一种纳米CaO-SiO2有序点阵的制备方法与流程

文档序号:15039456发布日期:2018-07-27 21:04阅读:442来源:国知局

本发明涉及一种纳米cao-sio2有序点阵的制备方法,属于生物材料表面功能改性技术领域。



背景技术:

生物材料表面的微观结构(物理信号)和化学组成(化学信号)对于诱导骨组织形成并促进骨整合起到至关重要的作用。近年来的研究发现,材料表面的纳米阵列结构作为一种生物物理信号,能够诱导并调控细胞的行为(黏附、铺展、迁移、取向、增殖、分化、基因表达、调亡等),这种对细胞的物理调控方法为骨修复提供了重要途径。

钙-硅基(cao-sio2)生物材料具有优良的生物活性及可降解性,能够快速诱导类骨磷灰石沉积,并通过活性离子的释放,显著促进骨组织细胞的增殖,分化。近年来众多的研究表明,将cao-sio2生物材料用于医用植入材料的表面改性,可有效地改善植入材料自身生物活性的不足。专利201010600167.3采用等离子喷涂法在钛合金表面制备了一种锌修饰的钙-硅基生物陶瓷涂层,赋予了材料更为优良的生物学性能;李萍等利用循环浸泡法在钛材料表面制备出了硅酸钙涂层,显著提高了钛材料表面的生物活性(surfaceandcoatingstechnology2014;258:624-630)。然而,上述方法所获得的cao-sio2涂层均为无规的随机平面涂层结构,缺乏对cao-sio2纳米颗粒有序排布的有效控制。

本发明人设想在医用植入材料表面引入cao-sio2生物活性材料的同时,构建其有序的纳米阵列结构。这种有序cao-sio2阵列结构在生理环境下可缓慢降解,在提供凸点阵列信号的同时,也发挥着无机活性钙硅离子的生物学功能。从而实现cao-sio2表面化学信号与物理信号的有机融合。前期工作中,我们采用电化学阳极氧化法在医用316lss表面制备出有序的纳米凹坑阵列,并成功制备出一元sio2及tio2体系的有序纳米凸点阵列。我们期待利用凹坑结构的诱导成核作用,进一步构建出二元cao-sio2有序纳米点阵,从而可能赋予316lss更优异的生物学性能。



技术实现要素:

本发明所要解决的是:提供一种医用316lss表面原位生长纳米cao-sio2有序点阵的制备方法,该制备方法可用于生物医用金属材料的表面功能化改性。

为了解决上述问题,本发明提供了一种纳米cao-sio2有序点阵的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1):将316lss置于高氯酸-乙二醇电解液中阳极氧化,得到表面具有有序纳米凹坑阵列的316lss;其中,高氯酸与乙二醇的体积比为(1∶14)~(1∶19),电解液温度为-5~10℃;

步骤2):将钙源和ph值调节剂加入到去离子水中,搅拌,再加入硅源,搅拌反应,得到纳米cao-sio2溶液;

步骤3):将纳米cao-sio2溶液滴加到316lss基板表面,依次经过静置、清洗、干燥、煅烧工序,在316lss表面得到纳米cao-sio2有序点阵。纳米cao-sio2有序点阵以316lss表面有序凹坑阵列为模板,以凹坑为cao-sio2生长位点进行有序化组装,形成了316lss表面纳米cao-sio2凸点阵列结构。

优选地,所述步骤1)中阳极氧化的电压为30~50v,氧化时间为10~15min。

优选地,所述步骤1)中表面具有纳米坑凹坑阵列的316lss,其表面坑径为50~90nm。

优选地,所述步骤2)中钙源为四水合硝酸钙或氯化钙;ph值调节剂为硝酸或氨水;硅源为正硅酸四乙酯或正硅酸甲酯;ph值的调节范围为1~3或10~12,钙离子浓度为0.2~2mol/l,硅源与钙源加入量的摩尔比为(1∶2)~(1~7)。

优选地,所述步骤2)中搅拌反应的反应时间为0.5~2h;反应温度为10~30℃。

优选地,所述步骤3)中静置的时间为2~12h。

优选地,所述步骤3)中干燥的温度为55~65℃,干燥时间为3~5h。

优选地,所述步骤3)中煅烧的温度为250~450℃,升温速率为1~4℃/min,煅烧时间为3~6h。

优选地,所述步骤3)中纳米cao-sio2溶液滴加时纳米cao-sio2与316lss基板之间的垂直距离为5~9nm;其中,纳米cao-sio2的颗粒直径为30~60nm,颗粒间距为30~45nm。

优选地,所述步骤3)中纳米cao-sio2的颗粒中钙元素的化合态为ca2+,硅元素的化合态为si4+,钙原子与硅原子的原子个数比为(1∶2)~(1∶14)。

本发明利用纳米凹坑阵列提供的微空间,进一步在凹坑单元内可控地构造cao-sio2颗粒,颗粒单元的重复排布形成阵列化cao-sio2。这种有序cao-sio2阵列结构在生理环境下可缓慢降解,在提供凸点阵列信号的同时,也发挥着无机活性钙硅离子的生物学功能。

与现有技术相比,本发明的有益效果在于:

(1)本发明简单易行,成本低廉且便于推广;

(2)本发明制备得到的纳米cao-sio2点阵高度有序;

(3)本发明制备得到的纳米cao-sio2以316lss表面的纳米凹坑阵结构为模板,复制出了与凹坑阵列结构对应的有序凸点阵结构。

附图说明

图1为实施例1中316lss表面纳米凹坑阵列的fesem图;

图2为实施例1中316lss表面纳米cao-sio2点阵的fesem图;

