专利名称：照明装置的制作方法
照明装置技术领域
根据示范性实施方式的装置涉及照明装置，更具体地，涉及具有广角布置特性的照明装置。
背景技术：
发光器件，例如发光二极管(LED)，是通过由化合物半导体形成的PN结配置发光源来发射各种颜色的光的半导体器件。近来已经出现了蓝色发光器件和紫外线(UV)发光器件，其采用具有优良的物理和化学特性的氮化物来实现。另外，由于发射白光或其它单色光的发光器件可以通过使用蓝色发光器件或紫外线发光器件结合一种或多种荧光材料来实现，所以发光器件的适用范围增大。发光器件寿命长、尺寸小且重量轻，并且可以以低电压驱动。此外，发光器件相对于冲击和振动是坚固的，不需要预热时间和复杂的驱动，并且可以封装成各种形状且因此可以用于各种目的。
近来发光器件已经被用作显示装置中的背光并且还用作高输出且高效率的光源， 该光源在用于普通照明、装饰照明、局部照明等的各种照明装置中使用。
然而,发光器件不在所有方向上发射光而是仅在向前方向上发射光。因此，关于布置特性，使用发光器件的照明装置大大不同于普通电灯泡。为此，使用发光器件的照明装置的光分布或可见性与普通电灯泡的显著不同，这导致难以广泛地推广采用发光器件的照明>J-U ρ α装直。发明内容
一个或多个示范性实施方式可以提供照明装置，该照明装置可以改进从光源发出的光的辐射角度。
附加的方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分将由该描述而明显或可以通过实践给出的实施方式而习之。
根据一示范性实施方式的一方面，一种照明装置包括发光器件单元，包括一个或多个发光器件；第一反射体，面对发光器件单元并反射从该发光器件单元发出的光；和第二反射体，面对第一反射体并反射被第一反射体反射的光。
第一反射体可以设置在发光器件单元上方，第二反射体可以设置在发光器件单元下方。
第一反射体可以包括内反射面和外暴露面，从发光器件单元发出的光在该内反射面处被反射，该外暴露面暴露于照明装置外部。
第一反射体的反射面可以包括平面或曲面。
第一反射体的内反射面的面积可以大于发光器件单元的横截面的面积。
第一反射体、发光器件单元和第二反射体的至少一个可以关于照明装置的中心轴对称。
发光器件单元可以包括多个发光器件，每个发光器件与照明装置的中心轴间隔开预定距离。第二反射体的内圆周可以邻近发光器件単元的外圆周。第二反射体的半径可以随着距发光器件単元的距离而増加。第二反射体的顶端的半径可以小于第二反射体的底端的半径。照明装置还可以包括罩(cover),该罩围绕ー内部空间，发光器件单元设置在该内部空间内。第二反射体的内圆周可以邻近发光器件単元，第二反射体的外圆周可以邻近罩。罩可以具有管形。罩的第一端可以邻近第一反射体，罩的第二端可以邻近第二反射体。罩可以具有拱顶形(dome shape)。第一反射体可以通过在罩的中间区域上涂覆反光漆而形成。照明装置还可以包括支撑发光器件単元和第二反射体的支撑部分。发光器件単元可以设置在支撑部分的顶端上，第二反射体可以设置在支撑部分的侧表面上。支撑部分可具有圆柱形。支撑部分可具有随着距发光器件単元的距离而増大的半径。第二反射体可以包括涂覆在支撑部分上的反光漆。根据ー示范性实施方式的另一方面，ー种照明装置包括至少ー个发光器件;第一反射体、罩(cover)和第二反射体，其中第一反射体、罩和第二反射体的组合形成ー罩壳(enclosure),至少ー个发光器件设置在该罩壳内；其中第一反射体反射由至少ー个发光器件发出的光，第二反射体反射被第一反射体反射的光。
通过下文结合附图对示范性实施方式的描述，这些和/或其他示范性方面将变得明显且更易于理解，附图中图1是根据一示范性实施方式的照明装置的分解透视图；图2是图1示出的照明装置的侧剖视图；图3是根据一示范性实施方式的发光器件的结构的剖视图；图4是根据另ー示范性实施方式的发光器件的结构的剖视图；图5是根据另ー示范性实施方式的发光器件的结构的剖视图；图6是根据另ー示范性实施方式的发光器件的结构的剖视图；图7示出通过图1所示的照明装置产生的光辐射的曲线；图8是根据另ー示范性实施方式的照明装置的侧剖视图；以及图9是根据另ー示范性实施方式的照明装置的侧剖视图。
