一种遮蔽板确定方法、镀膜方法和装置与流程

文档序号:21319454发布日期:2020-06-30 20:50阅读:203来源:国知局
一种遮蔽板确定方法、镀膜方法和装置与流程

本申请涉及镀膜领域,具体而言,涉及一种遮蔽板确定方法、镀膜方法和装置。



背景技术:

对于一些非圆形且口径较大的光学元件,通常采用反向行星式旋转镀膜的方式为其进行镀膜,保证光学元件在旋转过程中依次通过镀膜室中心轴线,防止发生光学元件之间的碰撞。反向行星旋转的镀膜方式提高了镀膜机镀制非圆形光学元件的口径,但同时也使镀制的大口径光学元件的膜厚不均匀问题更加突出。由于大口径光学元件的膜厚均匀性是影响激光器性能的关键指标之一,因此对反向行星旋转镀膜的大口径光学元件进行膜厚均匀性控制非常必要。

传统技术沿用平面行星式旋转镀膜的遮蔽板设计方法来确定反向行星式旋转镀膜方法中的遮蔽板,则会使镀制的大口径光学元件的膜厚均匀性很难达到理想效果。



技术实现要素:

本申请实施例的目的在于提供一种遮蔽板确定方法、镀膜方法和装置,用以提供一种膜厚控制效果良好的遮蔽板。

第一方面,实施例提供一种遮蔽板确定方法,应用于对反向行星式旋转镀膜工艺中遮蔽板的形状进行确定,所述方法包括:获取待镀膜元件上多个待镀膜点的初始膜厚,以及获取待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,所述初始膜厚为在无遮蔽板的情况下所述待镀膜点的镀膜厚度,所述待镀膜元件在所述镀膜设备中进行反向行星式旋转;根据所述待镀膜元件的尺寸和所述镀膜设备的尺寸确定出遮蔽板的多个待设定区域,以及每一待设定区域对应的多个待镀膜点;根据每一待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,计算得到待镀膜点对应遮蔽板的展开角,所述展开角为距离所述遮蔽板预设点预设距离的圆弧角度,所述预设距离为所述展开角对应的待镀膜点与待镀膜元件中心点的距离;根据所有的待镀膜点对应的展开角,确定目标遮蔽板。

本申请实施例根据反向行星式旋转镀膜时待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,将遮蔽板进行区域划分,针对多个区域对应的待镀膜点分别确定出符合该区域镀膜点遮蔽要求的遮蔽板的展开角,以此来得到针对该非圆形待镀膜元件设计的目标遮蔽板,使得该目标遮蔽板具有膜厚控制的良好效果。

在可选的实施方式中,所述待镀膜元件的尺寸包括待镀膜元件的半径;所述镀膜设备的尺寸包括镀膜设备的公转轴半径,所述镀膜设备的公转轴半径为镀膜设备的中心轴线到待镀膜元件的中心点的最短距离;所述待镀膜元件的半径大于所述镀膜设备的公转轴半径与预设参数的乘积,所述预设参数为根据待镀膜元件所在的平面与水平面的夹角得到的;根据所述待镀膜元件的尺寸和所述镀膜设备的尺寸确定出遮蔽板的多个待设定区域,包括:根据所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,计算得到所述遮蔽板的划分长度;根据所述划分长度、所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,确定所述遮蔽板的多个待设定区域。

本申请实施例通过计算遮蔽板的划分长度,从而可以更加高效地对遮蔽板进行区域划分。

在可选的实施方式中,所述根据所述划分长度、所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,确定所述遮蔽板的多个待设定区域,包括:将距离遮蔽板预设点小于或等于所述划分长度的区域,确定为第一待设定区域;将距离遮蔽板的预设点大于所述划分长度,并且小于或等于所述待镀膜设备的公转轴半径与所述预设参数的乘积,同时靠近镀膜设备的中心轴线一侧的区域,确定为第二待设定区域;将距离遮蔽板的预设点大于所述划分长度,并且小于或等于所述待镀膜元件的半径,同时远离镀膜设备的中心轴线一侧的区域,确定为第三待设定区域。

本申请实施例通过将划分长度作为对遮蔽板进行划分的依据,实现对区域的快速划分,进而确定出遮蔽板的各个区域对应的展开角。

在可选的实施方式中,所述展开角包括第一待设定区域对应的第一展开角,所述根据每一待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,计算得到待镀膜点对应遮蔽板的展开角,包括:获取所述第一待设定区域对应的第一边缘待镀膜点的初始膜厚;以及获取所述第三待设定区域中远离第一待设定区域对应的第二边缘待镀膜点的初始膜厚;根据所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚以及第二边缘待镀膜点的初始膜厚,确定所述第一待设定区域对应的补偿膜厚;根据所述第一待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,以及所述补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角。

本申请实施例基于第一待设定区域对应的待镀膜点对称的特征,通过第一待设定区域对应的第一边缘待镀膜点的初始膜厚和第三待设定区域对应的第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到第一待设定区域对应的补偿膜厚,以此确定出遮挡效果较好的遮蔽板对应的第一展开角,以保证待镀膜元件的膜厚均匀性达到理想效果。在可选的实施方式中,所述根据所述第一设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,以及所述补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角,包括:根据所述第一待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第一期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚、所述待镀膜点的第一期望遮蔽膜厚和第一边缘待镀膜点的初始膜厚以及第一待设定区域对应的补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角。

本申请实施例通过补偿膜厚对第一待设定区域对应的待镀膜点的第一期望遮蔽膜厚进行校正,以此来确定出遮挡效果较好的遮蔽板对应的第一展开角,确保待镀膜元件的膜厚均匀性达到理想效果。

在可选的实施方式中,所述展开角包括所述第二待设定区域对应的第二展开角以及第三待设定区域对应的第三展开角,所述根据每一待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,计算得到待镀膜点对应遮蔽板的展开角,包括:获取所述第三待设定区域中远离第一待设定区域对应的第二边缘待镀膜点的初始膜厚;根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角;根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角。

