专利名称：全方位发光装置灯的制作方法
技术领域：
本公开涉及一种全方位发光装置灯，更具体地说，涉及一种具有与普通的白炽灯的光分布特性类似的宽范围的光分布特性的全方位发光装置灯。
背景技术：
发光二极管(LED)例如是利用化合物半导体的性质将电信号转换为光的半导体发光装置。与其它现有的发光体相比，诸如LED的半导体发光装置在特性上具有长寿命，并使用低电压，同时具有低功耗。另外，半导体发光装置具有例如快速的响应速度和优异的耐冲击性的优点，并可以制造为小的且轻的。当必要时，半导体发光装置能够根据使用中的半 导体的类型和组成产生不同波长的光。另外，最近趋势是使用利用高亮度发光装置芯片的照明设备来代替现有的荧光灯或白炽灯。例如，LED灯泡可以主要包括基体、热辐射结构、驱动电路、印刷电路板(PCB)、LED和罩。罩由具有半球形状的玻璃或者诸如丙烯酰酯或聚碳酸酯的塑料形成。另外，为了防止相对于玻璃罩直接看到灯泡中的LED，在玻璃罩的内表面上形成白色漫射涂层，然而对于塑料罩，塑料罩由其中混合有漫射剂的罩构件制成，以实现光漫射效应。然而，使用半导体发光装置的照明灯仅在前向方向上发射光，而不是在沿360度的所有径向上发射光，因此，使用半导体发光装置的照明灯的光分布特性与白炽灯的光分布特性截然不同。例如，上面描述的LED灯泡以零度在前向方向上发射大多数的量的光。在较大的角度处，光发射的量减少，并且光发射的量在大约±90度基本上为零。相比之下，在一般的白炽灯中，光发射的量几乎不减少，并从大约零度到大约±130度保持不变。因此，LED灯泡的照射角的半峰全宽为大约130度，而一般的白炽灯的半峰全宽为大约260度，这与LED灯泡的半峰全宽截然不同。产生该差异是因为用于一般的白炽灯的灯丝在沿360度的所有方向上发射光，而LED灯泡仅在大约120度内沿前向方向发射光。因此，当在现有的照明设备中使用LED灯泡时，LED灯泡向用户提供与用户所熟悉的状况截然不同的光分布或照明感觉。这会对LED灯泡的普及带来障碍。
发明内容
提供了用于具有宽范围的光分布特性的全方位发光装置灯的方法和设备。附加方面将部分地在下面的描述中进行说明，并且部分地根据描述将是明显的，或者可以由给出的实施例的实施而明了。根据本发明的一方面，一种发光装置灯包括第一基底和第二基底，布置为彼此面对；第一发光装置和第二发光装置，分别安装在所述第一基底和所述第二基底的彼此面对的两个表面上；漫射罩，布置为围绕所述第一基底和所述第二基底之间的空间。所述发光装置灯还可以包括第一散热器，布置在所述第一基底的后表面上，以消散来自安装在所述第一基底上的所述第一发光装置的热；第二散热器，布置在所述第二基底的后表面上，以消散来自安装在所述第二基底上的所述第二发光装置的热。
所述发光装置灯还可以包括连接构件，将所述第一散热器和所述第二散热器连接并固定所述第一散热器和所述第二散热器。所述连接构件可以通过穿过所述第一基底的中心部分和所述第二基底的中心部分连接到所述第一散热器的中心部分和所述第二散热器的中心部分。可以沿所述连接构件的周边以相等的间隔在所述第一基底上周向地布置多个所述第一发光装置，可以沿所述连接构件的周边以相等的间隔在所述第二基底上周向地布置多个第二发光装置。所述发光装置灯还可以包括高反射率涂层，形成在所述连接构件的表面上。所述高反射率涂层可以是高反射率白色涂层，所述高反射率白色涂层包含从由基于泡沫PET的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
