1.一种局部化学机械抛光(CMP)平台，包括：
工作台，被配置为支撑具有将被抛光的表面的工件；
抛光垫，与所述工作台隔开的宽度小于约所述工作台的宽度的一半，其中所述抛光垫被配置为分别抛光所述将被抛光的表面上的凸部或凹部的粗糙区域；
抛光液分配系统，被配置为向所述抛光垫和所述工件之间的界面施加抛光液；
清洁系统，被配置为在所述工作台上原位清洁所述工件；以及
干燥系统，被配置为在所述工作台上原位干燥所述工件。
2.根据权利要求1所述的局部CMP平台，其中，所述抛光垫具有基本平坦的表面，所述基本平坦的表面被配置为按压所述将被抛光的表面，并且所述抛光垫被配置为绕垂直于所述将被抛光的表面和所述基本平坦的表面的轴旋转。
3.根据权利要求1所述的局部CMP平台，还包括：流体填充囊，与所述抛光垫相邻并且被配置为利用可变力将所述抛光垫按压向所述工件并且可变地控制所述抛光垫的温度。
4.根据权利要求1所述的局部CMP平台，其中，所述抛光垫被配置为相对于所述工作台上的参考部件在笛卡尔坐标系的二维平面中在所述粗糙区域之间移动。
5.根据权利要求1所述的局部CMP平台，其中，所述抛光垫被配置为相对于所述工作台上的参考部件在极坐标系的二维平面中在所述粗糙区域之间移动。
6.根据权利要求1所述的局部CMP平台，其中，所述抛光垫被配置为绕垂直于所述将被抛光的表面的轴旋转，并且所述轴为基本水平的轴。
7.根据权利要求1所述的局部CMP平台，还包括：
平坦性检测系统被配置为在分别抛光所述粗糙区域的同时，实时测量所述将被抛光的表面的平坦性。
8.根据权利要求1所述的局部CMP平台，其中，所述清洁系统包括与所述将被抛光的表面隔开的一个或多个清洁元件，并且被配置为朝向所述将被抛光的表面聚集能量或流体。
9.一种用于具有局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)的方法，所述方法包括：
测量工件的将被抛光的表面的平坦性以识别所述将被抛光的表面上的粗糙区域；
通过朝向所述粗糙区域按压抛光垫并旋转抛光垫以及向所述抛光垫和所述粗糙区域之间的界面施加抛光液来分别抛光所述粗糙区域，其中所述抛光垫的宽度小于约所述工件的宽度的一半；
在抛光之后，原位清洁所述工件而不移动所述工件；以及
在清洁之后，原位干燥所述工件而不移动所述工件。
10.一种具有局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)系统，所述CMP系统包括：
第一CMP平台，被配置为对工件执行初始抛光；以及
第二CMP平台，被配置为在所述初始抛光之后分别抛光所述工件的粗糙区域，其中所述第二CMP平台还包括清洁和干燥系统，所述清洁和干燥系统分别被配置为在分别抛光所述粗糙区域之后清洁和干燥所述工件。