本申请实施例分别基于第二待设定区域与第三待设定区域对应的待镀膜点非对称的特征,通过计算第二待设定区域对应的待镀膜点的初始膜厚、第三待设定区域对应的待镀膜点的初始膜厚以及第二边缘待镀膜点的初始膜厚,使得计算得到的遮蔽板的第二展开角与第三展开角可以更加符合对应的待设定区域的遮蔽需求,保证待镀膜元件的膜厚均匀性达到理想效果。

在可选的实施方式中,所述根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角,包括:根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第二期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚和对应的第二期望遮蔽膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角;所述根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角,包括:根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第三期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚和对应的第三期望遮蔽膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角。

本申请实施例基于待镀膜点的初始膜厚以及第二期望遮蔽膜厚,可以更加准确地得到待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角,使得计算得到的遮蔽板的第二展开角可以更加符合第二待设定区域的遮蔽需求;同理,计算得到的遮蔽板的第三展开角也更加符合第三待设定区域的遮蔽需求,进而保证待镀膜元件的膜厚均匀性达到理想效果。

在可选的实施方式中,获取所述待镀膜元件上多个待镀膜点的运动轨迹;根据所有的待镀膜点对应的展开角与所述展开角对应的预设距离,确定目标遮蔽板的外形;利用预先建立的膜厚计算模型对每一待镀膜点运动轨迹、初始膜厚和目标遮蔽板的外形进行处理,计算得到所述待镀膜点对应的实际膜厚;所述实际膜厚为在所述目标遮蔽板的遮蔽下所述待镀膜点的镀膜厚度;获取待镀膜元件的预设点对应的运动轨迹和初始膜厚;利用预先建立的膜厚计算模型对待镀膜元件的预设点对应的运动轨迹、初始膜厚和目标遮蔽板的外形进行处理,计算得到所述待镀膜元件的预设点对应的实际膜厚;根据所述预设点的实际膜厚,通过预先建立的评价模型对每一待镀膜点的实际膜厚进行分析,得到所述待镀膜点对应目标遮蔽板的评价参数,所述评价参数用于评价分析目标遮蔽板的遮蔽效果。

本申请实施例通过设定待镀膜点对于目标遮蔽板的评价参数,根据评价参数可以了解目标遮蔽板对于待镀膜元件膜厚均匀性的控制效果,为后续对目标遮蔽板形状的改进提供依据。

第二方面,本申请实施例提供一种镀膜方法,包括:将待镀膜元件装配在镀膜设备的镀膜位上,所述镀膜设备包括镀膜源和目标遮蔽板,所述目标遮蔽板设置在所述镀膜源和所述镀膜位之间,所述目标遮蔽板为通过如前述实施方式任一项所述的遮蔽板确定方法获得;将所述镀膜设备的镀膜位围绕所述镀膜设备的中心轴线进行反向行星式旋转,并利用镀膜源对所述待镀膜元件进行蒸发镀膜。

本申请实施例在进行反向行星式旋转的蒸发镀膜的过程中,通过利用遮蔽板确定方法得到的目标遮蔽板为待镀膜元件进行遮蔽,可以使蒸发镀膜后得到的待镀膜元件上膜厚分布均匀,保证镀膜后元件的光学均匀性。

第三方面,本申请实施例提供一种遮蔽板确定装置,包括:获取模块,用于获取待镀膜元件上多个待镀膜点的初始膜厚,以及获取待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,所述初始膜厚为在无遮蔽板的情况下所述待镀膜点的镀膜厚度,所述待镀膜元件在所述镀膜设备中进行反向行星式旋转;划分模块,用于根据所述待镀膜元件的尺寸和所述镀膜设备的尺寸确定出遮蔽板的多个待设定区域,以及每一待设定区域对应的多个待镀膜点;角度计算模块,用于根据每一待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,计算得到待镀膜点对应遮蔽板的展开角,所述展开角为距离所述遮蔽板预设点预设距离的圆弧角度,所述预设距离为所述展开角对应的待镀膜点与待镀膜元件中心点的距离;处理模块,用于根据所有的待镀膜点对应的展开角,确定目标遮蔽板。

本申请实施例利用划分模块根据反向行星式旋转镀膜时待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,将遮蔽板进行区域划分,再利用角度计算模块针对多个区域对应的待镀膜点分别确定出符合该区域镀膜点遮蔽要求的遮蔽板的展开角,以此来得到针对该非圆形待镀膜元件设计的目标遮蔽板,使得该目标遮蔽板具有膜厚控制的良好效果。

第四方面,本申请实施例提供一种电子设备,包括:处理器、存储器和总线,其中,所述处理器和所述存储器通过所述总线完成相互间的通信;所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序指令,所述处理器调用所述程序指令能够执行如前述实施方式任一项所述的方法。

第五方面,本申请实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质,所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令,所述计算机指令使所述计算机执行如前述实施方式任一项所述的方法。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种镀膜设备的剖面结构示意图;

图2为本申请实施例提供的一种反向行星式旋转镀膜的俯视示意图;

图3为本申请实施例提供的一种遮蔽板确定方法的流程示意图;

图4为本申请实施例提供的一种遮蔽板的待设定区域划分的示意图;

图5为本申请实施例提供的一种镀膜方法的流程示意图;

图6为本申请实施例提供的一种遮蔽板确定装置的结构示意图;

图7为一种可应用于本申请实施例中的电子设备的结构框图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行描述。

图1为本申请实施例提供的一种镀膜设备100的剖面结构示意图,如图所示,所述镀膜设备100包括:镀膜位110以及蒸发源120,镀膜位110设置在镀膜设备100顶部,镀膜位110所在的平面与水平面成第一预设角度,以便在镀膜设备100中对待镀膜元件进行均匀镀膜,所述镀膜位110用于放置待镀膜元件;蒸发源120设置在镀膜设备100底部,蒸发源120用于将镀膜材料进行蒸发,使得蒸发的材料可以在待镀膜元件的表面上凝结成膜。

