专利名称：防止带电膜和使用它的隔板及图像显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及图像显示装置等电子发生装置的、被设置在内置电子源的气密容器内的防止带电膜，以及使用它的隔板及图像显示装置。
背景技术：
在使用电子发射元件的平面显示器中，如特开平10-284286号公报所示，为了将其内部保持为高真空，采用被称为隔板或肋的抗大气压结构支撑体——隔板。
图7是使用了多个电子发射元件的图像形成装置的剖面示意图。101是背板，102是侧壁，103是前面板，由背板101、侧壁102、前面板103形成气密容器。作为气密容器的抗大气压结构支撑体的隔板107b，设有低电阻膜110，通过导电性熔接物108与布线109连接。
电子发射元件104形成在背板101上，荧光体105和金属敷层106形成在前面板上。设置金属敷层106的目的在于将荧光体105发出的一部分光进行镜面反射而提高光利用率，保护荧光体105避免负离子的轰击，作为用于施加电子束加速电压的电极而起作用，以及作为激励荧光体105的电子的导电路径而起作用等。
隔板107a呈现隔板的带电状态，通过被从附近的电子源发射的一部分电子碰撞而呈现出引起带电(图中，带正电)的状况。再有，隔板107a在没有设置防止带电膜112的情况下呈现隔板的带电状态，低电阻膜的厚度在图示的情况下，比与隔板107b的防止带电膜112连接的低电阻膜110厚。
如果这样的隔板107a带正电，则从作为电子源的电子发射元件104发射的电子，例如电子轨迹111a那样，被拉引到隔板侧，结果会损害显示图像的质量。
为了解决这种问题，提出了以下方案在隔板107b上设置防止带电膜112，通过流过微小电流而进行除电，如电子轨迹111b那样，描绘规定的轨迹而不使电子被拉引到隔板上。
此外，如特开2001-143620号公报所示那样，提出以下方案通过在隔板玻璃基板表面上设置凹凸，与隔板表面是平滑的情况相比，减小有效的二次电子发射系数，高效地抑制隔板表面的带电。
而且，在特开平10-284283号公报中，提出了以下方案使用铝靶和贵金属靶，作为成膜时使用的气体，使用氩和氮或氧的混合气体，以二元同时溅射方式，形成被覆盖了具有氮化铝或氧化铝和金、钯、铂等贵金属的带电缓和膜的隔板。
但是，在上述以往例所示的隔板中，在除去带电的功能上产生性能差的偏差是十分明显的。
特别是在隔板上形成了稳定分布的情况下，因防止带电膜的电阻温度特性，在电阻率上产生分布。这种电阻率的分布成为除电功能的偏差的主要因素。
具体地说，在平面显示器面板中，因前面板和背板的温度差引起的面板内的温度分布，发生显示图像的扰动。
此外，在通过对多个不同材料靶同时进行溅射(例如使用两种材料的二元溅射)，将具有多个元素组成的防止带电膜进行成膜的现有的方法中，即使使成膜条件(背景、溅射压力、气体流量、靶投入功率)相同，有时在每批成膜中防止带电膜的电阻率上也产生偏差。
为了使电阻率一致，需要分别调整向不同的材料靶供给的靶投入功率，不用说，这种调整是繁杂的并且再现性也不一定高。
特别是在二元溅射中，在各个靶投入功率上存在很大的差别的情况下，在投入功率小的靶材料表面上积存投入功率大的靶材料，不可避免引起所谓的交叉污染。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在电阻值的控制性、稳定性和再现性上出色、其电阻温度特性良好的防止带电膜。
本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介质中的结构。作为上述介质，表示分散配置于膜内的粒径为0.5～10nm的粒子以外的部分。
此外，本发明提供一种电子发生装置，在气密容器中包括电子源，且具备上述的任何一种防止带电膜。
此外，本发明提供一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板、面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，在所述隔板的表面上配置了上述任何一项所述的防止带电膜。
此外，本发明提供一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板；以及面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，在该隔板的表面上，具有上述任何一项所述的防止带电膜。
图1是通过TEM(透射式电子显微镜)观察本发明的防止带电膜的剖面形状的示意图。
图2是将本发明的图像显示装置的显示板的一部分剖开显示的立体图。
图3是设置本发明的靶、并为了在隔板基材上赋予防止带电膜而使用的高频溅射装置的结构图。
图4是表示本发明的Pt-Al混合物氮化膜的电阻率和溅射气体总压力的关系图。
图5是表示本发明的Pt-AlN混合物氮化膜的电阻率和溅射气体总压力的关系图。
图6是表示本发明的Pt-Al混合物氮化膜的电阻率偏差的图。
图7是使用了用于说明本发明的隔板的带电机理的电子发射元件的图像形成装置的剖面示意图。
图8是说明本发明的作为隔板的影响造成的图像扰动而发现的光束移动量ΔL的图。
具体实施例方式
本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介质中的结构。
此外，所述导体粒子最好是贵金属粒子。
此外，所述导体粒子是铂粒子，氮化物是氮化铝较好。
此外，所述导体粒子是铂粒子，氧化物是氧化铝较好。
此外，所述导体粒子是铂粒子，氮化物是氮化铝，氧化物是氧化铝较好。
此外，所述导体粒子是金粒子，氮化物是氮化铝较好。
此外，所述导体粒子是金粒子，氧化物是氧化铝较好。
此外，所述导体粒子是金粒子，氮化物是氮化铝，氧化物是氧化铝较好。
此外，所述导体粒子是银粒子，氮化物是氮化铝较好。
此外，所述导体粒子是银粒子，氧化物是氧化铝较好。
此外，所述导体粒子是银粒子，氮化物是氮化铝，氧化物是氧化铝较好。
此外，所述导体的含量为0.1～10原子％较好。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
此外，本发明提供一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介质中的结构。
此外，所述半导体粒子是锗粒子，氮化物是氮化硅较好。
此外，所述半导体粒子是锗粒子，氧化物是氧化硅较好。
此外，所述半导体粒子是锗粒子，氮化物是氮化硅，氧化物是氧化硅较好。
此外，所述半导体的含量为0.1～10原子％较好。
此外，在上述任何一项的防止带电膜中，所述粒径为1～9nm，而且，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm较好。
此外，本发明提供一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求1～20任何一项所述的防止带电膜。
此外，本发明提供一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板、面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了上述任何一项所述的防止带电膜。
此外，本发明提供一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板；以及面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上，具有上述任何一项所述的防止带电膜。
以上所述的本发明的防止带电膜，温度造成的电阻率的变化小，特别是在将该防止带电膜设置在图像显示装置的隔板表面上的方式中，具有将上述第1基板和第2基板的温度差引起的气密容器内的温度分布为原因产生的显示图像的扰动抑制得小的效果。
而且，本发明提供一种铝和铂的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和铂的防止带电膜，包含不低于95重量％的铝和铂。
此外，本发明提供一种氮化铝和铂的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和铂的防止带电膜，包含不低于95重量％的铝和铂。
