通过改变磁控管输出部抗流槽的结构及其安装位置，可在一个抗流体上同时抑制两种高次谐波，有效提高磁控管的抗电磁波干扰性能，改善磁控管的工作性能。
文档编号H01J23/54GK101178999SQ200610129219
公开日2008年5月14日 申请日期2006年11月6日 优先权日2006年11月6日
发明者圆 高 申请人:乐金电子(天津)电器有限公司