专利名称：连续的图案化层沉积的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于使图案化层沉积在基板上的方法和装置。
背景技术：
区域选择性的原子层沉积(ALD)是一种用于使具有预定数量的原子的厚度的层沉积的技术。在Xirong Jiang等撰写的题目为“Area Selective ALD withSoft Lithographic Methods Using Self-Assembled Monolayers to DirectFilmDeposition，，(发表在 the Journal of Phys. Chem. C 2009，113，第 17613-17625 页)的论文中描述了区域选择性的原子层沉积(ALD)。Jiang等描述了一种方法，其中使用印刷模具(printing stamp)将自组装单层膜(SAM)以二维图案的方式涂敷至基板。随后，使用ALD将原子层涂敷于基板上。换而言之，许多不同的气体被连续地提供给基板、并被移除，以便来自第一气体的第一原子选择性地附着至不存在SAM的基板上，且随后来自后续气体 的接续的原子附着至存在来自在先气体的原子的基板上的该来自在先气体的原子上。使用仅附着至来自在先气体的原子上的气体组分，以便得到的每一层的厚度不超过一个原子。W02009/061199 公开了许多 SAM。ALD的方法需要相当长的时间用于施加每一种气体等待直至来自气体的原子已附着至整个可用表面，撤除该气体，及用下一种气体重复上述过程。US2009/0081827公开了一种用于形成图案化的薄膜的ALD方法，其中将沉积抑制剂材料涂敷于基板上，且在沉积后或沉积的过程中使该沉积抑制剂材料形成图案，以便使基板的选择性区域不具有沉积的抑制剂材料。随后，无机膜材料被沉积在选择的区域上。该文件描述了可通过本领域已知的任意方法(包括使用光致抗蚀剂的光刻法、激光消融法等)进行图案的形成。其中所描述的实施例为通过光掩模曝光达5 15分钟，且在甲苯中显影曝光的样品达45 90秒，随后漂洗。另一实施例使用直接印刷的方法，该方法使用具有图案化浮雕结构的弹性体模具，将该弹性模具保持与基板接触达3分钟。另一实施例包括在将基板放置在喷墨印刷机的样品固定器(holder)中后的喷墨印刷，且随后进行10分钟的退火步骤。抑制剂材料的图案用在沉积无机膜的方法的准备中。当随后将基板在沉积设备中暴露于无机膜材料时，无机膜材料仅附着于没有抑制剂的区域。US2009/0081827公开了基板可利用浮动输送头暴露于无机膜材料中，其中浮动输送头经面向基板的输出通道输出许多不同的气体。该气体包括两种反应气体和惰性净化气体。输送头在基板表面上方浮动，且基板和浮动头在平行于基板表面的方向上以往复移动的方式相对于彼此移动。W02008/027125公开了一种用于进行基板表面处理和膜沉积的集成设备，用于进行铜互连。该设备包括内部具有用于分配处理气体的多个邻近头的腔体。描述了一个实施方式，其中在分配处理气体之前激发该处理气体。本文件描述了可通过热灯丝，通过UV、激光，或通过等离子体激发处理气体。在被委托与本专利申请相同的受让人的共同待决的未公开的专利申请PCT/NL/2009/050511中已描述了一种用于将气体施加至基板的装置和方法，该装置和方法使用通过气体轴承悬浮在基板上方的注射头施加前体气体。该共同待决的专利申请PCT/NL/2009/050511通过引用并入本文。在 Hiroyuki Sugimura 等的题目为 “Photolithography based on organosilaneself-assembled monolayer resist，，(发表在Electrochimica Acta 47, (2001)第 103-107页)的论文中已讨论了 SAM用于光刻的应用。Sugimura等注意到SAM在真空紫外光下从基板上分离。更广泛地说，SAM可在UV光或甚至在其它波长的光下发生分离。
发明内容