而且，本发明提供一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和铂的防止带电膜，其特征在于，对所述混合物靶在只有氮的气氛中进行溅射。
此外，本发明提供一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和铂的防止带电膜，其特征在于，对所述混合物靶在只有氧的气氛中进行溅射。
此外，本发明提供一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和铂的防止带电膜，其特征在于，对所述混合物靶在氮和氧的气氛中进行溅射。
本发明的靶，如上述那样，特别是可以适用于作为电子束镀敷装置和溅射装置等的PVD(物理汽相淀积)装置等的靶。作为PVD(物理汽相淀积)装置的靶，只要采用本发明的靶，则可以制作再现性好、电阻值的控制性上出色、其电阻温度特性优良的电阻膜。
此外，在本发明的防止带电膜的制造方法中，与二元同时溅射相比，具有其电阻率的偏差小，膜特性(电阻率)的再现性好的效果。
首先，本发明的防止带电膜，如通过TEM(透射式电子显微镜)观察其剖面形状时的示意图的图1所示，是具有将平均粒径为0.5～10nm的多个粒子1分散配置在介质2中的结构。这里，平均粒径通过从图1那样的剖面形状的观察中计算20个粒子的粒径的平均值而得到。
只要平均粒径大于等于0.5nm，更好是大于等于1nm，则可以形成电阻温度特性良好的电阻膜。即，可以形成温度变化造成的电阻的变化量小的电阻膜。因此，在将配有这种电阻膜作为防止带电膜的隔板用于图像显示装置的情况下，可以减小隔板造成的图像的扰动。此外，在电阻率可以提高到大于等于1×106Ωcm方面，期望上述平均粒径小于等于10nm，更好是小于等于9nm。
如上所述，上述电阻膜被配置在内置电子源、并且伴随有温度变化的气密容器内，可作为用于防止该气密容器的带电的电阻膜，即，可以较好地用作防止带电膜。
以下，说明本发明的实施方式。
首先，第1实施方式是电阻膜，该电阻膜具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
第2实施方式是电阻膜，该电阻膜具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
第3实施方式是电阻膜，该电阻膜具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氧化物和氮化物的介质中的结构。
在以上所述的各实施方式中，所述导体是铂、金、银等金属较好，即使在这些金属之中，从电阻值的稳定性、控制性来看，铂、金更好。而作为所述氮化物，氮化铝、氮化锗、氮化硅、氮化镁等较好，即使在它们之中，从电阻值的稳定性、控制性来看，氮化铝更好。此外，作为所述氧化物，氧化铝、氧化锗、氧化硅、氧化镁等较好，从电阻值的稳定性、控制性来看，氧化铝更好。
此外，考虑到电阻值的稳定性和控制性以及电阻适宜的温度特性，包含氮化物和氧化物的上述介质特别推荐铝氮化物/氧化物。
其次，第4实施方式是电阻膜，该电阻膜具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
第5实施方式是电阻膜，该电阻膜具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
第6实施方式是电阻膜，该电阻膜具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氧化物和氮化物的介质中的结构。
在以上所述的第4、第5、第6实施方式中，所述半导体是锗、硅等较好，即使在这些半导体之中，从电阻值的稳定性、控制性来看，锗更好。而作为所述氮化物，氮化铝、氮化锗、氮化硅、氮化镁等较好，即使在它们之中，从电阻值的稳定性、控制性来看，氮化硅更好。此外，作为所述氧化物，氧化铝、氧化锗、氧化硅、氧化镁等较好，从电阻值的稳定性、控制性来看，氧化硅更好。
此外，考虑到电阻值的稳定性和控制性以及电阻适宜的温度特性，包含氮化物和氧化物的上述介质特别推荐硅氮化物/氧化物。
此外，在将以上所述的第1～第6的各实施方式的电阻膜作为防止带电膜用在包括气密容器的图像显示装置的第1基板和第2基板之间配置的隔板的表面上的情况下，尤其在电子发生装置之中，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm较好，上述各电阻膜的导体或半导体的含量为0.1～10原子％较好，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板、以及面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板。
以下，说明用于获得上述电阻膜的方法。
为了获得上述电阻膜，(1)至少将构成导体粒子或半导体粒子的成分与构成氮化物或氧化物的被氮化或氧化的成分进行混合，采用混合靶的溅射法的成膜较好，而且，(2)溅射时的气氛是氮分压大于等于70％的氮气气氛或氧分压大于等于70％的氧气气氛较好。当然，只要在所述分压范围内，形成混合气体气氛也可以。此外，作为混合气体气氛，是氮和氧的混合气体气氛更好，这种情况下，期望进行控制，以使氮和氧达到大于等于70％的分压。在以上所述的(1)和(2)的条件下，通过适当改变混合靶的成分组成和组成比率、溅射成膜时的气体种类、溅射压力、投入功率，可以使粒径在0.5～10nm的范围内变化，通过合适的电子发生装置，可以获得被控制在较好的电阻范围内的电阻膜。
以下，说明将上述实施方式的电阻膜应用于成膜的溅射装置。
(溅射装置)图3表示本实施方式中使用的高频溅射装置的结构。说明使用该装置对上述电阻膜进行成膜的工序的概要。
首先，将基板201装载在成膜托架202上，并放入预备排气室203。使用真空泵204，在将预备排气室排气至不高于5×10-4[Pa]的真空度之后，通过运送滚轮205将成膜托架202移动到成膜室206。这里，将成膜室206排气至不高于2×10-5[Pa]的真空度。在确认了真空度达到之后，由气体导入管207流入规定量的氮气、氧气、氮和氩的混合气体、氧和氩的混合气体、或氮和氧的混合气体。此外，对节流口(未图示)进行调整，以使溅射总压力达到规定的压力。在气氛(溅射气体总压力、气体流量)稳定之后，高频电源208投入规定的功率。为了遍及基板201整个面进行电阻膜的成膜，在溅射放电开始之后，通过运送滚轮205将成膜托架202以5mm/min的速度、横切混合物靶209的正下方那样向图中箭头方向运送。基板和混合物靶的距离为200mm。
这里，施加在混合物靶209上的直流高电压通过高频电源208来调整，以抑制随着基板运送产生的变动。
基板的运送方向不限定于单方向，也可以是一次往复运送或多次往复运送。此外，也可以根据装置的结构，通过使基板在靶正下方进行旋转运动，进行遍及整个面的成膜。
用以上的工序在基板上可形成电阻膜。
此外，在基板的两面上形成电阻膜的情况下，在将表面(第1面)成膜后，将成膜托架202返回到预备排气室203，取出基板201。接着，在将基板201进行正反反转后，与表面(第1面)同样，在背面(第2面)上进行上述电阻膜的成膜。
作为在表面(第1面)和背面(第2面)的各面上赋予了电阻膜的结构，可以是具有期望的膜厚的单层膜，也可以是用改变了混合物的组成浓度的多个靶制作的具有多层结构的多层膜。
以下，说明在上述溅射装置中使用的混合靶。
(混合物靶制作方法)这里，论述上述混合烧结体靶的制作方法。
1)混合首先，根据各种组成浓度比，将进行了检量的上述各成分的粉末进行混合。例如，将Pt和Al、或Pt和AlN的粉末进行混合。混合装置没有特别限定，用球磨机等进行就可以。混合在氮气或Ar气等的非氧化气氛中进行。混合后，也可以按照需要，根据种类进行分级。
2)伪烧制将这种混合粉末在氮气和Ar气等的惰性气体气氛中或真空中进行伪烧制。此外，也可以在氢等的还原气氛中进行伪烧制。优选地以800～1500℃进行加热，并进行伪烧制。
3)粉碎对这样得到的固态物进行粉碎。粉碎装置没有特别限定，用球磨机等进行就可以。粉碎在氮气和Ar气等的非氧化气氛中进行。粉碎后，也可以按照需要，根据种类等进行分级。
4)本体烧制通过将粉碎获得的混合粉末在氮气和Ar气等的惰性气体气氛中或真空中加压烧制，来获得烧结体。也可以在氢等的还原气体气氛中进行加压烧制。就加压烧制来说，采用热压法较好。以在溅射中备置、达到规定的板厚度和形状来成形，优选地经由在1～2MPa的压力下以800～1500℃进行加热的本体烧制工序而形成混合物烧结体靶。
