一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路的制作方法

文档序号:25276377发布日期:2021-06-02 00:02阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,包括输入电路,输入电路连接一次整流电路,一次整流电路连接高频滤波电路,高频滤波电路连接igbt模块一,igbt模块一连接igbt模块二,igbt模块二连接高频变压器,高频变压器分别连接igbt模块三和igbt模块四,igbt模块三和igbt模块四连接输出电路,igbt模块一和igbt模块二还连接前级pwm电路,igbt模块三和igbt模块四还连接后级pwm电路。

2.根据权利要求1所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,igbt模块一为一半桥封装模块,其第1号脚外部连接由l1/c1组成的直流供电正极端、内部连接q1号igbt的集电极(c)与第一反并联二极管(d1)的阴极,其第2号脚外部连接由l1/c1组成的直流供电负极端、内部连接q2号igbt的发射极(e)与第二反并联二极管(d2)的阳极,其第3号脚外部连接驱动隔离直流电容cq一端、cq的另一端连接高频变压器t1的一次线包的同名端,内部连接q1号igbt的发射极(e)及第一反并联二极管(d1)的阳极以及q2号igbt的集电极(c)及反第二并联二极管(d2)的阴极。

3.根据权利要求1所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,igbt模块二也为一半桥封装模块,其第1号脚外部连接由l1/c1组成的直流供电正极端、内部连接q3号igbt的集电极(c)与第三反并联二极管(d3)的阴极,其第2号脚外部连接由l1/c1组成的直流供电负极端、内部连接q4号igbt的发射极(e)与第四反并联二极管(d4)的阳极,其第3号脚外部连接高频变压器t1的一次线包的异名端、内部连接q3号igbt的发射极(e)及第三反并联二极管(d3)的阳极以及q4号igbt的集电极(c)及第四反并联二极管(d4)的阴极。

4.根据权利要求2或3所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,igbt模块一第2号脚通过隔离直流电容cq连接高频变压器t1的一次线包的同名端,igbt模块二第2号脚连接高频变压器t1的一次线包的异名端,形成全桥桥式连接形式。

5.根据权利要求1所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,igbt模块三的第2号脚外部连接高频变压器t1的二次线包上部线包的同名端和吸收电阻r7的一端、内部并联连接q5a、q5b、q5c三只igbt的集电极(c),第3号脚外部连接正输出端和负载维持电阻rl的一端,第6、10、14号脚外部连接后级pwm波第一组隔离驱动信号端、内部分别连接q5a\q5b\q5c三只igbt的控制极(g)的限流驱动电阻,第7、11、15号脚外部连接后级pwm波第一组隔离驱动负信号端和吸收电容c2的一端,内部并联连接q5a\q5b\q5c三只igbt的发射极(e),吸收电阻r7的另一端与吸收电容c2的另一端连接组成阻容吸收电路。

6.根据权利要求1所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,igbt模块四的第二号脚外部连接高频变压器t1的二次线包下部线包的异名端和吸收电阻r8的一端、内部并联连接q6a、q6b、q6c三只igbt的集电极(c),第三号脚外部连接正输出端和负载维持电阻rl的一端,第6、10、14号脚外部连接后级pwm波第二组隔离驱动信号端、内部分别连接q6a、q6b、q6c三只igbt的控制极(g)的限流驱动电阻,第7、11、15号脚外部连接后级pwm波第二组隔离驱动负信号端和吸收电容c3的一端,内部并联连接q6a、q6b、q6c三只igbt的发射极(e),吸收电阻r8的另一端与吸收电容c3的另一端连接组成阻容吸收电路。

7.根据权利要求5或6所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,igbt模块三、igbt模块四与二次线包中心抽头的高频变压器t1组成全波整流电路,二次线包中心抽头连接滤波电抗器l1的一端,滤波电抗器l1的另一端连接输出负端和负载维持电阻rl的另一端。

8.根据权利要求1所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,前级pwm电路通过隔离推动电路分别连接igbt模块一和igbt模块二。

9.根据权利要求1所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,后级pwm电路通过隔离推动电路分别连接igbt模块三和igbt模块四。

10.根据权利要求1所述的一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,其特征是,前级pwm电路、后级pwm电路连接一焊接特性集中控制及pwm波形形成电路。


技术总结
本实用新型提供一种前后级双重控制的高性能逆变焊机电路,包括输入电路,输入电路连接一次整流电路,一次整流电路连接高频滤波电路,高频滤波电路连接IGBT模块一,IGBT模块一连接IGBT模块二,IGBT模块二连接高频变压器,高频变压器分别连接IGBT模块三和IGBT模块四,IGBT模块三和IGBT模块四连接输出电路,IGBT模块一和IGBT模块二还连接前级PWM电路,IGBT模块三和IGBT模块四还连接后级PWM电路。本方案将一次与二次的全控制方式逆变电路,主结构逆变焊机电路采用了包含整体电气构成、先进工艺采用的主隔离变压器、采用模块化绝缘散热底板的多只高频IGBT晶圆并联封装产品,将现有20KHz逆变频率提升到80KHz甚至100KHz,使得焊接效果和焊接质量明显提升,完全能够匹配自动化智能化焊接。

技术研发人员:胡宝良
受保护的技术使用者:胡宝良
技术研发日:2020.09.23
技术公布日:2021.06.01
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