所述发光装置灯还可以包括第一反射层，形成在所述第一基底的其上安装有所述第一发光装置的表面上；第二反射层，形成在所述第二基底的其上安装有所述第二发光装置的表面上。所述第一反射膜和所述第二反射膜可以是高反射率白色反射膜，所述高反射率白色反射膜包含从由基于泡沫PET的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。所述第一反射膜可以形成在所述第一基底的所述表面的所有暴露部分和所述第一发光装置的侧表面的所有暴露部分上且不形成在所述第一发光装置的发光表面上，所述第二反射膜可以形成在所述第二基底的所述表面的所有暴露部分和所述第二发光装置的侧表面的所有暴露部分上且不形成在所述第二发光装置的发光表面上。根据本发明的另一方面，一种发光装置灯包括基底；发光装置，安装在所述基底上；漫射罩，布置为围绕所述发光装置；上反射板，布置在所述漫射罩上以面向所述发光装置。可以在所述基底上布置多个所述发光装置，所述上反射板可以被形成得足够大以覆盖所述多个发光装置的整个布置区域。所述上反射板可以是通过切除所述漫射罩的面向所述发光装置的一部分并填充所述漫射罩的切割区域而形成的，或者可以形成在所述漫射罩的面向所述发光装置的内壁上。所述发光装置灯还可以包括反射壁，布置在所述基底上，从而在所述漫射罩内围绕与所述发光装置对应的周边部分。 所述反射壁可以为圆柱形的。所述上反射板和所述反射壁可以由高反射率白色材料形成，所述高反射率白色材料包括从由基于泡沫PET的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。所述上反射板的直径可以与所述反射壁的直径相同或者可以大于所述反射壁的直径。所述发光装置灯还可以包括多个支撑构件，垂直地构建在所述基底的表面或所述漫射罩的内壁上，以支撑所述反射壁，其中，所述反射壁与所述基底隔开，从而允许在所述反射壁与所述基底的所述表面之间存在间隙。所述多个支撑构件可以由高反射率白色材料或透明树脂材料形成。所述发光装置灯还可以包括内反射板，布置在所述漫射罩内的空间中，所述内反射板具有在中心部分带有开口的环形盘形状；多个支撑构件，垂直地构建在所述基底的表面或所述漫射罩的内壁上，以支撑所述内反射板。所述上反射板和所述内反射板可以被布置为具有相同的中心。可以在所述基底上布置多个所述发光装置，所述内反射板的所述开口的直径可以大于所述多个发光装置的布置区域的直径。至少两个内反射板可以以不同的高度布置在所述基底和所述上反射板之间。所述上反射板的直径可以与所述内反射板的外径相同或可以大于所述内反射板 的外径。 所述上反射板和所述内反射板可以由高反射率白色材料形成，所述高反射率白色材料包括从由基于泡沫PET的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。所述多个支撑构件可以由高反射率白色材料或透明树脂材料形成。所述发光装置灯还可以包括反射膜，形成在所述基底的其上安装有所述发光装置的表面上。所述反射膜可以由高反射率白色材料形成，所述高反射率白色材料包括从由基于泡沫PET的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。所述反射膜可以形成在所述基底的所述表面的所有暴露部分和所述发光装置的侧表面的所有暴露部分上且不形成在所述第二发光装置的发光表面上。
通过结合附图对实施例的以下描述，这些和/或其它方面将变得明显和更易于理解，其中图I示意性地示出根据本发明实施例的半导体发光装置灯的结构；图2是形成在图I的半导体发光装置灯的基底上的反射膜的剖视图；图3示出图I的半导体发光装置灯的光分布曲线；图4示意性地示出根据本发明另一实施例的半导体发光装置灯的结构；图5是示意性地示出图4的半导体发光装置灯的结构的平面图；图6示出图4的半导体发光装置灯的光分布曲线；图7示意性地示出根据本发明另一实施例的半导体发光装置灯的结构；图8示意性地示出根据本发明另一实施例的半导体发光装置灯的结构；图9是示意性地示出图8的半导体发光装置灯的结构的透视图。
具体实施例方式现在将详细地描述实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。在这方面，当前实施例可以具有不同的形式，并且不应当被解释为局限于这里提出的描述。因此，下面将仅通过参照附图描述实施例，以解释本说明书的多个方面。