其中，本发明的一个目的是提供一种用于使图案化层沉积在基板上的方法和装置，以减少沉积所述图案化层所需的时间。本发明提供了一种用于制造具有沉积材料的图案化层的基板的方法，所述图案化 层从加工头沉积，所述方法包括从所述加工头施加轴承气体(bearing gas)以保持所述加工头通过气体轴承(gasbearing)悬浮在所述基板上方；使所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此移动；涂敷打底材料，用于沉积材料至所述基板的选择性沉积，所述打底材料从所述加工头的面向所述基板的表面的第一区域涂敷，且在涂敷所述打底材料后或涂敷所述打底材料的过程中在所述基板上使所述打底材料立体地形成图案；从所述加工头的面向所述基板的表面的第二区域涂敷所述沉积材料至所述基板，所述第二区域位于所述第一区域在所述基板相对于所述加工头的移动方向上的下游。这使得可以使用连续工艺在基板上界定图案化层，而不需要改变工艺腔体内的气体以进行不同的处理步骤。如本文所使用的，打底材料(primer material)可为沉积材料附着在上面的材料，且沉积材料不附着至基板的暴露部分。可选择地，本文所使用的打底材料可为沉积材料不附着在上面的阴性(negative)打底材料,沉积材料附着至基板的暴露部分。图案化层可具有传统的二维图案，该二维图案依赖于沿传送方向上的基板表面和沿横向交叉(transverse)于传送方向的基板表面的方向上的位置。在一个实施方式中，在打底材料和沉积材料的沉积过程中，基板和悬浮的加工头相对于彼此以恒定速度连续移动。因此实现了简单的工艺。在一个实施方式中，第一区域和第二区域可在传送方向上具有不等的直径，使得直径之间的比率对应于在该两个区域中的沉积速度之间的比率。在一个实施方式中，可从第一区域和第二区域之间的加工头施加图案化的光。当使用光敏感的打底材料时，这可使打底材料在基板上形成图案，而无需离开加工头。可选择地，可使用喷墨印刷技术从涂敷打底材料的起始时起就以图案化的方式涂敷打底材料。这样可能会产生较粗糙的结构，但在两种情况下，避免了加工头和基板之间的接触力。在一个实施方式中，使用多步骤的原子层沉积(ALD)工艺涂敷图案化层。在这种情况下，可在加工头上顺序提供多个区域以从加工头供应连续原子层的组分。因此可在一个连续工艺中生成多个层。可选择第一沉积材料以附着至基板上的打底材料，且不附着至暴露的基板(或附着至暴露的基板且不附着至打底材料)，但该第一沉积材料不附着至基板上的沉积材料；选择另外的沉积材料以附着至基板上的上述沉积材料，但不附着至上述沉积材料上的该另外的沉积材料和打底材料(或暴露的基板)。在一个实施方式中，从加工头的面向基板的表面中的位置处的开口进行抽吸，所述位置沿第二区域的边缘定位。以这种方式，可防止沉积气体到达邻近的区域。在围绕光刻(lithographic)凹槽和/或用于涂敷打底材料的凹槽的边缘可使用相似的抽吸开口。在一个实施方式中，在加工头中提供用于供应蚀刻等离子体的另外的区域。因此可在一种包括图案形成和沉积的连续工艺中进行蚀刻。可使用传送机械装置，其中基板的各部分缠绕在第一辊和第二辊上，且通过从一个辊至另一辊渐进地滚动基板来生产基板。加工头使得使用这样简单的传送机械装置成为可能。一种用于制造具有沉积材料的图案化层的基板的装置，与权利要求8 13中任一项的特征相组合，所述装置可选择地包括 加工头，具有气体轴承表面；传送机械装置，设置用于使基板和所述加工头相对于彼此传送，同时所述气体轴承表面面向所述基板；所述气体轴承表面包括第一区域，具有联结至第一气体源的凹槽或一组开口，用于将打底材料涂敷至所述基板；第二区域，具有联结至第二气体源的凹槽或一组开口，用于将沉积材料涂敷至所述基板；气体轴承开口，围绕所述第一区域和所述第二区域。
使用以下附图，根据示例性实施方式的描述，这些及其它目的和有利方面将变得明显图I示出了加工头的截面；图2示出了加工头的底面；图3a、3b示出了又一加工头；图4示出了传送装置。
具体实施例方式图I示出了基板10和利用气体轴承悬浮在基板上方的加工头12的截面。加工头12具有底面120，且加工头12包含终止于底面120中的开口 126处的气体导管122、124，其中气体导管122、124用于提供气体至底面120下面的层和将气体从底面120下面的层移除。气体导管122、124可联结至轴承气体的来源(未示出)和泵(未示出)。第一、第二和第三凹槽128a 128c被连续设置在底面120中(即加工头12的主体内)，被各组多排开口 126分隔开。虽然图中示出了圆形开口，但应理解上述开口可具有任意形式，诸如伸长的狭缝。第一和第三凹槽128a、128b具有联结至加工气体源(未示出)的气体供应输入端。第二凹槽128b包括滑动光刻装置129。进一步地，邻近第一至第三凹槽128a 128c提供多组多排开口 126，以便多组多排开口 126存在于第一、第二和第三凹槽128a 128c中的每一个的任一侧。