(混合物溶融合金靶制作方法)这里，论述混合物溶融合金靶的制作方法。
1)溶解首先，根据各种组成浓度比，将进行了重量检测的上述各成分的原材料进行混合。例如，将Pt和Al、或Pt和AlN的原材料进行混合，用溶解炉进行溶解。溶解方法没有特别限定，但为了防止混入大气中的杂质等，期望在真空中进行。
2)冷却对上述溶融混合物进行调整并降低温度，以使其不产生组成偏析。
3)锻造压延对这样获得的固态物进行加热并进行锻造压延。填补冷却时产生的气孔(＝空隙)，使溶解偏差和密度偏差均匀化。
4)烧制通过将由上述工序获得的固态物在Ar气等的惰性气体气氛中或真空中进行加压烧制，获得Pt-Al或Pt-AlN混合物溶融合金。也可以在氢等的还原气体气氛中进行加压烧制。就加压烧制来说，采用热压法较好。以在溅射中备置、达到规定的板厚度和形状来成形，形成混合物溶融合金靶。
如上述那样，例如，可以形成含有不低于95重量％的铝和铂的铝和铂的混合物靶，或形成含有不低于95重量％的铝和铂的氮化铝和铂的混合物靶。
下面，说明将形成了上述电阻膜的基板作为隔板，插入了该隔板的图像显示装置的整体结构。
(板结构)图2是本实施方式的图像显示装置的显示板的立体图，切开表示用于表示内部结构的板的一部分。
图中，915是背板(背面板)，916是侧壁，917是面板(前面板)，由背板915、侧壁916、面板917形成用于将显示板的内部维持真空的气密容器。在组装气密容器时，需要对各构件的接合部进行密封，以保持足够的强度和气密性，例如在接合部涂敷熔接玻璃，在大气或氮气氛中，通过在400～500℃下烧制不低于10分钟而实现密封。有关将气密容器内部排气到真空的方法后面论述。
此外，由于将上述气密容器的内部保持为10-4[Pa]左右的真空，所以在防止大气压或意外的冲击等造成的气密容器的损坏的目的下，作为抗大气压结构，设有隔板920。作为该隔板，使用具有上述的、在进行成膜时采用由各种组成浓度比构成的混合物靶而制作的防止带电膜的基板。
在背板915中，基板911被固定，但在基板911上形成N×M个表面传导型电子发射元件912。这里，N、M是不低于2的正整数，根据作为目标的显示像素数而被适当设定。例如，在以高质量电视的显示作为目标的显示装置中，期望至少设定成N＝3000、M＝1000。在本实施方式中，N＝3072、M＝1024。
所述N×M个的表面传导性电子发射元件通过M条行方向布线913和N条列方向布线914被简单矩阵布线。将由基板911、表面传导型电子发射元件912、行方向布线913、列方向布线914构成的部分称为电子源基板。
此外，在面板917的下面，形成荧光膜918。然后，在荧光膜918的背板侧的面上，设置在CRT领域中公知的金属敷层919。
此外，Dx1～Dxm和Dy1～Dyn及Hv是用于将该显示板和未图示的电路进行电连接而设置的气密结构的电连接端子。
Dx1～Dxm与表面传导型电子发射元件的行方向布线913电连接，Dy1～Dyn与表面传导型电子发射元件的列方向布线914电连接，Hv与面板的金属敷层(金属膜)919电连接。
此外，就将气密容器内部排气至真空而言，在将气密容器组装后，将排气管和真空泵连接，并对气密容器内进行排气直至不高于10-5[Pa]的真空度。然后，将排气管密封，但为了维持气密容器内的真空度，在密封之前或密封后，在气密容器内的规定的位置形成吸气剂膜(未图示)。吸气剂膜例如是将以Ba为主要成分的吸气剂材料通过加热器或高频加热进行加热镀敷而形成的膜，通过该吸气剂膜的吸附作用，将气密容器内维持1×10-3至1×10-5[Pa]的真空度。
采用了以上说明的显示板的图像显示装置，在通过容器外端子Dx1至Dxm、Dy1至Dyn在各表面传导型电子发射元件912上施加电压时，从各表面传导型电子发射元件912发射电子。与此同时，在金属敷层(金属膜)919上通过容器外端子Hv而施加数百[V]至数[kV]的高压，从而加速上述发射的电子，轰击面板917的内表面。由此，形成了荧光层918的各色荧光体被激励而发光，并显示图像。
通常，对本发明的表面传导型电子发射元件912的施加电压为12～16[V]左右，金属敷层(金属膜)919和表面传导型电子发射元件912的距离d为0.1[mm]至8[mm]左右，金属敷层(金属膜)919和表面传导型电子发射元件912间的电压为0.1[kV]至12[kV]左右。
在以上的说明中，说明了图像显示装置和其使用的作为支撑结构体的、具有表面上形成了电阻膜(防止带电膜)的隔板，但根据本发明的思想，不限于图像显示装置，也可以用作由感光鼓和发光二极管等构成的光打印机的发光二极管等的替代发光源。此时，通过适当选择上述m条行方向布线和n条列方向布线，不仅可用作线状发光源，而且也可用作二维状的发光源。这种情况下，作为电子的被照射体，不限于荧光体那样的直接发光的物质，也可以采用通过电子的带电而形成潜像图像那样的构件。此外，根据本发明的思想，例如，如电子显微镜那样，对于来自电子源的发射电子的被照射体为荧光体等的图像形成构件以外的情况，本发明还可以用作电子发生装置。
(图像的评价方法)将本发明的电阻膜作为防止带电膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作使用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
如图8所示，如果隔板801的除电能力不充分，则电子束的轨道产生扰动，应以等间隔显示的点亮像素的位置产生移动。将原来的电子束位置802的间隔L作为1L，将电子束因隔板而移动的情况下成为与803的差分的移动量用ΔL表示。
将显示装置设置在十分明亮的室内，对50名成人男女的被测者实施从距板面1m的场所通过目视进行显示图像的评价。
按‘看不见’、‘留意可看见’、‘可看见’三个级别来评价电子束的移动造成的图像的扰动，并求与电子束的移动量ΔL的关系。过半数的被测者回答为‘看不见’的移动量ΔL＝0～0.01L，回答为‘留意可看到’的移动量ΔL＝0.01～0.03L，回答为‘可看到’的移动量ΔL＝0.1L或以上。表1中示出评价结果。
本发明的电阻膜的性能评价，以将具备该电阻膜的隔板设置在显示装置中，测量该隔板的影响造成的电子束移动量ΔL的图像评价来进行。
以下，说明本发明的具体实施例。再有，原子％表示单原子的原子个数的比例，Pt/Al重量比按(Pt的原子％×Pt的原子量)/(Al的原子％×Al的原子量)来计算。
(实施例1)Pt＝5原子％ Pt-Al溶融合金混合以组成比Pt5原子％、Al95原子％进行了检量的Pt和Al原材料。将该混合物用真空溶解炉进行溶解并制作合金。冷却后，通过进行锻造压延而形成组成分布更均匀的合金。将该溶融合金在真空中加压烧制，作为溅射靶进行成形，以使其达到规定的板厚度和形状，形成Pt-Al溶融合金混合物靶。
该Pt-Al溶融合金的密度为3.6g/cm3。
作为图3所示的高频溅射装置的靶，设置该Pt-Al溶融合金，固定100sccm的N2流量，使总压力变化，进行Pt-Al混合物氮化膜的成膜。获得的Pt-Al混合物氮化膜的电阻率如图4所示。
在对这样制作的Pt-Al混合物氮化膜采用RBS(卢瑟福背向散射)法进行组成分析时，其组成如表2那样。而且Pt-Al混合物氮化膜的密度为3.5g/cm3。
(实施例2)Pt＝3原子％ Pt-Al溶融合金与实施例1同样，以达到组成比Pt3原子％、Al97原子％那样来进行检量，并进行混合、溶解、冷却和加压烧制，形成Pt-Al溶融合金混合物靶。
与实施例1同样，进行Pt-Al混合物氮化膜的成膜时，电阻率如图4所示。
在对这样制作的Pt-Al混合物氮化膜采用RBS(卢瑟福背向散射)法进行组成分析时，其组成如表1那样。而且Pt-Al混合物氮化膜的密度为3.0g/cm3。
(实施例3)Pt＝5原子％ Pt-AlN烧结体取代金属铝，将氮化铝用作原材料。
混合以组成比Pt5原子％、AlN95原子％进行了检量的Pt和AlN的粉末。混合在氮气下的非氧化气氛中用球磨机进行。混合后，通过依据种类进行分级而使粒状形状更均匀。将该混合粉末在真空中进行伪烧制。
将这样获得的固态物进行粉碎。粉碎在氮气下的非氧化性气氛中用球磨机进行。粉碎后，通过依据种类进行分级而使粒状形状更均匀。
通过将粉碎获得的混合粉末在真空中加压烧制，获得烧结体。在加压烧制中，采用在2MPa的压力下1500℃中进行加热的热压法。作为溅射靶进行成形，以达到规定的板厚度和形状，形成Pt-AlN混合物烧结体靶。该Pt-AlN烧结体的密度为2.4g/cm3。