具体实施例方式现在将详细參考在附图中示出的示范性实施方式。示范性实施方式不应理解为限制目的；而是，提供这些实施方式使得本公开将彻底和完整，且向本领域的普通技术人员充分传达本发明的构思。附图中相同的附图标记始终表示相同的元件，为了清楚，可以夸大附图中元件的尺寸。
图1是根据一示范性实施方式的照明装置I的分解透视图，图2是图1所示的照 明装置I的侧剖视图。
参考图1和图2，照明装置I包括包含一个或多个发光器件C的发光器件单元10 和反射从发光器件单兀10发出的光的第一反射体(reflector) 20。发光器件C可以是发 光二极管(LED)。
发光器件单元10可以包括绕照明装置I的中心轴A对称地布置的一个或多个发 光器件C。在附图中，多个发光器件C设置成环形。然而，多个发光器件C可以布置成各种 其他形状，诸如多边形等。
另外，发光器件单元10可以仅包括一个发光器件C。另外，发光器件单元10可以 包括设置在照明装置I的中心轴A上的一个发光器件C以及与照明装置I的中心轴A间隔 开预定距离的多个发光器件C。
发光器件单元10还可以包括其上设置一个或多个发光器件C的印刷电路板(PCB) 基板12。PCB基板12根据一个或多个发光器件C的布置可具有圆形平面形状或环形平面 形状。例如，当发光器件单元10包括设置在照明装置I的中心轴A上的一个发光器件C和 与照明装置I的中心轴A间隔开预定距离的多个发光器件C时，PCB基板12可具有圆形平 面形状。然而，如果发光器件单元10仅包括与照明装置I的中心轴A间隔开的多个发光器 件C，则PCB基板12可具有圆形平面形状或环形平面形状。
第一反射体20设置为面对发光器件单元10，并反射从发光器件单元10发出的光。 例如，第一反射体20可以设置在发光器件单元10上方。第一反射体20可以关于照明装置 I的中心轴A对称。
另外，第一反射体20可以包括内反射面22和暴露于照明装置I外部的外暴露面 24，从发光器件单元10发出的光在该内反射面22处被反射。内反射面22和外暴露面24 可以是平面或曲面。例如，内反射面22可以是平面，外暴露面24可以是凸面。备选地，内 反射面22和外暴露面24 二者都可以是凸面。内反射面22的面积可以大于发光器件单元 10的面积。因此，从发光器件单元10发出的大部分光可以入射到第一反射体20上并可以 从其反射。
第一反射体20可以由具有高反射率的材料形成。可用的材料可包括具有高反射 率的白树脂、金属、反光漆等。白树脂可以是白色发泡聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料 (white foaming polyethylene terephthalate material)、白色聚碳酸酯材料等。材料 的反射率可以是大约97%，因此光反射的损失可以较低，使得材料的效率更高。用作高反射 率金属的金属可以是从由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)、钯(Pd)、钼(Pt)及其合金构成 的组中选出的至少一种金属。第一反射体20可以通过气相沉积形成。备选地，用作高反 射率材料的反光漆可包括具有大约80%至90%反射率的至少一种反射材料，诸如钛氧化物 (Ti02)、锌氧化物(ZnO)、碳酸钙(CaCO3)等。第一反射体20可以通过将反光漆和粘合剂一 起稀释成溶液并通过利用喷雾器、辊等在诸如塑料的材料上涂敷所得溶液而形成。
第一反射体20可改进照明装置I的布置特性。例如，从发光器件单元10发出的 光被第一反射体20反射并在照明装置I的横向方向上以各种角度发出，从而可以改进照明 装置I的布置特性。