图2示出了包含开口 126和凹槽128a 128c的底面120，第一、第二和第三凹槽128a 128c中的每一个均被多排开口 126围绕。图中仅示例性示出了开口 126的尺寸和位置。实际上，这些开口应比图中小很多且更密集地配置。第一凹槽128a具有输入开口 20或用于SAM前体气体(precursor gas)的输入开口。第二凹槽128b包含滑动光刻装置的输出端22。第三凹槽128c具有输入开口 24或用于沉积前体气体的输入开口。在操作中，基板10和加工头12相对于彼此移动，同时加工头利用气体轴承悬浮在基板10的上方。将轴承气体施加至用于供应气体的导管122，以在底面120的至少一部分和基板10之间产生轴承气体压力。例如，可使用氮气(N2)或另一惰性气体作为轴承气体。重力可在加工头12上产生朝向基板10的力，但轴承气体的压力抵抗该力，从而使 加工头12的底面120保持在距离基板10小距离处。还可假设通过除了重力之外的其它方式(诸如弹簧或电磁铁等)在加工头12上产生朝向基板10的力。在另一个实施方式中，当基板10的表面不是水平导向时，则加工头12可位于基板10的下方或面向基板10。基板10和加工头12可在将基板10上的各位置依次暴露于第一、第二和第三凹槽128a 128c的方向上相对于彼此移动。优选地使用连续移动，更优选地使用基本恒定速度的连续移动。例如，基板10可以恒定速度相对移动，同时加工头12保持在固定位置。相对移动使得基板10上的某一位置依次暴露于第一、第二和第三凹槽128a 128c。当上述位置暴露于第一凹槽128a时，自组装单层膜(SAM)形成于该位置上。可使用任意的SAM，例如Jiang的论文和/或其参考文献中公开的SAM，包括例如ODTS、SiMeC13、SiMe2C12 (DMDCS)、SiMe3Cl、SiMe3Br、SiMe3I、HMDS、正 _BuSiC13、异 _BuSiC13、叔-BuSiC13、苄基-SiC13、0DTM、0DTE、F0TS。所用缩写为十八烷基三氯硅烷(ODTS)、六甲基二硅氮烷(HDMS)、十八烷基三甲氧基硅烷(ODTM，(CH3 (CH2) 17Si (0CH3) 3))、十八烷基三乙氧基硅烷(ODTE)和十三氟_1，1，2，2-四氢辛基三氯硅烷(FOTS)。作为另一实例，可使用W02009/061199中公开的SAM。这些SAM通过引用并入本文。随后，当上述位置暴露于第二凹槽128b时，SAM通过曝光被局部移除。通过光照的SAM移除本身是已知的。滑动光刻(sliding lithography)可用于在基板10上提供与位置无关的曝光强度。例如可利用光源和传送机械装置实现滑动光刻，该光源以横向交叉于基板10的移动方向(例如垂直于该方向)的平面提供光，该传送机械装置用于掩模在与基板10移动相反的方向上直线地穿过上述平面。可提供成像光学装置以使掩模在基板10上成像。在另一实施方式中，可使用具有控制回路的激光束扫描器和激光调制器，其中控制回路设置用于根据呈现期望的曝光图案的信息来控制激光强度的调节，且控制回路被配置为例如通过反射激光束的旋转镜子的方式来扫描在横向垂直于基板10移动方向的平面内的激光束。在另一实施方式中，可使用光源的线性阵列(诸如LED的线性阵列)以利用控制回路实现滑动光刻，其中该控制回路设置用于根据呈现期望的曝光图案的信息来控制光源的强度调节。可平行使用多个所述阵列，与基板10的移动一致，对连续阵列依次施加相同的强度以提供更长的曝光时间。在另一实施方式中，可使用电子束光刻。可使用其它材料取代SAM，使用激光消融法通过激光束扫描器以形成图案的方式移除这些材料。具有成像光学装置以使掩模在表面上成像的滑动光刻曝光装置，或具有强度调制器的束流扫描器是可在加工头12中使用或与加工头12组合运行的绘图装置(pattern writing device)。这些绘图装置提供了二维图案的界定，其中二维图案依赖于在传送方向和在沿横向交叉于传送方向的基板表面的方向上沿基板表面的位置。接下来，当上述位置暴露于第三凹槽128c时，沉积材料，且材料仅选择性附着在通过SAM的局部移除而已被暴露的基板10上的位置处。(在可选择的实施方式中，可沉积材料，且材料仅选择性附着在通过SAM的局部移除而已被暴露的基板10上的SAM留下的无遮蔽的位置处。)对邻近第二凹槽128b边缘的一部分导管124进行抽吸以移除通过光刻从表面分离的SAM颗粒。