1.一种提高电子封装腔体高度的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
(1)在电子封装管壳盖板和管座之间放置金属密封环，形成装配体；
(2)在盖板与金属密封环的接触面之间以及金属密封环与管座的接触面之间预置焊料，然后使用夹具对步骤(1)所形成的装配体进行固定和预紧，所施加的预紧力为5-10N；该预紧力条件下，能够保证装配体之间的紧密接触，同时有益于合金焊料熔化过程中的均匀流淌。
(3)对经步骤(2)处理后的装配体进行焊接，在所述盖板、金属密封环和管座之间形成气密封的电子封装腔体。
2.根据权利要求1所述的提高电子封装腔体高度的方法，其特征在于：步骤(1)中，进行装配前，先在盖板和管座的待焊接表面上设置镀金层，镀金层厚度为1μm～1.5μm，然后进行装配。
3.根据权利要求1所述的提高电子封装腔体高度的方法，其特征在于：步骤(2)中，在盖板与金属密封环之间预置的焊料为环状AuSn合金焊料，AuSn合金焊料中Au质量分数80％，Sn质量分数20％；在金属密封环与管座之间预置的焊料为环状AuGe合金焊料，AuGe合金焊料中，Au质量分数88％，Ge质量分数12％。
4.根据权利要求3所述的提高电子封装腔体高度的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述焊接方法为低温烧结方法，先将金属密封环和管座焊接在一起，焊接温度370-400℃，焊接时间5-20min；然后再将金属密封环和上面的盖板焊接在一起，焊结温度为330-350℃，焊接时间15-20min。
5.根据权利要求1所述的提高电子封装腔体高度的方法，其特征在于：所述气密封金属环与管座材质相同，气密封金属环材质为4J49或4J42可伐合金。
6.根据权利要求1所述的提高电子封装腔体高度的方法，其特征在于：所述金属密封环为筒状结构，金属密封环的高度根据所需提高的腔体高度进行选择，金属密封环的内外径尺寸与所述盖板和管座相匹配。