与实施例1同样，固定100sccm的N2流量，使总压力变化，进行Pt-Al混合物氮化膜的成膜时，电阻率如图5所示。
在对这样制作的Pt-AlN混合物氮化膜采用RBS(卢瑟福背向散射)法进行组成分析时，其组成如表3那样。而且Pt-Al混合物氮化膜的密度为3.2g/cm3。
(实施例4)Pt＝3原子％ Pt-AlN与实施例3同样，取代金属铝，将氮化铝用作原材料，以达到组成比Pt3原子％、AlN97原子％那样来进行检量，并进行混合、伪烧制、粉碎、加压烧制，形成Pt-AlN混合物烧结体靶。该Pt-AlN烧结体的密度为2.0g/cm3。
与实施例1同样，在固定100sccm的N2流量，使总压力变化，进行Pt-Al混合物氮化膜的成膜时，电阻率如图5所示。
在对这样制作的Pt-Al混合物氮化膜采用RBS(卢瑟福背向散射)法进行组成分析时，其组成如表3那样。而且Pt-Al混合物氮化膜的密度为2.8g/cm3。
与二元靶的比较-Pt＝5 原子％ 氮化膜单独准备Pt单体、Al单体的靶。与实施例1同样，作为高频装置的靶，分别设置该Pt靶和Al靶。在总压力为0.2Pa、N2流量为100sccm的条件下，分别调整在这些靶上投入的功率。采用Pt＝5原子％ Pt-Al靶进行了成膜的膜，Pt含量相同(Pt＝2.5原子％)。
按这样调整后的相同条件重复进行成膜时，制作的Pt-Al混合物氮化膜的电阻率如图6那样产生偏差。
与二元靶的比较-Pt＝3 原子％ 氮化膜单独准备Pt单体、Al单体的靶。与实施例1同样，作为高频装置的靶，分别设置该Pt靶和Al靶。在总压力为0.2Pa、N2流量为100sccm的条件下，分别调整在这些靶上投入的功率。采用Pt＝3原子％ Pt-Al靶进行了成膜的膜，Pt含量相同(Pt＝0.8 原子％)。
按这样调整后的相同条件重复进行成膜时，制作的Pt-Al混合物氮化膜的电阻率产生偏差，如图6那样。
(实施例5)作为图2所示的高频溅射装置的靶，设置按实施例1的要领制作的组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。气体流量为氮/氩混合气体N2＝70sccm Ar＝30sccm，溅射压力为1.0Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为30分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为2×109Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.4nm。
(实施例6)设置组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。气体流量为氮/氩混合气体N2＝70sccm Ar＝30sccm，溅射压力为0.5Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为25分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×109Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.5nm。
(实施例7)设置组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。气体流量为氮/氩混合气体N2＝70sccm Ar＝30sccm，溅射压力为0.3Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为20分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为8×108Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.6nm。
(实施例8)设置组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。气体流量为氮/氩混合气体N2＝70sccmAr＝30sccm，溅射压力为1.0Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为30分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×104Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为9nm。
(实施例9)设置组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。气体流量为氮/氩混合气体N2＝70sccmAr＝30sccm，溅射压力为0.5Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为25分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×104Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为10nm。
(实施例10)设置组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。气体流量为氮/氩混合气体N2＝70sccmAr＝30sccm，溅射压力为0.3Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为20分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×100Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为11nm。
(实施例11)使用组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氮气流量为N2＝100sccm，实施成膜。溅射压力为1.0Pa，投入功率为2400W。
溅射时间为70分钟获得膜厚200nm的电阻膜。该电阻膜的电阻率为1×1011Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.8nm。
(实施例12)使用组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氮气流量为N2＝100sccm，实施成膜。溅射压力为0.5Pa，投入功率为2400W。
溅射时间为65分钟获得膜厚200nm的电阻膜。该电阻膜的电阻率为1×1011Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为1nm。
(实施例13)使用组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氮气流量为N2＝100sccm，实施成膜。溅射压力为0.3Pa，投入功率为2400W。
溅射时间为60分钟获得膜厚200nm的电阻膜。该电阻膜的电阻率为8×1010Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为2nm。
(实施例14)使用组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氮气流量为N2＝100sccm，实施成膜。溅射压力为1.0Pa，投入功率为2400W。
溅射时间为70分钟获得膜厚200nm的电阻膜。该电阻膜的电阻率为1×104Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为9nm。
(实施例15)
使用组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氮气流量为N2＝100sccm，实施成膜。溅射压力为0.5Pa，投入功率为2400W。
溅射时间为65分钟获得膜厚200nm的电阻膜。该电阻膜的电阻率为1×104Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为10nm。