图I示意性地示出根据本发明实施例的半导体发光装置灯100的结构。参照图1，半导体发光装置灯100可以包括下散热器101、上散热器107、将下散热器101与上散热器107连接的连接构件104、布置在下散热器101的上表面上的第一基底102、布置在上散热器107的下表面上的第二基底105、周向地布置在第一基底102上的多个下发光装置103、周向地布置在第二基底105上的多个上发光装置106以及布置为围绕位于下散热器101和上散热器107之间的第一基底102和第二基底105之间的空间的漫射罩108。漫射罩108可以是内壁具有白色漫射涂层的玻璃罩或者是其中混合地分布有漫射剂的塑料罩，如在现有技术中一样。下散热器101可以布置在第一基底102的下表面上，以消散来自下发光装置103的热，而上散热器107可以布置在第二基底105的上表面上，以消散来自上发光装置106的热。为了使热有效地辐射，下散热器101和上散热器107可以由展现出优异的导热性的金属(例如，铝(Al))形成，或者可以由展现出优异的导热性的树脂材料形成。连接构件104穿过第一基底102和第二基底105的中心部分，从而连接到下散热器101和上散热器107的中心部分，由此将下散热器101和上散热器107彼此固定。连接构件104可以与下散热 器101和上散热器107由相同的材料形成。第一基底102可以布置在下散热器101的上表面上，而第二基底105可以布置在上散热器107的下表面上。例如，第一基底102和第二基底105可以均是PCB基底，在PCB基底中，布线图案形成在绝缘基底上。下发光装置103 (即，诸如LED的半导体发光装置)可以以相等的间隔周向地布置在连接构件104的下部周围。同样，安装在第二基底105上的上发光装置106可以以相等的间隔周向地布置在连接构件104的上部周围。下发光装置103和上发光装置106可以布置在第一基底102和第二基底105的彼此面对的两个表面上。根据以上布置，下发光装置103在附图中向上发射光，而上发光装置106在附图中向下发射光。另外，下发光装置103和上发光装置106可以交替地布置，从而不彼此面对。为了提高发光装置灯100的发光效率，连接构件104的表面可以涂覆有高反射率白色材料。例如，连接构件104的表面可以涂覆有诸如微孔聚对苯二甲酸二乙酯(MCPET)的基于泡沫PET的材料或者诸如高反射率的白色聚丙烯或白色聚碳酸酯(PC)树脂的材料。形成在连接构件104的表面上的白色涂层的反射率可以超过大约95%。例如，上面描述的三种材料全都具有大约97%或更高的反射率。另外，相同的高反射率白色涂层可以形成在第一基底102和第二基底105的其上分别安装有下发光装置103和上发光装置106的表面上。例如，如在图2中所示，高反射率白色反射膜109可以形成在第一基底102的表面的所有暴露部分和下发光装置103的侧表面的所有暴露部分上而不形成在下发光装置103的发光表面上。虽然未示出，但是高反射率白色反射膜109可以形成在第二基底105的表面的所有暴露部分和上发光装置106的侧表面的所有暴露部分上而不形成在上发光装置106的发光表面上。在如上所述构造的发光装置灯100中，从下发光装置103发射的光可以经由例如四种路径发射到发光装置灯100的外部。例如，从下发光装置103发射的光的第一部分可以直接入射在漫射罩108上，并在发光装置灯100上方以漫射方式向上发射。另外，从下发光装置103发射的光的第二部分可以被连接构件104反射，并穿过漫射罩108在发光装置灯100的上方和相对旁侧以漫射方式向上发射。从下发光装置103发射的光的第三部分可以依次被连接构件104与第二基底105的表面反射，并穿过漫射罩108在发光装置灯100的下方和相对旁侧以漫射方式向下发射。从下发光装置103发射的光的第四部分可以被第二基底105的表面反射，并穿过漫射罩108在发光装置灯100下方以漫射方式向下发射。从上发光装置106发射的光可以经由与上述路径类似的路径发射到发光装置灯100的外部。