图3a、3b示出了又一包括5个凹槽30a 30e的加工头，每个凹槽被底面120中的气体导管122、124的开口围绕。第一凹槽30a具有输入开口 20或用于SAM前体气体的输入开口。第二凹槽30b包含用于滑动光刻的装置的输出端22。第三和第四凹槽30c、30d 具有输入开口 32、34或用于第一和第二 ALD气体的输入开口。在Jiang等的论文及其参考文献中描述了可能的ALD气体的实例，且这些实例通过引用的方式并入本文。使用第五凹槽30e以施加等离子体，用于从基板10上蚀刻材料。在蚀刻等离子体和等离子体发生器中使用的材料本质上是已知的，且可依赖于必须被蚀刻的材料及必须被留在基板10上的材料进行选择。第五凹槽30e可包含用于产生射频电磁场的电极或线圈及用于将被激发以形成等离子体的气体的输入开口。在运行中，可以与图I和图2相同的方式使用图3a、3b的加工头，但具有额外的处理步骤。分别在第三和第四凹槽30c、30d中供应第一和第二气体，其中第一和第二气体用于供应通过ALD沉积的层的第一和第二组分。在第五凹槽30e中通过等离子体蚀刻可选择性移除暴露出的SAM。对邻近第三和第四凹槽30c、30d的边缘的一部分导管124进行抽吸以防止在凹槽之间的组分的流动。相似的，可对邻近第五凹槽30e的边缘的一部分导管124进行抽吸。应理解可在底面中使用更多的凹槽以提供额外的沉积步骤。可增加更多的如第二凹槽128b的用于实施进一步光刻步骤的凹槽，或用于其它非沉积步骤如等离子体蚀刻的凹槽。当然，如果不需要移除SAM层，则可省略等离子体蚀刻。图4示出了一种装置，其中基板10是从第一可旋转的辊40供应至第二可旋转的辊42的可弯曲的箔片，加工头12在基板10从第一辊40传送至第二辊42的过程中露出来的位置处悬浮在基板10的上方。可提供电机以旋转第二可旋转的辊42和/或第一辊40，或可提供电机以旋转各个辊。在其它实施方式中，可使用输送机(例如具有输送带)以传送基板10经过加工头12，或可使用支撑基板10的可传送的运载器以移动经过加工头。在另一实施方式中，加工头可被放置在例如直线电机的移动部分上或被放置在输送机上。如应理解的那样，示例性的实施方式提供了一种组合的过程，从而在加工头12和基板之间不需要任何固定连接的情况下在基板上产生图案化的层。加工头12能够在大气环境压力下运行。凹槽内的气体条件(气体压力、气体组成)可保持不变，而不需要在不同处理步骤之间排空凹槽，从而不能通过环境大气压力平衡凹槽的排空。在基板10和加工头12的底面120之间的狭窄的间隔中充满轴承气体，且如果需要该狭窄的间隔与联结至抽吸导管124的抽吸开口结合，则该狭窄的间隔可足以排除环境条件带来的有害影响。
气体轴承允许进行加工头12相对于基板10的准确的位置控制。基板10可例如设置有导向标记，且可设置有位置控制回路，其中位置控制回路包括导向标记传感器(例如光学传感器，诸如图像传感器或干涉型传感器)和位置调节器(position actuator),诸如直线电机以在横向交叉于加工头12相对于基板10的主连续相对移动的方向上控制加工头12相对于基板10的横向定位。可通过相似类型的反馈回路控制连续移动的速度。可使用另外的反馈回路以控制加工头12的底面120和基板10之间的距离。该另外的反馈回路可包括距离传感器(例如光学干涉仪)和在朝向基板10的方向上对加工头12施加可控制的力的调节器。在示例性的实施方式中提供了所有气相工艺(如本文所使用，术语气体包括蒸汽)。SAM从气相沉积在基板10上，且沉积的SAM从基板10上被局部移除进入气相。在第三凹槽128c、30c和可选择的另外的凹槽中从气相沉积材料。通过等离子气体进行SAM的可选择的蚀刻。以这种方式，最小化施加在加工头12和基板10之间的机械力，从而简化处理过程。且不需要包括光阻剂的涂覆、光阻剂的曝光蚀刻等的传统的光阻处理。在实施方式中，可将工艺液体(process liquid)供应给一个或多个凹槽,例如供 应给第三凹槽128c。可使用该工艺液体进行化学镀。在这种情况下，具有围绕凹槽边缘的开口的气体轴承还用于将液体限制于凹槽中。可选择地，可使用邻近凹槽边缘的抽吸开口以移除多余的工艺液体。虽然已示出一个其中材料从凹槽沉积在基板10上的实施方式，但应理解凹槽可被底面120的区域中的另外的开口阵列所取代，以与其中供应轴承气体的相同方式供应具有用于沉积的原子的气体。换而言之，可将具有凹槽的底面120的区域或具有开口阵列的底面120的区域用于供应沉积材料。