同时,在镀膜设备100中可以设置多个不同材料的蒸发源120,在镀膜过程中可以通过不同材料的蒸发,为待镀膜元件进行镀膜。蒸发源120具体的类型和数量以及设置位置可以根据实际的镀膜需求进行调整。

在对待镀膜元件进行镀膜的过程中,可以将待镀膜元件装配在镀膜设备100的镀膜位110上,镀膜位110在围绕镀膜设备100的中心轴线进行公转的同时,也会围绕该镀膜位110的中心点进行自转。

其中,待镀膜元件可以为光学元件、金属基片等需要进行镀膜的元件。待镀膜元件的类型不限定,可以根据实际镀膜需求进行调整。待镀膜元件可以为大口径光学元件,例如,φ800mm口径的大口径光学元件,可以在镀膜位110上设置单个的大口径光学元件进行镀膜。待镀膜元件也可以为小口径光学元件,可以对应的在镀膜位110上设置多个小口径光学元件进行镀膜。同时待镀膜元件的外形可以为规整的形状,例如圆片状光学元件,也可以为不规则的非圆形,例如长方形光学元件、三角形光学元件,待镀膜元件的具体口径的参数以及具体外形可以根据实际镀膜需求进行调整。以下以待镀膜元件为非圆形光学元件进行说明。

在镀膜过程中,随着镀膜元件口径的增大,膜厚均匀性将变得越难控制,根据蒸发镀膜原理,镀膜后的元件通常会出现边缘膜厚较小,中间膜厚较大的情况。一般是采用遮蔽挡板技术来改善镀膜元件的膜厚分布,即将遮蔽板置于蒸发源120与待镀膜元件之间,通过遮蔽板来改变蒸发源120发出的镀膜膜料在待镀膜元件上的沉积状况,以达到膜厚均匀性修正的目的。

对于平面行星式旋转镀膜来说,可镀制的最大口径元件的半径必须小于公转轴半径r与预设参数的乘积,公转轴半径r即最大口径元件的中心点到镀膜设备100的中心轴线的距离,预设参数为预设角度的余弦值的倒数,预设角度为最大口径元件所在的平面与水平面的夹角度数,旋转时元件都是不过镀膜室中心轴线的。而在对半径较大的非圆形光学元件进行镀膜的过程中,当其半径大于公转轴半径r与预设参数的乘积时,如果使用平面行星式旋转方式来对其进行镀膜,则旋转时非圆形光学元件的部分区域会越过镀膜室的中心轴线,待镀膜元件之间容易发生碰撞,严重会导致待镀膜元件的镀膜失败。

图2为本申请实施例提供的一种用反向行星式旋转方式镀膜的俯视示意图,如图所示,在反向行星式旋转镀膜下,两个大口径待镀膜元件在围绕镀膜设备100中心轴线进行逆时针公转同时,两个待镀大口径元件也会围绕各自的中心点进行自转,但每个待镀元件的自转方向不一样。待镀膜元件1进行顺时针自转,待镀膜元件2进行逆时针自转。通过这种巧妙的反向行星旋转方式,使待镀膜元件1和待镀膜元件2在镀膜旋转时会同时经过镀膜设备100中心轴线,避免了镀膜过程中两个待镀大口径元件碰撞。反向行星选择方式使在同样的镀膜设备100的空间尺寸下,可镀制的最大口径非圆形元件超过了平面行星等其他镀膜旋转方式,提升了镀膜机镀制大口径元件的能力。

其中,遮蔽板在镀膜过程中的位置固定不变,通过遮蔽板对膜料的遮蔽以及待镀膜元件的旋转,可以控制待镀膜元件在镀膜过程中的膜厚均匀性。由此,根据镀膜过程中遮蔽板不同的待设定区域对应的待镀膜点的具体运动轨迹来设计遮蔽板的形状,以此来保证待镀膜元件的膜厚均匀性是尤为重要的。

再者,遮蔽板成圆周状均匀设置在镀膜机中,可以在镀膜机中设置多个遮蔽板,相邻遮蔽板间隔相同角度。例如,在镀膜机中设两个遮蔽板,每个遮蔽板之间间隔180°进行设置。遮蔽板的具体数量和设置方式具体可以根据实际的遮蔽需求进行限定。

图3为本申请实施例提供的一种遮蔽板确定方法的流程示意图,所述方法用于对反向行星式旋转镀膜工艺中遮蔽板的形状进行确定,所述方法包括:

步骤310:获取待镀膜元件上多个待镀膜点的初始膜厚,以及获取待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,所述初始膜厚为在无遮蔽板的情况下所述待镀膜点的镀膜厚度,所述待镀膜元件在所述镀膜设备中进行反向行星式旋转。

其中,多个待镀膜点可以包括待镀膜元件上的任一点,例如待镀膜元件的中心点或者是边缘点,可以选择待镀膜元件任意一条半径上的多个采样点作为待镀膜点,也可以选择待镀膜元件上多个半径上的多个采样点作为待镀膜点。选择多个待镀膜点的方式不限定,可以根据实际的遮蔽需求进行调整。选择的多个待镀膜点的数量越多,对应确定的遮蔽板的形状也更加准确。

并且,待镀膜点的初始膜厚以及待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,可以通过模拟待镀膜元件的反向行星式旋转镀膜过程,进行仿真计算得到,上述数据的获取方法可以根据实际需求进行调整。

步骤320根据所述待镀膜元件的尺寸和所述镀膜设备的尺寸确定出遮蔽板的多个待设定区域,以及每一待设定区域对应的多个待镀膜点。

由于待镀膜元件尺寸和镀膜设备尺寸的相对关系,导致待镀膜元件存在部分区域会在镀膜过程中越过镀膜设备的中心轴线,而其余区域不越过中心轴线的情况。由此,根据待镀膜元件上不同待镀膜点的运动轨迹的差异,来对应设置划分遮蔽板的待设定区域,以保证得到的目标遮蔽板对待镀膜元件具有良好的遮蔽效果。