因此，在根据当前实施例的半导体发光装置灯100中，从下发光装置103和上发光装置106发射的光可以相对于半导体发光装置灯100沿所有的方向照射。图3示出了半导体发光装置灯100的光分布曲线。如可从图3看到的，根据当前实施例的发光装置灯100具有与白炽灯的光分布特性接近的光分布特性。图4示意性地示出根据本发明另一实施例的半导体发光装置灯200的结构。参照图4，根据当前实施例的半导体发光装置灯200可以包括散热器101、布置在散热器101的表面上的基底102、布置在基底102上的多个发光装置103、布置为围绕发光装置103的漫射罩118和布置为面向发光装置103的上反射板110。根据当前实施例的半导体发光装置灯200还可以包括布置在基底102上以围绕与发光装置103对应的外周边部分的反射壁 111。漫射罩118可以是内壁具有白色漫射涂层的玻璃罩或者其中混合地分布有漫射剂的塑料罩。散热器101可以由展现出优异的导热性的金属(例如，铝(Al))形成，或者可以由展现出优异的导热性的树脂材料形成。另外，基底102可以是PCB基底，在PCB基底中，布线图案形成在绝缘基底上。发光装置103(其可以是LED)可以例如以周边形式(circumferential form)布置在基底102上。然而,发光装置103可以以具有行和列的阵列进行布置。虽然在图4中未示出，但是还可以在基底102的表面上形成反射膜。例如，如在图2中所不，闻反射率白色反射I旲109可以形成在基底102的表面的所有暴露部分和发光装置103的侧表面的所有暴露部分上而不形成在发光装置103的发光表面上。根据当前实施例，上反射板110可以是圆形的，且比发光装置103的布置区域大。例如，参照图5，发光装置103以周边形式布置，并且上反射板110以比该周边形式大的圆形形式形成。即，上反射板110可以足够大，以覆盖发光装置103的整个布置，由此面向所有发光装置103。另外，反射壁111可以以比发光装置103的布置区域大的圆柱形式形成。参照图5，反射壁111以围绕发光装置103的圆柱形式形成。如在图5中所示，上反射板110可以以比圆柱形式的反射壁111大的圆形形式形成。然而，圆形上反射板110和圆柱形反射壁111可以具有相同的直径。例如，上反射板110和反射壁111可以由诸如MCPET的基于泡沫PET的材料或者诸如高反射率白色聚丙烯或白色PC树脂的材料形成。上反射板110和反射壁111的反射率可以在大约95%以上。例如，上面描述的三种材料全都具有大约97%或更高的反射率。如在图4中所示，可以通过切除漫射罩118的面向发光装置103的一部分并填充漫射罩118的切割区域来形成上反射板110。然而,代替切除漫射罩118，可以将上反射板110涂覆在漫射罩118的面向发光装置103的内壁上。在如上所述构造的发光装置灯200中，从发光装置103发射的光可以经由各种路径发射到发光装置灯200的外部。例如，从发光装置103发射的光的第一部分可以依次从反射壁111和上反射板110反射，并穿过漫射罩118在发光装置灯200的下方和相对旁侧漫射式地向下发射。另外，从下发光装置103发射的光的第二部分可以直接入射在漫射罩118上，并在发光装置灯200的上方向上发射。从下发光装置103发射的光的第三部分可以从上反射板110反射，并穿过漫射罩118在发光装置灯200下方漫射式地向下发射。从发光装置103发射的光可以沿不同于上述路径的各种路径行进。例如，光的一部分可以从上反射板110反射，并从形成在基底102的表面上的反射膜109 (见图2)再次反射，然后发射到发光装置灯200的外部。另外，光的一部分可以在上反射板110、反射壁111和反射膜109之间重复地反射，然后穿过漫射罩118发射到发光装置灯200的外部。因此，在根据在图4和图5中示出的当前实施例的发光装置灯200中，因为从发光装置103发射的光经由各种路径行进，所以光可以相对于发光装置灯200沿所有的方向更均匀地照射。图6示出了半导体发光装置灯200的光分布曲线。