另外，照明装置I还可以包括第二反射体30，该第二反射体30面对第一反射体20并反射被第一反射体20反射的光。第二反射体30也可以关于照明装置I的中心轴A对称，并可以设置在发光器件単元10的边缘。例如，第二反射体30可具有截锥形，在其中包括照明装置I的中心轴A的预定中心区是空的。第二反射体30的一个边缘(例如，内圆周)可以邻近发光器件単元10，第二反射体30的反射面可以逐渐地向外且向下远离其内边缘弯曲，使得它形成围绕发光器件単元10并具有凹面的半环形形状，反射面面向内且面向上朝向发光器件単元10。随着第二反射体30从其内圆周向下延伸，第二反射体30的半径可以线性或非线性地増大。如图所示，第二反射体30具有随着其从其内圆周向下延伸而非线性増大的半径。然而，示范性实施方式不限于此。类似于第一反射体，第二反射体30可以使用具有高反射率的材料形成。照明装置I还可以包括围绕并保护发光器件単元10的罩40。罩40可具有中空的圆柱形。例如，罩40的一端(上端)可以连接到第一反射体20的外圆周，罩40的另一端(下端)可以连接到第二反射体30的外圆周。罩40可以关于发光器件単元10对称。罩40的圆柱形的中心部分可以向外凸出，使得罩在第一反射体与第二反射体之间的区域中的外 径大于罩在连接到第一反射体20的端部或连接到第二反射体的端部处的外径。用于漫射光的材料可以涂覆在罩40的内表面上，使得从发光器件发出并入射到罩40的内表面上的光可以被漫射并透射通过罩40。备选地，罩可以用漫射材料填充。罩40可以包含与发光器件単元10间隔开预定距离的漫射片。可用于罩40的材料可以是基于聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸树脂等的透明塑料，玻璃，或者半透明塑料。另外，罩40也可以通过混合漫射材料与透明材料而形成。另外，荧光物质可以与用于罩40的材料进ー步混合，使得从发光器件単元10发出并入射到罩上的光可以使得罩发荧光。微图案可以形成在罩40的至少一个表面上。形成在罩40的内表面和外表面之一上或形成在内表面和外表面两者上的微图案可以用于漫射入射在罩40上的光。在该情况下，罩40可以仅由没有与漫射材料混合的透明材料形成，或者由与漫射材料混合的透明材料形成。照明装置I还可以包括消散由发光器件単元10产生的热的散热部50。散热部50也可以关于照明装置I的中心轴A对称。散热部50包括主体部分54以及支撑发光器件单元10和第二反射体30的支撑部分52。支撑部分52和主体部分54可以形成为一体，或者可以分开地形成。支撑部分52可具有圆柱形。发光器件単元10可以设置在支撑部分52的顶端上，第二反射体30可以设置在支撑部分52的外圆周面上。支撑部分52的横截面可以是圆形。然而，示范性实施方式不限于此，支撑部分52的横截面可具有多边形，诸如长方形等。主体部分54可具有圆柱形。主体部分54的顶端可以连接到支撑部分52的下端，主体部分54的底端可以连接到插座，该插座连接到外部电源，从而提供电能到多个发光器件C。用于配置照明模块的附加电路元件(例如，作为用于防止因静电而引起的对发光器件C的损坏的半导体器件的齐纳ニ极管、作为用于温度控制的半导体器件的热敏电阻等)可以设置在主体部分54内部。虽然主体部分54的形状是圆柱形，如图1和图2所示，但这只是一示例，主体部分54可以改变为具有各种形状，诸如截锥形等。主体部分54的半径可以与第一反射体20的半径和第二反射体30的底端的半径相同。
另外,至少一个散热销56可以设置在主体部分54的侧表面上。多个散热销56可以绕主体部分沿圆周布置。每个散热销56可具有矩形板形状，可具有接触主体部分54并在主体部分54的纵向方向上沿着主体部分54延伸的内表面。
至少一个散热销56增大了接触空气的表面面积，由此增多从发光器件C传递到主体部分54并传递到外部的热。多个散热销56的圆周布置指的是朝向散热销的外表面的密度比朝向主体部分54的中心部分的密度低，使得高温热量可以根据高温热量从高密度地方移动到低密度地方的原则快速地消散。
备选地，主体部分54的外圆周面可以形成为具有不平坦的形状从而提高其散热效率。
支撑部分52、主体部分54和散热销56可以由具有高导热率的金属形成，诸如Al 或Cu，使得自发光器件C产生的热可以被有效地消散。替换地，支撑部分52、主体部分54 和散热销56可以由具有高导热率的树脂形成。