步骤330:根据每一待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,计算得到待镀膜点对应遮蔽板的展开角。

其中,所述展开角为距离所述遮蔽板的预设点预设距离的圆弧角度,所述预设距离为所述展开角对应的待镀膜点与待镀膜元件中心点的距离。图2为本申请实施例提供的一种反向行星式旋转镀膜的俯视示意图,如图2所示,假设待镀膜点p距离对应的待镀膜元件的中心点o的距离为a,即预设距离a,则待镀膜点p对应的展开角为角σ,角σ为距离遮蔽板的预设点o’预设距离为a的圆弧角度,再者,遮蔽板的预设点与待镀膜元件的中心点对应,即遮蔽板的预设点到镀膜设备中心轴线的距离与待镀膜元件的中心点到镀膜设备中心轴线的距离相等。

对于遮蔽板上与待镀膜点对应的展开角,一个待镀膜点可以对应一个展开角,多个与镀膜元件的中心点距离相同的待镀膜点也可以对应同一个展开角。举例来说,假设选择一条半径上的多个采样点作为待镀膜点,则一个待镀膜点对应一个展开角,假设选择多条半径上的多个采样点作为待镀膜点,则多个与镀膜元件的中心点距离相同的遮挡点也可以对应同一个展开角。

针对不同的待设定区域,可以根据待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,确定待设定区域对应的多个待镀膜点的膜厚分布情况。根据该待设定区域对应的多个待镀膜点的膜厚分布情况,进而确定遮蔽板的待设定区域中待镀膜点对应的展开角。

步骤340:根据所有的待镀膜点对应的展开角,确定目标遮蔽板。

由此,根据反向行星式旋转镀膜时待镀膜元件的尺寸与镀膜设备的尺寸,将遮蔽板进行区域划分。针对多个区域对应的待镀膜点,分别确定出符合每一待设定区域对应的待镀膜点遮蔽要求的遮蔽板的展开角,以此来得到针对该非圆形待镀膜元件设计的目标遮蔽板,使得该目标遮蔽板具有良好的膜厚控制效果。

在本申请的一种实施方式中,步骤320可以具体包括:所述待镀膜元件的尺寸包括待镀膜元件的半径;所述镀膜设备的尺寸包括镀膜设备的公转轴半径,所述镀膜设备的公转轴半径为镀膜设备的中心轴线到待镀膜元件的中心点的最短距离;所述待镀膜元件的半径大于所述镀膜设备的公转轴半径与预设参数的乘积,所述预设参数为根据待镀膜元件所在的平面与水平面的夹角得到的;所述根据所述待镀膜元件的尺寸和所述镀膜设备的尺寸确定出遮蔽板的多个待设定区域,包括:根据所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,计算得到所述遮蔽板的划分长度;根据所述划分长度、所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,确定所述遮蔽板的多个待设定区域。

平面行星旋转下待镀膜元件上待镀膜点的运动轨迹始终相对于待镀膜元件中心点运动轨迹呈对称分布,但是在反向行星旋转下,由于运动轨迹不对称会导致部分待镀膜点的运动轨迹有重合区,因此需要对存在重合区的这部分区域的遮蔽板的外形设计进行单独考虑。

由此,通过设定划分长度可以快速区分对应的待镀膜点运动轨迹有重合的区域,以及对应的待镀膜点运动轨迹无重合的区域,从而实现对遮蔽板的快速划分。其中,划分长度可以为两倍的镀膜设备的公转轴半径与预设参数的乘积与待镀膜元件的半径的差值,预设参数可以为待镀膜元件所在的平面与水平面的夹角的余弦值的倒数。

举例来说,图4为本申请实施例提供的一种遮蔽板的待设定区域划分的示意图,如图4所示,假设镀膜设备的中心点为s,待镀膜元件的中心点与遮蔽板的预设点在当前时刻均为o’,待镀膜元件的半径为ra,所述待镀膜元件所在的平面与水平面的夹角为倾斜角ε,预设参数为所述镀膜设备的公转轴半径为r,则镀膜设备的公转轴半径r与预设参数的乘积为当待镀膜元件的半径ra小于或等于镀膜设备的公转轴半径r与预设参数的乘积时,待镀膜元件的运动轨迹没有重合区,不需要进行区域划分,而当待镀膜元件的半径ra大于镀膜设备的公转轴半径r与预设参数的乘积时,待镀膜元件的运动会越过镀膜设备的中心轴线,导致部分待镀膜点的运动轨迹有重合区,因此,需要进行区域划分。其中,划分长度j与待镀膜元件的半径的和ra等于两倍的镀膜设备的公转轴半径r,即j+ra=2r,由此,可以计算出划分长度。

在上述实施例的基础上,所述根据所述划分长度、所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,确定所述遮蔽板的多个待设定区域,包括:将距离遮蔽板预设点小于或等于所述划分长度的区域,确定为第一待设定区域;将距离遮蔽板的预设点大于所述划分长度,并且小于或等于所述镀膜设备的公转轴半径与所述预设参数的乘积,同时靠近镀膜设备的中心轴线一侧的区域,确定为第二待设定区域;将距离遮蔽板的预设点大于所述划分长度,并且小于或等于所述待镀膜元件的半径,同时远离镀膜设备的中心轴线一侧的区域,确定为第三待设定区域。

