一种低温锡膏用助焊膏及其制备方法
【专利说明】
[0001]【技术领域】
本发明属于焊接技术领域，涉及一种低温锡膏用助焊膏及其制备方法。
[0002]【【背景技术】】
中国将成为全球LED市场发展的主要驱动力量，政府将在民用和商用领域广泛采用LED照明的绿色方案，这将使LED产业获得复苏。而LED产业和一些不能承受高温回流焊接的元件和PCB板，主要应用的焊接材料为低温锡膏。所以，现在市场对低温锡膏的需求越来越多。
[0003]目前低温锡膏具有熔点低、优良的印刷性、润湿性好、回焊时无锡珠和锡桥的产生等优点；然而，低温锡膏现存最大的缺点是容易发黑，原因在于金属Bi比其他的金属更易氧化，氧化层也更厚，助焊膏去除氧化物之后形成的金属盐也比较多，这些盐焊后就会形成一种黑色物质。因此，如何改善低温锡膏的发黑问题成为现有技术的关键。
[0004]【
【发明内容】
】
要解决的技术问题:本发明的目的是提供一种低温锡膏用助焊膏及其制备方法，旨在解决目前低温锡膏易发黑的问题。
[0005]技术方案:本发明通过如下技术方案实现上述目的:
一种低温锡膏用助焊膏，所述的低温锡膏用助焊膏包括以下重量份的成分:
溶剂35-50份、
丙二酸3-6份、
乙醇胺0.3-0.6份、
二溴乙基苯0.5-2份、
松香40-50份。
[0006]所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的溶剂为乙二醇或2甲基-2，4戊二醇。
[0007]优选的，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的丙二酸为4份。
[0008]优选的，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的乙醇胺为0.45份。
[0009]优选的，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的二溴乙基苯为1.5份。
[0010]优选的，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的松香为45份。
[0011]所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏的制备方法，步骤为:按重量分别取溶剂为35-50份、丙二酸为3-6份、乙醇胺为0.3-0.6份、二溴乙基苯为0.5-2份、
松香为40-50份，混合均匀后得到产品。
[0012]有益效果:本发明的低温锡膏用助焊膏解决了目前低温锡膏易发黑的问题，可用于锡膏中，具有良好的应用空间。
【附图说明】
[0013]图1为实施例的图样。
[0014]图2为对比例的图样。
[0015]
【具体实施方式】
实施例1
按重量分别取乙二醇为50份、丙二酸为6份、乙醇胺为0.3份、二溴乙基苯为0.5份、松香为50份，混合均匀后得到产品。
[0016]实施例2
按重量分别取乙二醇为35份、丙二酸为3份、乙醇胺为0.6份、二溴乙基苯为2份、松香为40份，混合均匀后得到产品。
[0017]实施例3
按重量分别取2甲基-2，4戊二醇为45份、丙二酸为4份、乙醇胺为0.45份、二溴乙基苯为1.5份、松香为45份，混合均匀后得到产品。
[0018]对比例
按重量分别取乙二醇为50份、丙二酸为6份、松香为50份，混合均匀后得到产品。
[0019]通过相应的实验比对，本发明的活性剂与常规的活性剂对比，本发明的低温锡膏不会发黑。
【主权项】
1.一种低温锡膏用助焊膏，其特征在于，所述的低温锡膏用助焊膏包括以下重量份的成分: 溶剂35-50份、 丙二酸3-6份、 乙醇胺0.3-0.6份、 二溴乙基苯0.5-2份、 松香40-50份。
2.根据权利要求1所述的一种低温锡膏用助焊膏，其特征在于，所述的溶剂为乙二醇或2甲基-2，4戊二醇。
3.根据权利要求1所述的一种低温锡膏用助焊膏，其特征在于，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的丙二酸为4份。
4.根据权利要求1所述的一种低温锡膏用助焊膏，其特征在于，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的乙醇胺为0.45份。
5.根据权利要求1所述的一种低温锡膏用助焊膏，其特征在于，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的二溴乙基苯为1.5份。
6.根据权利要求1所述的一种低温锡膏用助焊膏，其特征在于，所述的所述的一种低温锡膏用助焊膏，所述的松香为45份。
7.根据权利要求1所述的一种低温锡膏用助焊膏的制备方法，其特征在于步骤为:按重量分别取溶剂为35-50份、丙二酸为3-6份、乙醇胺为0.3-0.6份、二溴乙基苯为0.5-2份、松香为40-50份，混合均匀后得到产品。
【专利摘要】本发明公开了一种低温锡膏用助焊膏及其制备方法，所述的温锡膏用助焊膏包括溶剂为35-50份、丙二酸为3-6份、乙醇胺为0.3-0.6份、二溴乙基苯为0.5-2份、松香为40-50份。制备方法步骤为：按重量分别取溶剂为35-50份、丙二酸为3-6份、乙醇胺为0.3-0.6份、二溴乙基苯为0.5-2份、松香为40-50份，混合均匀后得到产品。
【IPC分类】B23K35-363, B23K35-40
【公开号】CN104801887
【申请号】CN201510258233
【发明人】马鑫
【申请人】苏州汉尔信电子科技有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年5月20日