但是，对基板的必须被处理的整个区域开口的凹槽的使用具有可降低轴承气体影响的优点。虽然已示出实施方式，其中用于供应沉积材料的区域诸如凹槽128a、128c、30a、30c、30d和其它凹槽在移动方向上具有相等的直径，但应理解这些凹槽的直径可以不同。例如当第一区域中沉积材料的附着比第二区域中的另一沉积材料的附着花费实质上更长的时间，则可使第一区域的直径大于第二区域的直径，以与附着所需的持续时间之比成比例。可类似地使用于等离子体蚀刻和光刻的凹槽的直径较小或较大。此外，可以非连续的模式(开启/关闭)运行对一个或多个凹槽以及曝光的气体供应。在一个实施方式中，随后进行光刻的SAM沉积可被使用SAM材料代替油墨的喷墨印刷技术取代。因此，第一和第二凹槽128a、128b可被一个凹槽取代。在该实施方式中，力口工头12包含通过一个凹槽运行的喷墨印刷机，喷墨打印机被配置用于将SAM材料用作“油墨”印刷图案。可使用具有多个喷墨输出端的印刷头，其中喷墨输出端沿横向交叉于基板移动方向的直线设置；或可使用联结至调节器的印刷头，该调节器被配置用于沿所述直线扫描印刷头。在一个实施方式中，使用SAM沉积、随后进行蚀刻的使用第一和第二凹槽的128a、128b的图案形成已被印刷法取代。本加工头的实施方式使用有图案的印刷辊和SAM前体浴，即加工头包含在其表面上具有印刷图案的印刷辊、及在印刷图案的表面路径中的SAM前体浴。在印刷辊的每次旋转中，印刷辊的表面依次经过SAM前体浴至基板10。在经过SAM前体浴之后，印刷辊的表面根据印刷辊上的印刷图案选择性地保持为湿的。可使用预定的静态图案，或可使用在旋转过程中动态写在印刷辊上的图案。从印刷技术诸如复印机，动态印刷辊绘图机(例如静电绘图机)本质上是已知的。如应理解地，印刷辊的使用意味着印刷辊施加了在基板10和加工头之间起作用的接触力。当印刷与气体轴承结合时需要谨慎，但可能产生粗糙的图案。印刷机诸如喷墨印刷机或具有印刷辊的印刷机是实现可在加工头12中使用的绘图装置的另外的实施例。绘图装置提供了二维图案的界定。但是可使用提供这种位置依赖性的图案界定的任意类型的绘图装置。虽然已示出其中已使用SAM沉积和ALD的实施例，但应意识到可使用其它材料。可通过光，例如通过加热或光激发的化学改性移除的任何材料可代替SAM材料被沉积。相似地，可在第二沉积步骤中使用选择性附着至沉积层但不附着至基板(或相反)的任何材料。SAM和ALD的使用具有可更容易地制造非常小规模的图案的优点。
当使用被第三凹槽128c的沉积材料附着的基板时，可使用不被沉积材料附着的SAM或可选择的材料。当使用不被第三凹槽128c的沉积材料附着的基板时，可使用被沉积材料附着的SAM或可选择的层。在后一种情况中，SAM或可选择的层可保留在基板10上。
权利要求
1.一种制造具有沉积材料的图案化层的基板的方法，所述图案化层从加工头沉积，所述方法包括 从所述加工头施加轴承气体以保持所述加工头通过气体轴承悬浮在所述基板上方； 使所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此移动； 涂敷打底材料，用于沉积材料至所述基板的选择性沉积，所述打底材料从所述加工头的面向所述基板的表面的第一区域涂敷，且在涂敷所述打底材料后或涂敷所述打底材料的过程中在所述基板上使所述打底材料立体地形成图案； 从所述加工头的面向所述基板的表面的第二区域涂敷所述沉积材料至所述基板，所述第二区域位于所述第一区域在所述基板相对于所述加工头的移动方向上的下游。
2.根据权利要求I所述的方法，其中在所述打底材料和所述沉积材料的沉积过程中，所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此以恒定速度连续移动。
3.根据权利要求I所述的方法，其中所述打底材料是在光的影响下从所述基板分离的材料，所述方法包括从所述加工头的面向所述基板的表面的第三区域，从所述加工头向所述基板施加图案化的光，所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中使用多步骤的原子层沉积(ALD)工艺涂敷所述图案化层，其中至少一种另外的沉积材料被选择性沉积在所述沉积材料上，所述方法包括 从所述加工头的面向所述基板的表面的另外的区域涂敷所述沉积材料至所述基板，所述另外的区域位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括从位于所述加工头的面向所述基板的表面的位置处的开口进行抽吸，所述位置沿所述第二区域的边缘定位。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括 在所述加工头的面向所述基板的表面中的凹槽中产生等离子体，所述凹槽位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游； 在所述凹槽中使用所述等离子体以从所述基板蚀刻曝光的所述打底材料。