发光器件单兀10在向上方向上发出的部分光直接入射到罩40上,被罩40漫射并透过罩到达外部。发光器件单元10在向上方向发出的部分光被第一反射体20反射，然后入射在罩40上并被漫射且透过罩40到达外部，被第一反射体20反射的另一部分光然后被第二反射体30反射并接着入射在第一反射体20上或入射到罩40上。如上所述，从发光器件单元10发出的大部分光被第一反射体20和第二反射体30的至少一个反射，此反射被重复地执行，因此到达罩40的光是基本均匀的且可以在所有方向上辐射。
图3是根据一示范性实施方式的发光器件C的结构的剖视图。
发光器件C包括发光芯片，该发光芯片包括自下至上顺序地设置在基板S上的第一类型半导体层202、有源层204和第二类型半导体层206。荧光层215涂覆在发光芯片周围。
基板S可以是树脂材料，例如，复合材料，诸如FR4或FR5，或可以由陶瓷或玻璃纤维形成。
第一类型半导体层202、有源层204和第二类型半导体层206可以由化合物半导体形成。例如，第一类型半导体层202和第二类型半导体层206可以由具有AlxInyGa(1_x_y) N (O l,0^y^ 1,0 ^x+y ^ I)成分的氮化物半导体形成，并且可以分别掺杂有 η型杂质和P型杂质。形成在第一类型半导体层202和第二类型半导体层206之间的有源层204由于电子和空穴的复合而发射具有预定能量的光，并且可具有在其中层叠具有 InxGahN (O < χ < I)成分的多个层的结构，使得带隙能量可以根据铟的含量而调节。在该情况下，有源层204可具有在其中交替堆叠量子势垒层和量子阱层的多量子阱(MQW)结构，例如InGaN/GaN结构，有源层204的铟含量可以被调节从而发射蓝光。
有源层204可以包括通过吸收蓝光来发射红光的荧光物质以及通过吸收蓝光来发射绿光的荧光物质。发射红光的荧光物质可以是具有MAlSiNx = Re (I ^ 5)成分的基于氮化物的荧光物质、基于MD:Re硫化物的荧光物质等。这里，M是从由Ba、Sr、Ca和Mg 构成的组中选出的至少之一，D是从由S、Se和Te构成的组中选出的至少之一，Re是从由 Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br 和 I 构成的组中选出的至少之一。另外，发射绿光的突光物质可以是基于M2SiO4: Re娃酸盐的突光物质、基于MA2D4: Re硫化物的荧光物质、P-SiAlON = Re荧光物质、基于MA’ 204:Re’氧化物的荧光物质等。M可以是从由Ba、Sr、Ca和Mg构成的组中选出的至少ー种元素，A可以是从由Ga、Al和In构成的组中选出的至少ー种元素,D可以是从由S、Se和Te构成的组中选出的至少ー种元素，A1可以是从由Sc、Y、Gd、La、Lu、Al和In构成的组中选出的至少ー种元素，Re可以是从由Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br 和 I 构成的组中选出的至少ー种元素，Re’ 可以是从由 Ce、Nd、Pm、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、F、Cl、Br 和 I 构成的组中选出的至少ー种元素。从有源层204发出的一部分蓝光转变成绿光，另一部分被转变成红光。因此，蓝光、红光和绿光被混合且发出白光。具有两个分离区域的电极图案208设置在基板S上。电极图案208可以通过使用诸如镀覆(plating)的エ艺由导电材料例如Cu、Pd、Ag、Ni/Au等形成。第一类型半导体层202接合到电极图案208的ー个区域，第二类型半导体层206通过利用导线W而连接到电极图案208的另一区域。另外，具有透镜形状的盖层217可以进一歩形成在基板S上，从而保护发光芯片并调节从发光芯片发出的光的指向性。盖层217可以由透明材料诸如树脂形成。盖层217的形状不局限于图3示出的透镜形状，替换地，可以是保护发光芯片的平面形状。图4是根据另ー示范性实施方式的发光器件C的结构的剖视图。关于电极的结构，图4的实施方式的发光器件C与图3示出的不同。也就是说，包括第一类型半导体层202、有源层204和第二类型半导体层206的发光芯片具有已经被蚀刻成台面形状从而部分地暴露第一类型半导体层202的区域的结构。