如可从图6看到的，根据在图4和图5中示出的当前实施例的发光装置灯200也具有与白炽灯的光分布特性接近的光分布特性。图7示意性地示出根据本发明另一实施例的半导体发光装置灯300的结构。半导体发光装置灯300具有与图4和图5的发光装置灯200的结构几乎相同的结构，区别仅在 于，反射壁111与基底102的表面分开。即，虽然在图4的实施例中，反射壁111布置在基底102的表面上而在它们之间没有间隙，但是在图7的实施例中，在反射壁111与基底102的表面之间存在间隙。通常，发光装置103几乎不以90度沿横向方向发射光，而是沿向前的方向发射大量的光。因此，即使当在反射壁111与基底102的表面之间存在微小的间隙时，该间隙也不影响半导体发光装置灯300的性能。而是，间隙可以进一步提高反射壁111的反射效率。为此，反射壁111可以由垂直地构建在基底102的表面上的多个支撑构件112支撑。可选地，支撑构件112可以垂直地设置在漫射罩118的内壁上。根据本发明的实施例，支撑构件112的表面可以涂覆有上面描述的高反射率白色材料，或者支撑构件112可以整体上由上面描述的高反射率白色材料形成。可选地，支撑构件112可以由透明树脂材料形成。图8和图9示意性地示出了根据本发明另一实施例的半导体发光装置灯400的结构。与图4的半导体发光装置灯200 —样，图8和图9的半导体发光装置灯400包括散热器101、布置在散热器101的表面上的基底102、布置在基底102上的发光装置103、被布置为围绕发光装置103的漫射罩118和被布置为面向发光装置103的上反射板110。然而，图8和图9的半导体发光装置灯400与图4的半导体发光装置灯200的不同之处在于，在漫射罩118内包括具有环形盘形状的内反射板113代替图4的圆柱形反射壁111。半导体发光装置灯400的其它元件可以与图4和图5的发光装置灯200的其它元件相同。参照图9，内反射板113采用环形盘的形式，S卩，采用中心部分被切去的盘(B卩，环状形状的盘)的形式，并且两个内反射板113以不同的高度布置在基底102和上反射板110之间。虽然在图9中示出了两个内反射板113，但是可以改为一个或者三个或更多个内反射板113。上反射板110和两个内反射板113可以布置为具有相同的中心。在本发明的实施例中，上反射板110的直径可以大于内反射板113的外径。然而，上反射板110的直径可以与内反射板113的外径相同。同时，内反射板113的内径(即，在环形盘的中心处形成的开口的直径)可以大于发光装置103的布置区域的直径。即，发光装置103可以布置在内反射板113的开口区域内。内反射板113可以由上面描述的高反射率白色材料形成，例如，由诸如MCPET的基于泡沫PET的材料或者诸如高反射率白色聚丙烯或白色PC树脂的材料形成。另外，内反射板113可以由垂直地构建在基底102的表面上的支撑构件112支撑。可选地，支撑构件112可以由垂直地设置在漫射罩118的内壁上。根据本发明的实施例，支撑构件112的表面可以整体上由上面描述的高反射率白色材料形成。可选地，支撑构件112可以由透明树脂材料形成。在发光装置灯400的结构中，从发光装置103发射的光可以经由各种路径照射到发光装置灯400的外部。例如，从发光装置103发射的光的一部分可以从下内反射板113a反射，并穿过漫射罩118在发光装置灯400下方漫射式地向下发射。另外，光的另一部分可以从上内反射板113b反射，并穿过漫射罩118在发光装置灯400下方漫射式地向下发射。光的另一部分可以从上反射板110反射，并穿过漫射罩118在发光装置灯400下方以漫射方式向下发射。光的另一部分可以依次从上内反射板113b和下内反射板113a反射，并穿过漫射罩118在发光装置灯400的侧面的上方和相对旁侧以漫射方式向上发射。光的另一部分可以依次从上反射板110和上内反射板113b反射，并穿过漫射罩118在发光装置灯400上方以漫射方式向上发射。因此，在根据图8和图9的实施例的发光装置灯400中，从发光装置103发射的光经由各种路径行进，从而相对于发光装置灯400沿所有的方向均匀地照 射。应当理解，这里描述的示例性实施例应当以描述性意义来考虑，而不是用于限制的目的。每个实施例内的对特征或方面的描述通常应当视为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