继续以图4为例进行说明,将遮蔽板上距离遮蔽板预设点o’小于或等于所述划分长度j的区域,判定为运动轨迹未发生重合的区域,即第一待设定区域①。再基于镀膜设备的尺寸和待镀膜元件尺寸的考虑,遮蔽板靠近镀膜设备中心轴线的一侧不能超过镀膜设备的中心轴线。由此,将遮蔽板上距离遮蔽板预设点o’大于所述划分长度j的区域,并且小于或等于所述镀膜设备的公转轴半径r与所述预设参数的乘积同时靠近镀膜设备的中心轴线一侧的区域,判定为运动轨迹发生重合的区域,即第二待设定区域②。同时遮蔽板远离镀膜设备中心轴线的一侧不能超过待镀膜元件的半径ra,因为遮蔽板超过的部分对待镀膜元件的膜厚控制无用。因此,将距离遮蔽板的预设点o’大于所述划分长度j,并且小于或等于所述待镀膜元件ra,同时远离镀膜设备的中心轴线一侧的区域,作为第三待设定区域③。

其中,待镀膜元件的尺寸可以包括待镀膜元件的半径ra,即待镀膜元件上待镀膜点p与待镀膜元件中心点o的最远距离,镀膜设备的尺寸可以包括镀膜设备的公转轴半径r,即待镀膜元件的中心点s与镀膜设备的中心轴线的距离。还可以根据待镀膜元件的位置,确定待镀膜元件与水平面的夹角,即倾斜角ε。

需要说明的是,可以根据待镀膜点在反向行星旋转下的运动特性以及镀膜设备的尺寸,计算得到待镀膜点的运动轨迹。以镀膜设备的中心轴线与蒸发源所在的水平面的交点为原点,以水平面为xy面,以镀膜设备的中心轴线为z轴,建立xyz坐标系,每一待镀膜点对应的运动轨迹在xyz坐标系中可以表示为:

其中,[x(wt),y(wt),z(wt)]为待镀膜点对应的运动轨迹,也可以理解为待镀膜点在t时刻的坐标,r为待镀膜元件的中心点到镀膜设备的中心轴线的距离,ρ为待镀膜点与待镀膜元件中心点的距离,ns为镀膜设备公转齿轮数,np为镀膜设备自转齿轮数,ε为待镀膜元件的倾斜角,h为待镀膜元件的中心点与蒸发源之间的高度差,α为在0时刻时待镀膜元件在镀膜设备中的位置起始角,β为在0时刻时待镀膜点p’在待镀膜元件中的位置起始角。继续参考图2,角α和角β如图2所示,角α是在0时刻时待镀膜元件2在镀膜机中的位置起始角,角β是在0时刻时待镀膜元件2上一待镀膜点p’在待镀膜元件b中的位置起始角。

值得说明的是,根据膜厚计算理论,待镀膜点的初始膜厚d可以表示为:

其中,d为待镀膜点的初始膜厚,m、μ和n均为根据待镀膜材料确定的参数,为待镀膜点对应的淀积角,淀积角为蒸发源与该点的连线与蒸发源在水平面上的法线的夹角,θ为待镀膜点对应的蒸发角,蒸发角为蒸发源与该点的连线与该点在镀膜元件上的法线的夹角,r为待镀膜点与蒸发源的距离。

再根据待镀膜点对应的运动轨迹的表达方式,待镀膜点的初始膜厚d可以通过预先建立的膜厚计算公式得到,膜厚计算公式可以表示为:

其中,(xp,yp,zp)为待镀膜元件上待镀膜点的动态变化的坐标,(xs,ys,zs)为蒸发源的坐标,t为待镀膜元件的镀膜时间。

再由于遮蔽板的位置在镀膜设备的位置固定,同时待镀膜元件在镀膜设备中的运动轨迹可知。由此,遮蔽板对待镀膜元件膜厚的遮蔽过程,也即为遮蔽板对待镀膜元件的运动轨迹的遮蔽,也即轨迹裁剪技术。可以通过轨迹裁剪技术,即根据待镀膜点对应的运动轨迹以及遮蔽板的外形,计算出在遮蔽板下待镀膜点对应的实际膜厚。遮蔽板的展开角的大小决定了被遮蔽板裁剪掉的运动轨迹,也决定了遮蔽板对待镀膜元件的运动轨迹的遮蔽效果。而待镀膜元件期望的遮蔽效果可以根据不同待镀膜点之间膜厚的比较精细确定。

作为本申请的一种实施方式,所述展开角包括第一待设定区域对应的第一展开角,步骤330可以具体包括:获取所述第一待设定区域对应的第一边缘待镀膜点的初始膜厚;以及获取所述第三待设定区域中远离第一待设定区域对应的第二边缘待镀膜点的初始膜厚;根据所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚以及第二边缘待镀膜点的初始膜厚,确定所述第一待设定区域对应的补偿膜厚;根据所述第一待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,以及所述补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角。

其中,第一边缘待镀膜点为第一待设定区域对应的多个待镀膜点中距离待镀膜元件中心点最远的一点,同时第一边缘待镀膜点可以为第二待定区域或第三待设定区域对应的多个待镀膜点中距离待镀膜元件中心点最近的一点。第二边缘待镀膜点为第三待设定区域对应的多个待镀膜点中距离待镀膜元件中心点最远的一点。

继续以图4为例进行说明,由于第一待设定区域①为运动轨迹未发生重合的区域,因此可以用平面行星式旋转镀的方式来求取第一待设定区域①对应的待镀膜点对应的展开角,但是考虑到遮蔽板上不止一个待设定区域,即第一待设定区域①周围有第二待设定区域和第三待设定区域。本申请实施例通过设定第一待设定区域①对应的补充膜厚,来初步衡量第二待设定区域②以及第三待设定区域③对第一待设定区域①的膜厚的影响,从而高效、准确地计算出第一待设定区域①对应的待镀膜点对应的展开角,以保证待镀膜元件的膜厚均匀性。

在上述实施例的基础上,根据所述第一待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,以及所述补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角,包括:根据所述第一待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第一期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚、所述待镀膜点的第一期望遮蔽膜厚和第一边缘待镀膜点的初始膜厚以及第一待设定区域对应的补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角。