(实施例16)使用组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氮气流量为N2＝100sccm，实施成膜。溅射压力为0.3Pa，投入功率为2400W。
溅射时间为60分钟获得膜厚200nm的电阻膜。该电阻膜的电阻率为1×102Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为11nm。
(实施例17)设置组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氧气气体流量为O2＝100sccm，溅射压力为1.0Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为70分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为5×1011Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.4nm。
(实施例18)设置组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氧气气体流量为O2＝100sccm，溅射压力为0.5Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为65分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×1011Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.5nm。
(实施例19)设置组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氧气气体流量为O2＝100sccm，溅射压力为0.3Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为60分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×1011Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.6nm。
(实施例20)设置组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氧气气体流量为O2＝100sccm，溅射压力为1.0Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为70分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×108Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为8nm。
(实施例21)设置组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氧气气体流量为O2＝100sccm，溅射压力为0.5Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为65分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×107Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为9nm。
(实施例22)设置组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶。氧气气体流量为O2＝100sccm，溅射压力为0.3Pa左右，对上述Pt-Al混合物靶采用高频电源，投入功率为2400W。
将玻璃基板导入成膜室，在玻璃基板上进行成膜。溅射时间为60分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×106Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为10nm。
(实施例23)使用组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶，实施成膜。氧/氮混合气体的气体流量为O2＝2sccm、N2＝98sccm，实施成膜。溅射压力为1.0Pa，投入功率为2400W。
溅射时间35分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为2×1012Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝和氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.4nm。
(实施例24)使用组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶，实施成膜。氧/氮混合气体的气体流量为O2＝2sccm、N2＝98sccm，实施成膜。溅射压力为0.5Pa，投入功率为2400W。
溅射时间30分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×1011Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝和氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.5nm。
(实施例25)使用组成比Pt2原子％、Al98原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶，实施成膜。氧/氮混合气体的气体流量为O2＝2sccm、N2＝98sccm，实施成膜。溅射压力为0.3Pa，投入功率为2400W。
溅射时间25分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×1011Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝和氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为0.6nm。
(实施例26)使用组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶，实施成膜。氧/氮混合气体的气体流量为O2＝2sccm、N2＝98sccm，实施成膜。溅射压力为1.0Pa，投入功率为2400W。
溅射时间35分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×105Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝和氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为9nm。
(实施例27)使用组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶，实施成膜。氧/氮混合气体的气体流量为O2＝2sccm、N2＝98sccm，实施成膜。溅射压力为0.5Pa，投入功率为2400W。
溅射时间30分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为1×104Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝和氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为10nm。
(实施例28)使用组成比Pt30原子％、Al70原子％ 直径φ为8英寸的Pt-Al混合物靶，实施成膜。氧/氮混合气体的气体流量为O2＝2sccm、N2＝98sccm，实施成膜。溅射压力为0.3Pa，投入功率为2400W。
溅射时间25分钟获得膜厚200nm的电阻膜。获得的电阻膜的电阻率为5×103Ωcm。
对于这样制作的Pt-Al混合物氮氧化膜，采用TEM(透射式电子显微镜)求取被分散在氮化铝和氧化铝的介质中的铂粒子的平均粒径时，为11nm。