图3为实施例1中316lss表面纳米cao-sio2点阵元素的xps总谱;

图4为实施例1中316lss表面纳米cao-sio2点阵中钙元素的xps分峰图谱;

图5为实施例1中316lss表面纳米cao-sio2点阵中硅元素的xps分峰图谱;

图6为实施例2中316lss表面纳米cao-sio2阵列的fesem图;

图7为实施例2中316lss表面纳米cao-sio2点阵元素的xps总谱;

图8为实施例2中316lss表面纳米cao-sio2点阵中钙元素的xps分峰图谱;

图9为实施例2中316lss表面纳米cao-sio2点阵中硅元素的xps分峰图谱。

具体实施方式

为使本发明更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。

实施例

一种纳米cao-sio2有序点阵的制备方法:

(1)316lss表面纳米凹坑阵列的制备:将316lss于高氯酸、乙二醇的混合液(v∶v=1∶15)中,体系溶液温度为0℃,40v阳极氧化10min,坑径为50nm;

(2)纳米cao-sio2溶液的制备:取0.2g四水合硝酸钙溶于2.9ml去离子水中,滴入硝酸,调节ph值为2,搅拌;将该溶液逐滴加入4.9ml正硅酸四乙酯中,0℃下搅拌2h;

(3)将纳米cao-sio2溶液在-5℃时,滴入装有表面具有纳米凹坑阵列的316lss的小玻璃瓶中,坑径为50nm,静置3h;

(4)取出所得样品,乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗,并在60℃下干燥5h;

(5)将样品在马弗炉中350℃煅烧,升温速率2℃/min,350℃下保温6h;

(6)将316lss表面纳米cao-sio2点阵用fesem和xps进行表征。

由图1-3可见,利用316lss的表面纳米凹坑阵列,制备了纳米cao-sio2有序凸点阵;由图4、5可见,制备的316lss表面的纳米cao-sio2含有钙元素和硅元素。其中,其中钙元素与硅元素的原子个数比为1∶2.25。钙元素的化合态为ca2+,硅元素的化合态为si4+

实施例2

一种纳米cao-sio2有序点阵的制备方法:

(1)316lss表面纳米凹坑阵列的制备:将316lss于高氯酸、乙二醇的混合液(v∶v=1∶15)中,体系溶液温度为0℃,40v阳极氧化10min,坑径为50nm;

(2)纳米cao-sio2溶液的制备:取1.15ml氨水滴加入2ml去离子水中,再加入23.8ml乙醇和1g四水合硝酸钙搅拌10min,制成溶液i;取20ml乙醇和1.77ml正硅酸四乙酯搅拌10min,制成溶液ii;将溶液ii逐渐混合到i中,搅拌30min;

(3)将cao-sio2溶液在-5℃时,滴入装有表面具有纳米凹坑阵列的316lss的小玻璃瓶中,坑径为50nm,静置3h;

(4)取出所得样品,乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗,并在60℃下干燥5h;

(5)将样品在马弗炉中350℃煅烧,升温速率2℃/min,350℃下保温6h;

(6)将316lss表面纳米cao-sio2点阵用fesem和xps进行表征。

由图6、7可见,利用316lss的表面纳米凹坑阵列,制备了纳米cao-sio2有序凸点阵;由图8、9可见,制备的316lss表面的纳米cao-sio2含有钙元素和硅元素。其中钙元素与硅元素的原子个数比为1∶13.25。钙元素的化合态为ca2+,硅元素的化合态为si4+

表1为实施例1、2中316lss表面纳米cao-sio2点阵中钙、硅元素的组成。

表1

实施例3

一种纳米cao-sio2有序点阵的制备方法:

(1)316lss表面纳米凹坑阵列的制备:将316lss于高氯酸、乙二醇的混合液(v∶v=1∶14)中,体系溶液温度为2℃,40v阳极氧化10min,坑径为90nm;

(2)纳米cao-sio2溶液的制备:取0.3g四水合硝酸钙溶于3ml去离子水中,滴入硝酸,调节ph值为1,搅拌;将该溶液逐滴加入6ml正硅酸四乙酯中,0℃下搅拌3h;

(3)将纳米硅酸钙溶液在0℃时,滴入装有表面具有纳米坑阵列的316lss的小玻璃瓶中,坑径为90nm,静置3h;

(4)取出所得样品,乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗,并在35℃下干燥8h;

(5)将样品在马弗炉中350℃煅烧,升温速率2℃/min,350℃下保温6h;

(6)将316lss表面纳米硅酸钙点阵用fesem和xps进行表征。

实施例4

一种纳米cao-sio2有序点阵的制备方法:

(1)316lss表面纳米凹坑阵的制备:将316lss于高氯酸、乙二醇的混合液(v∶v=1∶14)中,体系溶液温度为0℃,40v阳极氧化10min,坑径为90nm;

(2)纳米cao-sio2溶液的制备:取1.15ml氨水滴加入2ml去离子水中,再加入23.8ml乙醇和1g四水合硝酸钙搅拌10min,制成溶液i;取20ml乙醇和1.77ml正硅酸四乙酯搅拌10min,制成溶液ii;将溶液ii逐渐混合到i中,搅拌30min;

(3)将纳米cao-sio2溶液在-5℃时,滴入装有表面具有纳米凹坑阵列的316lss的小玻璃瓶中,坑径为90nm,静置3h;

(4)取出所得样品,乙醇清洗后再用去离子水反复冲洗,并在60℃下干燥8h;

(5)将样品在马弗炉中350℃煅烧,升温速率2℃/min,350℃下保温3h;

(6)将316lss表面纳米cao-sio2点阵用fesem和xps进行表征。

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