由于第一待设定区域对应的待镀膜点的运动轨迹与平面行星式旋转中的待镀膜元件上的点一样,不越过镀膜设备的中心轴线。因此,可以根据平面行星式旋转镀膜中,对待镀膜点的展开角的计算方式来计算第一待设定区域对应的待镀膜点对应的展开角。在平面行星式旋转镀膜过程中,遮蔽板与待镀膜点对应的展开角σ可以表示为:

其中,σ为待镀膜点对应的展开角;dp-dmin为待镀膜点对应的期望遮蔽膜厚;dp为待镀膜点对应的初始膜厚;dmin为待镀膜元件对应的最小初始膜厚,最小初始膜厚可以为待镀膜元件边缘点的初始膜厚。zmin为最小初始膜厚对应的待镀膜点动态变化的z轴坐标;rmin为最小初始镀膜对应的待镀膜点与蒸发源之间动态变化的距离;zp为待镀膜点动态变化的z轴坐标;rp为待镀膜点与蒸发源之间动态变化的距离;zs为蒸发源在z轴上的坐标。由此,可以推断出第一待镀膜区域中待镀膜点对应的展开角的表达式。

继续以图4为例进行说明,j点和p点在第一待设定区,b点在第三待设定区;j点是第一待设定区域①对应的第一边缘待镀膜点,j点到待镀膜元件中心点的距离为划分长度j,p点是第一待设定区域①对应的一个待镀膜点,b点是第三待设定区域③中的第二边缘待镀膜点。在第一待设定区域中,根据p点和j点的镀膜轨迹,则可以对应求出待镀膜点p点的初始膜厚dρ和第一边缘待镀膜点j点的初始膜厚dj,进而可以计算出待镀膜点p点对应的第一期望遮蔽展开角第一期望展开角仅针对第一待设定区域的膜厚均匀性设计,若要针对待镀膜元件全区域的膜厚均匀性进行设计,就必须在此基础上考虑第二待设定区域②以及第三待设定区域③对膜厚均匀性的影响。通过比较第一待设定区域①对应的第一边缘待镀膜点初始膜厚和第三待设定区域③对应的第二边缘待镀膜点初始膜厚的差异,计算到补偿膜厚dj-db,通过补偿膜厚对第一待设定区域对应的待镀膜点的第一期望展开角进行校正,以此来确定出遮挡效果较好的遮蔽板对应的第一展开角,以确保待镀膜元件全区域的膜厚均匀性达到理想效果。由此,第一待设定区域对应的待镀膜点对应的第一展开角可以表示为:

其中,σ1为第一待设定区域对应的待镀膜点对应的第一展开角,dρ第一待设定区域中为待镀膜点的初始膜厚;dj为第一边缘待镀膜点的初始膜厚;db为第二边缘待镀膜点的初始膜厚,ρ为待镀膜点与待镀膜元件中心点的距离,j为划分长度。

作为本申请的另一种实施方式,步骤330可以具体包括:所述展开角包括所述第二待设定区域对应的第二展开角以及第三待设定区域对应的第三展开角,所述根据每一待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,计算得到待镀膜点对应遮蔽板的展开角,包括:获取所述第三待设定区域中远离第一待设定区域对应的第二边缘待镀膜点的初始膜厚;根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角;根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角。

继续参考图4,第二待设定区域②与第三待设定区域③分别设置在遮蔽板的两端,由于第二待设定区域②与第三待设定区域③对应的待镀膜点的运动轨迹均会越过待镀膜设备的中心轴线,因此,第二待设定区域②与第三待设定区域③实际上只是划分的方式不同。而由于第二待设定区域②与第三待设定区域③均属于遮蔽板的边缘区域,第二待设定区域②与第三待设定区域③对应的展开角的计算过程是相同的。

由此,基于第二待设定区域对应的待镀膜点的特征,通过计算第二待设定区域对应的待镀膜点的初始膜厚以及第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到第二待设定区域对应的遮蔽板的第二展开角;同理,可以计算得到第二待设定区域对应的遮蔽板的第三展开角。由此确定出的目标遮蔽板可以有良好的遮蔽效果,从而保证待镀膜元件整体的膜厚均匀性。

在上述实施例的基础上,所述根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角,包括:根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第二期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚和对应的第二期望遮蔽膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角;根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角,包括:根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第三期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚和对应的第三期望遮蔽膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角。

继续以图4为例进行说明,假设第二待设定区域对应的一个待镀膜点为点q,则根据待镀膜点对应的展开角σ的计算过程,可以确定出第二待设定区域对应的待镀膜点对应的第二展开角可以表示为:

其中,σ2为第二待设定区域对应的待镀膜点对应的第二展开角,dq为第二待镀膜区域中待镀膜点的初始膜厚;db为第二边缘待镀膜点的初始膜厚,ρ为待镀膜点与待镀膜元件中心点的距离,j为划分长度。

同理,对于第三待设定区域对应的第三展开角σ3的求取过程与第二待设定区域对应的第二展开角σ2的求取过程一致,此处不再进行赘述。

作为本申请的一种实施方式,步骤340之后,所述方法还包括:获取所述待镀膜元件上多个待镀膜点的运动轨迹;根据所有的待镀膜点对应的展开角与所述展开角对应的预设距离,确定目标遮蔽板的外形;利用预先建立的膜厚计算模型对每一待镀膜点的运动轨迹、初始膜厚和目标遮蔽板的外形进行处理,计算得到所述待镀膜点对应的实际膜厚;所述实际膜厚为在所述目标遮蔽板的遮蔽下所述待镀膜点的镀膜厚度;获取待镀膜元件的预设点对应的运动轨迹和初始膜厚;利用预先建立的膜厚计算模型对待镀膜元件的预设点对应的运动轨迹、初始膜厚和目标遮蔽板的外形进行处理,计算得到所述待镀膜元件的预设点对应的实际膜厚;根据所述预设点的实际膜厚,通过预先建立的评价模型对每一待镀膜点的实际膜厚进行分析,得到所述待镀膜点对应目标遮蔽板的评价参数,所述评价参数用于评价分析目标遮蔽板的遮蔽效果。