7.一种用于制造具有沉积材料的图案化层的基板的装置，所述装置包括 加工头，具有气体轴承表面； 传送机械装置，设置用于使基板和所述加工头相对于彼此传送，同时所述气体轴承表面面向所述基板； 所述气体轴承表面包括 第一区域，具有联结至第一气体源的凹槽或一组开口，用于将打底材料涂敷至所述基板； 第二区域，具有联结至第二气体源的凹槽或一组开口，用于将沉积材料涂敷至所述基板； 气体轴承开口，围绕所述第一区域和所述第二区域； 所述加工头包括绘图机，所述绘图机被配置用于在涂敷所述打底材料之后或在涂敷所述打底材料的过程中，以及在涂敷所述沉积材料之前，使所述打底材料在所述基板上立体地形成图案。
8.根据权利要求7所述的装置，包括被配置用于产生图案化的光的光源，所述图案化的光从所述加工头的面向所述基板的表面的第三区域输出；所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间。
9.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置，在所述加工头的面向所述基板的表面的另外的区域内，所述装置包括联结至第三气体源的另外的凹槽或另外的开口，所述另外的区域位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游。
10.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置，包括抽吸开口，所述抽吸开口位于所述加工头的表面中沿所述第二区域的边缘定位的位置。
11.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置，包括等离子体源，所述等离子体源定位于或联结至所述加工头的面向所述基板的表面中的凹槽，所述凹槽位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游。
12.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置，其中所述传送机械装置包括第一辊和第二辊，分别用于辊装和辊卸所述基板；所述加工头沿从所述第一辊至所述第二辊的基板传送途径定位。
13.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置，其中所述加工头在所述第一区域和所述第二区域处的表面中具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一气体源和所述第二气体源分别联结至所述第一凹槽和所述第二凹槽。
全文摘要
一种用于制造具有沉积材料的图案化层的基板的方法，所述图案化层从加工头沉积，所述方法包括从所述加工头施加轴承气体以保持所述加工头通过气体轴承悬浮在所述基板上方；使所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此移动；涂敷打底材料，用于沉积材料至所述基板的选择性沉积，从所述加工头的面向所述基板的表面的第一区域涂敷所述打底材料，且在涂敷所述打底材料后或涂敷所述打底材料的过程中在所述基板上使所述打底材料立体地形成图案；从所述加工头的面向所述基板的表面的第二区域涂敷所述沉积材料至所述基板，所述第二区域位于所述第一区域在所述基板相对于所述加工头的移动方向上的下游。
文档编号C23C16/455GK102803553SQ201180014351
公开日2012年11月28日 申请日期2011年2月17日 优先权日2010年2月18日
发明者阿里尔·德格拉夫, 欧文·约翰·凡·斯维特, 保卢斯·威尔布罗杜萨·乔治·普迪, 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔 申请人:荷兰应用自然科学研究组织Tno