权利要求
1.一种发光装置灯，所述发光装置灯包括 第一基底和第二基底，布置为彼此面对； 第一发光装置和第二发光装置，分别安装在所述第一基底和所述第二基底的彼此面对的两个表面上；以及 漫射罩，布置为围绕所述第一基底和所述第二基底之间的空间。
2.根据权利要求I所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括 第一散热器，布置在所述第一基底的后表面上，以消散来自安装在所述第一基底上的所述第一发光装置的热；以及 第二散热器，布置在所述第二基底的后表面上，以消散来自安装在所述第二基底上的所述第二发光装置的热。
3.根据权利要求2所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括连接构件，将所述第一散热器和所述第二散热器连接，并固定所述第一散热器和所述第二散热器。
4.根据权利要求3所述的发光装置灯，其中，所述连接构件通过穿过所述第一基底和所述第二基底的中心部分连接到所述第一散热器的中心部分和所述第二散热器的中心部分。
5.根据权利要求4所述的发光装置灯，其中，沿所述连接构件的周边以相等的间隔在所述第一基底上周向地布置多个所述第一发光装置，沿所述连接构件的周边以相等的间隔在所述第二基底上周向地布置多个所述第二发光装置。
6.根据权利要求3所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括高反射率涂层，形成在所述连接构件的表面上。
7.根据权利要求6所述的发光装置灯，其中，所述高反射率涂层是高反射率白色涂层，所述高反射率白色涂层包含从由基于泡沫聚对苯二甲酸二乙酯的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
8.根据权利要求I所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括 第一反射层，形成在所述第一基底的其上安装有所述第一发光装置的表面上；以及 第二反射层，形成在所述第二基底的其上安装有所述第二发光装置的表面上。
9.根据权利要求8所述的发光装置灯，其中，所述第一反射膜和所述第二反射膜是高反射率白色反射膜，所述高反射率白色反射膜包含从由基于泡沫聚对苯二甲酸二乙酯的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
10.根据权利要求8所述的发光装置灯，其中，所述第一反射膜形成在所述第一基底的所述表面的所有暴露部分和所述第一发光装置的侧表面的所有暴露部分上而不形成在所述第一发光装置的发光表面上，所述第二反射膜形成在所述第二基底的所述表面的所有暴露部分和所述第二发光装置的侧表面的所有暴露部分上而不形成在所述第二发光装置的发光表面上。
11.一种发光装置灯，所述发光装置灯包括 基底； 发光装置，安装在所述基底上； 漫射罩，布置为围绕所述发光装置；以及 上反射板，布置在所述漫射罩上以面向所述发光装置。
12.根据权利要求11所述的发光装置灯，其中，在所述基底上布置多个所述发光装置，所述上反射板被形成为足够大以覆盖所述多个发光装置的整个布置区域。
13.根据权利要求12所述的发光装置灯，其中，所述上反射板是通过切除所述漫射罩的面向所述发光装置的一部分并填充所述漫射罩的切割区域而形成的，或者形成在所述漫射罩的面向所述发光装置的内壁上。