第一类型半导体层202的暴露区域利用导线W连接到电极图案部分209的一部分，第二类型半导体层206利用导线W连接到电极图案部分209的另一部分。图5是根据另ー示范性实施方式的发光器件C的结构的剖视图。根据图5的实施方式的发光器件C包括仅涂覆在发光芯片的顶面上的荧光层216。盖层219具有平面形状。然而，盖层219的形状不限于此，盖层219可具有用于调节从发光芯片发出的光的指向性的透镜形状。图6是根据另ー示范性实施方式的发光器件C的结构的剖视图。图6示出的发光器件C与图5的发光器件C的不同之处在于图6的发光器件C不包括荧光层而是包括由透明材料例如树脂形成的盖层221，该透明材料与荧光物质混合。盖层221的形状也可以是平坦的，如图6所示，或可具有透镜形状，从发光芯片发出的光的指向性可以通过该透镜形状被调节。如上所述，图3至图6示出的发光器件C的每个均具有在其中每个发光器件C设置在基板S上并导线接合到设置在基板S上的电极图案208或209的封装形状。另外，相邻的发光器件C可以根据电极图案208或209的具体形状而彼此串联连接、并联连接、或者以串联和并联组合的方式连接。图7示出通过图1所示的照明装置I产生的光辐射的曲线。參考图7，实线表示图1的照明装置I的辐射角度。图1的照明装置I在几乎360度的所有方向上均匀地辐射光。根据图1的实施方式的辐射角度远大于传统光源的130度辐射角度。
图8是根据另一示范性实施方式的照明装置2的侧剖视图。图8的照明装置2的 与图1的照明装置I具有相同附图标记的相同元件，具有与其相同的功能和结构，因此省略 了对其的描述。图8的第一反射体20’可以是形成在罩40’内侧上的涂层。
罩40’可具有围绕发光器件单元10和第二反射体30的拱顶形(domeshape)。罩 40’的下内圆周边缘接触第二反射体30的外圆周和散热部50的上外圆周的至少之一。第 一反射体20’通过在罩40’的内侧中心表面上涂覆反光漆而形成。
反光漆可以是具有大约80%至90%反射率的至少一种反射材料，诸如钛氧化物 (Ti02)、锌氧化物(ZnO)、碳酸钙(CaCO3)等。第一反射体20’可以通过将反光漆和粘合剂一 起稀释成溶液并通过利用喷雾器、辊等在罩40’上涂敷所得的溶液而形成。另外，第一反射 体20’可以通过在罩40’的内侧中心表面上涂覆该溶液并通过在涂有反光漆的罩40’上进 一步涂覆高反射率金属而形成。
如上所述，第一反射体20’被涂覆在罩40’的中间区域，使得可以容易地制造照明 装置2。
图9是根据另一示范性实施方式的照明装置3的侧剖视图。图9的照明装置3的 与图1的照明装置I具有相同附图标记的相同元件，具有与其相同的功能和结构，因此省略 了对其的描述。第二反射体30’可以涂覆在支撑部分52’上。
发光器件单元10设置在支撑部分52’的顶端上，支撑部分52’的底端连接到主体 部分54。支撑部分52’可具有圆形横截面和预定厚度。例如，在发光器件单元10中，支撑 部分52’可具有外圆周面，该外圆周面具有朝向主体部分54逐渐增大的半径。例如，支撑 部分52’可具有截锥形。
第二反射体30’可以通过在支撑部分52’的外圆周面上涂覆反光漆而形成。也就 是说，第二反射体30’与支撑部分52’的外圆周面相似地倾斜。第二反射体30’的半径可 以在远离发光器件单元10的方向上增大，如支撑部分52’的半径一样。以上所述的第二反 射体30’可以提高照明装置3的光效率并可以改进照明装置3的布置特性。例如，由第一 反射体20反射的光再次被第二反射体30’反射并在照明装置3的横向方向上发出，从而可 以提高照明装置3的光效率，光以各种角度被反射使得可以改进照明装置3的布置特性。
通过使用具有高反射率的材料，第二反射体30’可具有薄膜形状。用于第二反射 体的材料包括金属、反光漆等。金属可以是从由诸如Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt及其合金的高反 射率金属构成的组中选出的至少一种。第二反射体30’可以通过气相沉积形成。备选地， 反光漆可以是具有大约80%至90%反射率的至少一种反射材料，诸如钛氧化物(TiO2)、锌氧 化物(ZnO)、碳酸钙(CaCO3)等。反光漆和粘合剂一起可以稀释成溶液并可以通过使用喷雾 器、辊等涂覆在支撑部分52’的外圆周面上。另外，第二反射体30’可以通过在罩40’的内 侧端部上涂覆反光漆并通过在涂有反光漆的罩40’上进一步涂覆高反射率金属而形成。
