1.一种在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，包括如下操作步骤：
s1.将基体（1）预处理后，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层纳米晶碳化钨涂层（2）；
s2.采用热丝化学气相沉积法，在所述纳米晶碳化钨涂层（2）表面沉积一层硅掺杂金刚石涂层（3）；
s3.继续采用热丝化学气相沉积法在所述硅掺杂金刚石涂层（3）表面沉积一层本征金刚石涂层（4）；
所述基体（1）为低碳钢或低合金钢中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，在所述s2中，等离子体增强化学气相沉积法沉积纳米晶碳化钨涂层（2），采用氟化钨、甲烷和氢气为原料气体，其中所述氟化钨气体流量为6sccm，甲烷流量160sccm，氢气流量200sccm。
3.根据权利要求2所述的在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，在所述s2中，利用化学气相沉积法沉积纳米晶碳化钨涂层（2）的沉积条件为：沉积气压100-150pa，射频功率80kw，沉积时间180min，基体温度800℃。
4.根据权利要求1所述的在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，所述纳米晶碳化钨涂层（2）的碳化钨晶粒直径为20-50nm。
5.根据权利要求1所述的在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，所述s2和s3采用hfcvd法连续沉积。
6.根据权利要求1所述的在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，在沉积所述硅掺杂金刚石涂层（3）时，碳源采用丙酮，碳源中掺杂正硅酸乙酯作为硅源，浓度为1000-9000ppm。
7.根据权利要求1所述的在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，在沉积所述硅掺杂金刚石涂层（3）时，氢气流量为2000sccm，混合溶液与氢气体积比为1-2%，反应气压为1200pa，热丝温度为2200℃，基体温度约为800℃，偏压电流为4a，沉积时间为2h，沉积得到的硅掺杂金刚石晶粒直径为200nm-1μm。
8.根据权利要求1所述的在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法，其特征在于，在硅掺杂金刚石涂层表面沉积本征金刚石涂层，碳源采用丙酮，氢气流量为2000sccm，丙酮蒸汽与氢气体积比为1-2%，反应气压为1200-4500pa，热丝温度为2200℃，基体温度约为800℃，偏压电流为4a，沉积时间为2-20h。