14.根据权利要求11所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括反射壁，布置在所述基底上，从而在所述漫射罩内围绕与所述发光装置对应的周边部分。
15.根据权利要求14所述的发光装置灯，其中，所述反射壁为圆柱形的。
16.根据权利要求14所述的发光装置灯，其中，所述上反射板和所述反射壁由高反射率白色材料形成，所述高反射率白色材料包括从由基于泡沫聚对苯二甲酸二乙酯的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
17.根据权利要求14所述的发光装置灯，其中，所述上反射板的直径与所述反射壁的直径相同或者大于所述反射壁的直径。
18.根据权利要求14所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括多个支撑构件，垂直地设置在所述基底的表面或所述漫射罩的内壁上，以支撑所述反射壁， 其中，所述反射壁与所述基底分开，使得在所述反射壁与所述基底的所述表面之间存在间隙。
19.根据权利要求18所述的发光装置灯，其中，所述多个支撑构件由高反射率白色材料或透明树脂材料形成。
20.根据权利要求11所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括 内反射板，布置在所述漫射罩内的空间中，所述内反射板具有在中心部分带有开口的环形盘形状；以及 多个支撑构件，垂直地设置在所述基底的表面或所述漫射罩的内壁上，以支撑所述内反射板。
21.根据权利要求20所述的发光装置灯，其中，所述上反射板和所述内反射板被布置为具有相同的中心。
22.根据权利要求21所述的发光装置灯，其中，在所述基底上布置多个所述发光装置，所述内反射板的所述开口的直径大于所述多个发光装置的布置区域的直径。
23.根据权利要求21所述的发光装置灯，其中，至少两个内反射板以不同的高度布置在所述基底和所述上反射板之间。
24.根据权利要求21所述的发光装置灯，其中，所述上反射板的直径与所述内反射板的外径相同或大于所述内反射板的外径。
25.根据权利要求20所述的发光装置灯，其中，所述上反射板和所述内反射板由高反射率白色材料形成，所述高反射率白色材料包括从由基于泡沫聚对苯二甲酸二乙酯的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
26.根据权利要求20所述的发光装置灯，其中，所述多个支撑构件由高反射率白色材料或透明树脂材料形成。
27.根据权利要求11所述的发光装置灯，所述发光装置灯还包括反射膜，形成在所述基底的其上安装有所述发光装置的表面上。
28.根据权利要求27所述的发光装置灯，其中，所述反射膜由高反射率白色材料形成，所述高反射率白色材料包括从由基于泡沫聚对苯二甲酸二乙酯的材料、高反射率白色聚丙烯和白色聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
29.根据权利要求27所述的发光装置灯，其中，所述反射膜形成在所述基底的所述表面的所有暴露部分和所述发光装置的侧表面的所有暴露部分上而不形成在所述第二发光装置的发光表面上。
全文摘要
本发明提供了一种全方位发光装置灯。一种全方位半导体发光装置灯具有与一般的白炽灯的光分布特性类似的宽范围的光分布特性。所述半导体发光装置灯包括沿所有方向发射光的发光装置和布置在所述发光装置的前表面和侧表面处的反射板。从所述发光装置发射的光从位于前面的反射板和位于侧面的反射板反射，并发射到所述发光装置的后侧。反射膜形成在所述基底的其上安装有发光装置的表面的所有暴露部分上。另外，所述半导体发光装置灯包括用于将光发射到灯的前面的发光装置和用于将光发射到灯的后面的发光装置。
文档编号F21S2/00GK102865469SQ20111039418
公开日2013年1月9日 申请日期2011年11月24日 优先权日2011年5月30日
发明者有吉哲夫, 朴天豪, 柳炳贤 申请人:三星电子株式会社