一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的ITO‑Ag‑ITO蚀刻液的制作方法

文档序号:11401099阅读:823来源:国知局

本发明涉及蚀刻液技术领域,具体涉及一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的ito-ag-ito蚀刻液。



背景技术:

tft液晶显示屏朝着轻薄化方向不断发展,但是由于tft液晶显示屏原始基材的问题,通过化学方法进行减薄处理后会形成若干凹点,大大降低了产品的合格率。虽然通过研磨抛光的方法可以去除部分凹点,但是抛光过程可能导致tft产品产生zara和按压不良的问题。同时,现有蚀刻液中甘油和乙二醇的粘度受温度影响明显,蚀刻过程本身为放热反应,对银蚀刻时大量的热积聚在时刻表面,温度升高会导致甘油粘度增大,且粘度增加幅度较大,进而导致局部氢氟酸和硝酸挥发,影响蚀刻液的ph值和蚀刻主体酸硝酸的含量。因此,亟需一种基于化学手段的凹点抑制方法,在保证产品性能的基础上降低tft液晶显示屏基板减薄过程中凹点的发生率。现有技术中有研究者进行过诸多尝试,但目前仍未取得理想的效果。



技术实现要素:

本发明旨在提供了一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的ito-ag-ito蚀刻液。

本发明提供如下技术方案:

一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的ito-ag-ito蚀刻液,其是由如下重量份数的原料组成:氢氟酸13-16份、硝酸18-22份、醋氟化氨9-14份、四氢呋喃6-10份、高氯酸钠4-9份、乙二胺四乙酸二钠5-12份、钼酸钾3-8份、菊酯4-8份、磷酸一氢钾8-14份、非离子表面活性剂7-11份、添加剂3-6份、消泡剂5-9份、去离子水50-60份。

所述蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.2μm的不超过200个。

所述添加剂为有机膦磺酸。

所述有机膦磺酸的结构通式为ho3s(ch2)m-n-(ch2po3h2)n中的至少一种,m为1-2,n为1-2。

所述消泡剂为选自二乙基己醇、异辛醇、异戊醇、二异丁基甲醇中的至少一种。

所述添加剂是氯化钾或硝酸钾或者两者混合物。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明高氯酸钠和乙二胺四乙酸二钠的加入可以适当增加蚀刻液的粘度,保证蚀刻过程中蚀刻表面具有合理的反应物和生成物浓度梯度,可适当降低银蚀刻速率,有利于实现均匀蚀刻、得到可控的电极形状;同时可明显减少蚀刻过程中氢氟酸、硝酸的分解,有助于实现蚀刻过程的绿色生产;本发明蚀刻液用于在tft液晶显示屏基板进行酸蚀减薄前进行蚀刻预处理,该蚀刻液对凹点抑制效果突出,显著提升了产品合格率,同时成本较低、易于制备,因此具有良好的规模化应用前景。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例1一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的ito-ag-ito蚀刻液,其是由如下重量份数的原料组成:氢氟酸13份、硝酸18份、醋氟化氨9份、四氢呋喃6份、高氯酸钠4份、乙二胺四乙酸二钠5份、钼酸钾3份、菊酯4份、磷酸一氢钾8份、非离子表面活性剂7份、添加剂3份、消泡剂5份、去离子水50份。

所述蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.2μm的不超过200个。

所述添加剂为有机膦磺酸。

所述有机膦磺酸的结构通式为ho3s(ch2)m-n-(ch2po3h2)n中的至少一种,m为1-2,n为1-2。

所述消泡剂为选自二乙基己醇、异辛醇、异戊醇、二异丁基甲醇中的至少一种。

所述添加剂是氯化钾或硝酸钾或者两者混合物。

实施例2一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的ito-ag-ito蚀刻液,其是由如下重量份数的原料组成:氢氟酸16份、硝酸22份、醋氟化氨14份、四氢呋喃10份、高氯酸钠9份、乙二胺四乙酸二钠12份、钼酸钾8份、菊酯8份、磷酸一氢钾14份、非离子表面活性剂11份、添加剂6份、消泡剂9份、去离子水60份。

所述蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.2μm的不超过200个。

所述添加剂为有机膦磺酸。

所述有机膦磺酸的结构通式为ho3s(ch2)m-n-(ch2po3h2)n中的至少一种,m为1-2,n为1-2。

所述消泡剂为选自二乙基己醇、异辛醇、异戊醇、二异丁基甲醇中的至少一种。

所述添加剂是氯化钾或硝酸钾或者两者混合物。

实施例3一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的ito-ag-ito蚀刻液,其是由如下重量份数的原料组成:氢氟酸14份、硝酸20份、醋氟化氨11份、四氢呋喃8份、高氯酸钠7份、乙二胺四乙酸二钠8份、钼酸钾5份、菊酯6份、磷酸一氢钾11份、非离子表面活性剂9份、添加剂4份、消泡剂7份、去离子水55份。

所述蚀刻液中每1000kg颗粒度大于0.2μm的不超过200个。

所述添加剂为有机膦磺酸。

所述有机膦磺酸的结构通式为ho3s(ch2)m-n-(ch2po3h2)n中的至少一种,m为1-2,n为1-2。

所述消泡剂为选自二乙基己醇、异辛醇、异戊醇、二异丁基甲醇中的至少一种。

所述添加剂是氯化钾或硝酸钾或者两者混合物。

对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于所述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的ITO‑Ag‑ITO蚀刻液,其是由如下重量份数的原料组成:氢氟酸13‑16份、硝酸18‑22份、醋氟化氨9‑14份、四氢呋喃6‑10份、高氯酸钠4‑9份、乙二胺四乙酸二钠5‑12份、钼酸钾3‑8份、菊酯4‑8份、磷酸一氢钾8‑14份、非离子表面活性剂7‑11份、添加剂3‑6份、消泡剂5‑9份、去离子水50‑60份。本发明蚀刻液用于在TFT液晶显示屏基板进行酸蚀减薄前进行蚀刻预处理,该蚀刻液对凹点抑制效果突出,显著提升了产品合格率,同时成本较低、易于制备,因此具有良好的规模化应用前景。

技术研发人员:白航空
受保护的技术使用者:合肥市惠科精密模具有限公司
技术研发日:2017.05.19
技术公布日:2017.09.01
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