专利名称：单面抛光的双面无蜡抛光工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种抛光工艺，尤其是一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺。
背景技术：
现有技术中，硅片不仅平整度要求，还应根据用户线宽和光刻设备的不同提供完 全满足用户隐含的平整度要求。硅片平整度主要取决于抛光方法和设备。当前在硅片生产 中主要有三种抛光工艺一是有蜡单面抛光。采用有蜡单面抛光机加工，生产的硅片平整 度好，但工艺、设备较复杂，成本也较高，为直径150-200mm硅片主流工艺；二是无蜡单面抛 光。采用无蜡单面抛光机加工，生产的硅片平整度较差，但工艺、设备较简单，成本较低，为 直径IOOmm通用硅片的主流工艺；三是无蜡双面抛光。采用无蜡双面抛光机加工，可以显著 提高硅片平整度，生产平整度极好的双面抛光硅片，直径300mm硅片、红外滤光片和传感器 的衬底片多采用该工艺。
发明内容
为了克服以上缺陷，本发明要解决的技术问题是提出一种有效保证产品平整度 的单面抛光的双面无蜡抛光工艺。本发明所采用的技术方案为一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，将硅片放于游 轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0. 2-0. 4Mpa ；对粗 抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0. 3-0. 5Mpa，精抛后的硅片 进行清洗干燥，即完成。根据本发明的另外一个实施例，单面抛光的双面无蜡抛光工艺进一步包括粗抛时 采用氧化铅作为磨料，将氧化铅均勻的抛撒于抛光盘表面。根据本发明的另外一个实施例，单面抛光的双面无蜡抛光工艺进一步包括精抛时 采用柏油、松香合成材料制成的抛光盘抛光。根据本发明的另外一个实施例，单面抛光的双面无蜡抛光工艺进一步包括粗抛时 间为30-50min，精抛时间为20_40min。本发明的有益效果是通过本工艺可以实现产品的批量化生产，且生产的成品平 整度高，节省了工序，降低了操作难度以及劳动强度，提高了产量以及效率。
具体实施例方式现在结合附图
和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的 示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。本发明涉及一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，将硅片放于游轮中，采用抛光盘 对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0. 2-0. 4Mpa ；对粗抛后的硅片进行 单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0. 3-0. 5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即 完成。通过本工艺可以实现产品的批量化生产，且生产的成品平整度高，节省了工序，降低了操作难度以及劳动强度，为粗抛时的工作效率，本发明优选粗抛时采用氧化铅作为磨料，将氧化铅均勻的 抛撒于抛光盘表面。其中，粗抛时间一般为30-50min，这样能够更好的为精抛做准备。为提高单面精度，本发明优选精抛时采用柏油、松香合成材料制成的抛光盘抛光。 而精抛的控制时间一般为20-40min。以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完 全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术 性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求
1.一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于将硅片放于游轮中，采用抛光盘 对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0. 2-0. 4Mpa ；对粗抛后的硅片进行 单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0. 3-0. 5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即 完成。
2.根据权利要求1所述的单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于粗抛时采用氧 化铅作为磨料，将氧化铅均勻的抛撒于抛光盘表面。
3.根据权利要求1所述的单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于精抛时采用柏 油、松香合成材料制成的抛光盘抛光。
4.根据权利要求1所述的单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于粗抛时间为 30-50min，精抛时间为 20_40min。
全文摘要
本发明涉及一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，将硅片放于游轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0.2-0.4Mpa；对粗抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0.3-0.5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即完成。本发明的有益效果是通过本工艺可以实现产品的批量化生产，且生产的成品平整度高，节省了工序，降低了操作难度以及劳动强度，提高了产量以及效率。
文档编号B24B29/00GK102085635SQ201010527130
公开日2011年6月8日 申请日期2010年11月1日 优先权日2010年11月1日
发明者陈国清 申请人:江苏南晶红外光学仪器有限公司