将上述实施例5～28所示的各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，用作使用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像良好。
结果示于表4。
(实施例29)使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Pt-Ge混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的铂粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表5。
(实施例30)使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Pt-Si混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的铂粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表6。
(实施例31)使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Pt-Mg混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的铂粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、铂粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表7。
(实施例32)使粒子材料为金，介质为氮化铝、氧化铝或氮氧化铝，使用调整了组成浓度比制作的直径φ为8英寸的Au-Al混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的金粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、金粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、金粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表8。
(实施例33)使粒子材料为金，介质为氮化锗、氧化锗或氮氧化锗，使用调整了组成浓度比制作的直径φ为8英寸的Au-Ge混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的金粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ-1×104～1×1011Ωcm、金粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、金粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表9。
(实施例34)使粒子材料为金，介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，使用调整了组成浓度比制作的直径φ为8英寸的Au-Si混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的金粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、金粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、金粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表10。
(实施例35)使粒子材料为金，介质为氮化镁、氧化镁或氮氧化镁，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Au-Mg混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的金粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、金粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、金粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表11。
(实施例36)使粒子材料为银，介质为氮化铝、氧化铝或氮氧化铝，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Ag-Al混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的银粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表12。
(实施例37)使粒子材料为银，介质为氮化锗、氧化锗或氮氧化锗，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Ag-Al混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的银粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表13。
(实施例38)使粒子材料为银，介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Ag-Si混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的银粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表14。
(实施例39)使粒子材料为银，介质为氮化镁、氧化镁或氮氧化镁，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Ag-Mg混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的银粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、银粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表15。
(实施例40)使粒子材料为锗，介质为氮化铝、氧化铝或氮氧化铝，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Ge-Al混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的锗粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、锗粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、锗粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表16。
(实施例41)使粒子材料为锗，介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Ge-Si混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的锗粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、锗粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、锗粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表17。
(实施例42)使粒子材料为锗，介质为氮化镁、氧化镁或氮氧化镁，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Ge-Mg混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的锗粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、锗粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、锗粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表18。