其中,在待镀膜点为第一待设定区域对应的点时,目标遮蔽板上与该待镀膜点对应的展开角为第一展开角,在待镀膜点为第二待设定区域对应的点时,目标遮蔽板上与该待镀膜点对应的展开角为第二展开角,同理,在待镀膜点为第三待设定区域对应的点时,目标遮蔽板上与该待镀膜点对应的展开角为第三展开角。

为了提高对遮蔽板的形状设计,可以通过量化遮蔽板的遮蔽效果,即通过求取评价参数,来准确地判断遮蔽板是否需要进行修正。由此,可以根据膜厚分布理论,通过衡量在目标遮蔽板的遮蔽下待镀膜点的膜厚与预设点膜厚的差异,也即衡量目标遮蔽板的遮蔽效果,建立评价模型:

其中,e为待镀膜点对应的评价参数;dp’为在目标遮蔽板的遮蔽下待镀膜点的实际膜厚;d0为在目标遮蔽板的遮蔽下待镀膜元件的预设点对应的实际膜厚;(xp,yp,zp)为待镀膜点的坐标,(xs,ys,zs)为蒸发源的坐标,(x0,y0,z0)为待镀膜元件的预设点的坐标。待镀膜元件的预设点可以为待镀膜元件的中心点,也可以为待镀膜元件的边缘点,或者为待镀膜元件上的任意一个固定的点,待镀膜元件预设点的选择不限定,可以根据实际的需求进行调整。

还需要说明的是,sh(xp,yp,zp)为待镀膜点被目标遮蔽板遮蔽住的运动轨迹,sh(x0,y0,z0)为待镀膜元件的预设点被目标遮蔽板遮蔽住的运动轨迹;f(sh(xp,yp,zp),(xs,ys,zs))为待镀膜点对应的实际遮蔽膜厚,f(sh(x0,y0,z0),(xs,ys,zs))为待镀膜元件的预设点对应的实际遮蔽膜厚。

由此,可以通过评价参数e来评价目标遮蔽板对于待镀膜点的遮蔽效果。以此,根据评价参数e来对目标遮蔽板进行修正,可以进一步提高遮蔽板对膜厚均匀性的控制。

值得说明的是,轨迹裁剪技术可以根据遮蔽板上与待镀膜点对应的运动轨迹以及遮蔽板的外形,来确定待镀膜点被遮蔽板遮挡住的运动轨迹sh(xp,yp,zp)。即:根据遮蔽板的外形,将经过遮蔽板的运动轨迹确定为待镀膜点被遮蔽板遮挡住的运动轨迹sh(xp,yp,zp)。同理,也可以确定待镀膜元件的预设点被遮蔽板遮挡住的运动轨迹sh(x0,y0,z0),此处不在进行赘述。图5为本申请实施例提供的一种镀膜方法的流程示意图,基于同一发明构思,本申请实施例中还提供一种镀膜方法,包括:

步骤510:将待镀膜元件装配在镀膜设备的镀膜位上,所述镀膜设备包括镀膜源和目标遮蔽板,所述目标遮蔽板设置在所述镀膜源和所述镀膜位之间,所述目标遮蔽板为通过上述的遮蔽板确定方法获得。

步骤520:将所述镀膜设备的镀膜位围绕所述镀膜设备的中心轴线进行反向行星式旋转,并利用镀膜源对所述待镀膜元件进行蒸发镀膜。

在实际的实验过程中,运用目标遮蔽板对待镀膜元件进行反向行星式旋转镀膜,成功将φ800mm口径元件传输反射镜的膜厚分布偏差(评价参数)由原来未加遮蔽板进行遮挡时的10%提高到了1%以内,可以使镀膜后的元件的膜厚分布更加均匀,有效提高了镀膜元件的使用精度。

图6为本申请实施例提供的一种遮蔽板确定装置的结构示意图,基于同一发明构思,本申请实施例中还提供一种遮蔽板确定装置600,包括:获取模块610,用于获取待镀膜元件上多个待镀膜点的初始膜厚,以及获取待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,所述初始膜厚为在无遮蔽板的情况下所述待镀膜点的镀膜厚度,所述待镀膜元件在所述镀膜设备中进行反向行星式旋转;划分模块620,用于根据所述待镀膜元件的尺寸和所述镀膜设备的尺寸确定出遮蔽板的多个待设定区域,以及每一待设定区域对应的多个待镀膜点;角度计算模块630,用于根据每一待设定区域对应的多个待镀膜点的初始膜厚,计算得到待镀膜点对应遮蔽板的展开角,所述展开角为距离所述遮蔽板预设点预设距离的圆弧角度,所述预设距离为所述展开角对应的待镀膜点与待镀膜元件中心点的距离;处理模块640,用于根据所有的待镀膜点对应的展开角,确定目标遮蔽板。

在上述实施例的基础上,所述待镀膜元件的尺寸包括待镀膜元件的半径;所述镀膜设备的尺寸包括镀膜设备的公转轴半径,所述镀膜设备的公转轴半径为镀膜设备的中心轴线到待镀膜元件的中心点的最短距离;所述待镀膜元件的半径大于所述镀膜设备的公转轴半径与预设参数的乘积,所述预设参数为根据待镀膜元件所在的平面与水平面的夹角得到的,所述划分模块620具体用于:根据所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,计算得到所述遮蔽板的划分长度;根据所述划分长度、所述待镀膜元件的半径以及所述镀膜设备的公转轴半径,确定所述遮蔽板的多个待设定区域。

在上述实施例的基础上,所述划分模块620也具体用于:将距离遮蔽板预设点小于或等于所述划分长度的区域,确定为第一待设定区域;将距离遮蔽板的预设点大于所述划分长度,并且小于或等于所述待镀膜设备的公转轴半径与所述预设参数的乘积,同时靠近镀膜设备的中心轴线一侧的区域,确定为第二待设定区域;将距离遮蔽板的预设点大于所述划分长度,并且小于或等于所述待镀膜元件的半径,同时远离镀膜设备的中心轴线一侧的区域,确定为第三待设定区域。