图1示出的照明装置I可以包括第一反射体20或20’与第二反射体30或30’的 另一种组合。
应当理解，这里描述的示范性实施方式应该理解为描述性含义而非用于限制。每 个实施方式中的特征或方面的描述应典型地认为适用于其他实施方式中的其他相似的特 征或方面。
本申请要求2011年9月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2011-0095819的权益，其公开通过全文引用结合于此。
权利要求
1.一种照明装置，包括 发光器件单元，包括一个或多个发光器件； 第一反射体，面对所述发光器件单元并反射从所述发光器件单元发出的光；以及 第二反射体，面对所述第一反射体并反射被所述第一反射体反射的光。
2.如权利要求1所述的照明装置，其中所述第一反射体设置在所述发光器件单元上方，所述第二反射体设置在所述发光器件单元下方。
3.如权利要求1所述的照明装置，其中所述第一反射体包括内反射面和外暴露面，从所述发光器件单元发出的光在该内反射面处被反射，该外暴露面暴露于所述照明装置外部。
4.如权利要求3所述的照明装置，其中所述第一反射体的所述内反射面的面积大于所述发光器件单元的横截面的面积。
5.如权利要求1所述的照明装置，其中所述第二反射体的内边缘邻近所述发光器件单元的外边缘。
6.如权利要求1所述的照明装置，其中所述第二反射体的半径随着距所述发光器件单元的距离而增大。
7.如权利要求1所述的照明装置，还包括罩，该罩围绕所述发光器件单元设置在其中的内部空间。
8.如权利要求7所述的照明装置，其中所述第二反射体的内圆周邻近所述发光器件单元，所述第二反射体的外圆周邻近所述罩。
9.如权利要求7所述的照明装置，其中所述罩具有管形或拱顶形。
10.如权利要求7所述的照明装置，其中所述罩的第一端邻近所述第一反射体，所述罩的第二端邻近所述第二反射体。
11.如权利要求7所述的照明装置，其中所述第一反射体包括涂覆在所述罩的中间区域上的反光漆。
12.如权利要求1所述的照明装置，还包括支撑部分，该支撑部分支撑所述发光器件单元和所述第二反射体。
13.如权利要求12所述的照明装置，其中所述发光器件单元设置在所述支撑部分的顶端上，所述第二反射体设置在所述支撑部分的侧表面上。
14.如权利要求12所述的照明装置，其中所述支撑部分具有圆柱形。
15.如权利要求12所述的照明装置，其中所述支撑部分具有随着距所述发光器件单元的距离而增大的半径。
16.一种照明装置，包括 至少一个发光器件； 第一反射体、罩和第二反射体，其中所述第一反射体、所述罩和所述第二反射体的组合形成一罩壳，所述至少一个发光器件设置在该罩壳内； 其中所述第一反射体反射由所述至少一个发光器件发出的光，所述第二反射体反射被所述第一反射体反射的光。
17.如权利要求16所述的照明装置，还包括包含所述至少一个发光器件的发光单元，其中所述第二反射体包括与所述发光单元的外圆周相邻的内圆周以及与所述罩的下端相邻的外圆周，其中所述第一反射体包括与所述罩的上端相邻的外圆周。
18.如权利要求16所述的照明装置，还包括包含所述至少一个发光器件的发光单元，其中所述第二反射体包括与所述发光单元的外圆周相邻的内圆周以及与所述罩的下端相邻的外圆周，其中所述第一反射体包括涂覆在所述罩的内表面上的反射涂层。
全文摘要
本发明提供一种照明装置，该照明装置包括∶发光器件单元，包括一个或多个发光器件；第一反射体，面对发光器件单元并反射从该发光器件单元发出的光；和第二反射体，面对第一反射体并反射被第一反射体反射的光。
文档编号F21Y101/02GK103016974SQ20121035652
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月24日 优先权日2011年9月22日
发明者有吉哲夫, 朴天豪, 柳炳贤, 尹知勋 申请人:三星电子株式会社