(实施例43)使粒子材料为硅，介质为氮化铝、氧化铝或氮氧化铝，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Si-Al混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的硅粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、硅粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、硅粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表19。
(实施例44)使粒子材料为硅，介质为氮化锗、氧化锗或氮氧化锗，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Si-Ge混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的硅粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、硅粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、硅粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表20。
(实施例45)使粒子材料为硅，介质为氮化镁、氧化镁或氮氧化镁，使用调整了组成浓度比的直径φ为8英寸的Si-Mg混合物靶，实施成膜。
成膜气体种类为以下的四种·氮/氩混合气体·氮气·氧气·氧/氮混合气体溅射压力为0.3～1.5Pa，对靶的投入功率为2400W。
适当调整溅射时间，以使膜厚达到200nm。
对于这些电阻膜测量电阻率。此外，使用TEM(透射式电子显微镜)来求介质中的硅粒子的平均粒径。
将各电阻膜成膜在玻璃基材上来制作隔板基材，并用作采用了本实施方式的表面传导型电子发射元件的图像显示装置的隔板。
进行所谓对隔板的影响造成的电子束移动量ΔL进行测量的图像评价。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、硅粒径在0.5～10nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于3％(不高于0.03L)，显示图像良好。
在具有电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm、硅粒径在1～9nm范围的电阻膜的隔板中，电子束的移动量ΔL在不高于1％(不高于0.01L)，显示图像特别良好。
结果示于表21。
如以上说明，本发明可以提供电阻值的控制性、稳定性和再现性出色、其电阻温度特性良好的适合于防止带电膜的电阻膜。此外，本发明可以提供显示性能优良的图像显示装置，具有将因构成气密容器的一对基板间的温度差引起的气密容器内的温度分布原因而产生的显示图像的扰动抑制得小的效果。
权利要求
1.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
2.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
3.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个导体粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介质中的结构。
4.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是铂粒子，氮化物是氮化铝。
5.如权利要求2所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是铂粒子，氧化物是氧化铝。
6.如权利要求3所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是铂粒子，氮化物是氮化铝，氧化物是氧化铝。
7.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是金粒子，氮化物是氮化铝。
8.如权利要求2所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是金粒子，氧化物是氧化铝。
9.如权利要求3所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是金粒子，氮化物是氮化铝，氧化物是氧化铝。
10.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是银粒子，氮化物是氮化铝。
11.如权利要求2所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是银粒子，氧化物是氧化铝。
12.如权利要求3所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体粒子是银粒子，氮化物是氮化铝，氧化物是氧化铝。
13.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体的含量为0.1～10原子％。
14.如权利要求2所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体的含量为0.1～10原子％。
15.如权利要求3所述的防止带电膜，其特征在于，所述导体的含量为0.1～10原子％。
16.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物的介质中的结构。
17.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氧化物的介质中的结构。
18.一种防止带电膜，其特征在于，具有将粒径为0.5～10nm的多个半导体粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介质中的结构。
19.如权利要求16所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体粒子是锗粒子，氮化物是氮化硅。
20.如权利要求17所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体粒子是锗粒子，氧化物是氧化硅。
21.如权利要求18所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体粒子是锗粒子，氮化物是氮化硅，氧化物是氧化硅。
22.如权利要求16所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体的含量为0.1～10原子％。
23.如权利要求17所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体的含量为0.1～10原子％。
24.如权利要求18所述的防止带电膜，其特征在于，所述半导体的含量为0.1～10原子％。
25.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。
26.如权利要求2所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。
27.如权利要求3所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。
28.如权利要求16所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。
29.如权利要求17所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。
30.如权利要求18所述的防止带电膜，其特征在于，所述粒径为1.0～9.0nm。
