具有改善光质的LED灯的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种LED型灯，包括：至少一个紫色LED器件，其中，所述紫色LED器件包括至少一个n型区、被配置为发射具有390nm至430nm的波长的光的一个发光有源区、一个电子封阻层以及一个p型区，其中，所述发光有源区至少包括多个InGaN层以及具有的厚度介于40nm与500nm之间的多量子阱结构；以及波长转换材料，所述波长转换材料被构造成与所述紫色LED器件相互作用，使得所述LED型灯发射具有光谱功率分布SPD的白光，其中，所述光谱功率分布中功率的2％至15％是在从390nm至430nm的波长范围内发射的；其中，所述至少一个紫色LED器件被构造成具有的外部量子效率大于45％，该45％是在400A/cm2的电流密度下、在室温下测量时得到。2.根据权利要求1所述的灯，其中，所述LED型灯的光通量为至少1500lm。3.根据权利要求1所述的灯，其中，所述灯包括MR16规格。4.根据权利要求1所述的灯，其中，所述灯包括PAR30灯规格。5.根据权利要求1所述的灯，其中，所述至少一个紫色LED器件被构造成在100℃或更大的结温下以200A/cm2的电流密度发射多于200W/cm2。6.根据权利要求1所述的灯，其中，所述至少一个紫色LED器件被构造为泵激至少一个蓝色磷光体或至少一个青色磷光体。7.根据权利要求1所述的灯，其中，所述LED型灯进一步包括至少一个LED器件，所述至少一个LED器件被构造成在除由所述至少一个紫色LED器件发射的波长之外的波长下发射。8.根据权利要求1所述的灯，其中，所述灯的特征在于短波长光谱功率分布差小于35％并且相关色温在2500K至7000K范围内。9.根据权利要求1所述的灯，其中，所述光谱功率分布的在390nm至430nm范围内的分率被配置为实现特定CIE白度值。10.根据权利要求9所述的灯，其中，所述光谱功率分布的在390nm至430nm范围内的所述分率使得在相同相关色温的CIE参考照明体的照明下，由所述灯照亮的高白度参考样品的CIE白度在相同样品的CIE白度的负20点和正40点内，其中，所述相同相关色温的CIE参考照明体分别如下：如果相关色温<5000K，那么所述CIE参考照明体为黑体辐射体，或者如果相关色温>5000K，那么所述CIE参考照明体为D照明体。11.根据权利要求9所述的灯，其中，所述光谱功率分布的在390nm至430nm范围内的所述分率使得在相同相关色温的CIE参考照明体的照明下，由所述灯照亮的高白度参考物体的相关色温校正白度在相同物体的相关色温校正白度的负20点和正40点内，其中，所述相同相关色温的CIE参考照明体分别如下：如果相关色温<5000K，那么所述CIE参考照明体为黑体辐射体，或者如果相关色温>5000K，那么所述CIE参考照明体为D照明体。12.根据权利要求1所述的灯，其中，所述LED型灯进一步包括至少一个发蓝光的LED器件，且由所述LED型灯发射的蓝光的至少一部分由所述至少一个发蓝光的LED器件提供。13.根据权利要求1所述的灯，其中，由所述灯所发射的光的特征在于光束角窄于25°且中心光束烛光高于2200cd。14.根据权利要求1所述的灯，其中，所述灯的特征在于显色指数大于90并且相关色温在2500K至7000K的范围内。15.根据权利要求1所述的灯，其中，R9大于80。16.根据权利要求1所述的灯，其中，大采样集显色指数大于80。17.一种LED型灯，包括：基极，具有小于40mm2的基极面积；至少一个紫色LED器件，所述至少一个紫色LED器件安装在所述基极上并且包括n型区、p型区和发光有源区，所述发光有源区被构造成发射具有从390nm至430nm的波长的光，所述发光有源区至少包括多个InGaN层以及具有的厚度介于40nm与500nm之间的多量子阱结构；以及波长转换材料，所述波长转换材料被构造成与所述紫色LED器件相互作用，使得所述LED型灯发射的白光具有500lm以上的光通量，以及光谱功率分布SPD中功率的2％至10％是在从390nm至430nm的波长范围内发射的。18.根据权利要求17所述的灯，其中，所述灯的特征在于MR16规格。19.根据权利要求17所述的灯，其还包括光学耦合至所述至少一个紫色LED器件的光学透镜，其中，所述光学透镜的直径小于40mm。20.根据权利要求17所述的灯，其中，所述灯的特征在于部分阴影角宽小于1度。21.根据权利要求17所述的灯，其中，所述灯的特征在于对于部分阴影区中的两点，色度变化Duv小于8。22.根据权利要求17所述的灯，其中，所述灯的特征在于所发射的光束在所述所发射的光束的中心和具有10％强度的点之间的色度变化Duv小于8。23.一种光源，包括：多个发光二级管LED，每个发光二极管包括n型区、p型区和发光有源区，所述发光有源区被构造成发射具有从390nm至430nm的波长的光，所述发光有源区至少包括多个InGaN层以及具有的厚度介于40nm与500nm之间的多量子阱结构；以及波长转换材料，所述波长转换材料被构造成与所述发光二级管相互作用，使得所述光源发射具有光谱功率分布SPD的白光，其中，所述光谱功率分布中的功率的2％至15％是在390nm至430nm的范围内，且在相同相关色温的CIE参考照明体的照明下，由所述光源照亮的高白度参考样品的CIE白度在相同样品的CIE白度的负20点至正40点内，其中，所述相同相关色温的CIE参考照明体分别如下：如果相关色温<5000K，那么所述CIE参考照明体为黑体辐射体，或者如果相关色温>5000K，那么所述CIE参考照明体为D照明体。24.一种光源，包括：多个紫色LED，每个紫色LED包括n型区、p型区和发光有源区，所述发光有源区被构造成发射具有从390nm至430nm的波长的光，所述发光有源区至少包括多个InGaN层以及具有的厚度介于40nm与500nm之间的多量子阱结构；以及波长转换材料，所述波长转换材料被构造成与所述紫色LED相互作用，使得所述光源发射具有光谱功率分布SPD的白光，其中，所述光谱功率分布中的功率的2％至10％是在390nm至430nm的范围内，且在相同相关色温的陶瓷金属卤化物照明体的照明下，由所述光源照亮的高白度参考样品的CIE白度在相同样品的CIE白度的负20点至正40点内。25.一种光源，包括：多个发光二级管LED，每个发光二极管包括n型区、p型区和发光有源区，所述发光有源区被构造成发射具有从390nm至430nm的波长的光，所述发光有源区至少包括多个InGaN层以及具有的厚度介于40nm与500nm之间的多量子阱结构；以及波长转换材料，所述波长转换材料被构造成与所述发光二级管相互作用，使得所述光源发射具有以下光谱功率分布和色度的白光，其中，所述光谱功率分布中的功率的至少2％至15％是在从390nm至430nm的波长范围内，以及其中，由所述光源照亮的高白度参考样品与所述光源的白点的色度相差至少两个Duv点和至多十二个Duv点，且色度偏移大体上朝向色彩空间的蓝色方向。