技术特征：
1.基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：s1、待镀件预处理：将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，随后将待镀件放入真空炉中；s2、待镀件清洗：真空炉中抽真空，升温至120～150℃，充入ar，启动ti弧靶，对待镀件进行等离子清洗；s3、底层膜：关闭ti弧靶，启动ticral溅射靶，继续充入ar，加载
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70～
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90v偏压，在待镀件表面沉积ticral膜底层膜；s4、黑色膜：关闭ticral溅射靶，持续启动石墨靶，充入ar，加载
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40～
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60v偏压，持续时间为2～5分钟，ticral膜上沉积防指印黑色膜。2.根据权利要求1所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：还包括防指印黑色膜沉积完成后关闭石墨靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至55℃～60℃后，取出镀膜件。3.根据权利要求1所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，包括采用硫酸溶液或磷酸溶液对待镀件表面进行预处理。4.根据权利要求1所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：所述待镀件清洗过程中在真空炉内偏压
‑
700～
‑
900v情况下对待镀件进行离子清洗。5.根据权利要求1所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：所述底层膜沉积过程中，真空炉内压强为6.0
×
10
‑3～8.0
×
10
‑3pa。6.根据权利要求1所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：所述底层膜的厚度为0.03～0.06μm；所述黑色膜的厚度为0.02～0.05μm。7.根据权利要求1所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：所述步骤s3中ar的流量为100～250sccm，靶电流为5～10a，电镀时间为5～8分钟。8.根据权利要求1所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：所述黑色膜沉积过程中还包括充入c2h2气体。9.根据权利要求8所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：所述步骤s4中ar流量降低至40～80sccm，c2h2气体流量为150～250sccm，c2h2气体通入时间为1～5分钟。10.一种镀膜件，包括待镀件，其特征在于：所述待镀件表面镀有采用权利要求1～9任一所述的基于pvd制备防指印黑色膜的方法制得的镀膜层。
技术总结
本发明涉及物理气相沉积表面处理技术领域，具体涉及到一种基于PVD制备防指印黑色膜的方法及镀膜件。本申请的基于PVD制备防指印黑色膜的方法，通过采用磁控溅射在待镀件表面沉积形成镀膜层，实现采用PVD镀膜技术，得到高端质感的黑色层，取代传统水电镀高浓度酸碱和铬酸等重污染的原料，且没有废水处理和排放问题；且镀膜层具有防指纹效果，同时致密性和耐磨性优异。本发明生产过程中具有无废水排放、成本低和性能优异等优点，可广泛应用于五金、家电、卫浴及汽车配件等领域。卫浴及汽车配件等领域。卫浴及汽车配件等领域。
技术研发人员：池松
受保护的技术使用者：厦门大锦工贸有限公司
技术研发日：2021.08.24
技术公布日：2021/11/23