在上述实施例的基础上,所述展开角包括第一待设定区域对应的第一展开角,所述角度计算模块630具体用于:获取所述第一待设定区域对应的第一边缘待镀膜点的初始膜厚;以及获取所述第三待设定区域中远离第一待设定区域对应的第二边缘待镀膜点的初始膜厚;根据所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚以及第二边缘待镀膜点的初始膜厚,确定所述第一待设定区域对应的补偿膜厚;根据所述第一待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,以及所述补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角。

在上述实施例的基础上,所述角度计算模块630具体用于:根据所述第一待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第一边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第一期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚、所述待镀膜点的第一期望遮蔽膜厚和第一边缘待镀膜点的初始膜厚以及第一待设定区域对应的补偿膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第一展开角。

在上述实施例的基础上,所述展开角包括所述第二待设定区域对应的第二展开角以及第三待设定区域对应的第三展开角,所述角度计算模块630还可以具体用于:获取所述第三待设定区域中远离第一待设定区域对应的第二边缘待镀膜点的初始膜厚;根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角;根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角。

在上述实施例的基础上,所述角度计算模块630具体用于:根据所述第二待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第二期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚和对应的第二期望遮蔽膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第二展开角;根据所述第三待设定区域对应的每一待镀膜点的初始膜厚与所述第二边缘待镀膜点的初始膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的第三期望遮蔽膜厚;根据所述待镀膜点的初始膜厚和对应的第三期望遮蔽膜厚,计算得到所述待镀膜点对应的遮蔽板的第三展开角。

在上述实施例的基础上,所述遮蔽板确定装置还包括:评估模块,具体用于获取所述待镀膜元件上多个待镀膜点的运动轨迹;根据所有的待镀膜点对应的展开角与所述展开角对应的预设距离,确定目标遮蔽板的外形;利用预先建立的膜厚计算模型对每一待镀膜点的运动轨迹、初始膜厚和目标遮蔽板的外形进行处理,计算得到所述待镀膜点对应的实际膜厚;所述实际膜厚为在所述目标遮蔽板的遮蔽下所述待镀膜点的镀膜厚度;获取待镀膜元件的预设点对应的运动轨迹和初始膜厚;利用预先建立的膜厚计算模型对待镀膜元件的预设点对应的运动轨迹、初始膜厚和目标遮蔽板的外形进行处理,计算得到所述待镀膜元件的预设点对应的实际膜厚;根据所述预设点的实际膜厚,通过预先建立的评价模型对每一待镀膜点的实际膜厚进行分析,得到所述待镀膜点对应目标遮蔽板的评价参数,所述评价参数用于评价分析目标遮蔽板的遮蔽效果。

请参照图7,图7示出了一种可应用于本申请实施例中的电子设备10的结构框图。电子设备10可以包括存储器101、存储控制器102、处理器103、外设接口104、输入输出单元105、显示单元107。

所述存储器101、存储控制器102、处理器103、外设接口104、输入输出单元105、显示单元107各元件相互之间直接或间接地电性连接,以实现数据的传输或交互。例如,这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。至少一个软件或固件(firmware)存储于所述存储器101中或固化在操作系统(operatingsystem,os)中的软件功能模块。所述处理器103用于执行存储器101中存储的可执行模块,软件功能模块或计算机程序。

其中,存储器101可以是,但不限于,随机存取存储器(randomaccessmemory,ram),只读存储器(readonlymemory,rom),可编程只读存储器(programmableread-onlymemory,prom),可擦除只读存储器(erasableprogrammableread-onlymemory,eprom),电可擦除只读存储器(electricerasableprogrammableread-onlymemory,eeprom)等。其中,存储器101用于存储程序,所述处理器103在接收到执行指令后,执行所述程序,前述本申请实施例任一实施例揭示的方法可以应用于处理器103中,或者由处理器103实现。

处理器103可以是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。上述的处理器103可以是通用处理器,包括中央处理器(centralprocessingunit,简称cpu)、网络处理器(networkprocessor,简称np)等;还可以是数字信号处理器(jsp)、专用集成电路(asic)、现成可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器103也可以是任何常规的处理器等。

所述外设接口104将各种输入/输出装置耦合至处理器103以及存储器101。在一些实施例中,外设接口104,处理器103以及存储控制器102可以在单个芯片中实现。在其他一些实例中,他们可以分别由独立的芯片实现。

输入输出单元105用于提供给用户输入数据实现用户与所述电子设备10的交互。所述输入输出单元105可以是,但不限于,鼠标和键盘等。

显示单元107在所述电子设备10与用户之间提供一个交互界面(例如用户操作界面)或用于显示图像数据给用户参考。在本实施例中,所述显示单元107可以是液晶显示器或触控显示器。若为触控显示器,其可为支持单点和多点触控操作的电容式触控屏或电阻式触控屏等。支持单点和多点触控操作是指触控显示器能感应到来自该触控显示器上一个或多个位置处同时产生的触控操作,并将该感应到的触控操作交由处理器103进行计算和处理。

可以理解,图7所示的结构仅为示意,所述电子设备10还可包括比图7中所示更多或者更少的组件,或者具有与图7所示不同的配置。图7中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。

综上所述,本申请提供了一种遮蔽板确定方法、镀膜方法和装置,可以根据反向行星式旋转镀膜时待镀膜元件的尺寸和镀膜设备的尺寸,将遮蔽板进行区域划分,针对多个区域对应的待镀膜点分别确定出符合该区域镀膜点遮蔽要求的遮蔽板的展开角,以此来得到针对该非圆形待镀膜元件设计的目标遮蔽板,使得该目标遮蔽板具有膜厚控制的良好效果。

在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。

需要说明的是,功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:u盘、移动硬盘、只读存储器(read-onlymemory,rom)随机存取存储器(randomaccessmemory,ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

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