技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置。所述用于膜层沉积装置的气体注入管，包括位于所述气体注入管侧壁上并沿轴向方向间隔排列的多个进气孔，所述多个进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变，以提高所述膜层沉积装置内气体分布的均匀性。本发明减小了膜层沉积装置内位于不同位置的晶圆表面生长的膜层厚度差异性，改善了3D NAND存储器的性能。
技术研发人员：郭帅
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.08.06
技术公布日：2018.10.23