31.如权利要求1所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm。
32.如权利要求2所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm。
33.如权利要求3所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm。
34.如权利要求16所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm。
35.如权利要求17所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm。
36.如权利要求18所述的防止带电膜，其特征在于，其电阻率ρ＝1×104～1×1011Ωcm。
37.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求1所述的防止带电膜。
38.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求2所述的防止带电膜。
39.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求3所述的防止带电膜。
40.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求16所述的防止带电膜。
41.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求17所述的防止带电膜。
42.一种电子发生装置，在气密容器内具有电子源，其特征在于，在所述气密容器内包括权利要求18所述的防止带电膜。
43.一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求1所述的防止带电膜。
44.一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求2所述的防止带电膜。
45.一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求3所述的防止带电膜。
46.一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求16所述的防止带电膜。
47.一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求17所述的防止带电膜。
48.一种图像显示装置，包括气密容器，具有配置了电子源的第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的第2基板；以及隔板，配置在所述气密容器内的所述第1基板和所述第2基板之间，其特征在于，在所述隔板的表面上配置了权利要求18所述的防止带电膜。
49.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求1所述的防止带电膜。
50.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求2所述的防止带电膜。
51.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求3所述的防止带电膜。
52.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求16所述的防止带电膜。
53.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求17所述的防止带电膜。
54.一种隔板，配置在图像显示装置的第1基板和第2基板之间，所述图像显示装置包括气密容器，所述气密容器具有配置了电子源的所述第1基板和面对所述电子源配置了图像显示构件的所述第2基板，其特征在于，在该隔板的表面上具有权利要求18所述的防止带电膜。
55.一种铝和铂的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和铂的防止带电膜且包含不低于95重量％的铝和铂。
56.一种氮化铝和铂的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和铂的防止带电膜且包含不低于95重量％的铝和铂。
57.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和铂的防止带电膜，其特征在于，对权利要求55所述的混合物靶在只有氮的气氛中进行溅射。
58.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和铂的防止带电膜，其特征在于，对权利要求56所述的混合物靶在只有氮的气氛中进行溅射。
59.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和铂的防止带电膜，其特征在于，对权利要求55所述的混合物靶在只有氧的气氛中进行溅射。
60.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和铂的防止带电膜，其特征在于，对权利要求56所述的混合物靶在氮和氧的气氛中进行溅射。
61.一种铝和金的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和金的防止带电膜且包含不低于95重量％的铝和金。
62.一种氮化铝和金的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和金的防止带电膜且包含不低于95重量％的铝和金。
63.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和金的防止带电膜，其特征在于，对权利要求61所述的混合物靶在只有氮的气氛中进行溅射。
64.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和金的防止带电膜，其特征在于，对权利要求62所述的混合物靶在只有氮的气氛中进行溅射。
65.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和金的防止带电膜，其特征在于，对权利要求61所述的混合物靶在只有氧的气氛中进行溅射。
66.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和金的防止带电膜，其特征在于，对权利要求61所述的混合物靶在氮和氧的气氛中进行溅射。
67.一种铝和银的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和银的防止带电膜且包含不低于95重量％的铝和银。
68.一种氮化铝和银的混合物靶，其特征在于，所述混合物靶用于以溅射法来形成含有铝和银的防止带电膜且包含不低于95重量％的铝和银。
69.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和银的防止带电膜，其特征在于，对权利要求67所述的混合物靶在只有氮的气氛中进行溅射。
70.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和银的防止带电膜，其特征在于，对权利要求68所述的混合物靶在只有氮的气氛中进行溅射。
71.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和银的防止带电膜，其特征在于，对权利要求67所述的混合物靶在只有氧的气氛中进行溅射。
72.一种防止带电膜的制造方法，用于制造含有铝和银的防止带电膜，其特征在于，对权利要求67所述的混合物靶在氮和氧的气氛中进行溅射。
全文摘要
在图像显示装置等的内置电子发生装置的电子源的气密容器内设置的防止带电膜中，通过形成将粒径为0.5－10nm的多个导体粒子分散在含有氮化物介质中的结构，从而提高电阻值的控制性、稳定性和再现性、以及电阻温度特性。
文档编号C23C14/34GK1668162SQ20051000562
公开日2005年9月14日 申请日期2005年1月21日 优先权日2004年1月22日
发明者佐藤亨, 清水康志, 大栗宣明 申请人:佳能株式会社